JPS6230336A - プラズマ酸化法 - Google Patents
プラズマ酸化法Info
- Publication number
- JPS6230336A JPS6230336A JP16883585A JP16883585A JPS6230336A JP S6230336 A JPS6230336 A JP S6230336A JP 16883585 A JP16883585 A JP 16883585A JP 16883585 A JP16883585 A JP 16883585A JP S6230336 A JPS6230336 A JP S6230336A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- oxide film
- electrodes
- plasma
- furnace core
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
プラズマ中でウェハを酸化することにより、ウェハの鏡
面仕上げをした面にのみ酸化膜を形成する。
面仕上げをした面にのみ酸化膜を形成する。
本発明はシリコンウェハのプラズマＭ化法に関するもの
で、さらに詳しく言えばウェハの鏡面仕上げをした面（
表面）のみを酸化する方法に関するものである。
で、さらに詳しく言えばウェハの鏡面仕上げをした面（
表面）のみを酸化する方法に関するものである。
半導体装置の製造工程においては、シリコンウェハ（以
下単にウェハという）の表面に酸化膜を形成し、この酸
化膜に窓開けをなし、その窓を通して不純物を拡散しウ
ェハ中に不純物拡散領域を形成するなどの工程が行われ
る。
下単にウェハという）の表面に酸化膜を形成し、この酸
化膜に窓開けをなし、その窓を通して不純物を拡散しウ
ェハ中に不純物拡散領域を形成するなどの工程が行われ
る。
従来ウェハ上に酸化膜を形成するには熱酸化法により、
その方法においては高温に保たれた炉内にウェハを配置
して酸素を供給し、Ｓｉ＋０２−５ｉＯｚなる反応を発
生させるか、または水蒸気を通してＳｉ＋２１１ｚＯ→
５ｉ０２＋２Ｈ２なる反応を発生させ、酸化膜（ＳｉＯ
＋膜）を形成する。炉内の温度は一般に８００℃から１
０００℃の範囲内にある。
その方法においては高温に保たれた炉内にウェハを配置
して酸素を供給し、Ｓｉ＋０２−５ｉＯｚなる反応を発
生させるか、または水蒸気を通してＳｉ＋２１１ｚＯ→
５ｉ０２＋２Ｈ２なる反応を発生させ、酸化膜（ＳｉＯ
＋膜）を形成する。炉内の温度は一般に８００℃から１
０００℃の範囲内にある。
ウェハの一方の面、すなわち素子が形成される面はウェ
ハの表面といわれる鏡面仕上げをした面であり、反対側
の裏面は鏡面でなく凹凸のある粗い面である。そのため
、例えばウェハ表面上に薄膜を成長しようとするとき、
裏面に膜が異常成長したりする問題があるのであるが、
従来の熱酸化法による酸化膜の形成において、鏡面にな
った表面には均一に熱酸化が形成されるが、裏面は前記
した如くに粗いので裏面は酸化膜が形成され難（、その
結果ウェハが反ることがある。ウェハが反ると以後の工
程において例えば露光の際の位置合せが正確に行われな
いなどの問題が発生する。
ハの表面といわれる鏡面仕上げをした面であり、反対側
の裏面は鏡面でなく凹凸のある粗い面である。そのため
、例えばウェハ表面上に薄膜を成長しようとするとき、
裏面に膜が異常成長したりする問題があるのであるが、
従来の熱酸化法による酸化膜の形成において、鏡面にな
った表面には均一に熱酸化が形成されるが、裏面は前記
した如くに粗いので裏面は酸化膜が形成され難（、その
結果ウェハが反ることがある。ウェハが反ると以後の工
程において例えば露光の際の位置合せが正確に行われな
いなどの問題が発生する。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、ウェ
ハに酸化膜を形成したときの反りを防止する方法を提供
することを目的とする。
ハに酸化膜を形成したときの反りを防止する方法を提供
することを目的とする。
第１図は本発明実施例断面図、第２図は本発明の詳細な
説明するための図である。
説明するための図である。
第１図において、ウェハ１１はヒータ１２によって加熱
される炉芯管１３内に配置され、炉芯管内には電極１４
が配置され、また酸素（０２）は矢印１方向に供給され
矢印■方向に排出される。電極１４間に高電圧を印加し
て炉芯管内に発生するプラズマによって鏡面仕上げした
表面のみに酸化膜を形成する。
される炉芯管１３内に配置され、炉芯管内には電極１４
が配置され、また酸素（０２）は矢印１方向に供給され
矢印■方向に排出される。電極１４間に高電圧を印加し
て炉芯管内に発生するプラズマによって鏡面仕上げした
表面のみに酸化膜を形成する。
電極１４を＋、−が図示の如くになるように高電圧を印
加し、第２図に示す如くにウェハを分極させ、表面が一
電極になるようにすると、プラズマによって十に帯電し
た酸素（０＋）はウェハの表面にのみ衝突してウェハは
表面だけが酸化されるのである。
加し、第２図に示す如くにウェハを分極させ、表面が一
電極になるようにすると、プラズマによって十に帯電し
た酸素（０＋）はウェハの表面にのみ衝突してウェハは
表面だけが酸化されるのである。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図を参照すると、炉芯管１３内は減圧され（Ｉ Ｔ
ｏｒｒ以下の圧力）、ヒータ１２によって８００°Ｃ〜
１０００℃の範囲内の高温に保たれる。電極１４を図示
の如く結線し、例えば６００■の高電圧を印加して図に
見て右の電極を十に、反対側の電極を−にする。ここで
、ウェハの表面を十の電極に向かうよう配列すると、ウ
ェハは第２図に示される如くに＋と−に分極する。なお
、第２図でウェハ１１の左と右の−５＋は電極１４の極
を示す。
ｏｒｒ以下の圧力）、ヒータ１２によって８００°Ｃ〜
１０００℃の範囲内の高温に保たれる。電極１４を図示
の如く結線し、例えば６００■の高電圧を印加して図に
見て右の電極を十に、反対側の電極を−にする。ここで
、ウェハの表面を十の電極に向かうよう配列すると、ウ
ェハは第２図に示される如くに＋と−に分極する。なお
、第２図でウェハ１１の左と右の−５＋は電極１４の極
を示す。
０２ガスを矢印■方向に炉芯管内に供給すると、電極１
４には前記した高電圧が印加されているので炉芯管内は
プラズマ発生状態になり、酸素プラズマ０＋が発生する
。そうなると、０＋はウェハの表面の一例にのみ衝突し
、裏面の＋側では反発されるので、ウェハの鏡面仕上げ
した表面のみが均一に酸化され、酸化膜が均一に形成さ
れ、ウェハ表面に酸化膜を形成した後におけるウェハの
反りが防止される。
４には前記した高電圧が印加されているので炉芯管内は
プラズマ発生状態になり、酸素プラズマ０＋が発生する
。そうなると、０＋はウェハの表面の一例にのみ衝突し
、裏面の＋側では反発されるので、ウェハの鏡面仕上げ
した表面のみが均一に酸化され、酸化膜が均一に形成さ
れ、ウェハ表面に酸化膜を形成した後におけるウェハの
反りが防止される。
印加電圧、炉芯管内の温度と圧力は、前記の数値に限定
されるものでなく、ウェハの寸法や厚さならびに形成さ
るべき酸化膜の膜厚に応じて適宜設定する。
されるものでなく、ウェハの寸法や厚さならびに形成さ
るべき酸化膜の膜厚に応じて適宜設定する。
以上述べてきたように、本発明によれば、ウェハを熱酸
化して酸化膜を形成するに際し、ウェハ表面のみに酸化
膜が均一に形成されるので、酸化膜形成後のウェハの反
りが防止され、半導体装置の製造歩留りを向上するに有
効である。
化して酸化膜を形成するに際し、ウェハ表面のみに酸化
膜が均一に形成されるので、酸化膜形成後のウェハの反
りが防止され、半導体装置の製造歩留りを向上するに有
効である。
第１図は本発明実施例断面図、
第２図は本発明の詳細な説明する図である。
第１図と第２図において、
１１はウェハ、
１２はヒータ、
１３は炉芯管、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 シリコンウェハ（１１）の熱酸化において、シリコンウ
ェハ（１１）を加熱され減圧された炉芯管（１３）内に
、シリコンウェハ（１１）の鏡面仕上げをした表面が炉
芯管（１３）内に配置された電極（１４）の＋側に面す
る如くに配置し、 炉芯管（１３）内に酸素を供給しつつ電極（１４）間に
プラズマを発生するに足る電圧を印加することを特徴と
するプラズマ酸化法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16883585A JPS6230336A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | プラズマ酸化法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16883585A JPS6230336A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | プラズマ酸化法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6230336A true JPS6230336A (ja) | 1987-02-09 |
Family
ID=15875402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16883585A Pending JPS6230336A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | プラズマ酸化法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6230336A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015133063A1 (ja) * | 2014-03-04 | 2015-09-11 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャル成長用シリコン系基板 |
-
1985
- 1985-07-31 JP JP16883585A patent/JPS6230336A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015133063A1 (ja) * | 2014-03-04 | 2015-09-11 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャル成長用シリコン系基板 |
| JP2015170616A (ja) * | 2014-03-04 | 2015-09-28 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャル成長用シリコン系基板 |
| CN106068547A (zh) * | 2014-03-04 | 2016-11-02 | 信越半导体株式会社 | 外延晶圆的制造方法及外延生长用硅系基板 |
| KR20160127748A (ko) * | 2014-03-04 | 2016-11-04 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 에피택셜 웨이퍼의 제조방법 및 에피택셜 성장용 실리콘계 기판 |
| US10319587B2 (en) | 2014-03-04 | 2019-06-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of manufacturing epitaxial wafer and silicon-based substrate for epitaxial growth |
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