JPS62297260A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPS62297260A JPS62297260A JP61140135A JP14013586A JPS62297260A JP S62297260 A JPS62297260 A JP S62297260A JP 61140135 A JP61140135 A JP 61140135A JP 14013586 A JP14013586 A JP 14013586A JP S62297260 A JPS62297260 A JP S62297260A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- ceramic composition
- present
- composition
- mol
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁器コンデンサ等に使用されるＢａＴｉ０２Ｎ
ｂＪｓ ５ｓｚ０３系高誘電率磁器組成物に関するも
のである。
ｂＪｓ ５ｓｚ０３系高誘電率磁器組成物に関するも
のである。
〔従来６技術〕
従来の誘電体磁器組成物としては例えばＢａＴｉ０ｔ−
ＢａＺｒ０．−ＢａｒｎＯｓ ＣａＴｉ０ｚ系の組成
物が実用化されていたが、これらのものは高誘電率で温
度特性の良好なものが得られたが、結晶粒径が１０〜２
０８ｍと大きく積層コンデンサを作成した場合デラミネ
ーション等を生起し、歩留りが悪く、また破壊電圧も低
い欠点があった。
ＢａＺｒ０．−ＢａｒｎＯｓ ＣａＴｉ０ｚ系の組成
物が実用化されていたが、これらのものは高誘電率で温
度特性の良好なものが得られたが、結晶粒径が１０〜２
０８ｍと大きく積層コンデンサを作成した場合デラミネ
ーション等を生起し、歩留りが悪く、また破壊電圧も低
い欠点があった。
本発明は、誘電率の温度特性をＪＩＳＥ特性規格−２５
℃〜＋８５℃の範囲で、＋２５℃の基準温度で誘電率の
温度変化率が＋２０％〜−８０５６以内で、誘電率が８
，０００−１３，０００、結晶粒径が平均５μ−以下と
したものであって、もって前記の欠点を除去することを
目的としたものである。
℃〜＋８５℃の範囲で、＋２５℃の基準温度で誘電率の
温度変化率が＋２０％〜−８０５６以内で、誘電率が８
，０００−１３，０００、結晶粒径が平均５μ−以下と
したものであって、もって前記の欠点を除去することを
目的としたものである。
本発明者は前記目的を達成するため鋭意研究を行った結
果、ＢａＴｉＯ３ Ｎｂ２Ｏ２５ｔａｚＯｘの混合組
成物に酸化セシュウム（ＣｅＯｚ）を添加することによ
り、さらにまたこれに酸化マンガン（ＭｎＯ）を添加す
ることによって、高誘電率で温度特性が良好な、そして
結晶粒径の微細化したものが得られることを見出し本発
明に到達したものである。
果、ＢａＴｉＯ３ Ｎｂ２Ｏ２５ｔａｚＯｘの混合組
成物に酸化セシュウム（ＣｅＯｚ）を添加することによ
り、さらにまたこれに酸化マンガン（ＭｎＯ）を添加す
ることによって、高誘電率で温度特性が良好な、そして
結晶粒径の微細化したものが得られることを見出し本発
明に到達したものである。
出発原料として、炭酸バリウム（ＢａＣＯｓ）、酸化チ
タン（ＴｉＯ□）、炭酸マンガン（ＭｎＣＯｓ） 、酸
化サマニウム（Ｓｓｘ（ｈ）、ｆｌＩ化ニオブ（Ｎｂ＊
Ｏｓ）を用い、先づ、等モル比のＢａＣＯ５とＴｉＯ□
にＭｎＣＯ３を添加して混合し、これを１１６０℃〜１
２００℃で２時間仮焼して、ＢａＴｉＯ３を作成した。
タン（ＴｉＯ□）、炭酸マンガン（ＭｎＣＯｓ） 、酸
化サマニウム（Ｓｓｘ（ｈ）、ｆｌＩ化ニオブ（Ｎｂ＊
Ｏｓ）を用い、先づ、等モル比のＢａＣＯ５とＴｉＯ□
にＭｎＣＯ３を添加して混合し、これを１１６０℃〜１
２００℃で２時間仮焼して、ＢａＴｉＯ３を作成した。
これを粉砕して第１表に示す組成比で秤量し、これにＣ
ｅ０ｇまたはさらにＭｎＯを添加し、これをボットミル
で混合、脱水、乾燥したのちポリビニルアルコール（Ｐ
ＶＡ）をバインダとして加えて顆粒にし、これを約３
ｔｏｎ／ｃＩ１１の成形圧力で直径１６．５ｍｍ、厚さ
０．６１の円板状成形物を作成した。この成形体を空気
中で１３４０℃〜１３６０℃で２時間焼成した。このよ
うにして得られた素体に銀電極を焼付けて試料を作成し
た。
ｅ０ｇまたはさらにＭｎＯを添加し、これをボットミル
で混合、脱水、乾燥したのちポリビニルアルコール（Ｐ
ＶＡ）をバインダとして加えて顆粒にし、これを約３
ｔｏｎ／ｃＩ１１の成形圧力で直径１６．５ｍｍ、厚さ
０．６１の円板状成形物を作成した。この成形体を空気
中で１３４０℃〜１３６０℃で２時間焼成した。このよ
うにして得られた素体に銀電極を焼付けて試料を作成し
た。
このようにして得られた試料について、それぞれ電気特
性を測定した結果を第１表に示す。
性を測定した結果を第１表に示す。
ここで、誘電率ｔ、および誘電体損失Ｌａｎ δは室温
２０℃１周波数Ｉ ＫＨｚで測定した。誘電率の温度変
化率Ｔ、Ｃ，は＋２５℃を基準として一２５℃〜＋８５
℃の誘電率温度変化率％を求めた。
２０℃１周波数Ｉ ＫＨｚで測定した。誘電率の温度変
化率Ｔ、Ｃ，は＋２５℃を基準として一２５℃〜＋８５
℃の誘電率温度変化率％を求めた。
以下余白
第１表より、本発明の高誘電率磁器組成物の組成範囲を
決定した理由を述べると、ＢａＴｉＯ３が９７．０ｍｏ
ｌ％未満では誘電率ε、が小さくなり、また２０℃にお
ける誘電率温度変化率Ｔ、Ｃ，が＋側で２０％以上とな
り、９８．０ｍｏｌ％を超えると、焼結性が悪くなり、
また誘電率温度変化率Ｔ、Ｃ，も誘電体損失ｔａｎ δ
も大きくなる。同様にＳ１０．が０．５ ｓｏ１％未
満では誘電体損失ｔａｎ δが大きくなり焼結性も悪く
なり、２．２５ｍｏｌ％を超えると誘電率ε１が小さく
、誘電率温度変化率Ｔ、Ｃ，が２θ℃において＋側へ大
きくなる。 ＮｂｚＯｓが０．７５ｍｏｌ％未満では、
焼結性が悪く、１．５ｍｏｌ％を超えると、誘電率ε、
が小さくなる。ＣｅＯ□はキューリーポイントを一例へ
移動させる働き即ちシフターの役割をしており、０．２
ｗｔ％以下ではキューリーポイントが常温以上となり、
誘電体損失ｔａｎ δが悪く誘電率温度変化率Ｔ、Ｃ，
も温度特性から外れる。
決定した理由を述べると、ＢａＴｉＯ３が９７．０ｍｏ
ｌ％未満では誘電率ε、が小さくなり、また２０℃にお
ける誘電率温度変化率Ｔ、Ｃ，が＋側で２０％以上とな
り、９８．０ｍｏｌ％を超えると、焼結性が悪くなり、
また誘電率温度変化率Ｔ、Ｃ，も誘電体損失ｔａｎ δ
も大きくなる。同様にＳ１０．が０．５ ｓｏ１％未
満では誘電体損失ｔａｎ δが大きくなり焼結性も悪く
なり、２．２５ｍｏｌ％を超えると誘電率ε１が小さく
、誘電率温度変化率Ｔ、Ｃ，が２θ℃において＋側へ大
きくなる。 ＮｂｚＯｓが０．７５ｍｏｌ％未満では、
焼結性が悪く、１．５ｍｏｌ％を超えると、誘電率ε、
が小さくなる。ＣｅＯ□はキューリーポイントを一例へ
移動させる働き即ちシフターの役割をしており、０．２
ｗｔ％以下ではキューリーポイントが常温以上となり、
誘電体損失ｔａｎ δが悪く誘電率温度変化率Ｔ、Ｃ，
も温度特性から外れる。
０．６ｗｔ％以上ではキューリーポイントが常温より一
側へ移動し、誘電率ε５が低くなり、誘電率温度変化率
Ｔ、Ｃ，が外れ実用的でない、 ＭｎＯが０．０１ｗｔ
％未満では焼結性が悪く、絶縁抵抗１．Ｒも低（，０，
３ｗｔ％以上では誘電率ε、が低くなり実用的でない。
側へ移動し、誘電率ε５が低くなり、誘電率温度変化率
Ｔ、Ｃ，が外れ実用的でない、 ＭｎＯが０．０１ｗｔ
％未満では焼結性が悪く、絶縁抵抗１．Ｒも低（，０，
３ｗｔ％以上では誘電率ε、が低くなり実用的でない。
また、本発明のＢａＴｉＯ３５ａｚ０３ ＮｂｚＯ＠
Ｃｅ０１系の自由表面の顕微鏡写真を第１図に、比
較のため従来のＢａＴｉ０＋−ＢａＺｒ０３−ＣａＴｉ
Ｏ系の自由表面の顕微鏡写真を第２図に夫々示す、第３
図はＢａＴｉＯ３−５ｅＡｚＯｘ ＮｂｚＯｓ系三角
図を示し、本発明の主成分の範囲を示すものである。
Ｃｅ０１系の自由表面の顕微鏡写真を第１図に、比
較のため従来のＢａＴｉ０＋−ＢａＺｒ０３−ＣａＴｉ
Ｏ系の自由表面の顕微鏡写真を第２図に夫々示す、第３
図はＢａＴｉＯ３−５ｅＡｚＯｘ ＮｂｚＯｓ系三角
図を示し、本発明の主成分の範囲を示すものである。
第１表中試料番号３．４．７，８，１２．１７〜２１．
２３，２４．２７は本発明の組成範囲外のものであり、
第１表中試料番号１． ２． ５． ６゜９〜１１．１
３〜１６，２２，２５．２６は本発明の組成範囲内のも
のである。
２３，２４．２７は本発明の組成範囲外のものであり、
第１表中試料番号１． ２． ５． ６゜９〜１１．１
３〜１６，２２，２５．２６は本発明の組成範囲内のも
のである。
以上のように、本発明の高誘電率磁器組成物は第１表よ
り明らかなように誘電率ε１が８．０００〜１３．００
０、誘電率温度変化率Ｔ、Ｃ，も一２５℃〜＋８５℃の
温度範囲内で＋２０％〜−８０％以内と優れた特性を有
するものである。
り明らかなように誘電率ε１が８．０００〜１３．００
０、誘電率温度変化率Ｔ、Ｃ，も一２５℃〜＋８５℃の
温度範囲内で＋２０％〜−８０％以内と優れた特性を有
するものである。
本発明は、ＢａＴｉＯ３ Ｎｂ１０５ ５１１ｇ０１
系高誘電率磁器組成物にＣｅＯ□、さらにまたＭｎＯを
添加することにより、誘電率ε８が高く、誘電率温度変
化率Ｔ、Ｃ，もＪＩＳ Ｅ特性を満足しており、積層磁
器コンデンサに応用した場合デラミネーション防止によ
る歩留りが向上し、結晶粒径の微細化（５μ−以下）に
より破壊電圧１．Ｈの向上など、従来のＢａＴｉＯｘ−
ＢａＺｒ０．− ＣａＴｉ０系では得られなかった特徴
をもつものであり、実用的価値が大きいものである。
系高誘電率磁器組成物にＣｅＯ□、さらにまたＭｎＯを
添加することにより、誘電率ε８が高く、誘電率温度変
化率Ｔ、Ｃ，もＪＩＳ Ｅ特性を満足しており、積層磁
器コンデンサに応用した場合デラミネーション防止によ
る歩留りが向上し、結晶粒径の微細化（５μ−以下）に
より破壊電圧１．Ｈの向上など、従来のＢａＴｉＯｘ−
ＢａＺｒ０．− ＣａＴｉ０系では得られなかった特徴
をもつものであり、実用的価値が大きいものである。
第１図は本発明品の自由表面の結晶構造を、第２図は従
来品の自由表面の結晶構造を示し、第３図は本発明主成
分の三角図である。
来品の自由表面の結晶構造を示し、第３図は本発明主成
分の三角図である。
Claims (2)
- （１）ＢａＴｉＯ＿３９７．０〜９８．０ｍｏｌ％Ｎｂ
＿２Ｏ＿５０．７５〜１．５０ｍｏｌ％Ｓｍ＿２Ｏ＿３
０．５０〜２．２５ｍｏｌ％を主成分とする組成物１０
０ｍｏｌ％に対して、ＣｅＯ＿２０．３〜０．６ｗｔ％
を添加含有したことを特徴とするＢａＴｉＯ＿３−Ｎｂ
＿２Ｏ＿５−Ｓｍ＿２Ｏ＿３系高誘電率磁器組成物。 - （２）ＢａＴｉＯ＿３９７．０〜９８．０ｍｏｌ％Ｎｂ
＿２Ｏ＿５０．７５〜１．５０ｍｏｌ％Ｓｍ＿２Ｏ＿３
０．５０〜２．２５ｍｏｌ％を主成分とする組成物１０
０ｍｏｌ％に対して、ＣｅＯ＿２０．３〜０．６ｗｔ％
とＭｎＯ０．０１〜０．３未満ｗｔ％とを添加含有した
ことを特徴とするＢａＴｉＯ＿３−Ｎｂ＿２Ｏ＿５−Ｓ
ｍ＿２Ｏ＿３系高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61140135A JPS62297260A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61140135A JPS62297260A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62297260A true JPS62297260A (ja) | 1987-12-24 |
Family
ID=15261698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61140135A Pending JPS62297260A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62297260A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02267166A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
| WO1998043924A1 (fr) * | 1997-04-02 | 1998-10-08 | Kyocera Corporation | Composition ceramique dielectrique et resonateur dielectrique conçu a partir de cette composition |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5110814A (ja) * | 1974-07-11 | 1976-01-28 | Tdk Electronics Co Ltd |
-
1986
- 1986-06-18 JP JP61140135A patent/JPS62297260A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5110814A (ja) * | 1974-07-11 | 1976-01-28 | Tdk Electronics Co Ltd |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02267166A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
| WO1998043924A1 (fr) * | 1997-04-02 | 1998-10-08 | Kyocera Corporation | Composition ceramique dielectrique et resonateur dielectrique conçu a partir de cette composition |
| US6025291A (en) * | 1997-04-02 | 2000-02-15 | Kyocera Corporation | Dielectric ceramic composition and dielectric resonator using the same |
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