JPS6230087A - 光学情報記録部材 - Google Patents
光学情報記録部材Info
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- JPS6230087A JPS6230087A JP60169608A JP16960885A JPS6230087A JP S6230087 A JPS6230087 A JP S6230087A JP 60169608 A JP60169608 A JP 60169608A JP 16960885 A JP16960885 A JP 16960885A JP S6230087 A JPS6230087 A JP S6230087A
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕本発明は光、熱等を利用する光学的情報
の記録再生を行なう光学情報記録部材に関するものであ
って、その目的とするところは光学的情報の記録および
消去の繰り返し特・ｔｉがすぐれ、かつ消去率の経時変
動も少く、情報信号を高速度かつ高密度に記録、再生す
ることのできる光学情報記録部材を提供することにある
。
の記録再生を行なう光学情報記録部材に関するものであ
って、その目的とするところは光学的情報の記録および
消去の繰り返し特・ｔｉがすぐれ、かつ消去率の経時変
動も少く、情報信号を高速度かつ高密度に記録、再生す
ることのできる光学情報記録部材を提供することにある
。
レーザ光を利用する光ディスクには記録再生が１回のみ
の追記型と、記録した信号を消去して繰返して使用する
ことの可能な書き換え可能型とがあるが本発明は後者の
書き換え可能型に属する。本発明者らは先にＴｅ−Ｔｌ
ＩＯ２の非晶質状、仲と結晶質状態との間の相転移によ
る反射率の変化を信号とする方式を提案した。また、相
転移を利用した書き換え可能な記録膜としてのＴｇ−Ｔ
＋Ｏ□に対し、各種の添加物（ＳＷ、□ｅ、Ｂｉ、エル
、Ｐｄ、 ＴＬ、 Ｓｇなど）を添加することも行なわ
れており、これらはＯ／Ｎが高く耐湿性のすぐれた記録
膜かえられることを明らかにしている。
の追記型と、記録した信号を消去して繰返して使用する
ことの可能な書き換え可能型とがあるが本発明は後者の
書き換え可能型に属する。本発明者らは先にＴｅ−Ｔｌ
ＩＯ２の非晶質状、仲と結晶質状態との間の相転移によ
る反射率の変化を信号とする方式を提案した。また、相
転移を利用した書き換え可能な記録膜としてのＴｇ−Ｔ
＋Ｏ□に対し、各種の添加物（ＳＷ、□ｅ、Ｂｉ、エル
、Ｐｄ、 ＴＬ、 Ｓｇなど）を添加することも行なわ
れており、これらはＯ／Ｎが高く耐湿性のすぐれた記録
膜かえられることを明らかにしている。
ところで酸化物を含む上記記録膜には以下述べるような
欠点がある。書き換え可能な元ディスクにおいてはＴｇ
−Ｔ−○、の結晶質状態で消去が行なわれ、非晶質状態
で記録が行なわれる。
欠点がある。書き換え可能な元ディスクにおいてはＴｇ
−Ｔ−○、の結晶質状態で消去が行なわれ、非晶質状態
で記録が行なわれる。
この結晶質と非晶質との間の相転移はレーザ光に：る除
冷と急冷の条件変化によって行なわれる。すなわち、レ
ーザ光による加熱後、除冷によって結晶質になり、急冷
によって非晶質となる。したがって、記録、消去の繰返
しによって記録膜は結晶質状態と非晶質状態の相転移が
繰返される。この場合、記録膜に酸化物が存在すると、
膜の粘性が高いためにカルコゲン化物の泳動性が少なく
なシ、膜組成の偏析が生じ易くなる。さらに、酸化物は
熱伝導率が低いのでレーザ光の入射側と反対側との間で
温度分布差を生じ、これがまた膜組成の偏析の原因にな
る。
冷と急冷の条件変化によって行なわれる。すなわち、レ
ーザ光による加熱後、除冷によって結晶質になり、急冷
によって非晶質となる。したがって、記録、消去の繰返
しによって記録膜は結晶質状態と非晶質状態の相転移が
繰返される。この場合、記録膜に酸化物が存在すると、
膜の粘性が高いためにカルコゲン化物の泳動性が少なく
なシ、膜組成の偏析が生じ易くなる。さらに、酸化物は
熱伝導率が低いのでレーザ光の入射側と反対側との間で
温度分布差を生じ、これがまた膜組成の偏析の原因にな
る。
以上の理由によって酸化物を含む記録膜は記録、消去の
繰返しによって特性が次第に変化する欠点がある。本発
明はこの欠点を解消すると共に、カルコゲン化合物よシ
なる従来の記録膜のＯ／Ｎ、消去率、耐湿性および耐熱
性などの緒特性を改善することを目的とするものである
。
繰返しによって特性が次第に変化する欠点がある。本発
明はこの欠点を解消すると共に、カルコゲン化合物よシ
なる従来の記録膜のＯ／Ｎ、消去率、耐湿性および耐熱
性などの緒特性を改善することを目的とするものである
。
〔発明の構成〕本発明の光学情報記録部材は、テルル（
Ｔｅ）、ケルマニウム（Ｇ−）おヨヒスズ（ＳＷ）を主
成分と゛して含み、これらの元素の割合がＴｅ、ｉ、８
μをそれぞれ１０ Ｄ ａｔ％の頂点とする３角座標図
において座標（αｔ＝Ｓ）が、Ａ（Ｔｅｏｓ Ｇ’５Ｂ
”２ ）、Ｂ （Ｔｅｏｓ ”２ ８％ ）、Ｏ（Ｔｇ
６．０１゜Ｓ”３０ ）、Ｄ （Ｔｇａ２ ＧｅｔＢ
Ｓ＄ｏ ）、Ｗ （Ｔｅ５２ Ｇ’４１１Ｓｕ、）の５
点で囲まれた範囲内にある組成を主成分として有し、こ
れに副成分として添加されるインジウム（Ｉｎ）の量は
前記主成分を形成するＴｅ−Ｇｇ−ＳＷ系の量をｍ、副
成分Ｉｎの量をｒＬ（藁＋ル＝１００）とするとき、か
の値がｊ 〜４０ ｃＬｌ！％ ’でちる記録膜を有す
ることを特徴とする。
Ｔｅ）、ケルマニウム（Ｇ−）おヨヒスズ（ＳＷ）を主
成分と゛して含み、これらの元素の割合がＴｅ、ｉ、８
μをそれぞれ１０ Ｄ ａｔ％の頂点とする３角座標図
において座標（αｔ＝Ｓ）が、Ａ（Ｔｅｏｓ Ｇ’５Ｂ
”２ ）、Ｂ （Ｔｅｏｓ ”２ ８％ ）、Ｏ（Ｔｇ
６．０１゜Ｓ”３０ ）、Ｄ （Ｔｇａ２ ＧｅｔＢ
Ｓ＄ｏ ）、Ｗ （Ｔｅ５２ Ｇ’４１１Ｓｕ、）の５
点で囲まれた範囲内にある組成を主成分として有し、こ
れに副成分として添加されるインジウム（Ｉｎ）の量は
前記主成分を形成するＴｅ−Ｇｇ−ＳＷ系の量をｍ、副
成分Ｉｎの量をｒＬ（藁＋ル＝１００）とするとき、か
の値がｊ 〜４０ ｃＬｌ！％ ’でちる記録膜を有す
ることを特徴とする。
記録膜にカルコゲン化合物を用いる試みは古く、Ｔｔ−
Ｇｅをはじめとして、これに、Ａ７． Ｓ。
Ｇｅをはじめとして、これに、Ａ７． Ｓ。
Ｓｉ、Ｓｇ、Ｓｈ、Ｂｉなどを添加して特性を改良した
例がおる。これらカルコゲン化物よシなる査き換え可能
な記録膜は、一般に、記録、消去の繰り返しに対する安
定性が悪い特徴がある。その理由はＴｅ％（）ｇとその
他の添加成分が数度の繰＃）返しによって記録膜の相分
離を生じ、初期と繰シ返し後では記録膜の構成成分が異
なるからである。消去可能な記録膜で相転移を利用する
場合、通常、未記録、消去状態を結晶質とし、Ｐ録ｆ能
ｆ−ゴＬｎ質ふ子入古鴎翁ニジ戯省入 と箇場合、記録
はレーザ光で、記録膜を溶融させ急冷によって非晶質に
するのであるが、現在の半導体レーザはパワーに限界が
あるので融点の低い記録膜が、記録感度が高いことにな
る。そのために上述のカルコゲン化物よシなる記録膜は
記録感度を向上させるために、できるだけ融点の低い組
成、すなわち、Ｔｔの多い膜組成となっている。Ｔｇが
他の添加成分よシも多いことは繰り返し特性においてそ
れだけ相分離が起とシ易いことを意味する。したがって
融点を下げるために添加した過剰のＴｅをいかに固定し
て動きにくい組成にするかが、繰シ返し特性や、０ＮＲ
１消去率の経時変動に大きな影響を及ばずことになる。
例がおる。これらカルコゲン化物よシなる査き換え可能
な記録膜は、一般に、記録、消去の繰り返しに対する安
定性が悪い特徴がある。その理由はＴｅ％（）ｇとその
他の添加成分が数度の繰＃）返しによって記録膜の相分
離を生じ、初期と繰シ返し後では記録膜の構成成分が異
なるからである。消去可能な記録膜で相転移を利用する
場合、通常、未記録、消去状態を結晶質とし、Ｐ録ｆ能
ｆ−ゴＬｎ質ふ子入古鴎翁ニジ戯省入 と箇場合、記録
はレーザ光で、記録膜を溶融させ急冷によって非晶質に
するのであるが、現在の半導体レーザはパワーに限界が
あるので融点の低い記録膜が、記録感度が高いことにな
る。そのために上述のカルコゲン化物よシなる記録膜は
記録感度を向上させるために、できるだけ融点の低い組
成、すなわち、Ｔｔの多い膜組成となっている。Ｔｇが
他の添加成分よシも多いことは繰り返し特性においてそ
れだけ相分離が起とシ易いことを意味する。したがって
融点を下げるために添加した過剰のＴｅをいかに固定し
て動きにくい組成にするかが、繰シ返し特性や、０ＮＲ
１消去率の経時変動に大きな影響を及ばずことになる。
本発明の特徴は上述の従来の組成Ｔｔ−Ｇｔ−８μにエ
ルを添加して過剰の’ｆｔを固定することにおる。過剰
のＴｇを固定する方法として、（）（１，ＳｔＬの鹸度
を増加させ、量論的なＧｔＴｔ、ＳμＴｇとすることも
可能ではあるが、Ｇｇの場合は添加量が多くなると非晶
質から結晶質への転移温度が高ぐな）、記録、消去に大
きなレーザパワーが必要となシ、実用的でない。またＳ
ｗの場合は、量論に近いＳｕ、Ｔｅ近傍組成では、蒸着
後は結晶質であ多安定な非晶質状態かえられない。した
がって本発明のように、エルを添加してＴｔｆ固定する
ことが有益である。
ルを添加して過剰の’ｆｔを固定することにおる。過剰
のＴｇを固定する方法として、（）（１，ＳｔＬの鹸度
を増加させ、量論的なＧｔＴｔ、ＳμＴｇとすることも
可能ではあるが、Ｇｇの場合は添加量が多くなると非晶
質から結晶質への転移温度が高ぐな）、記録、消去に大
きなレーザパワーが必要となシ、実用的でない。またＳ
ｗの場合は、量論に近いＳｕ、Ｔｅ近傍組成では、蒸着
後は結晶質であ多安定な非晶質状態かえられない。した
がって本発明のように、エルを添加してＴｔｆ固定する
ことが有益である。
次に本発明の詳細な説明する。本発明においてＴｔは他
の元素を結合した状態で記録前後によって光学的濃度変
化を呈する母材である。ＧｅはＴｇとの濃度比によって
非晶質、結晶質間の転移速度を支配する。すなわち、Ｇ
−の濃度が低い領域では（Ｔｇと（Ｊｔのみの場合は、
Ｇｇが５０αｔ％）、非晶質として安定に存在するが濃
度が高くなると結晶質が安定となるため、一旦結晶質と
なったものを非晶質化させることが困難となる。本発明
のＧｔ濃度は５０αｔチ以下であるからＧｇは膜の非晶
質性を増大させることに寄与する。Ｓｗの作用はＱｔと
同様であるがＢｉＬがＴｅとで非晶質性を増大させる領
域は狭く、本発明の範囲ではむしろ結晶化を促進する。
の元素を結合した状態で記録前後によって光学的濃度変
化を呈する母材である。ＧｅはＴｇとの濃度比によって
非晶質、結晶質間の転移速度を支配する。すなわち、Ｇ
−の濃度が低い領域では（Ｔｇと（Ｊｔのみの場合は、
Ｇｇが５０αｔ％）、非晶質として安定に存在するが濃
度が高くなると結晶質が安定となるため、一旦結晶質と
なったものを非晶質化させることが困難となる。本発明
のＧｔ濃度は５０αｔチ以下であるからＧｇは膜の非晶
質性を増大させることに寄与する。Ｓｗの作用はＱｔと
同様であるがＢｉＬがＴｅとで非晶質性を増大させる領
域は狭く、本発明の範囲ではむしろ結晶化を促進する。
すなわち、Ｇｅと日ＵはＴｅに対する作用は似ているが
、Ｔ（との濃度比によって、非晶質性が増大した）、結
晶質性が増大したりする。ＧｅとＳｗ７の濃度が高くな
ると記録膜は結晶質として安定するため、非晶質から結
晶質への転移は容易になるがその逆は困難となる。した
がって、このような材料は追記型材料（Ｗ１０材料）に
適している。しかし、このようなり材料でもレーザパワ
ーが強く、記録膜を充分に溶融させることが可能であれ
ば、消去可能なディスクとして使用することが可能であ
る。現在、我々が実用上入手できる半導体レーザは波長
が８５Ｑｔｍでパワーは３０馳程度であり、Ｔｔ、Ｇｔ
、Ｓｗの量論に近い組成（Ｔｅｎｔ、 Ｔｔ８ｗ）を溶
融させることは困難である。（融点がＳａＯ℃程度）Ｔ
ｔ−Ｇｇ−Ｓｕで記録、消去可能な領域は、Ｔｇが非常
に多い領域（８０αｔ％以上）にあるが、この領域の組
成は転移温度が低く、熱的に不安定であ 、ること、Ｔ
ｇが過剰なため、繰シ返しによって、ＴｔとＴｇ（）ｇ
あるいはＴｔＢｒｔに記録膜が相分離を起こしやすいこ
となどの欠点を有している。
、Ｔ（との濃度比によって、非晶質性が増大した）、結
晶質性が増大したりする。ＧｅとＳｗ７の濃度が高くな
ると記録膜は結晶質として安定するため、非晶質から結
晶質への転移は容易になるがその逆は困難となる。した
がって、このような材料は追記型材料（Ｗ１０材料）に
適している。しかし、このようなり材料でもレーザパワ
ーが強く、記録膜を充分に溶融させることが可能であれ
ば、消去可能なディスクとして使用することが可能であ
る。現在、我々が実用上入手できる半導体レーザは波長
が８５Ｑｔｍでパワーは３０馳程度であり、Ｔｔ、Ｇｔ
、Ｓｗの量論に近い組成（Ｔｅｎｔ、 Ｔｔ８ｗ）を溶
融させることは困難である。（融点がＳａＯ℃程度）Ｔ
ｔ−Ｇｇ−Ｓｕで記録、消去可能な領域は、Ｔｇが非常
に多い領域（８０αｔ％以上）にあるが、この領域の組
成は転移温度が低く、熱的に不安定であ 、ること、Ｔ
ｇが過剰なため、繰シ返しによって、ＴｔとＴｇ（）ｇ
あるいはＴｔＢｒｔに記録膜が相分離を起こしやすいこ
となどの欠点を有している。
本発明のＩかは、この過剰の７ｇをエルＴｔ、エル、Ｔ
ｇＩｎ−ｉｔいとして安定化させる作用を有する。
ｇＩｎ−ｉｔいとして安定化させる作用を有する。
Ｉｎは７ｇと上記合金系においてＴｃが５０αｔ％以上
の場合は融点がそれぞれ６９６℃６６７℃、４５５℃で
、エルを添加してもＴｅの融点（４５１℃）を上昇させ
ることはない。
の場合は融点がそれぞれ６９６℃６６７℃、４５５℃で
、エルを添加してもＴｅの融点（４５１℃）を上昇させ
ることはない。
そのため、Ｔ、ｎを添加した記録膜は現行の半導体レー
ザーパワーで十分に溶融させることが可能である。しか
も熱的に不安定な過剰のＴｃを工ｎＴｅｘとして結合さ
せているため、熱的に安定で、かつ、記録、消去の繰り
返しによって相分離を生ずることなく、長期に亘って安
定な記録膜を形成する。Ｉｎの添加量は、Ｇｔ、Ｓｗと
結合した残りの過剰Ｔｇを固定するのに必要な量であっ
て、Ｔ（の濃度の高い領域ではＩ３の濃度も高い。
ザーパワーで十分に溶融させることが可能である。しか
も熱的に不安定な過剰のＴｃを工ｎＴｅｘとして結合さ
せているため、熱的に安定で、かつ、記録、消去の繰り
返しによって相分離を生ずることなく、長期に亘って安
定な記録膜を形成する。Ｉｎの添加量は、Ｇｔ、Ｓｗと
結合した残りの過剰Ｔｇを固定するのに必要な量であっ
て、Ｔ（の濃度の高い領域ではＩ３の濃度も高い。
〔第１図の説明〕第１図は本発明の記録膜の主成分’］
’ ｇ −（） ｅ −ＳＩＬの濃度を３角座標図で表
している。同図において本発明の組成の範囲を規定する
Ａ、Ｂ、Ｏ，Ｄ、Ｆｉの各点の座標は、Ａ （Ｔｅ０３
Ｇ’ｓ Ｂ”２ ）、Ｂ （Ｔｅ０３０ｈ Ｓ”ｓ
）、Ｃ（Ｔｅ６８ Ｇ’２ ｓ”ｙｙ ）、Ｄ （Ｔｅ
！１２ Ｇ’＋ａ １３”ｓｏ ） 、Ｅ （Ｔｅ５２
Ｇ’４＋１ｓｑ ）であって、本発明の記録膜はこの
ＡＢＣＤＥによって囲まれた範囲内にある１−Ｇｅ−８
ｔ＋−系を主成分とし、これにエルを副成分として１〜
４０αｔ％添加することによって形成される。したがっ
て本発明の記録膜の構成は次の一般式で表わすことがで
きる。
’ ｇ −（） ｅ −ＳＩＬの濃度を３角座標図で表
している。同図において本発明の組成の範囲を規定する
Ａ、Ｂ、Ｏ，Ｄ、Ｆｉの各点の座標は、Ａ （Ｔｅ０３
Ｇ’ｓ Ｂ”２ ）、Ｂ （Ｔｅ０３０ｈ Ｓ”ｓ
）、Ｃ（Ｔｅ６８ Ｇ’２ ｓ”ｙｙ ）、Ｄ （Ｔｅ
！１２ Ｇ’＋ａ １３”ｓｏ ） 、Ｅ （Ｔｅ５２
Ｇ’４＋１ｓｑ ）であって、本発明の記録膜はこの
ＡＢＣＤＥによって囲まれた範囲内にある１−Ｇｅ−８
ｔ＋−系を主成分とし、これにエルを副成分として１〜
４０αｔ％添加することによって形成される。したがっ
て本発明の記録膜の構成は次の一般式で表わすことがで
きる。
（Ｔｔ＠３： Ｇｅ＠Ｉ／ ＳＩＬ＠Ｚ）ｍエル・ルた
だし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ｏ ｏ、ｍ＋ル＝１００腺ＡＢよ
りＴｅが多い場合は必然的にＱｅ濃度が少なくなり、非
晶質化が困難となる。またａｔＳｔｔ濃度が低いため、
非晶質から結晶質への転移温度も低い。ｉＥｏより、Ｇ
ｅが低い場合も、線ＡＢよυＴＣが多い場合と同様に転
移温度が低い。また、結晶質から非晶質への変態に対す
る傾向は、Ｔｔが多い場合よりも良好である、しかし、
実用的な観点からは、充分な、結晶から非晶質への相転
移が得られない。線ＣＤよりＳυ濃度が多い場合、６ｍ
の添加は結晶質化を促進するので、非晶質化が困難とな
る。
だし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ｏ ｏ、ｍ＋ル＝１００腺ＡＢよ
りＴｅが多い場合は必然的にＱｅ濃度が少なくなり、非
晶質化が困難となる。またａｔＳｔｔ濃度が低いため、
非晶質から結晶質への転移温度も低い。ｉＥｏより、Ｇ
ｅが低い場合も、線ＡＢよυＴＣが多い場合と同様に転
移温度が低い。また、結晶質から非晶質への変態に対す
る傾向は、Ｔｔが多い場合よりも良好である、しかし、
実用的な観点からは、充分な、結晶から非晶質への相転
移が得られない。線ＣＤよりＳυ濃度が多い場合、６ｍ
の添加は結晶質化を促進するので、非晶質化が困難とな
る。
また、非晶質から結晶質への転移温度も低く、熱的な安
定性に乏しい。線Ｄ、ＥよりＴｇが少ない場合、この領
域は、ＴｅとＱｇ、 １３ＬＬが化学的量論に近い結晶
とじ兄安定なＧｔＴｅ、Ｐ；μＴｇを形成するので、非
晶質化が困難となる。また、この領域は過剰なＴｔがほ
とんどないので、添加する工ｒＬ濃度も少ない。すなわ
ち、Ｉｎの添加効果も少ない。したがって、この領域は
、膜の融点も高く、非晶質化が困難となる。３ＴＬが線
ＫＡより少ない領域では、非晶質として安定であるため
、結晶化が困難である。ただし、この傾向はＥＡ線上の
ＴｅとＧｔの比によって支配され、Ｔｅが多い程結晶化
が、よシ容易で、Ｔ−濃度が７０αｔ％付近が、最も結
晶化が困難となシ、Ｔｇが５０αｔ％付近で、再び、結
晶化が容易となる。その理由は、ＴｅとＧｔが、非晶質
としてより安定な化合物（Ｊｇ’ｆｔ、を形成するため
で、’ｆｅ濃度が７０チ付近では、全体的に結晶質化が
困難である。
定性に乏しい。線Ｄ、ＥよりＴｇが少ない場合、この領
域は、ＴｅとＱｇ、 １３ＬＬが化学的量論に近い結晶
とじ兄安定なＧｔＴｅ、Ｐ；μＴｇを形成するので、非
晶質化が困難となる。また、この領域は過剰なＴｔがほ
とんどないので、添加する工ｒＬ濃度も少ない。すなわ
ち、Ｉｎの添加効果も少ない。したがって、この領域は
、膜の融点も高く、非晶質化が困難となる。３ＴＬが線
ＫＡより少ない領域では、非晶質として安定であるため
、結晶化が困難である。ただし、この傾向はＥＡ線上の
ＴｅとＧｔの比によって支配され、Ｔｅが多い程結晶化
が、よシ容易で、Ｔ−濃度が７０αｔ％付近が、最も結
晶化が困難となシ、Ｔｇが５０αｔ％付近で、再び、結
晶化が容易となる。その理由は、ＴｅとＧｔが、非晶質
としてより安定な化合物（Ｊｇ’ｆｔ、を形成するため
で、’ｆｅ濃度が７０チ付近では、全体的に結晶質化が
困難である。
以上述べた理由によシ、本発明の主成分を構成するＴ
ｇ −Ｇ ｔ −Ｂ ｕ系は第１図においてＡ、Ｂ。
ｇ −Ｇ ｔ −Ｂ ｕ系は第１図においてＡ、Ｂ。
０、ＤｌＦｉの５点で囲まれた範囲内に限定される。す
なわち、この領域内のＴｔ −Ｇｇ−８ｔｂ にエルを
副成分として１〜４０αｔ％添加すると実用上、結晶質
と非晶質との可逆性を利用して情報の記録、消去が可能
となる。
なわち、この領域内のＴｔ −Ｇｇ−８ｔｂ にエルを
副成分として１〜４０αｔ％添加すると実用上、結晶質
と非晶質との可逆性を利用して情報の記録、消去が可能
となる。
〔第２図の説明〕第２図は第１図と同様に本発明の記録
膜の主成分子ｇ−ＧＬＬ−ｆｌｕの濃度を６角座標図で
表わしている。ＦＳＧ、Ｈ，Ｉの４点で囲まれた部分は
特許請求の範囲（２）の領域であって、副、成分として
１０〜３５αｔ％のエルが添加される。また、Ｈ，Ｊ、
に、Ｌ、Ｍの５点で囲まれた部分は特許請求の範囲（５
）の領域であって１〜１５αｔ％のエルが副成分として
添加される。なお、ＦないしＭの各点は第４図に示すよ
うに、Ａ、Ｂ、Ｏ，Ｄ、Ｅで囲まれた特許請求 ゛の範
囲（１）の領域内にあって各点の座標は次のとおシであ
る。
膜の主成分子ｇ−ＧＬＬ−ｆｌｕの濃度を６角座標図で
表わしている。ＦＳＧ、Ｈ，Ｉの４点で囲まれた部分は
特許請求の範囲（２）の領域であって、副、成分として
１０〜３５αｔ％のエルが添加される。また、Ｈ，Ｊ、
に、Ｌ、Ｍの５点で囲まれた部分は特許請求の範囲（５
）の領域であって１〜１５αｔ％のエルが副成分として
添加される。なお、ＦないしＭの各点は第４図に示すよ
うに、Ａ、Ｂ、Ｏ，Ｄ、Ｅで囲まれた特許請求 ゛の範
囲（１）の領域内にあって各点の座標は次のとおシであ
る。
Ｆ Ｃ’ｆｅａｔ Ｇｔ５ ５ＴＪ−ｑ ）、Ｇ（Ｔ
ｅｏｚ Ｇ’３ ８％ ）Ｈ（Ｔｅｅｓ Ｇ’ｓ ５Ｉ
Ｌ２９ ）、工（Ｔｅ？４ Ｇ’２ｓ Ｓ”３ ）Ｊ
（τ’７ｎ Ｇ’＋ｏ Ｓ”ｖｏ ）、Ｋ （Ｔｅａｍ
”ｔｏ Ｓ”ｔ ）Ｌ （Ｔ Ｉ’５２ Ｇ ’４５
６ ｙ、 ）、Ｍ （Ｔｅ５２ Ｇ’＋ｏ Ｓ”２Ｇ
）ＦＧＩ（Ｉの４点で囲まれた領域の非晶質から結晶質
への転移温度は９０〜１６ｏ℃以内で、ＨＪＫＬＭの５
点で囲まれた領域の転移温度（１５０〜２２０℃程度）
よりも低い。Ｘルの添加はＴｅ −Ｇｇ−８ｎだけの場
合よりも結晶転移源Ｉ随を１０〜３０℃高める作用を有
する。それ故Ｉｎの添加は熱的安定性を示す転移温度を
上昇させる効果と、記録膜の融点をそれほど上昇させな
いで非晶質ｆｔ、を容易にする利点を有する。
ｅｏｚ Ｇ’３ ８％ ）Ｈ（Ｔｅｅｓ Ｇ’ｓ ５Ｉ
Ｌ２９ ）、工（Ｔｅ？４ Ｇ’２ｓ Ｓ”３ ）Ｊ
（τ’７ｎ Ｇ’＋ｏ Ｓ”ｖｏ ）、Ｋ （Ｔｅａｍ
”ｔｏ Ｓ”ｔ ）Ｌ （Ｔ Ｉ’５２ Ｇ ’４５
６ ｙ、 ）、Ｍ （Ｔｅ５２ Ｇ’＋ｏ Ｓ”２Ｇ
）ＦＧＩ（Ｉの４点で囲まれた領域の非晶質から結晶質
への転移温度は９０〜１６ｏ℃以内で、ＨＪＫＬＭの５
点で囲まれた領域の転移温度（１５０〜２２０℃程度）
よりも低い。Ｘルの添加はＴｅ −Ｇｇ−８ｎだけの場
合よりも結晶転移源Ｉ随を１０〜３０℃高める作用を有
する。それ故Ｉｎの添加は熱的安定性を示す転移温度を
上昇させる効果と、記録膜の融点をそれほど上昇させな
いで非晶質ｆｔ、を容易にする利点を有する。
ＨＪＫＬＭの５点で囲まれた領域は過剰のＴｅが少いの
でＩｎの添加効果は、ＦＧＨ工の場合に比べて小さい。
でＩｎの添加効果は、ＦＧＨ工の場合に比べて小さい。
しかしエルを添加しないＴｔ−Ｑｇ−Ｓｕ系よりも非晶
質化は容易である。Ｈ，ＴＫＬＭの領域は転移温度が高
く熱的に安定であること、ＧｔＴｅ、 ＢｕＴｅの量
論に近い組成なので結晶化は容易で非晶質化は困難であ
るが、半導体レーザを高出力にすれば非晶質化は容易に
なる。点Ｉ、ＴＫで囲まれた部分は安定な非晶質状態の
ＧＩＴりが存在する領域で結晶化は困難である。以上述
べた理由によって、本発明の主成分Ｔｔ−Ｑｇ−Ｓｕ系
および副成分Ｉｎの最適の組成が限定される。
質化は容易である。Ｈ，ＴＫＬＭの領域は転移温度が高
く熱的に安定であること、ＧｔＴｅ、 ＢｕＴｅの量
論に近い組成なので結晶化は容易で非晶質化は困難であ
るが、半導体レーザを高出力にすれば非晶質化は容易に
なる。点Ｉ、ＴＫで囲まれた部分は安定な非晶質状態の
ＧＩＴりが存在する領域で結晶化は困難である。以上述
べた理由によって、本発明の主成分Ｔｔ−Ｑｇ−Ｓｕ系
および副成分Ｉｎの最適の組成が限定される。
〔第３図の説明〕第５図は本発明の記録膜を用いた光デ
ィスクの断面を示している。１．５はポリカーボネイト
、アクリル樹脂、ガラス、ポリニスデル等、透明な材料
よりなる基板、２．４は種々の酸化物、硫化物、炭化物
等よυなる保護層、３は本発明の記録膜である。保護層
２．４は記録膜３の記録、消去の繰返しによる基板１．
５の熱劣化を防止すると共に、記録膜６の防湿の作用を
する。記録膜６は蒸着、スパッタリング等によって形成
される。記録膜３の膜厚は、保護層２．４の光学特性と
マツチング（記録部と未記録部との反射率の差を大きく
とることができる）する値とする。
ィスクの断面を示している。１．５はポリカーボネイト
、アクリル樹脂、ガラス、ポリニスデル等、透明な材料
よりなる基板、２．４は種々の酸化物、硫化物、炭化物
等よυなる保護層、３は本発明の記録膜である。保護層
２．４は記録膜３の記録、消去の繰返しによる基板１．
５の熱劣化を防止すると共に、記録膜６の防湿の作用を
する。記録膜６は蒸着、スパッタリング等によって形成
される。記録膜３の膜厚は、保護層２．４の光学特性と
マツチング（記録部と未記録部との反射率の差を大きく
とることができる）する値とする。
〔実施例１〕４源蒸着の電子ビーム蒸着機により、Ｔ１
．Ｇ４，３Ｗ、エルをそれぞれのソースから蒸着した。
．Ｇ４，３Ｗ、エルをそれぞれのソースから蒸着した。
基板はψ８瓢のガラス板で、真空度１Ｘ １０ Ｔｏ
ｒｒ、回転速１ｉ１５０ｒｐｍの下で蒸着し、膜厚を１
０００人とした。各ソースからの蒸着速度は記録膜中の
Ｔｔ、 Ｇｔ、Ｓｕ、Ｉｎの原子数の割合を調整するた
めに変化させた。第１表の組成はこの蒸着速度から換算
した値である。
ｒｒ、回転速１ｉ１５０ｒｐｍの下で蒸着し、膜厚を１
０００人とした。各ソースからの蒸着速度は記録膜中の
Ｔｔ、 Ｇｔ、Ｓｕ、Ｉｎの原子数の割合を調整するた
めに変化させた。第１表の組成はこの蒸着速度から換算
した値である。
なお、代表的な組成をＸ線マイクロアナライザ（Ｘ）ｉ
！Ａｉ測定したところ、仕込値とはｙ同様の定量結果か
えられた。上記の製法で作成した試験片Ａ −Ｍおよび
１〜１６につき転移温度並びに黒化特性および白化特性
を評価した。結果は第１表に示すとおりである。第４図
は試験片Ａ〜Ｍおよび１〜１６の３角座標図における位
置を示している。
！Ａｉ測定したところ、仕込値とはｙ同様の定量結果か
えられた。上記の製法で作成した試験片Ａ −Ｍおよび
１〜１６につき転移温度並びに黒化特性および白化特性
を評価した。結果は第１表に示すとおりである。第４図
は試験片Ａ〜Ｍおよび１〜１６の３角座標図における位
置を示している。
（転移温度）転移温度は蒸着直後の非晶質状態の膜が熱
によって結晶状態になる開始温度である。その測定には
膜の透過率を測定する装置を用い、ヒータによシ試験片
の温度を昇温速度１ψｔＣで上昇させたとき、透過率が
減少を開始する温度を転移温度とした。転移温度が高い
ことは記録膜が熱的に安定であることを意味する。
によって結晶状態になる開始温度である。その測定には
膜の透過率を測定する装置を用い、ヒータによシ試験片
の温度を昇温速度１ψｔＣで上昇させたとき、透過率が
減少を開始する温度を転移温度とした。転移温度が高い
ことは記録膜が熱的に安定であることを意味する。
（黒化特性および白化特性）黒化特性は非晶質から結晶
質へ転移する転移速度を示し、白化特性は結晶質から非
晶質へ転移する転移速度を示すものでおる。測定は試験
片上の記録膜に、レンズによフレーザ光を集光させ、試
験片を上下、左右に移動して行なった。レーザ光のスポ
ットは４５ Ｘ ０．４ ｐｍ、パルス巾は４００ｎ−
ｙ。
質へ転移する転移速度を示し、白化特性は結晶質から非
晶質へ転移する転移速度を示すものでおる。測定は試験
片上の記録膜に、レンズによフレーザ光を集光させ、試
験片を上下、左右に移動して行なった。レーザ光のスポ
ットは４５ Ｘ ０．４ ｐｍ、パルス巾は４００ｎ−
ｙ。
パワー密度は１Ｑ、６呻り２０／ 波長は９００Ｍとし
た。黒化特性は、試験片を比較的、緩かに移動させた場
合の変態（非晶質→結晶質）の速度を観察し、速度が充
分早く、かつ未記録部分と記録部分のコントラスト比が
充分大きいものを◎とした。×は緩やかに移動させても
、黒化しないもの、あるいはコントラスト比が小さいも
のを示す。○、Δは◎と×の中間に位置する。
た。黒化特性は、試験片を比較的、緩かに移動させた場
合の変態（非晶質→結晶質）の速度を観察し、速度が充
分早く、かつ未記録部分と記録部分のコントラスト比が
充分大きいものを◎とした。×は緩やかに移動させても
、黒化しないもの、あるいはコントラスト比が小さいも
のを示す。○、Δは◎と×の中間に位置する。
この定性的な表現において、実用可能な黒化時 性は０
以上である。白化特性は、黒化した試験片を速やかに、
移動させて急冷状態を作シ、白化（結晶質→非晶質）さ
せる。白化状態が◎のものは、移動速度が比較的緩やか
でも、白化し、しかも非晶質部分と結晶質部分のコント
ラスト比が大きいものを示し、×は、全く、白化しない
ものを示している。ＯとΔは、◎と×の中間に位置する
。
以上である。白化特性は、黒化した試験片を速やかに、
移動させて急冷状態を作シ、白化（結晶質→非晶質）さ
せる。白化状態が◎のものは、移動速度が比較的緩やか
でも、白化し、しかも非晶質部分と結晶質部分のコント
ラスト比が大きいものを示し、×は、全く、白化しない
ものを示している。ＯとΔは、◎と×の中間に位置する
。
上述した表現によれば、黒化特性および白化特性がとも
にすぐれている場合は、◎、◎となるが、実際問題とし
ては同じ移動速度で、どちらも◎となることはあシ得ず
、望ましい材料としては、◎、○あるいは◎、Δのよう
に、黒化特性が多少すぐれているものが好ましい。第１
表に示すように、第１図のＡＢＯＤＥの５点で囲まれた
本発明の領域内にある組成Ａ −Ｍおよび１〜１６には
黒化特性および白化特性に×はなく、光学的に情報の曹
き込みおよび消去が可能である。
にすぐれている場合は、◎、◎となるが、実際問題とし
ては同じ移動速度で、どちらも◎となることはあシ得ず
、望ましい材料としては、◎、○あるいは◎、Δのよう
に、黒化特性が多少すぐれているものが好ましい。第１
表に示すように、第１図のＡＢＯＤＥの５点で囲まれた
本発明の領域内にある組成Ａ −Ｍおよび１〜１６には
黒化特性および白化特性に×はなく、光学的に情報の曹
き込みおよび消去が可能である。
第 １ 表 （１）
第 １ 表 （２）
〔実施例２〕この実施例は第２図のＦＧＨ工で囲まれた
領域からはＴｅ８゜Ｇ’ｔｏ Ｓ”１０ （第４図の点
４）を、ＨＪＫＬＭで囲まれた領域からはＴ’６０ Ｇ
’２’５日−３（第４図の点１２）をそれぞれ選択し、
実施例１と同様な製法および評価法によシ、Ｔｅ−ａｅ
−ｓμ系にエルを添加した場合、Ｉｎの濃度の特性に及
ぼす影響を試験した。結果は第２表に示すように、Ｆ
Ｇ Ｈ工の領域ではＩｎの濃度は１０αｔ％から３５α
ｔ％の間が良好な特性を示しており、ＨＪＫＩＪＭの領
域ではＩｎのａ度は１〜１５αｔ％が使用可能であるこ
とを示している。扁２４ （Ｐ（５ｃＬｔ％以下）は本
発明の範囲外で、白化せず、書き換え可能な記録膜にな
らない。
領域からはＴｅ８゜Ｇ’ｔｏ Ｓ”１０ （第４図の点
４）を、ＨＪＫＬＭで囲まれた領域からはＴ’６０ Ｇ
’２’５日−３（第４図の点１２）をそれぞれ選択し、
実施例１と同様な製法および評価法によシ、Ｔｅ−ａｅ
−ｓμ系にエルを添加した場合、Ｉｎの濃度の特性に及
ぼす影響を試験した。結果は第２表に示すように、Ｆ
Ｇ Ｈ工の領域ではＩｎの濃度は１０αｔ％から３５α
ｔ％の間が良好な特性を示しており、ＨＪＫＩＪＭの領
域ではＩｎのａ度は１〜１５αｔ％が使用可能であるこ
とを示している。扁２４ （Ｐ（５ｃＬｔ％以下）は本
発明の範囲外で、白化せず、書き換え可能な記録膜にな
らない。
Ａ３０は黒化物性はＸ〜Δの黒化は一応可能ではあるが
実用的には使用が困難である。
実用的には使用が困難である。
＄ ２ 表
〔光ディスクによる特性試験屋１〕第３図の基板１に厚
さ１２ｍ直径２００ｍのポリカードネート樹脂板を使用
し、保護層２として２ルＳの耐熱層を９００Ｘの厚さに
蒸着し、その上に厚さ１ｏｏｏＬの記録膜５を実施例１
の方法で蒸着し、さらにその上の厚さ１８００ＸのＺｎ
８の保護層４を蒸着ｊ〜で基板５を密着配置した、なお
、記録膜３には第２表の扁２１および煮２６を使用（〜
て２種類の光ディスクを作成した。
さ１２ｍ直径２００ｍのポリカードネート樹脂板を使用
し、保護層２として２ルＳの耐熱層を９００Ｘの厚さに
蒸着し、その上に厚さ１ｏｏｏＬの記録膜５を実施例１
の方法で蒸着し、さらにその上の厚さ１８００ＸのＺｎ
８の保護層４を蒸着ｊ〜で基板５を密着配置した、なお
、記録膜３には第２表の扁２１および煮２６を使用（〜
て２種類の光ディスクを作成した。
この２種類の光ディスクにつき、記録パワーおよび消去
パワーは８ｒｒＬωおよび１５ｍω、記録ビームはψ１
μｒｎ（半値巾）、消去レーザビーム長は約１ｓ ｔｔ
ｍ （半値巾）として、白化状態および黒化状態での記
録、消去試験を行なった。
パワーは８ｒｒＬωおよび１５ｍω、記録ビームはψ１
μｒｎ（半値巾）、消去レーザビーム長は約１ｓ ｔｔ
ｍ （半値巾）として、白化状態および黒化状態での記
録、消去試験を行なった。
なお、記録周波数はＺＭＨｚ 、ディスク周速は５７ｎ
／ｊである。結果は次のとおりである。
／ｊである。結果は次のとおりである。
（１）屋２１ディスクのＣ／Ｎはｓ ｓ ｂＢ、消去率
は−５３ｄＢであシ、Ａ２６デイスクのＯ／Ｎは４９ｄ
Ｂ、？酸ｄ社−４６ｄＢであった。（２）１０万回の記
録、消去を繰返した後の○βの低下は、Ａ２１テイスク
は一５ｄＢ、１６２６デイスクは一２ｄＢ、消去率の低
下はそれぞれ１ ｄＢおよび０．５ｄＢテあった。（３
） ８０ ℃、６’０４ＲＩ−１１Ｄ下に１ヶ月放ｆβ
した後の屋２１ディスクのＯ／Ｈの低下は−１ｄＢ、消
去率の低下は１ ｄＢであった。
は−５３ｄＢであシ、Ａ２６デイスクのＯ／Ｎは４９ｄ
Ｂ、？酸ｄ社−４６ｄＢであった。（２）１０万回の記
録、消去を繰返した後の○βの低下は、Ａ２１テイスク
は一５ｄＢ、１６２６デイスクは一２ｄＢ、消去率の低
下はそれぞれ１ ｄＢおよび０．５ｄＢテあった。（３
） ８０ ℃、６’０４ＲＩ−１１Ｄ下に１ヶ月放ｆβ
した後の屋２１ディスクのＯ／Ｈの低下は−１ｄＢ、消
去率の低下は１ ｄＢであった。
〔光ディスクによる特性試験４２ ）４２１光デイスク
につき、耐熱保護層としてＧｇＯ２およびｓｉａを用い
、その特性を試験した。保護層（２）の膜厚はａ ｏｏ
ｉ、保護層（４）の膜厚は１９００λである。その他は
特性試験扁１の場合と同じである。結果は、（１） Ｏ
／Ｎは、Ｇ−４の場合は５２ｄＢ、 Ｓｉａの場合は
５０ ｄＢであった。また、消去率は、それぞれ−４７
ｄＢおよび一４８ｃｌＢであった。（２）寿命試験（１
夕月放置した後の特性低下）は、Ｇｏｏ、の場合の０ハ
の低下は−ＭＢ、ｓｔｃの場合は−αＢｄＢであった。
につき、耐熱保護層としてＧｇＯ２およびｓｉａを用い
、その特性を試験した。保護層（２）の膜厚はａ ｏｏ
ｉ、保護層（４）の膜厚は１９００λである。その他は
特性試験扁１の場合と同じである。結果は、（１） Ｏ
／Ｎは、Ｇ−４の場合は５２ｄＢ、 Ｓｉａの場合は
５０ ｄＢであった。また、消去率は、それぞれ−４７
ｄＢおよび一４８ｃｌＢであった。（２）寿命試験（１
夕月放置した後の特性低下）は、Ｇｏｏ、の場合の０ハ
の低下は−ＭＢ、ｓｔｃの場合は−αＢｄＢであった。
〔光ディスクによる特性試験ＡＳ）記録膜を実施例１の
Ａ５とする光ディスクを特性試験１と同じ基板および方
法によって作成した。なお、耐熱保護層２は８６０ス、
記録層３は３００人、保護層４は１９５０Ｘである。こ
の光ディスクのｃ／Ｎは５４ ｄＢ、消去率は−５２ｄ
Ｂであシ、１０万回の記録、消去を繰返した後のｃ／Ｎ
の低下は一２ｄＢであった。
Ａ５とする光ディスクを特性試験１と同じ基板および方
法によって作成した。なお、耐熱保護層２は８６０ス、
記録層３は３００人、保護層４は１９５０Ｘである。こ
の光ディスクのｃ／Ｎは５４ ｄＢ、消去率は−５２ｄ
Ｂであシ、１０万回の記録、消去を繰返した後のｃ／Ｎ
の低下は一２ｄＢであった。
〔発明の効果〕以上述べたように本発明の光学情報記録
部材は、Ｔ＄−Ｑｇ−Ｓｕ、系にエルを添加して記録消
去を繰返し特性を改善するに当って、数多くの実験によ
って各成分の有効な配合範囲を定め、現行の半導体レー
ザパワーで十分に黒化（消化）および白化（記録）する
ことを可能にすると共に、温度および湿度に安定で従来
のこの棟の記録膜のもつ欠点を解消するすぐれた効果を
有する。
部材は、Ｔ＄−Ｑｇ−Ｓｕ、系にエルを添加して記録消
去を繰返し特性を改善するに当って、数多くの実験によ
って各成分の有効な配合範囲を定め、現行の半導体レー
ザパワーで十分に黒化（消化）および白化（記録）する
ことを可能にすると共に、温度および湿度に安定で従来
のこの棟の記録膜のもつ欠点を解消するすぐれた効果を
有する。
第１図二本発明の光学情報記録部材の記録膜の主成分の
組成を示す５角座標図 第２、特許請求の範囲（２）および（６）の記録膜の主
成分の組成を示す３角座標図 第３図：本発明の光学情報記録部材の断面図第４図：本
発明の実施例１の試験片Ａ −Ｍおよび１〜１６の３角
座標図における位置 を示す図 図面の浄書（内容に変更なし） 才１図 牙２居 牙３図 才４図 手 続 補 正 書（方式） ％式％ ｔ 事件の表示 昭和６０年籍許顧第１６９６０８号 Ｚ 発明の名称 光学情報記録部材 五 補正をする者 事件との関係 ％粁出願人 ５７１ 大阪府門真市大字門真１００６＠地５８２
松下電器産業株式会社 屯代理人
組成を示す５角座標図 第２、特許請求の範囲（２）および（６）の記録膜の主
成分の組成を示す３角座標図 第３図：本発明の光学情報記録部材の断面図第４図：本
発明の実施例１の試験片Ａ −Ｍおよび１〜１６の３角
座標図における位置 を示す図 図面の浄書（内容に変更なし） 才１図 牙２居 牙３図 才４図 手 続 補 正 書（方式） ％式％ ｔ 事件の表示 昭和６０年籍許顧第１６９６０８号 Ｚ 発明の名称 光学情報記録部材 五 補正をする者 事件との関係 ％粁出願人 ５７１ 大阪府門真市大字門真１００６＠地５８２
松下電器産業株式会社 屯代理人
Claims (2)
- （１）テルル（Ｔｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）およびス
ズ（Ｓｕ）を主成分として含み、これらの元素の割合が
Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｕをそれぞれ１００ａｔ％の頂点とする
３角座標図において座標（ａｔ％）が、Ａ（Ｔｅ＿９＿
３Ｇｅ＿３Ｓｕ＿２）、Ｂ（Ｔｅ＿９＿３Ｇｅ＿２Ｓｕ
＿３）、Ｃ（Ｔｅ＿６＿８Ｇｅ＿２Ｓｕ＿３＿０）、Ｄ
（Ｔｅ＿５＿２Ｇｅ＿１＿３Ｓｕ＿３＿０）、Ｅ（Ｔｅ
＿５＿２Ｇｅ＿４＿６Ｓｕ＿２）の５点で囲まれた範囲
内にある組成を主成分として有し、これに副成分として
添加されるインジウム（Ｉｎ）の量は前記主成分を形成
するＴｅ−Ｇｅ−Ｓｕ系の量をｍ、副成分Ｉｎの量をｎ
（ｍ＋ｎ＝１００）とするとき、ｎの値が１〜４０ａｔ
％である記録膜を有することを特徴とする光学情報記録
部材 - （２）前記主成分を構成するＴｅ、Ｇｅ、Ｓｕの座標が
前記３角座標図のＦ（Ｔｅ＿９＿２Ｇｅ＿５Ｓｕ＿３）
、Ｇ（Ｔｅ＿９＿２Ｇｅ＿３Ｓｕ＿３）、Ｈ（Ｔｅ＿６
＿８Ｇｅ＿３Ｓｕ＿２＿９）、Ｉ（Ｔｅ＿７＿４Ｇｅ＿
２＿３Ｓｕ＿３）の４点で囲まれる範囲内にあって、前
記副成分として添加されるＩｎの添加量は、前記ｎの値
が１０〜３５ａｔ％であることを特徴とする特許請求の
範囲（１）の光学情報記録部材（３）前記主成分を構成
するＴｅ、Ｇｅ、Ｓｕの座標が前記３角座標図のＨ（Ｔ
ｅ＿６＿８Ｇｅ＿３Ｓｕ＿２＿９）、Ｊ（Ｔｅ＿７＿０
Ｇｅ＿１＿０Ｓｕ＿２＿０）、Ｋ（Ｔｅ＿６＿８Ｇｅ＿
２＿９Ｓｕ＿３）、Ｌ（Ｔｅ＿５＿２、Ｇｅ＿４＿５Ｓ
ｕ＿３）Ｍ（Ｔｅ＿５＿２Ｇｅ＿１＿９Ｓｕ＿２＿９）
の５点で囲まれる範囲内にあって、前記副成分として添
加されるＩｎの添加量は前記１の値が１〜１５ａｔ％で
あることを特徴とする特許請求の範囲（１）の光学情報
記録部材
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60169608A JPH0714657B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 光学情報記録部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60169608A JPH0714657B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 光学情報記録部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6230087A true JPS6230087A (ja) | 1987-02-09 |
| JPH0714657B2 JPH0714657B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=15889651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60169608A Expired - Lifetime JPH0714657B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 光学情報記録部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0714657B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6240648A (ja) * | 1985-08-15 | 1987-02-21 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 光学的な情報記憶方法 |
| JPS6276035A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Tdk Corp | 情報記録媒体および記録方法 |
| JPH01162247A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型相転移光記録媒体 |
| CN102612763A (zh) * | 2009-09-11 | 2012-07-25 | 国立大学法人东北大学 | 相变化材料及相变化型存储元件 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6131291A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-13 | Daicel Chem Ind Ltd | 光学的情報記録媒体 |
-
1985
- 1985-07-31 JP JP60169608A patent/JPH0714657B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6131291A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-13 | Daicel Chem Ind Ltd | 光学的情報記録媒体 |
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| JPS6240648A (ja) * | 1985-08-15 | 1987-02-21 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 光学的な情報記憶方法 |
| JPS6276035A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Tdk Corp | 情報記録媒体および記録方法 |
| JPH01162247A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型相転移光記録媒体 |
| CN102612763A (zh) * | 2009-09-11 | 2012-07-25 | 国立大学法人东北大学 | 相变化材料及相变化型存储元件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0714657B2 (ja) | 1995-02-22 |
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