JPS62299072A - ホツトエレクトロントランジスタ - Google Patents
ホツトエレクトロントランジスタInfo
- Publication number
- JPS62299072A JPS62299072A JP61142379A JP14237986A JPS62299072A JP S62299072 A JPS62299072 A JP S62299072A JP 61142379 A JP61142379 A JP 61142379A JP 14237986 A JP14237986 A JP 14237986A JP S62299072 A JPS62299072 A JP S62299072A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- collector
- barrier
- emitter
- hot electron
- electron transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/36—Unipolar devices
- H10D48/362—Unipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions, e.g. hot electron transistors [HET], metal base transistors [MBT], resonant tunnelling transistors [RTT], bulk barrier transistors [BBT], planar doped barrier transistors [PDBT] or charge injection transistors [CHINT]
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｈ）産業上の利用分野
本発明にホットエレクトロントランジスタ（以下１（Ｅ
Ｔと称丁）Ｃ関するものである。
Ｔと称丁）Ｃ関するものである。
（噂従米の技術
）ＬＥＴに５ノーのへテロ４４ｆＣ，即ち、エミッタ。
エミッタバリア、ペース、コレクタバリア、コレクタか
らなるトランジスタで１通′盾、そのエミッタバリア及
びコレクタバリアは牛絶縁注のＡＩＧａＡａＣａ化ガリ
ウム・アルミニウム】で、又その他の層ａｎ型のＧａＡ
ｍ （砒化ガリウ→で＃Ｉｔ我さルる（例えばＡｐｐｌ
、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、４７ｕｕ＋＄、１９８５ 、Ｐ
ｌｌ ０５−ｐＥｌｅｃｔｒｏｎｉａｓ Ｌｅｔｔ、
２１（７１ｊ １９８５．ｔ’７５７参照ＨｊＥＴの動
作のため（二ニ、エミッタ昏ベース１４及びペース・フ
レフタ間（：、犬々パＸアス成圧Ｖ１！、ＶＣＢが印加
される。ＨＥＴにおいて、エミッタバリアに１００〜３
００Ａの厚みで、バリアの高さ框Ｑ、３ｅｖ程度である
之め、電界がか＼るとエミッタの電子にバリア七トンネ
ル効果（二重つて通り抜はペースに注入される。この様
（＝注入され九電子ば様々な散乱全党はエネルギ？失っ
ていくが、コレクタバリアエリ犬さいエネルギτ弔）つ
ものがコレクタに達する。ＶＢ ｘＴ：変化させ０こと
にエリエミッタの電子のトンネル確率が変化するためコ
レクタ電流が変化しトランジスタ動作が行われる。
らなるトランジスタで１通′盾、そのエミッタバリア及
びコレクタバリアは牛絶縁注のＡＩＧａＡａＣａ化ガリ
ウム・アルミニウム】で、又その他の層ａｎ型のＧａＡ
ｍ （砒化ガリウ→で＃Ｉｔ我さルる（例えばＡｐｐｌ
、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、４７ｕｕ＋＄、１９８５ 、Ｐ
ｌｌ ０５−ｐＥｌｅｃｔｒｏｎｉａｓ Ｌｅｔｔ、
２１（７１ｊ １９８５．ｔ’７５７参照ＨｊＥＴの動
作のため（二ニ、エミッタ昏ベース１４及びペース・フ
レフタ間（：、犬々パＸアス成圧Ｖ１！、ＶＣＢが印加
される。ＨＥＴにおいて、エミッタバリアに１００〜３
００Ａの厚みで、バリアの高さ框Ｑ、３ｅｖ程度である
之め、電界がか＼るとエミッタの電子にバリア七トンネ
ル効果（二重つて通り抜はペースに注入される。この様
（＝注入され九電子ば様々な散乱全党はエネルギ？失っ
ていくが、コレクタバリアエリ犬さいエネルギτ弔）つ
ものがコレクタに達する。ＶＢ ｘＴ：変化させ０こと
にエリエミッタの電子のトンネル確率が変化するためコ
レクタ電流が変化しトランジスタ動作が行われる。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
工きツタから注入された電子のうちコレクタに遅した成
子のｍｔＪ合、即ちトランスファ比α（＝Ｉａ／ｌｘ）
や電流増＋−率β（＝Ｉｃ／Ｉｓ）で見ると、従来のＨ
ＥＴでにコレクタバリアで阻止される電子の羅準が比較
的太さいため、尚いαｆβを得ることが難しい。
子のｍｔＪ合、即ちトランスファ比α（＝Ｉａ／ｌｘ）
や電流増＋−率β（＝Ｉｃ／Ｉｓ）で見ると、従来のＨ
ＥＴでにコレクタバリアで阻止される電子の羅準が比較
的太さいため、尚いαｆβを得ることが難しい。
に）問題点を解決するため０手段
本発明の）ｉＥＴは、第１囚のバンド構造で示す如く、
コレクタバリアを超格子で構成したこと勿特徴とする。
コレクタバリアを超格子で構成したこと勿特徴とする。
（ホ）作 用
適当に設計され之超格子円にμｍそれ自体周知な如く、
正規の伝導帯の下Ｃ二も電子が存在でさる補助伝４帝が
発生する。第１図？参照するに。
正規の伝導帯の下Ｃ二も電子が存在でさる補助伝４帝が
発生する。第１図？参照するに。
超格子からなるコレクタバリア内（二もｆ＋巌で示す補
助云４帯（１）（２）が存在し、従りてバイアス電圧Ｖ
Ｂｘ、ＶｃＢＩ：０刀Ω時、エミッタバリアｔトンネル
通過した電子（３）のうち、コレクタバリアより大きな
エネルギ勿侍つものは従来の通すコレクタ（二到遅し、
−万、コレクタバリアＬり小さいエネルギを待つもので
も補助伝導帯（ｉｆｆ （２）’ｒ：経てコレクタ（二
通する。μｐち、この場合、コレクタバリアで阻止され
る電子の確率が低くなりαｆβが改＋４される。
助云４帯（１）（２）が存在し、従りてバイアス電圧Ｖ
Ｂｘ、ＶｃＢＩ：０刀Ω時、エミッタバリアｔトンネル
通過した電子（３）のうち、コレクタバリアより大きな
エネルギ勿侍つものは従来の通すコレクタ（二到遅し、
−万、コレクタバリアＬり小さいエネルギを待つもので
も補助伝導帯（ｉｆｆ （２）’ｒ：経てコレクタ（二
通する。μｐち、この場合、コレクタバリアで阻止され
る電子の確率が低くなりαｆβが改＋４される。
（へ）実 施 例
第２囚に本発明実施例のＢＥＴ乞示す。同図（二て、
Ｃ１（１に基板、 （１１）にコレクタ、αシα；レク
タバリア、α３１ｉペース、■にエミッタバリア、ｕ９
ぼエミッタであり１本発明の％倣としてコレクタバリア
ｕ４ニ超格子力・らなる。即ち、コレクタバリア内カは
、約５ＯＡ厚みのＧａＡａとＡ ｌｊ：、ｏ、３Ｇａ
０．７Ａｓとｔ父互に２０層積み厘ね、全体として約１
０００Ａの厚みに形成されたものである。コレクタバリ
アＩｉａ七傳底する各層はノンドープであ１ハ従りてコ
レクタバリア（１４ば牛絶縁注七呈する。
Ｃ１（１に基板、 （１１）にコレクタ、αシα；レク
タバリア、α３１ｉペース、■にエミッタバリア、ｕ９
ぼエミッタであり１本発明の％倣としてコレクタバリア
ｕ４ニ超格子力・らなる。即ち、コレクタバリア内カは
、約５ＯＡ厚みのＧａＡａとＡ ｌｊ：、ｏ、３Ｇａ
０．７Ａｓとｔ父互に２０層積み厘ね、全体として約１
０００Ａの厚みに形成されたものである。コレクタバリ
アＩｉａ七傳底する各層はノンドープであ１ハ従りてコ
レクタバリア（１４ば牛絶縁注七呈する。
その他の構成は従来と同様であ昏へ基板ｕ１．コレクタ
αもベースｕ３１及びエミッタｕ５１は共に１〜１０Ω
ｃｓＩ程度のｎ型ＧａＡｓかうなり、コレクタ（１υ及
びエミッタ四μ約３００ＯＡ、ベースα３１ニ約１０Ｏ
Ａの厚みｔ；にする。又エミッタバリアα士にノンドー
１のＡＪｏ、３ Ｇａ Ｏ，７ＡｊＸ）”６７１Ｃ’Ｊ
約１０ＯＡの厚みを持つ。
αもベースｕ３１及びエミッタｕ５１は共に１〜１０Ω
ｃｓＩ程度のｎ型ＧａＡｓかうなり、コレクタ（１υ及
びエミッタ四μ約３００ＯＡ、ベースα３１ニ約１０Ｏ
Ａの厚みｔ；にする。又エミッタバリアα士にノンドー
１のＡＪｏ、３ Ｇａ Ｏ，７ＡｊＸ）”６７１Ｃ’Ｊ
約１０ＯＡの厚みを持つ。
本実ｍ９１１ＨＥＴｌ：ｇいて、コレクタバリアｕシを
含め、各層に、基板（１（Ｉ上にＭＢＥ法にエリ頑欠推
撰形底される。尚、１Ｑぼコレクタ電極、 （１７１α
ベース電極、賭はエミッタ電極であり、これら電極材と
して１ｑＡｕ （ｍ）、ＡｕＧｅ （金、ゲルマニウム
）、Ｎｌにッケル〕の積層体が適当である〇（ト〕発明
の効果 不発ｆｉｔ＝ＬればｋＩＥＴのトランスファ比αｆ電流
ｐａ幅率βの値か大きくなり、ＨＥＴの特注が向上する
。
含め、各層に、基板（１（Ｉ上にＭＢＥ法にエリ頑欠推
撰形底される。尚、１Ｑぼコレクタ電極、 （１７１α
ベース電極、賭はエミッタ電極であり、これら電極材と
して１ｑＡｕ （ｍ）、ＡｕＧｅ （金、ゲルマニウム
）、Ｎｌにッケル〕の積層体が適当である〇（ト〕発明
の効果 不発ｆｉｔ＝ＬればｋＩＥＴのトランスファ比αｆ電流
ｐａ幅率βの値か大きくなり、ＨＥＴの特注が向上する
。
４、凹面の間車な脱明
図ｒｃ不発明？ホし、第１図ばバンド得造図、第２因は
断面図である。
断面図である。
Claims (1)
- （１）コレクタバリアを超格子で構成したことを特徴と
するホットエレクトロントランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61142379A JPS62299072A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | ホツトエレクトロントランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61142379A JPS62299072A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | ホツトエレクトロントランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62299072A true JPS62299072A (ja) | 1987-12-26 |
Family
ID=15314002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61142379A Pending JPS62299072A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | ホツトエレクトロントランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62299072A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5525818A (en) * | 1992-08-31 | 1996-06-11 | Texas Instruments Incorporated | Reducing extrinsic base-collector capacitance |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62176162A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-01 | Agency Of Ind Science & Technol | 負性抵抗素子 |
| JPS62203371A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-08 | Fujitsu Ltd | 高速半導体装置 |
-
1986
- 1986-06-18 JP JP61142379A patent/JPS62299072A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62176162A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-01 | Agency Of Ind Science & Technol | 負性抵抗素子 |
| JPS62203371A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-08 | Fujitsu Ltd | 高速半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5525818A (en) * | 1992-08-31 | 1996-06-11 | Texas Instruments Incorporated | Reducing extrinsic base-collector capacitance |
| US5789301A (en) * | 1992-08-31 | 1998-08-04 | Triquint Semiconductor, Inc. | Method for reducing extrinsic base-collector capacitance |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Liu et al. | Band alignment engineering in two‐dimensional transition metal dichalcogenide‐based heterostructures for photodetectors | |
| JPH0421336B2 (ja) | ||
| JPH03155125A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| US3250966A (en) | Solid state devices utilizing a metal between two semiconductor materials | |
| JPS6035557U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62299072A (ja) | ホツトエレクトロントランジスタ | |
| Zakharova et al. | Spin orientation due to longitudinal current and interband tunnelling in narrow-gap heterostructures | |
| Wu et al. | Novel GaAs/AlGaAs multiquantum-well Schottky-junction device and its photovoltaic LWIR detection | |
| WEISBUCH et al. | Fundamentals and Applications | |
| Toušková et al. | The rectifying contact of gold on etched CdTe single crystals | |
| JP3149685B2 (ja) | バレー電流を低減した共鳴トンネリング・ダイオード | |
| JPH01194476A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP2582643B2 (ja) | 超伝導トランジスタ | |
| JPS60245168A (ja) | トンネルトランジスタ | |
| JPS639149A (ja) | メタルベ−ストランジスタ | |
| Ghosh et al. | Laser-Assisted 2D Material-Based Highly Responsive Flexible Photosensor | |
| JP3071880B2 (ja) | 高電子移動度トランジスタ | |
| JPS6196769A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPH0240959A (ja) | 量子効果半導体装置 | |
| JP2569615B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2955415B2 (ja) | 超電導素子 | |
| JP2569616B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01189968A (ja) | 量子干渉型トランジスタ | |
| JPS6220373A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07120791B2 (ja) | 半導体装置 |