JPS62293618A - シリコン基板の処理方法 - Google Patents
シリコン基板の処理方法Info
- Publication number
- JPS62293618A JPS62293618A JP13738086A JP13738086A JPS62293618A JP S62293618 A JPS62293618 A JP S62293618A JP 13738086 A JP13738086 A JP 13738086A JP 13738086 A JP13738086 A JP 13738086A JP S62293618 A JPS62293618 A JP S62293618A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrofluoric acid
- substrate
- silicon substrate
- oxide film
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明はシリコン基板の処理方法に関し、特に弗化水素
酸あるいは弗化水素酸を含む溶液を用いたシリコン酸化
膜の除去（以下弗化水素酸処理と呼ぶ）に関する。
酸あるいは弗化水素酸を含む溶液を用いたシリコン酸化
膜の除去（以下弗化水素酸処理と呼ぶ）に関する。
従来、この種のシリコン酸化膜の除去方法としては、第
２図に示すように、弗化水素酸あるいは弗化水素酸を含
む溶液を満たした弗化水素酸処理槽８中にシリコン基板
７を潰し酸化膜を完全に除去し、その後、シリコン基板
７を弗化水素酸処理槽８より取り出し、シャワ一槽９に
移す。ここでシャワーノズル１０よシ純水を噴出し、シ
リコン基板上の弗化水素酸などを完全に除去する方法を
とっている。
２図に示すように、弗化水素酸あるいは弗化水素酸を含
む溶液を満たした弗化水素酸処理槽８中にシリコン基板
７を潰し酸化膜を完全に除去し、その後、シリコン基板
７を弗化水素酸処理槽８より取り出し、シャワ一槽９に
移す。ここでシャワーノズル１０よシ純水を噴出し、シ
リコン基板上の弗化水素酸などを完全に除去する方法を
とっている。
上述した従来のシリコン基板の処理方法においては、弗
化水素酸あるめは弗化水素酸を含む溶液によシリコン基
板上のシリコン酸化膜を除去した後に、弗化水素酸処理
槽からシリコン基板を取り出す時にシリコン基板表面に
空気中の炭化水素や微粒子が吸着するという欠点がある
。
化水素酸あるめは弗化水素酸を含む溶液によシリコン基
板上のシリコン酸化膜を除去した後に、弗化水素酸処理
槽からシリコン基板を取り出す時にシリコン基板表面に
空気中の炭化水素や微粒子が吸着するという欠点がある
。
本発明の目的は上記の欠点を除去し、シリコン酸化膜を
除去した後、空気中に取り出すことをなくすることによ
シ、炭化水素や微粒子の吸着されない清浄な保護酸化膜
の形成されたシリコン基板を提供することにある。
除去した後、空気中に取り出すことをなくすることによ
シ、炭化水素や微粒子の吸着されない清浄な保護酸化膜
の形成されたシリコン基板を提供することにある。
本発明のシリコン基板の処理方法は、弗化水素酸あるい
は弗化水素酸を含む溶液による処理の後、シリコン基板
を弗化水素酸処理槽から取り出すことなく、純水で弗化
水素酸などをオー−（フロー置換する工程と純水中に酸
素あるいはオゾンをバブリングしてシリコン基板表面に
清浄な保護酸化膜を形成する工程とを有している。
は弗化水素酸を含む溶液による処理の後、シリコン基板
を弗化水素酸処理槽から取り出すことなく、純水で弗化
水素酸などをオー−（フロー置換する工程と純水中に酸
素あるいはオゾンをバブリングしてシリコン基板表面に
清浄な保護酸化膜を形成する工程とを有している。
以上の工程によシ、弗化水素酸処理によりシリコン酸化
膜が除去されてシリコン表面が露出し、活性なシリコン
表面のダングリング争ホントにより、空気中の炭化水素
や微粒子が吸着されると考えられる原因を除去し、清浄
な保護酸化膜が形成される。
膜が除去されてシリコン表面が露出し、活性なシリコン
表面のダングリング争ホントにより、空気中の炭化水素
や微粒子が吸着されると考えられる原因を除去し、清浄
な保護酸化膜が形成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明による処理方法の一実施例の模式図であ
る。先ず弗化水素酸処理を施こそうとするシリコン基板
１を、弗化水素酸あるいは弗化水素酸を含む水溶液を満
たし友邦化水素酸処理槽２の中に浸し、シリコン酸化膜
を除去する。シリコン酸化膜が完全に除去された後に、
純水供給パルプ３を開きオーバフロー水洗を行々う。弗
化水素酸溶液が完全に純水で置換された後、テフロン製
バブラ４より酸素あるいはオゾンをバブリングする。酸
素あるいはオゾンの効果によシ、シリコン基板１の表面
に清浄な薄い保護酸化膜が形成された時点で、シリコン
基板１を弗化水素酸処理槽２よシ取）出しシャワ一槽５
に移す。シャワ一槽５においてシャワーノズル６よシ純
水を噴射し、シリコン基板上の弗化水素酸などを完全に
除去する。
る。先ず弗化水素酸処理を施こそうとするシリコン基板
１を、弗化水素酸あるいは弗化水素酸を含む水溶液を満
たし友邦化水素酸処理槽２の中に浸し、シリコン酸化膜
を除去する。シリコン酸化膜が完全に除去された後に、
純水供給パルプ３を開きオーバフロー水洗を行々う。弗
化水素酸溶液が完全に純水で置換された後、テフロン製
バブラ４より酸素あるいはオゾンをバブリングする。酸
素あるいはオゾンの効果によシ、シリコン基板１の表面
に清浄な薄い保護酸化膜が形成された時点で、シリコン
基板１を弗化水素酸処理槽２よシ取）出しシャワ一槽５
に移す。シャワ一槽５においてシャワーノズル６よシ純
水を噴射し、シリコン基板上の弗化水素酸などを完全に
除去する。
本発明による処理方法においては、弗化水素酸処理槽２
からシャワ一槽５ヘシリコン基板１を移す時に、シリコ
ン基板上に保護酸化膜が形成されているため、空気中の
炭化水素および微粒子のシリコン基板上への吸着を防ぐ
ことができる。
からシャワ一槽５ヘシリコン基板１を移す時に、シリコ
ン基板上に保護酸化膜が形成されているため、空気中の
炭化水素および微粒子のシリコン基板上への吸着を防ぐ
ことができる。
本発明による処理方法を用いることにより、従来技術に
よる処理方法に比べ、シリコン基板上の直径０．３μｍ
以上の微粒子数をｌ／１０以下に抑えることができた。
よる処理方法に比べ、シリコン基板上の直径０．３μｍ
以上の微粒子数をｌ／１０以下に抑えることができた。
以上説明したように本発明は、シリコン基板の弗化水素
酸処理においてシリコン酸化膜の除去の後、弗化水素酸
あるいは弗化水素酸溶液を純水でオーバフロー置換し、
酸素あるいはオゾンをバブリングすることにより弗化水
素酸処理槽内においてシリコン基板上に清浄な薄い保護
酸化膜を形成′することができて、炭化水素および微粒
子の少ないシリコン基板を得ることができる。
酸処理においてシリコン酸化膜の除去の後、弗化水素酸
あるいは弗化水素酸溶液を純水でオーバフロー置換し、
酸素あるいはオゾンをバブリングすることにより弗化水
素酸処理槽内においてシリコン基板上に清浄な薄い保護
酸化膜を形成′することができて、炭化水素および微粒
子の少ないシリコン基板を得ることができる。
第１図は本発明のシリコン基板の処理方法の一実施例の
模式図、第２図は従来技術による処理方法の実施例の模
式図である。 １．７・・・・・・シリコン基板、ａ８・・・・・・弗
化水素酸処理槽、３・・・・・・純水供給バルブ、４・
・・・・・テフロン製バブラ、５，９・・・・・・シャ
ワ一槽、６，１０・・・・・・シャワーノズル。 代理人 弁理士 内 原 １ ゛″目
模式図、第２図は従来技術による処理方法の実施例の模
式図である。 １．７・・・・・・シリコン基板、ａ８・・・・・・弗
化水素酸処理槽、３・・・・・・純水供給バルブ、４・
・・・・・テフロン製バブラ、５，９・・・・・・シャ
ワ一槽、６，１０・・・・・・シャワーノズル。 代理人 弁理士 内 原 １ ゛″目
Claims (1)
- シリコン基板上のシリコン酸化膜を、弗化水素酸あるい
は弗化水素酸を含む溶液中で除去する処理において、弗
化水素酸あるいは弗化水素酸を含む溶液中でシリコン酸
化膜を除去した後、このシリコン基板をシリコン酸化膜
の除去用の処理槽から取り出すことなくオーバフロー水
洗を行ない弗化水素酸を純水と置換する工程と、その後
酸素あるいはオゾンをバブリングしてシリコン基板上に
清浄な保護酸化膜を形成する工程とを含むことを特徴と
するシリコン基板の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13738086A JPS62293618A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | シリコン基板の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13738086A JPS62293618A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | シリコン基板の処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62293618A true JPS62293618A (ja) | 1987-12-21 |
Family
ID=15197331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13738086A Pending JPS62293618A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | シリコン基板の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62293618A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002176025A (ja) * | 2000-12-11 | 2002-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の洗浄装置およびその装置を使用した半導体基板の洗浄方法 |
-
1986
- 1986-06-12 JP JP13738086A patent/JPS62293618A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002176025A (ja) * | 2000-12-11 | 2002-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の洗浄装置およびその装置を使用した半導体基板の洗浄方法 |
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