JPS62287645A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPS62287645A JPS62287645A JP13253286A JP13253286A JPS62287645A JP S62287645 A JPS62287645 A JP S62287645A JP 13253286 A JP13253286 A JP 13253286A JP 13253286 A JP13253286 A JP 13253286A JP S62287645 A JPS62287645 A JP S62287645A
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- insulating film
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Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路のチップ構造に関し、特にチッ
プの表面構造に関する。
プの表面構造に関する。
従来の二層配線構造の半導体集積回路はシリコンへの不
純物拡散を行なった後、表面絶縁膜形成。
純物拡散を行なった後、表面絶縁膜形成。
コンタクト穴形成，第ＩＡｌ形成，層間絶縁膜形成，第
２ＡＩ形成，表面保護膜形成により形成される。この場
合、チップの端については端または端の近傍まで層間絶
縁膜や表面保護膜等の絶縁膜で覆われていた。
２ＡＩ形成，表面保護膜形成により形成される。この場
合、チップの端については端または端の近傍まで層間絶
縁膜や表面保護膜等の絶縁膜で覆われていた。
ところが上述の構造のチップは、その後の組立工程の一
部である樹脂封止工程後、層間絶縁膜及び表面保護膜が
割れるという欠点がある。これは層間絶縁膜及び表面保
護膜がシリコン窒化膜で形成されており、シリコン窒化
膜は硬くて脆く樹脂と比べ熱膨張係数も小さいため樹脂
封止後の樹脂の圧縮応力に耐えられないためである。
部である樹脂封止工程後、層間絶縁膜及び表面保護膜が
割れるという欠点がある。これは層間絶縁膜及び表面保
護膜がシリコン窒化膜で形成されており、シリコン窒化
膜は硬くて脆く樹脂と比べ熱膨張係数も小さいため樹脂
封止後の樹脂の圧縮応力に耐えられないためである。
発明者は層間絶縁膜及び表面保護膜の割れ状態を調べた
結果、いずれもチップの端から割れていることを発見し
た。またチップ面積が大きい程割れやすいことも解った
。
結果、いずれもチップの端から割れていることを発見し
た。またチップ面積が大きい程割れやすいことも解った
。
従って、割れの原因はチップの横方向の応力がシリコン
窒化膜に作用して生ずるものと考えられる。
窒化膜に作用して生ずるものと考えられる。
上述した従来のプラズマ窒化膜等の硬くて脆い物質をシ
リコン上に形成する半導体集積回路では、樹脂による成
長膜の割れは避けて通れない問題である。また集積回路
の集積度は向上するものの回路自体の規模が大きくなり
チップサイズも大きくなる傾向にあシ、チップサイズが
大きいと割れも発生しやすくなる。
リコン上に形成する半導体集積回路では、樹脂による成
長膜の割れは避けて通れない問題である。また集積回路
の集積度は向上するものの回路自体の規模が大きくなり
チップサイズも大きくなる傾向にあシ、チップサイズが
大きいと割れも発生しやすくなる。
本発明は成長膜の割れの発生機構に注目し、チップ周辺
のみ緩衝材を用いれば割れが防げることが第１の独創的
内容であり、その結果として緩衝材として新たに新しい
物質を用いず従来の工程を増すことな〈従来もある電極
金属を用いることができることが第２の独創的内容であ
る。
のみ緩衝材を用いれば割れが防げることが第１の独創的
内容であり、その結果として緩衝材として新たに新しい
物質を用いず従来の工程を増すことな〈従来もある電極
金属を用いることができることが第２の独創的内容であ
る。
本発明は以上述べた多層配線構造等での層間絶縁膜及び
表面保護膜の割れを抑えること金目的としており、これ
によりコストが安く、信頼度の高い半導体集積回路を提
供できる。
表面保護膜の割れを抑えること金目的としており、これ
によりコストが安く、信頼度の高い半導体集積回路を提
供できる。
本発明による半導体集積回路は層間絶縁膜及び表面保護
膜の割れがチップの端から生じていることに注目し、チ
ップの端において表面保護膜あるいは層間絶縁膜の端と
チップ端の間に配線金属を備えたことを特徴とする。
膜の割れがチップの端から生じていることに注目し、チ
ップの端において表面保護膜あるいは層間絶縁膜の端と
チップ端の間に配線金属を備えたことを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
１はシリコン基板である。シリコン基板内への不純物拡
散領域は図では省略している。１の表面に゛厚さ０．７
μｍのシリコン酸化膜２と厚さＯ，１μｍのシリコン窒
化膜３で表面絶縁膜を形成し、コンタクトの穴を形成後
第１アルミ蒸着層４を１．０μｍ蒸着し、その後プラズ
マ窒化膜層５を１．０μｍ成長し層間絶縁膜とし、第２
アルミ蒸着層６を２．０μｍ蒸着し、最後にプラズマ窒
化膜層７を１．０μｍ成長し表面保護膜としている。各
層はもちろん成長後パターン形成を行なっている。チッ
プの端８はシリコンｔ−ｍ出させておシ、表面保護膜と
しての７及び層間絶縁膜としての５の端とチップの端８
の間に第１アルミ蒸着層９と第２アルミ蒸着層１０を１
０μｍ備えている。
散領域は図では省略している。１の表面に゛厚さ０．７
μｍのシリコン酸化膜２と厚さＯ，１μｍのシリコン窒
化膜３で表面絶縁膜を形成し、コンタクトの穴を形成後
第１アルミ蒸着層４を１．０μｍ蒸着し、その後プラズ
マ窒化膜層５を１．０μｍ成長し層間絶縁膜とし、第２
アルミ蒸着層６を２．０μｍ蒸着し、最後にプラズマ窒
化膜層７を１．０μｍ成長し表面保護膜としている。各
層はもちろん成長後パターン形成を行なっている。チッ
プの端８はシリコンｔ−ｍ出させておシ、表面保護膜と
しての７及び層間絶縁膜としての５の端とチップの端８
の間に第１アルミ蒸着層９と第２アルミ蒸着層１０を１
０μｍ備えている。
樹脂封止によるチップへの応力は圧縮応力でありチップ
端の層間絶縁膜や表面保護膜への加圧が周囲をアルミで
覆うことによシ緩和され割れがなくなる。
端の層間絶縁膜や表面保護膜への加圧が周囲をアルミで
覆うことによシ緩和され割れがなくなる。
第２図は本発明の他の実施例の縦断面図である。
本実施例は前例と異なり表面電極が一層の場合を挙げる
。
。
１１はシリコン基板であシ、シリコン基板内への不純物
拡散領域は図では省略している。厚さ０．７μｍのシリ
コン窒化膜１２と厚さ０．１μｍのシリコン窒化膜１３
で表面絶縁膜を形成しコンタクトの穴を形成後、アルミ
蒸着１４を１．７μｍ蒸着しその後プラズマ窒化膜層１
７を１．０μｍ成長し表面保護膜としている。各層はパ
ターン形成を行なっている。
拡散領域は図では省略している。厚さ０．７μｍのシリ
コン窒化膜１２と厚さ０．１μｍのシリコン窒化膜１３
で表面絶縁膜を形成しコンタクトの穴を形成後、アルミ
蒸着１４を１．７μｍ蒸着しその後プラズマ窒化膜層１
７を１．０μｍ成長し表面保護膜としている。各層はパ
ターン形成を行なっている。
チップの端１８はシリコンを露出させており、表面保護
膜としての１７の端とチップ端１８の間にアルミ蒸着層
１９を１０μｍ備えている。
膜としての１７の端とチップ端１８の間にアルミ蒸着層
１９を１０μｍ備えている。
本実施例も第１図に示す例と同じくチップ周囲を柔かい
アルミで覆っているため割れない。
アルミで覆っているため割れない。
以上説明したように、本発明はチップ周囲を電極金属で
覆うことによシ、硬くて脆いプラズマ窒化膜等の樹脂封
止応力を周囲の金属の柔らかさで緩和し割れを効果的に
なくすことができる。
覆うことによシ、硬くて脆いプラズマ窒化膜等の樹脂封
止応力を周囲の金属の柔らかさで緩和し割れを効果的に
なくすことができる。
プラズマ窒化膜の割れはチップサイズが大きい程、また
樹脂の面積が大きい程割れやすいことが邂っているため
、本発明は必要に応じてチップの全周に実施してもよい
し一部に実施してもよい。
樹脂の面積が大きい程割れやすいことが邂っているため
、本発明は必要に応じてチップの全周に実施してもよい
し一部に実施してもよい。
また金属はアルミニ限らず柔かい性質の金属であれば伺
でもよい。
でもよい。
本発明によシ製造上の不具合もなくせるはかシか、市場
へ出てからの熱ストレスによる応力に対しても高い信頼
性を得ることができる。
へ出てからの熱ストレスによる応力に対しても高い信頼
性を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図であり、第２
図は本発明の他の実施例を示す縦断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・シリコン
酸化膜。 什押人 妻押キ 内 百 普 箭ｆ図 躬′２′図
図は本発明の他の実施例を示す縦断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・シリコン
酸化膜。 什押人 妻押キ 内 百 普 箭ｆ図 躬′２′図
Claims (2)
- （１）表面保護膜あるいは層間絶縁膜の端とチップ端の
間に配線金属を備えたことを特徴とする半導体集積回路
。 - （２）前記表面保護膜あるいは層間絶縁膜がシリコン窒
化膜で構成されたことを特徴とする前記特許請求の範囲
（１）項記載の半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13253286A JPS62287645A (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13253286A JPS62287645A (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62287645A true JPS62287645A (ja) | 1987-12-14 |
Family
ID=15083480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13253286A Pending JPS62287645A (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62287645A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02125638A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPH0488632A (ja) * | 1990-07-31 | 1992-03-23 | Murata Mfg Co Ltd | 化合物半導体装置の製造方法 |
| US6650010B2 (en) | 2002-02-15 | 2003-11-18 | International Business Machines Corporation | Unique feature design enabling structural integrity for advanced low K semiconductor chips |
| WO2002097868A3 (en) * | 2001-06-01 | 2004-04-08 | Koninkl Philips Electronics Nv | Integrated circuit having an energy-absorbing structure |
-
1986
- 1986-06-06 JP JP13253286A patent/JPS62287645A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02125638A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPH0488632A (ja) * | 1990-07-31 | 1992-03-23 | Murata Mfg Co Ltd | 化合物半導体装置の製造方法 |
| WO2002097868A3 (en) * | 2001-06-01 | 2004-04-08 | Koninkl Philips Electronics Nv | Integrated circuit having an energy-absorbing structure |
| US6650010B2 (en) | 2002-02-15 | 2003-11-18 | International Business Machines Corporation | Unique feature design enabling structural integrity for advanced low K semiconductor chips |
| US6815346B2 (en) | 2002-02-15 | 2004-11-09 | International Business Machines Corporation | Unique feature design enabling structural integrity for advanced low k semiconductor chips |
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