JPS6231088A - 磁気バブルメモリ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ、特に薄形化、小型化、低Ｍ
費電力化に好適な磁気バブルメモリに関する。

〔従来技術〕

ここ数年実用化されている磁気バブルメモリデバイスは
、磁気バブルメモリチップをマウントしたＥ字状のセラ
ミックや合成樹脂等の配線基板に、互いに非対称構造を
有する矩形状ソレノイドコイルからなる回転磁界発生用
Ｘコイル、Ｙコイルをそれぞれ挿入し直交配置して組み
立てた構造となっている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ＸコイルおよびＹコイルは磁気バブルメモリチップだけ
でなく、チップよりもはるかに大き＆Ｎ配線基板を巻く
構造であるため、各コイルの端から端迄長さが長くなり
、駆動電圧、消費電力が大きくなってしまう、また、Ｘ
コイル、Ｙコイルは磁気バブルメモリ素子に均一かつ安
定した面内回転磁界を付与するために均一なインダクタ
バランスが要求されることから、そのコイル形状が互い
に異なる非対称構造となりかつ大型化構造とならざるを
得なかフ′た。さらにはこれらのＸコイル、Ｙコイルの
外面には磁気バブルメモリ素子に垂直方向のバイアス磁
界を付与する一対の永久磁石板およびその整磁板が配置
されてそれらの周辺部分が樹脂モールドにより被覆され
ている構造であるため、垂直方向の積層厚が増大し、磁
気バブルメモリデバイスの薄形化、小型化への要請に対
して障害となっていた。

本件出願人が知る本発明に最も近い先行技術としては昭
和５４年特許出願公開第５５１２９号公報が挙げられる
。この公報には、チップを囲む額縁型コアとそれらを完
全に囲む導電性磁界反射箱の構造が記載されている。し
かしながら、それ以上の具体的な構造は何ら示されてお
らず１例えば導体ケースで完全にとり囲んでいるチップ
への電気的結線を導体ケースの外側からそれに短絡させ
ることなく行うことは理論的に不可能であり、永久磁石
、整磁板、バイアスコイル等の取付方法が不明であるこ
とも含め、その記載をきっかけに実用化しようと思い立
つには見るからに不十分である。すなわち、本発明の実
施例が結果として額縁型コアを使用した点で上記公報の
記載とたまたま一致したに過ぎない。

本発明の目的は、薄形化を可能とした磁気バブルメモリ
を提供することにある。

本発明の他の目的は、全体の体積を小さくして小型化を
可能とした磁気バブルメモリを提供することにある。

本発明の他の目的は、消費電力を低減させた磁気バブル
メモリを提供することにある。

本発明の他の目的は、回転磁界発生用コイルのインダク
タンスを小さくしてＶＩ積を小さくさせた磁気バブルメ
モリを提供することにある。

本発明の他の目的は、構成部品の組立の自動化を可能又
は容易にした磁気バブルメモリを提供することにある。

本発明の他の目的は、大容量化等に入出力等の接続端子
数を増大させることができる磁気バブルメモリを提供す
ることにある。

本発明の他の目的は、磁気バブルメモリ素子のバイアス
磁界方向に対する傾斜角度を容易かつ高精度で設定可能
とした磁気バブルメモリを提供することにある。

本発明の他の目的はカセットの小型化が可能な磁気バブ
ルメモリを提供することである。

本発明の他の目的は磁気バブルメモリデバイスの周辺回
路を安いコストで製造できる磁気バブルメモリを提供す
ることである。

本発明の他の目的はボード実装を容易にした磁気バブル
メモリを提供することにある。

本発明の更に他の目的は高密度実装を可能とした磁気バ
ブルメモリを提供することである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の実施例によれば、対向する２組の辺に各々巻線
を施した長方形環状コアＣＯＲによって囲まれた位置に
磁気バブルメモリチップＣＨＩを配置し、これを回転磁
界閉じ込めケースＲＦＳで覆うことにより上記チップに
回転磁界を供給するよう構成した磁気バブルメモリが提
供される（第１．４５図）。ホールディング磁界Ｈｄｃ
を与えるため、バイアス磁界供給用の永久磁石ＭＡＧと
チップＣＩ−Ｉ　Ｉとは、両者の間に挿入される上記回
転磁界閉じ込めケースＲＦＳに突起を設けたり或は板厚
の変化を持たせること（第３５．４７．４８図）によっ
て、相対的に傾斜させられる。

〔作用〕

回転磁界閉じ込めケースＲＦＳに突起を設けたり或は板
厚の変化を持たせることによって、傾斜角を形成するた
めの別個の部品が不要となり、部品コスト、組立コスト
の低減が可能となる。

〔実施例〕− 次に図面を用いて本発明の詳細な説明する。

（全体構造の概要　第１，２図） 第１図および第２図（ａ）、（ｂ）は本発明による磁気
バブルメモリデバイスの一実施例を説明すやための図で
あり、第１図は一部破断斜視図、第２図（ａ）はその底
面図、第２図（ｂ）は第２薗（ａ）の２Ｂ−２Ｂ断面図
である。これらの図において、ＣＨＩは磁気バブルメモ
リチップ（以下チップと称する）であり、これらの図で
はチップＣＨＩは省略して１個のみ表示しているゲ本実
施例では２個並べて配置しているものとする。

（１つの大容量チップよりも、合計記憶容量をそれに合
せた複数分割チップ構成の方がチップ歩留が良い）、Ｆ
ＰＣは２個のチップＣＨＩを搭載しかつ４隅にチップＣ
ＨＩと外部接続端子との結線用線群延長部を有するフレ
キシブル配線基板（以下基板と称する）である。ＣＯＩ
は２個のチップＣＨＩをほぼ同一平面上でとり囲み対向
辺が互いに平行となるように配置された駆動コイル（以
下コイルと称する）、ＣＯＲは四角形コイル集合体ＣＯ
Ｉの中空部分を貫通するように設けられた固定配置され
た軟磁性材からなる額縁形コア（以下コアと称する）で
あり、このコアＣＯＲと各コイルＣＯＩとでチップＣＨ
Ｉに面内回転磁界を付与する磁気回路ＰＦＣを構成して
いる。ＲＦＳは基板Ｆ　Ｐ　Ｃの中央四角形部分と、２
個のチップＣ上工および磁気回路ＰＦＣの全体を収納す
る回転磁界閉じ込めケース（以下ケースと称する）であ
る。

ケースＲＦＳは２枚の独立した板を加工して形成され、
ケースの側面部で上下の板は電気的に接続されている。

チップＣ上工が配置された部分よりやや広めの範囲で中
央部分の隙間が狭くなるよう周辺部分に絞り部が形成さ
れている。この絞り部は磁石体の位置決めにも利用でき
る。ケースＰＦＳは磁気磁界閉じ込めと軟弱な基板ＦＰ
Ｃを機械的に支持する一石二鳥の効果、働きを持ってい
る。

ケースＰＦＳとチップＣＨＩとの間には、特にチップＣ
ＨＩの側面部に隙間ＳＩＲがあるが、チップＣＨＩの平
面部も含めてこの隙間部分ＳＩＲにはシリコーン樹脂が
コーティング又は充填され、チップ主表面に組立中に異
物が付着したり１組立後に水分がチップ主表面又は側面
部に侵入することが少なくなるよう、パッシベーション
効果が意図されている。もし、ケースＲＦＳの外側で完
全な気密封止ができる場合、樹脂ＳＩＲの充填は省略し
ても良い。ＩＮＭはケースＲＦＳの外側に配置された磁
性材からなる一対の傾斜板であり、第２図で上側の傾斜
板ＩＮＭは左に寄るに従ってまた下側の傾斜板ＩＮＭは
右に寄るに従って板厚が厚くなっており、双方はケース
ＲＦＳ側に傾斜面が形成されている。傾斜板ＩＮＭの材
料としては。

透磁率μが高く保持力Ｈｃの小さいソフト・フェライト
やパーマロイ等を使用すれば良く、本実施例では傾斜面
の加工が容易なソフト・フェライトを選んだ。ＭＡＧは
一対の傾斜板ＩＮＭの内側でそれと重ねて配置された一
対の永久磁石板（以下磁石板と称する）である。ＨＯＭ
は前記各磁石板ＭＡＧの内側でそれと重ねて配置された
ソフトフェライトのような磁性材からなる一対の整磁板
である。磁石板ＭＡＧは全面にわたって均一の板厚を有
して形成されている。ＩＮＮは一対の整磁板ＨＯＭの内
側対向面にそれと重ねて配置された銅のように熱伝導性
が良く非磁性体の材料からなる一対の傾斜板である。こ
れらの傾斜板ＩＮＮは傾斜板ＩＮＭとほぼ同等の傾斜角
でかつ逆方向の傾斜面を有して形成されている。傾斜板
ＩＮＭ、磁石板ＭＡＧ、整磁板ＨＯＭ及び傾斜板ＩＮＮ
は、それぞれ積み重ねて配置し一体化してバイアス磁界
発生用磁石体ＢＩＭ（以下磁石体と称する）を構成した
ときに積層板磁石体全体の厚さがほぼ全面にわたって均
一となるように形成されている。

一対の磁石体ＢＩＭはケースＲＦＳの絞り部によって囲
まれた中央の平な部分に接着されている。

ＢＩＣは磁石体ＢＩＭの周縁部とケースＲＦＳとの間の
溝状隙間部分に配置されたバイアス磁界発生用コイル（
以下バイアスコイルと称する）である。バイアスコイル
ＢＩＣは磁石板ＭＡＧの磁力をチップＣＨＩの特性に合
せて調整したり、不要バブル発生不良の有無をテストす
る際、チップＣＨＩのバブルをオールクリア（全消去）
する場合に駆動される。ＳＨＩは前記チップＣＨＩを搭
載した基板ＦＰＣおよび磁気回路ＰＦＣを収納したケー
スＲＦＳと、その外側で、一対の磁石体ＢＩＭａ、ＢＩ
ＭｂおよびバイアスコイルＢＩＣを収納する磁性材から
なる外部磁気シールドケース（以下シールドケースと称
する）である。シールドケースＳ　ＨＩの材料としては
、透磁率μが高く、飽和磁束密度Ｂｓが大きく、Ｈｅの
小さい磁性体が好ましく、パーマロイやフェライトがそ
のような特性を持っているが、本実施例では折り曲げ加
工に適し、機械的な外力に対して強いパーマロイの鉄・
ニッケル合金が選択された。ＰＫＧは前記シールドケー
スＳＨＩの外周面に接着あるいははめ込みにより取り付
けられた熱伝導率が高く、加工のし易いＡＱのような材
質からなるパッケージングケースである。ＧＮＰは前記
基板ＦＰＣの４隅から延長して設けられ、シールドケー
スＳＨＩの背面に折り返された外部接続端子に接触する
ように配置されたコンタクトパッドである。ＴＥＦは各
コンタクトパッドＧＮＰを開口部の段差部で支持固定す
る絶縁性部材からなる端子固定板である。ＲＥＧはパッ
ケージングケースＰＫＧの内側４隅に封入されかつシー
ルドケースＲＦＳ組立体をパッケージングケースＰＫＧ
内部に固定する樹脂モールド剤である。

（全体構造の特長　第１，２図） 第１図及び第２図に示した磁気バブルメモリデバイス全
体構造の特長点は下記のように列挙される。しかし、本
実施例による特長点はこれらに限定されるものではなく
、他の特長点は第３図以降の説明からも明らかとなるで
あろうが、ここでは各構成部品間の関連性を中心として
特長点を述べる。

（１）回転磁界発生コイルＰＦＣを額縁型にして。

バブルメモリチップＣＨＩをその面内にほぼ同一平面上
で配置しているので、バブルデバイス全体の厚さを薄く
できる。現今の主流技術では、チップ上下面をＸ及びＹ
コイルでぐるぐる巻いているため、デバイス全体の厚さ
はチップ厚、Ｘコイル厚及びＹコイル厚の和の関数とな
るからである。

（２）Ｘコイル及びＹコイルがほぼ同一平面に配置され
ているので、従来のＸコイル上に重ねてＹコイルを巻い
た構造に比べ下記の効果がある。

■コイルの総省線長が長くならない。従って゛インダク
タンスＬを小さくでき、低電圧駆動や低消費電力化を可
能とした。

■Ｘコイル及びＹコイルとチップＣＨＩとの距離を等し
くすることができ、磁界分布をバランスのとれたものと
することができる。

（３）回転磁界発生コイルＰＦＣを導体ケースＲＦＳで
囲んでいるので磁束の漏れが少なくチップＣＨＨに対す
る駆動効率を高められる。

（４）導体ケースＰＦＳは１回転磁界Ｈｒ発生コイルＰ
ＦＣから発生された交流磁界が透磁率μの大きい磁石体
ＢＩＭに漏れるのを防ぎ。

他方磁石体ＢＩＭからチップＣＨＩへ加えられるべきバ
イアス磁界Ｈｂの直流磁界に対しては実質的にその通過
を妨げないという選択性がある。

（５）導体ケースＰＦＳとしては、従来配線基板として
使用されていたエポキシガラス等に比べ硬い銅のような
材質を使用しているため。

チップＣＨ工を機械的に強固に支持できる。

従って、特に製造歩留を上げるため等に複数チップ実装
構成とした場合は、チップ間の傾斜角度バラツキが磁気
特性に大きな影響を与えるが、本実施例によればチップ
間の傾斜角度のバラツキを小さく押えられる。

（６）配線基板としてフレキシブルフィルム基板ＦＰＣ
を使用しているため下記の効果が得ら　　（れる。

■基板厚を小さくできる。

■リードボンディング、方式を採用できるので従来のワ
イヤホンディング方式に比ベボンディング部分が占める
厚さを小さくできる。

■上記■、■の効果は、磁気回路のギャップ（透磁率μ
の小さい部分）を小さくでき小さい厚さ、又は小さい平
面積のバイアス磁石ＭＡＧを使用することができ、デバ
イス全体の薄型化又は平面積の縮小化につながる。

■チップＣＨＩからの配線の折り曲げ等が自由自在であ
る。従って、端子部分の１８０゜の裏返し等が可能であ
り、デバイス全体の平面積を制限することができる。

■回転磁界閉じ込めケースＲＦＳの配線取り出し用開口
幅を小さくできる。従って、回転磁界の漏れを最小限に
留めることができる。

７）配線基板ＦＰＣの外部導出配線を四角形の角部に集
約させているので、回転磁界閉じ込めケースＲＦＳの開
口を最も影響の小さい角部に設けることができる。

（８）傾斜板ＩＮＮの機能を磁石或は整磁機能と兼用さ
せていないので下記の効果がある。

■傾斜角を形成するために、加工性の良い銅等の材料を
使用できる。

■熱導率の良い銅等の材料を使用でき、回転磁界発生コ
イルＣＯＩで発生した熱を効率良く発散できる。

■非磁性体の材料を使用することによって、整磁板ＲＯ
Ｍを通る磁界を乱さないようにすることができる。

（９）傾斜板ＩＮＮは磁気的ギャップを小さくするため
にできるだけ薄い方が好ましく、その幅を磁石ＭＡＧや
整磁板ＲＯＭに比べて、傾斜角形成に必要十分なところ
に制限することによって、薄い厚さでの傾斜角形成を容
易としている。

（１０）磁石ＭＡＧとシールドケースＳ　ＨＩ間には、
透磁率μの大きいソフトフェライトのような板ＩＮＭが
挿入されているので、その間の磁気的ギャップを埋める
ことができる。また、板ＩＮＭは放熱にも寄与する。板
ＩＮＭとしては磁石ＭＡ’Ｇよりも保持力Ｈｃの小さい
材料を選んでいるので、永久磁石の実効的な厚さを均一
なままにしておくことができる。

（１１）シールドケースＳＨＩは透磁率μの大きいパー
マロイ等の磁性材料で構成しているため、磁石ＭＡＧを
磁界源とする磁気回路の磁気抵抗を小さくできるので、
磁石ＭＡＧの厚さや平面積を小さくできる。

（１２）シールドケースＳＨＩは飽和磁束密度Ｂｓの大
きいパーマロイ等の磁性材料で構成しているため、外来
の磁界ノイズをバイパスし、チップＣＨＩに伝えない働
きがある。

（１３）上記（１１）、　（１２）はそれぞれ、シール
ドケースＳＨＩの厚さを薄くすることにつながる。

（１４）シールドケースＳＨＩはパーマロイのような鉄
−ニッケル合金を使用しているため、折り曲げ加工に適
し、又機械的な外方に対してその中に組み込まれた部品
を保護する働きがある。

（１５）回転磁界発生コイルＰＦＣとバイアスコイルＢ
ＩＣを共にコア型にしているので、パッケージングケー
スＳＨＩ又はＰＫＧ内での収納効率又は実装密度を高め
ることができる。

（１６）コアー〇ＯＲと整磁板ＨＯＭとの間にはケース
ＲＦＳを挿入しているため、その間隔はコイルＣＯＩの
厚さの他に回転磁界閉じ込めケースＲＦＳの厚さ及び折
り曲げ角度で微調整できる。この距離は短ければ短い程
全体の平面的な大きさを小さくすることができ、コイル
長の低減による低消費電力化につながる。

しかしながら、その距離が短か過ぎると磁石ＭＡＧから
の直流バイアス磁界Ｈｂが透磁率の高いコアー〇ＯＲに
漏れてしまい、チップ周辺部分におけるバイアス磁界の
一様性が悪くなる。従って、この距離は上記特性上非常
にシビアであり、本構造によるとその調整が精密にでき
る。

（１７）回転磁界閉じ込めケースＲＦＳの周辺に絞り部
を設けているため、磁石体ＢＩＭの位置合せが容易であ
る。

（１８）傾斜板ＩＮＮは同じ製造条件で作った２枚のも
のを、チップの上下面で平面的に１８０’の回転角度差
があるように配置することによって、チップをはさんで
上下面に配置された１対の整磁板ＲＯＭや１対の磁石Ｍ
ＡＧをほぼ平行に合せることができる。

（組立の概要　第３図） 第３図は前述した磁気バブルメモリデバイスを構成する
各構成部材の積重ね組み立て手順を説明するための組み
立て斜視図であり、前述と同一符号は同一部材を示して
いる。同図において、まず、４隅に突出して入出力配線
の接続部を有しかつ中央部に素子搭載部を有する基板Ｆ
ＰＣ上に２個の麻子ＣＨＩを搭載した基板組立体ＢＮＤ
を、底面に点線で示した位置に絶縁性シートを接着配置
し乙外側ケースＲＦＳａ内に配置し、さらにこの基ｍ、
Ｆｐｃ上に磁気回路ＰＦＣを組み込んだ後、シリコーン
樹脂５ＩＲ（図示せず）を充填しその上部に内側ケース
ＲＦＳｂを外側ケースＲＦＳａに対して組み込み、外側
ケースＲＦ　Ｓ　ａと内側ケースＲＦＳｂとの側面接触
部分を半田付等により電気的に接続する。次にこれらの
外側ケースＲＦＳａおよび内側ケースＲＦＳｂの外面に
設けられている凹状の絞り部に上側磁石体Ｂ　Ｉ　Ｍ　
ａおよび下側磁石体ＢＩＭｂを配置した後、この上側磁
石体Ｂ　Ｉ　Ｍ　ａの外縁部と内側ケースＲＦＳ　ｂの
内側とで形成される図示しない隙間に整列巻きされたバ
イアスコイルＢＩＣを配置し、これらを外側ケースＳ　
ＨＩ　ａ内に収納し、更に内側ケース５ＨＩｂを組み込
み、外側ケースＳ　ＨＩ　ａと内側ケース５Ｈ１ｂとの
側面接触部分を溶接等により磁気的に接続する。次に内
側ケース５ＨＩｂの４隅から突出している前記基板ＦＰ
Ｃの外部接続端子接続部をこの内側ケース５ＨＩｂの背
面に第４図Ｂに示すように折り返し、一定形状を有する
ように組み合わせて配置し、これらの接続部にそれぞれ
設けられている半田等で被覆された各外部接続端子に、
図示しないコンタクトパッドＣＯＰを各開口部に搭載し
た端子固定板ＴＥＦを接触配置して熱圧着等により各外
部接続端子とコンタクトパッドｃＯＰを半田付等により
電気的に接続させる。次にこれらの組み立て体にパッケ
ージングケースＰＫＧ内に収納し、端子固定板ＴＥＦと
パッケージングケースＰＫＧの接触部においてハーメチ
ックシール等の封止を行って組み立てられる。

次に前述した各構成部品の構造について説明する。

（フレキシブル配線基板　第４図） 第４図は基板ＦＰＣを示す図であり、同図Ａはその平面
図、同図Ｂは４隅から突出している外部接続端子の接続
部を折り返し組み合わせて配置した平面図、同図Ｃは同
図Ａの４Ｇ−４Ｇ拡拡大面図、同図りは同図への４Ｄ−
４Ｄ拡拡大面図である。同図において、基板ＦＰＣは、
中央部に角形状の素子保護部１と、この４隅に１１の小
さい折り曲げ部２　（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ）と、こ
の先端部に角形状の外部接続端子接続部（以下接続部と
称する）３　（３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ）とを有し、全
体形状がほぼ風車状をなして一体的に形成されており、
また、この素子保護部１の対向辺側には後述する２個の
素子ＣＨＩを搭載しその端子部を接続させる２重枠構造
の矩形状開口部４（４ａ、４ｂ）および位置決め用の３
個の穿孔５（５ａ、５ｂ、５ｃ）が設けられ、さらに１
個の接続部３ｃの先端には位置決め用の基板突出部６が
設けられている。

また、この基板ＦＰＣは、同図Ｃに示すように厚さ例え
ば約５０μｍ程度のポリイミド樹脂フィルムからなるベ
ースフィルム７上にエポキシ系の接着剤８を介して銅薄
膜を形成し、これを所要のパターン形状にエツチングす
ることにより、同図Ａに示すような配線用リード９ａ、
円形状の外部端子９ｂ、楕円状のコイルリード接続用端
子９ｃ。

記号９ｄおよびインデックスマーク９ｅ等のパターンが
形成され、さらにこれらの上面には前記同様な部材から
なる接着剤８を介して透光ないし半透光性のカバーフィ
ルム１０が接着配置されている。そして、この基板ＦＰ
Ｃの開口部４においては、図示しない素子ＣＨＩ搭載側
となるベースフィルム７が高い精度の寸法で開口が形成
され、また、その上面側カバーフィルム１０には比較的
寸法の大きい開口が形成され、さらにベースフィルム７
とカバーフィルム１０との間には配線用り一ド９ａが露
出し、この配線用リード９ａの表面には錫メッキ層１１
が形成され、開口形状が２層構造でかつ２重枠構造を有
して形成されている。一方、接続部３においては、同図
りに示すようにカバーフィルム１０の前記円形状外部端
子９ｂおよび図示しない楕円状の外部端子９ｃと対応す
る部位に円形状の開口１２が形成され、その間口１２か
ら露出した外部端子９ｂ、９ｃ銅薄膜パターン上にはめ
っき或いはディップ等による半田層１３が形成されてい
る。そして、これらの接続部３に設けられた各外部端子
９ｂ、９ｃは各接続部３ａ。

３ｂ、３ｃ、３ｄおよび折り曲げ部２ａ、２ｂ。

２ｃ、２ｄ並びに素子保護部１上に連続して形成された
各配線用リード９ａに接続され、これらの配線用リード
９ａは素子搭載部１に設けられた各開口部４ａ、４ｂの
開口端の一部に各接続部３ａ。

３ｂ、３ｃ、３ｄのブロック毎に集結してその先端部が
各開口部４ａ、４ｂ内に露出されている。

すなわち同図Ａに示すように接続部３ａの配線用リード
９ａは開口部４ａの左上部に、接続部３ｂの配線用リー
ド９ａは開口部４ｂの左下部に、接続部３ｃの配線用リ
ード９ａは開口部４ａの右上部に、また接続部３ｄの配
線用リード９ａは開口部４ｂの右下部にそれぞれ配線さ
れている。そして、この基板ＦＰＣは、後工程で各接続
部３ａ。

３ｂ、３ｃ、３ｄが各折り曲げ部２ａ、２ｂ、２ｃ、２
ｄで折り曲げられて同図Ｂに示すように組み合わされ、
半田層１３を形成した各外部端子９ｂ、９ｃが表面に露
出し、また、配線用リード９ａ、記号９ｄおよびインデ
ックスマーク９ｅは表面がカバーフィルム１０により被
糟されているので、これらのパターンはカバーフィルム
１０を透かして容易に判読できるように構成されている
。

このような構成において、基板ＦＰＣはポリイミド樹脂
フィルムを用い、素子保護部ｌの４隅に各折り曲げ部２
ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄを介して各接続部３ａ、３ｂ、３
ｃ、３ｄを設けた風車状に構成し、これらの各接続部３
　ａ　＋　３　ｂ　ｔ　３　ｃ　ｐ　’３ｄを折り返し
組み合わせて外部端子部を構成したことにより、素子保
護部１と接続部とが２層配線構造となるので、接続部３
の面積を小さくすることなく、素子保護部１の面積を大
きくさせ、併せて外部端子部の多端子化が可能となり、
全体形状を小形化することができる。

また、このような構成において、各外部端子９ｂから素
子保護部１の各開口部４ａ、４ｂまでの配線リード９ａ
を大幅に短縮できるので、外部雑音等による影響を大幅
に減らすことができる。すなわちＳ／Ｎ比の高い信号を
入出力させることができる。さらに接続部３ｃの一端に
基板突出部６を設けるとともに、この突出部６にインデ
ックスマーク９ｅを設けたことにより、折り返し組み立
てた際の基板中央部の表示用、ケースＲＦＳおよびｓＦ
Ｉ工（第２図参照）に組み込む際の位置合せ用、ン配線
リード９ａの種類の区別用あるいは製品型式の表示用等
の判別に利用してその判別が容易となるので、組み立て
および基板管理等を合理化することができる。また、基
板ＦＰＣの素子保護部１の両端側に穿孔５ａ、５ｂ、５
ｃを設けたことにより、基板ＦＰＣの左右の区別、素子
ＣＨＩの位置決め等が容易となり、同様に組み立て性を
合理化することができる。

（基板組立体　第５．６．７図） 第５図は前述した基板ＦＰＣに索子ＣＨＩを搭載した平
面図を示したものである。同図において、基板ＦＰＣの
素子搭載部１には２個の索子ＣＨＩが開口部４ａ、４ｂ
間に並列配置して搭載され基板組立体ＢＮＤが構成され
ており、この素子ＣＨ工の１個は、第６図に拡大平面図
で示すように１Ｍｂチップの２ブロツクが一体化して構
成され、２個の素子ＣＨＩでは４ブロツク、合計で４Ｍ
ｂチップを構成している。なお、第６図に示した素子Ｃ
ＨＩの１ブロツクにおいて、太線は導体パターン、細線
はシェブロンパターン転送路をそれぞれ示している。ま
た、第５図に示した素子ＣＨＩは、第７図Ａ、第７図Ｂ
にそれぞれ拡大断面図で示すように素子ＣＨＩの端部に
金メッキして設けられた各ポンディングパッド１４と、
基板ＦＰＣ開口部４の錫メッキ層１１が形成された配線
用リード９ａとの間に金バンプ１５を介在させて熱圧着
法にによるＡ　ｕ　−Ｓ　ｎ共晶によりリードボンディ
ングされて搭載されている。

このような構成によれば、基板ＦＰＣの開口部４ａ、４
ｂの配線用リード９ａと素子Ｃ，ＨＩのポンディングパ
ッド１４とがＡ　ｕ　−Ｓ　ｎ共晶によるリードボンデ
ィングにより接続されて素子ＣＨＩが支持固定°できる
ので、接続強度を大幅に向上できるとともに、薄形化が
可能となる。また、素子ＣＨＩの表面が基板ＦＰＣの素
子搭載部１により被覆されるので、素子ＣＨＩの表面が
保護され、ハンドリング性を向上させることができると
ともに、基板ＦＰＣの機械的強度を保持することができ
る。また、このような構成によれば、各素子ＣＨＩが２
ブロツクからなり、２個の素子ＣＨＩは４ブロツクで構
成されているので、各ブロックをそれぞれ最も近接する
各接続部３ａ、３ｂ、３ｃ。

３ｄへ分配して配線でき、素子ＣＨＩ配置の対称性が得
られ、試験、検査等が極めて容易となる。

さらに基板ＦＰＣに４個の接続部３ａ、３ｂ、３ｃ、３
ｄを設けているので、各素子ＣＨＩの磁気バブル検出器
ＤＥＴおよびマツプループ等の配線を他の機能配線と区
別して１個所の接続部に集結させ、この接続部を雑音発
生源から遠ざける部位ニ選定して配置することにより、
雑音の極めて少ない入出力信号を授受することができる
。

（駆動磁気回路　第８，９図） 第８図は磁気回路ＰＦＣを示゛す図であり、同図Ａは斜
視図、同図Ｂはその駆動磁気回路を示す平面図である。

同図において、磁気回路ＰＦＣは、軟磁性材料からなる
額縁形のコアＣＯＨの互いに平行な対向する辺上に、矢
印方向に巻線を施して４組のコイル２０ａ、２０ｂ、２
０ｃ、２０ｄからなるコイルＣ○工が巻設され、互いに
対向する辺上のコイル２０ａと２０ｂとを接続点２１ｂ
を介して直列巻きさせてＸコイル２２ａを、コイル２０
ｃと２０ｄとを接続点２１ａを介して直列巻きさせてＹ
コイル２２ｂをそれぞれ構成している。

そして、Ｘコイル２２ａおよびＹコイル２２ｂに位相の
９０度異なる電流ＩｘおよびＩｙ（例えば三角非電流）
を供給することにより、同図Ｂに示すようにＸ軸方向に
漏洩磁界Ｈｘが、ｙ軸方向には漏洩磁界Ｈｙが発生し、
前述した２個の素子ＣＨＩに回転磁界として供給される
。

また、このように構成される磁気回路ＰＦＣは、第９図
に斜視図で示すように１本の軟磁性材料からなる直方体
状の磁気コア２３に巻線を複数ブロック毎にタップ２４
を設け、直列巻きして一対のコイル、例えばコイル２０
ａ、２０ｂからなる一対のＸコイル２２ａを形成した後
、各コイル２０ａと２０ｂとの間に一定の巾を有する幅
の広い溝２５とさらに幅の小さい溝２６とを切削加工し
て設け、しかる後、この幅の小さい溝２６部分から切断
して両者に分割された幅の広い溝２５を互いに直交する
方向に組み合わせて接着し、第８図に示すように額縁形
に構成する。また、逆に前述した幅の広い溝２５および
幅の小さい溝２６を予め形成した直方体コア２３にコイ
ル２０ａ、２０ｂをタップ２４を介して巻設し、一対の
Ｘコイル２２ａを形成してもよい。また、前述した一対
のＹコイル２２ｂについても全く同様に形成される。

このような構成において、直方体状磁気コア２３にコイ
ル２０ａ、２０ｂを直列方向にタップ２４を設けて巻設
しているので、第８図に示すように組み立て構成した場
合、互いに交差させて結線（接続点）する必要がなくな
り、巻線の引き廻しを簡素化することができる。

このような構成によれば、Ｘコイル２２ａとＹコイル２
２ｂとが対称構造となるので、粗カップリングとなり、
インダクタンスバランスが向上し。

漏洩磁界に対する磁性体間の磁気的干渉を防止すること
ができる。また、この磁気回路ＰＦＣは素子ＣＨＩの上
、下面に配置されない額縁形構造となるので、積層方向
の厚さが小さくなり、薄形化が可能となる。

（回転磁界閉込めケース　第１０．１１．１２図）第１
０図はケースＲＦＳを示す図であり、同図Ａは平面図、
同図Ｂはそのｌ０Ｂ−ｌ０Ｂ断面図である。同図におい
て、内側ケースＲＦＳｂは、その中央部分が凹状となる
枠形状の絞り部３０と、その対向端辺が上方向にほぼ９
０度折り曲げられた折り曲げ部３１と、その各４隅が斜
め方向に切断された切り欠き部３２とをそれぞれ有して
構成されており、このケースＲＦＳｂは良導電性材料、
例えば無酸素銅板をプレス加工して形成されている。こ
の場合、絞り部３０および折り曲げ部３１はこの内側ケ
ースＲＦＳｂのねじれ方向の機械的強度を向上させると
ともに、互いに対向する折り曲げ部３１相互間の縦横方
向の外径寸法りを適宜制限することができる。また、絞
り部３０は、このケースＲＦＳｂの外面側に配設される
磁石体ＢＩＭｂと、内面側に配置される素子ＣＨＩとの
間の距離を適宜調整することができる。なお、４隅に設
けた切り欠き部３２は、このケースＲＦＳ　ｂ内に配設
される基板ＦＰＣの各折り曲げ部２ａ。

２ｂ、２ｃ、２ｄの引出し部分を形成している。

このような構成によれば、内側ケースＲＦＳ　ｂは、プ
レス加工法により形成できるので、高精度寸法でかつ低
コストで製作することができる。

なお、内側ケースＲＦＳ　ｂは、無酸素銅を用いたが、
この他に銅、銀、金板あるいはこれらの合金板にメッキ
を施した板材を用いても良い。

第１１図は前述した内側ケースＲＦＳｂに対応する外側
ケースＲＦＳａを示す図であり、同図Ａは平面図、同図
ＢはそのＩＩＢ−１１Ｂ断面図である。同図において、
この外側ケースＲＦＳａは、前述した内側ケースＲＦＳ
ｂと同等の材料および製作法により形成され、その構造
は前述とほぼ同様にその中央部が凹状となる枠形状の絞
り部３３と、その対向端辺が上方向にほぼ９０度に折り
曲げられた折り曲げ部３４と、その各４隅が斜め方向に
切断された切り欠き部３５とを有して構成されている。

この場合、互いに対向する折り曲げ部３４は、その相互
間の内側寸法が、前述した内側ケースＲＦＳｂの折り曲
げ部３１相互間の外側寸法りとほぼ同等値を有しかつ高
さＨを大きくして形成されている。なお、この絞り部３
３および切り欠き部３５は前述した内側ケースＲＦＳｂ
とほぼ同等の寸法を有して形成されている。

このように構成された外側ケースＲＦＳａおよび内側ケ
ースＲＦＳｂは、第１２図Ａにその平面図、第１２図Ｂ
に１２Ｂ−１２Ｂ断面図でそれぞれ示すように外側ケー
スＲＦ　Ｓ　ａ内に内側ケースＲＦＳ　ｂを挿入し、外
側ケースＲＦ　Ｓ　ａの折り曲げ部３１の外面とを互い
に接触させて接続することにより、一体化させケースＲ
ＦＳが組み立てられる。

（ケース組立体　第１３図） 第１３図は前述したケースＲＦＳ内に基板組立体ＢＮＤ
を収納配置した断面図を示したものである。同図におい
て、外側ケースＲＦ　Ｓ　ａの底面には、電気的絶縁性
シートとして、例えば厚さ約０゜１１程度のポリイミド
フィルム３６が接着配置され、このフィルム３６上には
基板組立体ＢＮＤが、また、その周縁部には磁気回路Ｆ
ＰＣがそれぞれ配置され、されに基板組立体ＢＮＤの上
面にエポキシ系の接着剤３７を塗布した後、これらの上
方部には内側ケースＲＦＳｂが挿入されて接合配置され
ている。この場合、この外側ケースＲＦＳａの折り曲げ
部３４の内面と内側ケースＲＦＳｂの折り曲げ部３１の
外面とがＸ印で示す部分でメタルフローあるいは半田付
等により電気的、Ｉａ械的に接合されている。また、こ
の外側ケースＲＦＳａと内側ケースＲＦＳ　ｂとの間の
隙間部分にはシリコーン樹脂ＳＩＲが充填され基板組立
体ＢＮＤおよび磁気回路ＰＦＣが固定配置されている。

なお、この場合、これらの外側ケースＲＦＳａおよび内
側ケースＲＦＳｂの４隅に設けられた図示しない各切り
欠き部３２．３５には基板ＦＰＣの折り曲げ部２　（２
ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ）が外部へ引出されている。３８
はコイルＣ○■同志の接続またはコイルＣＯＩと基板Ｆ
ＰＣ上に設けられた外部端子９ｃを接続するためのリー
ド線である。

このような構成において、磁気回路ＦＰＣの駆動により
漏洩磁界が発生すると、ケースＲＦＳには閉ループを形
成するように誘起電流が流れ、この誘起電流によって回
転磁界がケースＲＦＳ内に封じ込められ、したがって素
子ＣＨＩには均一な回転磁界を付与される。

このような構成によれば、外側ケースＲＦＳａおよび内
側ケースＲＦＳｂとの間に中央部分の凹状部内に基板Ｆ
ＰＣに搭載された素子ＣＨＩを、周縁部分の凸状部内に
磁気回路ＰＦＣをそれぞれ挟持させて配置したのでパッ
ケージング効果が向上できるとともに、組立性が大幅に
向上できる。

また、外側ケースＲＦＳａおよび内側ケースＲＦｓｂで
覆われる体積が減少することにより、ＶＩ積（体積）が
低減でき１回転磁界を発生させる磁気＠路ＰＦＣの小形
化が可能となる。さらに外側ケースＲＦＳａおよび内側
ケースＲＦＳｂに絞り部３０．３３で形成される凹状部
を設は対向する凹状部間あギャップを減少させることに
より。

回転磁界は素子ＣＨＨの平面に垂直な成分（Ｚ成分）が
零に近接して水平な成分のみとなり、一様性を向上させ
ることができる。

（磁石体　第１４図） 第１４図は磁石体ＢＩＭを示す図であり、同図Ａは平面
図、同図Ｂはその側面図、同図Ｃはその正面図である。

同図において、磁石体ＢＩＭは、対向面の一方が所定の
傾斜面を有する非磁性材、例えば銅からなる傾斜板ＩＮ
Ｎと、この傾斜板■ＮＨの傾斜面側に配置する板厚の均
一な第１の整磁Ｆｊ、ＲＯＭ□と、この第１の整磁板Ｈ
ＯＭ１の上面側に配置する板厚の均一な磁石板ＭＡＧと
、この磁石板ＭＡＧの上面側に傾斜面を有する第２の整
磁板ＨＯＭ２とを順次積層し、エポキシ系の接着剤によ
り一体化されて形成され、全体の積層板厚がほぼ全面に
わたって均一となるように構成されている。そして、こ
の磁石体ＢＩＭの上、下面からはほぼ全面にわたって均
一なバイアス磁界発生用の磁界が放出される。

（バイアスコイル　第１５図） 第１５図はバイアスコイルＢＩＧを示す図であり、同図
Ａは斜視図、同図Ｂはその１５Ｂ−１５Ｂ断面図である
。同図において、バイアスコイルＢＩＣは、表面に絶縁
部材として例えば熱硬化性樹脂が外面に被覆された巻線
４０を、断面が５×４線のれ己列とし全体形状が額縁状
となるように整列巻きした後、熱溶着で圧着し、冷却さ
せて所定値の額縁形状に成形して構成されている。この
場合、各巻線４０の外面に被覆されている熱硬化樹脂が
互いに熱溶着するとともに、圧着により各巻線４０が目
詰りして成形され、冷却させることにより、各巻線４０
が結束した状態で硬化されるので、所定形状の額縁形状
に形成される。

（ケース組立体への磁石体及びバイアスコイルの実装　
第１６図） 第１６図は前記第１３図で説明したケースＲＦＳ組立体
に前述した磁石体ＢＩＭおよびバイアスコイルＢＩＣを
組み込んだ断面図を示したものである６同図において、
内部に基板組立体ＢＮＤおよび磁気回路ＰＦＣを収納し
たケースＲＦＳ組立体の上、下面にはそれぞれ上部磁石
体Ｂ　Ｉ　Ｍ　ａ下部磁石体ＢＩＭｂが接着配置され、
さらにこの上部磁石体Ｂ　Ｉ　Ｍ　ａの周縁部と、内側
ケースＲＦＳｂの折り曲げ部３１とで囲まれて形成され
る額縁状溝部にはバイアスコイルＢＩＧが収納配置され
ている。この場合、上部磁石体Ｂ　Ｉ　Ｍ　ａと下部磁
石体ＢＩＭｂとは全く同一の材料９寸法で構成されてお
り、これらの磁石体ＢＩＭａ、ＢＩＭｂはその傾斜板Ｉ
ＮＮ側が、内側ケースＲＦＳｂの絞り部３０で囲われた
凹状部および外側ケースＲＦＳａの絞り部３３で囲われ
た凹状部内にそれぞれ密着されて配置されるに のような構成において、ケースＲＦＳ組立体の中央部両
面側に形成された凹状部内に一対の磁石体ＢＩＭａ、Ｂ
ＩＭｂが配置され、さらにその周縁部に形成される額縁
状溝部内にバイアスコイルＢＩＣが配設できるので、各
構成部品の積層方向の全体の厚さが小さくなり、ｔＪｓ
形、薄形化が可能となる。また、外側ケースＲＦ　Ｓ　
ａと下部磁石体Ｂ　ＩＭｂの外縁部分とで額縁状の空間
溝が形成されるので、この部分に前記バイアスコイルＢ
ＩＣを配置しても良く、また新たにバイアスコイルを設
けても良く、さらにはコイルボビンとして巻線を施して
バイアスコイルを形成することもてきる。

（磁気シールドケース　第１７．１８．１９図）第１７
図はシールドケースＳＨＩを示す図であり、同図Ａは平
面図、同図Ｂはその１７Ｂ−１７Ｂ断面図である。同図
において、外側シールドケース５ＨＩａは、平坦部５１
と、この平坦部５１の対向端辺に上方向にほぼ９０度に
折り返した折り［ｌｉ口ず部５２と、この折り曲げ部５
２の中央部に一部が切り欠かれた凹部５３と、その各４
隅が斜め方向に切断された切り欠き部５４とを有して構
成されており、このシールドケース５ＨＩａは高透磁率
および高飽和磁束密度を有し望ましくは熱伝導率の大き
い材料、例えばパーマロイ板をプレス加工して形成され
ている。

第１８図は前述した外側シールドケース５ＨＩａに対応
する内側シールドケース５ＨＩｂを示す図であり、同図
Ａは平面図、同図Ｂはその１８Ｂ−１８Ｂ断面図である
。同図において、この内側シールドケース５ＨＩｂは、
前述した外側シールドケース５ＨＩａと同等の材料およ
び製作法により形成され、その構造は前述とほぼ同様に
平坦部５５と、この平坦部５５の対向端辺に上方向にほ
ぼ９０度に折り返した折り曲げ部５６と、この折り曲げ
部５６の中央部に一部が切り欠かれた凹部５７と、その
各４隅が斜め方向に切断された切り欠き部５８とを有し
て構成されている。この場合、互いに対向する折り曲げ
部５６はその相互間の外側寸法が、前述した外側シール
ドケース５ＨＩａの折り曲げ部５２相互間の内側寸法り
とほぼ同等値を有しかつ高さＨを小さくして形成されて
いる。

このように構成された外側シールドケース５ＨＩａおよ
び内側シールドケース５ＨＩｂは第１９図Ａにその平面
図、第１９図Ｂにその１９Ｂ−１９Ｂ断面図でそれぞれ
示すように外側シールドケースＳ　ＨＩ　ａ内に内側シ
ールドケース５ＨＩｂを挿入し、外側シールドケースＳ
　ＨＩ　ａの凹部５３と内側シールドケース５ＨＩｂの
凹部５７とで形成される凹部５９にスポット溶接あるい
は半田溶接を施し、磁気的、機械的に固定することによ
り一体化させ外側シールドケースＳ　ＨＩ　ａが組み立
てられる。

このような構成において、外側シールドケース５ＨＩａ
の折り曲げ部５２および内側シールドケース５ＨＩｂの
折り曲げ部５６を横方向、つまり積層方向と交差す方向
に設定することなく、積層方向に揃えて設定することに
より、横方向の寸法を小さくさせ、小形でかつ構成部品
の高集積化が可能となる。

（磁気シールドケース組立体　第２０図）第２０図は前
述したシールドケースＳＨＩ組立体内に、前記第１６図
で説明した内部に基板組立体ＢＮＤ、磁気回路ＦＰＣを
組み込んだケースＲＦＳ組立抹と、一対の磁石板ＢＩＭ
ａ、ＢＩＭｂ、バイアスコイルＢＩＣとからなる組立体
を組み込んだ断面図を示したものである。同図において
、外側シール１ケース５ＨＩａの内部には、その底面側
から中央部に上部磁石体Ｂ　Ｉ　Ｍ　ａ　、周縁部にバ
イアスコイルＢＩＧ、ケースＲＦＳ組立体（内部に基板
組立体ＢＮＤ、磁気回路ＰＦＣ等が組み込まれている）
、下部磁石体Ｂ　ＩＭｂを順次積層配置させた後、内側
シールドケースＳ　ＨＩ　ｂを挿入し、前述した外側シ
ールドケース５ＨＩａの凹部５３と内側シールドケース
５ＨＩｂの凹部５７とで形成される凹部５９（第１９図
参照）で溶接固定して封止される。この場合、このシー
ルドケースＳＨＩ内にグリース等を充填させておくこと
により、内部の構成部品が実質的に相互に密着すること
になり、ケースＲＦＳから発生する熱がこのシールドケ
ースＳ　ＨＩを介して外部に放出することができる。ま
た、ケースＲＦＳとシールドケースＳＨＩを圧入方式に
より側面で接触させる構造にして放熱効果を向上させる
ことができる。

このような構成において、外側シールドケース５ＨＩａ
の底面側にケースＲＦＳ組立体を、その折り曲げ部３１
．３４が対向するように積層配置させることによって外
部シールドケースＳ　ＨＩ　ａと内部シールドケース５
ＨＩｂとの間に積層される各構成部品が密着配置できる
ので、小形化、薄、形化が可能となるとともに放熱効果
も同時に得られる。

（パッケージングケース　第２１図） 第２１図はパッケージングケースＰＫＧを示す図であり
、同図Ａは平面図、同図Ｂはその２１Ｂ−２１Ｂ断面図
である。同図において、パッケージングケースＰＫＧは
、熱伝導の良好な材料、例えば板厚的０．５曜のアルミ
ニウム板を絞り加工を施して形成され、図示されないが
、その外面には黒色被膜が設けられている。このパッケ
ージングケースＰＫＧは、前記外側シールドケース５Ｈ
Ｉａの形状を改良して兼用させて使用することができる
。

このような構成において、このパッケージングケースＰ
ＫＧは、磁気バブルメモリデバイス完成後の外側ケース
となるとともに放熱体としての機能を有し、さらにその
内側角部は後述するポツティング法による樹脂モールド
時の型としての機能も同時に有している。

（端子固定板及びコンタクトパッド　第２２．２３図）
第２２図は端子固定板ＴＥＦを示す図であり、同図Ａは
平面図、同図Ｂはその２２　Ｂ　７２２８断面図、同図
Ｃはその背面図である。同図において、端子固定板ＴＥ
Ｆは、電気的絶縁性を有する材料、例えばガラスエポキ
シ系の樹脂板６０からなり、その外形状は前記パッケー
ジングケースＰＫＧの開口部に対して挿入出自在となる
縦横方向の寸法を有して形成されており、またこの樹脂
板６０の周辺部を除く部位には多数個の貫通孔６１が縦
横方向に所定の間隔をもってマトリックス状の配列で穿
設され、さらにこれらの貫通孔群の角部には回転対称と
はならない断面が凹状となる非貫通孔６２が設けられ、
この非貫通孔６２内には例えば方向性あるいは特長を位
置付ける白色の塗膜などによるマーク６３が付着されて
いる。また、この樹脂板６０に穿設された多数個の貫通
孔６１には、同図Ｂに示すようにその背面側に口径の大
きい開口６４が同軸的に連通して設けられており、これ
らの開口６４の全ては板厚の約６０％の深さを有しかつ
貫通孔６１とは途中に段差を有して連通されている。ま
た、この樹脂板６０の背面側には同図Ｃに示すようにそ
の周辺部分に沿って前記開口６４の深さとほぼ同等の深
さを有しかつ平面方向の幅が異なりその断面が凹形状と
なる溝６５が形成され、この溝６５内は前述したコイル
ＣＯＩの巻線、バイアスコイルＢＩＣの巻線の通路部お
よび接続部を構成している。また、この樹脂板６゜の角
部６６は凹形状とはならず、所定の板厚寸法を有し、前
述したパッケージングケースＰＫＧの内側面に体して接
触面を得ている。このように樹脂板６０の背面側は板厚
の異なる２段構造を有して形成されている。

第２３図はコンタクトパッドＧＮＰを示す図であり、同
図Ａは平面図、同図Ｂはその２３Ｂ−２３Ｂ断面図であ
る。同図において、コンタクトパッドＧＮＰは、良導電
性材料、例えば板厚約０゜５図程度の銅板をプレス加工
により打ち抜いた素片７０の表面にニッケルメッキ層７
１．金メッキ層７２を形成して構成される。

（最終組立　第２０．４．２図） このように構成された各構成部品は、まず最初に前述し
たパッケージングケースＰＫＧ内に、第２０図で説明し
たシールドケース組立体を挿入する。この状態ではこの
パッケージングケースＰＫＧの４隅から前記基板組立体
ＢＮＤの各接続部３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ　（第４図Ａ
参照）が各折す曲げ部２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄがら約９
０度で折れ曲がって突出する。次に、このパッケージン
グケースＰＫＧの４隅にポツティング法により樹脂モー
ルドを行なってこのパンケージングケースＰＫＧ内に各
個性部品を固定配置させる。引き続きこれらの各接続部
３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄを対応する各折り曲げ部２ａ、
２ｂ、２ｃ、２ｄでさらに約９０度で折り曲げて内側シ
ールドケース５ＨＩｂの外面に接着剤を介して前記第４
図Ｂに示すように組み合わせた後、前記端子固定板ＴＥ
Ｆ背面側の各開口６４内にコンタクトパッドＧＮＰを搭
載し、あるいは更にコンタクトパッドＧＮＰの側面を接
着剤により固着してパッケージングケースＰＫＧに挿入
し、各接続部３ａ、３ｂ、３ｃ。

３ｄに接触配置させる。この場合、各接続部３ａ。

３ｂ、３ｃ、３ｄに設けられている各外部端子９ｂの配
列ピッチと各コンタクトパッドＧＮＰの配列ピッチとが
一致しているので、各外部端子９ｂとコンタクトパッド
ＧＮＰとは電気的に接触する。

次に配置した端子固定板ＴＥＦの裏側から各貫通孔６１
に例えば先端部の細い加熱体を挿入し、コンタクトパッ
ドＧＮＰを熱圧着する事により、各外部端子９ｂと対応
する各コンタクトパッドＧＮＰが電気的に接続されると
ともに端子固定板ＴＥＦも同時に機械的に固定されて第
２図に示した磁気バブルメモリデバイスが完成される。

（磁気バブルメモリ素子　第２４．２５，２６，２７．
２８図）第２４図は前述した磁気バブルメモリ素子ＣＨ
工のポンディングパッドＰＡＤ近辺の断面図を示すもの
である。同図において、ＧＧＧはｇａｄｏｌｉｎｉｕｍ
−ｇａｌｌｉｕｍ−ｇａｒｎｅｔ基板であり、ＬＰＥは
液相エピタキシャル成長法によって形成されたバブル磁
性膜であり、その組成の一例は次頁表１に示した通りで
ある。

（本頁、以下余白） 表　　　１ １ＯＮはハードバブル抑制のためにＬＰＥ膜表面に形成
されたイオン打込層を示している。ＳＰＩは第１のスペ
ーサであり、例えば３０００人の厚さのＳｉｏ２が気相
化学反応により形成される。

ＣＮＤＩ及びＣＮＤ２は２層の導体層を示しており、後
述するバブル発生、複写（分割）及び交換を制御する機
能を持っており、下の第１の導体層Ｃ：ＮＤｌがＭ　ｏ
　、上の第２の導体層ＣＮＤ２がＡＵ等の材料でそれぞ
れ形成されている。ＳＦ３及びＳＦ３は導体層ＣＮＤと
その上に形、成されるパーマロイ等の転送パターン層Ｐ
とを電気的に絶縁するポリイミド樹脂等から成る層間絶
縁膜（第２゜第３のスペーサ）である。ＰＡＳは気相化
学反応法により形成されたＳ　ｉ　Ｏ，膜等からなるパ
ッシベーション膜である。ＰＡＤは素子ＣＨＩのポンデ
ィングパッドを示しており、ＡＵ線等の細いコネクタワ
イヤがここに熱圧着法や超音波法によりボンディングさ
れる。このポンディングパッドＰＡＤは下の第１層ＰＡ
Ｄ工がＣｒ、中央の第２層ＰＡＤ２がＡｕ層、上の第３
層ＰＡＤ、がＡｕメッキ層等の材料でそれぞれ形成され
ており、第２層ＰＡＤ、および第３層ＰＡＤ３をＣｒ、
Ｃｕ等の材料で形成しても良い、Ｐはバブルの転送路や
バブルの分割９発生、交換及び検出部更にはガードレー
ル部に用いられる層を示しており、以後の説明では便宜
上転送パターン層と表現する。

第２４図の例ではこの転送パターン層Ｐは下層Ｐ、にＦ
　ｅ　−Ｎ　ｉを、上層Ｐ２にＦｅ−Ｎｉをそれぞれ使
用しているが、前述したように両者の材質を上下入れ替
えることも可能である。

以下、前述した複数層から成る転送パターン層′を素子
ＣＨＩの各部に適用した例を第２５図以降の平面図で説
明するが、これらの平面図では転送パターン層の各層は
セルファラインで形成されているため、同じ輪郭線で表
されていることに注意されたい。第２５図はバブル検出
器り部分を示しており、ＭＥＭはメイン磁気抵抗素子で
あり、横方向に帯状に引き伸ばされたバブルがそこを通
過するとき抵抗値が変ることを利用してバブルの有無を
検出する。ＭＥＤはメイン磁気抵抗素子ＭＥＭと同様な
パターン形状のダミー磁気抵抗素子であり、回転磁界の
影響等による雑音成分を検出するために用いられる。メ
イン磁気抵抗素子ＭＥＭの上方には２段分しか図示して
いないがバブルを横方向に引き伸ばしながら下方に転送
していくバブルストレッチャーＳＴが数１０段形成され
ている。なお、ＰＲはバブルの転送方向を示している。

ＥＲはバブルの消去器であり、導体層ＣＨＤにバブルが
達したとき、消去される。この検出器りの周囲及びダミ
ー及びメイン検出の間には、３列のパターン群から成る
ガードレールＯＲが設けられており、ガードレールＧＲ
の内部に発生した不要なバブルをその外側に追い出した
り、ガードレールＧＲの外側で発生した不要なバブルが
その内側に入り込むのを防ぐようになっている。なお、
第２５図以下の平面パターン図では導体層ＣＮＤ以外の
パターンは第２４図で説明した転送パターン層Ｐを示し
ている。同図において、磁気抵抗素子ＭＥＭ、ＭＥＤを
多層磁性層で形成することにより、信号対雑音比（Ｓ／
Ｎ比）が向上した０例えば、転送パターンとして各層間
にＳｉＯ□膜を介在させた３層パーマロイ層を使用した
場合は、パーマロイ単層用のものに比べ下記表２に示す
ようにＳ／Ｎ比が２倍以上向上させることができる。

表　　　２ また、ガードレールＯＲの性能も保持力Ｈｅの低減によ
り不要バブルの排除率が高くなるなど改善される。

第２６図は磁気バブル発生器ＧＥＮを示しており、転送
パターン層Ｐを多層化することにより。

磁気バブルの発生電流を小さくすることができ。

磁気バブル発生器の導体層ＣＮＤの寿命を長くすること
が可能となった。従って、導体層ＣＨＤの駆動回路も電
流容量値の小さい半導体素子が使用でき、低価格可が可
能となる。

第２７図はＰ　ａ　”　Ｐ　ｈ等の転送パターンで形成
されたマイナループｍ、Ｐｗ１〜ＰＷ３等の転送パター
ン列で形成された書き込みメイジャーラインＷＭＬ及び
ヘアピン状導体層ＣＮＤで形成されたスワップゲート部
を示している。同図において、Ｐ、は第２６図のバブル
発生器ＧＥＮにおける転送パターンＰ７と同一のもので
あり、言い換えればバブル発生器ＧＥＮで発生されたバ
ブルはＰ１〜Ｐ７の転送路を通って書き込みメイジャー
ラインＷＭＬに転送される。スワップ導体層ＣＨＤに電
流を流したとき、マイナループｍ１の転送パターンＰｄ
の磁気バブルは転送パターンＰＱ、Ｐｍを通ってメイジ
ャーラインＷＭＬの転送パターンＰｗ、に転送され、メ
イジャーラインＰｗ工からの磁気バブルは転送パターン
Ｐｋ、Ｐｊ、Ｐｉを経てマイナループの転送パターンＰ
ｅに転送されてバブルの交換、すなわち情報の書き換え
が行なわれる。なお、右端のマイナループｍｄにはスワ
ップゲートが設けられていないが、これは、周辺効果を
軽減するための磁気バブルを注入しないダミーのループ
である。このように交換位置における転送パターン層Ｐ
ｉ＝Ｐｍを多層化することにより、小さい電流値で磁気
バブルの交換を行なうことができる。

また、第２８図に示すように磁気バブルの複写器、即ち
分割器でも同様に小さい電流値駆動が可能となる。同図
において、通常磁気バブルはＰｎ〜Ｐｇ、Ｐｓ”Ｐｘの
順路で転送されており、導体層ＣＨＤに電流を流したと
き、転送パターンＰｇの位置でバブルは分割され、分割
された１つの磁気バブルはｐｙ、ｐＨ−ｐ□。を経て読
出しメイジャーラインＲＭＬに転送される。

（ホールディング磁界及び回転磁界　第２９図）磁石板
ＭＡＧは素子ＣＨＩに対して約２度程度傾斜させて配置
される。これは素子ＣＨＩに対しバイアス磁界Ｈｂが垂
直方向よりややずれて印加されるようにしたもので、そ
れによってバブル転送のスタート、ストップマージンを
約６　（Ｏｓ）向上させるホールディング磁界Ｈｄｃを
生み出す（第２９図Ａ）。

第２９図Ａに示したように磁石体ＢＩＭと素子ＣＨＩと
の角度θの傾斜により、直流磁界Ｈｚは、ｘｙ平面内の
成分Ｈｄｃを持つことになる。そして、この面内成分Ｈ
ｄｃの大きさは、ＨｄＣ−８ｉｎθとなり、通常ＨｄＣ
−５ｉｎθ＝５（Ｏｅ）〜６〔Ｏｅ〕になるように傾斜
角度θが選定される。また、この面内成分Ｈｄｃの方向
は、回転磁界Ｈｒのスタート・ストップ（Ｓｔ／Ｓｐ）
方向（＋ｘ軸方向）に一致するように傾斜されている。

そして、このｘｙ面内成分Ｈｄａは、回転磁界Ｈｒのス
タート・ストップ（Ｓ　ｔ／Ｓ　ｐ）動作に対して有効
な働きをし、ホールディングフィールドと呼ばれている
公知の磁界である。なお、素子ＣＨＩ面に垂直に作用す
るバイアス磁界Ｈｂの大きさはＨ２−ｃｏｓθとなる。

さて、上述したホールディングフィールドＨｄＣは、素
子ＣＨＩのｘｙ面に対して常時作用するため、第２９図
Ｂに図解したように前記素子ＣＨ工に作用する回転磁界
Ｈｒ’は偏心する。同図において、Ｈｒは外部から加え
られる回転磁界、ＨＦ２は、素子ＣＨＩに作用する回転
磁界である。

この場合、ＣＨ工に作用する回転磁界Ｈｒ’は外部から
加えられる回転磁界Ｈｒと面内成分Ｈｄｃとを合成した
ものとなり、その回転磁界Ｈｒ　’の中心○′はスター
ト・ストップ（Ｓｔ、／Ｓｐ）方向である＋Ｘ軸方向に
面内成分ＨｄＣ分だけ平行移動する。このため、同図の
結果から明らかなように、外部から加えている回転磁界
Ｈｒの強さがｌ　Ｈｒ　ｌであっても実効的に阻止ＣＨ
Ｉに作用する回転磁界の強度ｌＨｒ’ｌは回転磁界Ｈｒ
の位相によって異なる。すなわちＳｔ／、Ｓｐ力方向の
ＩＨ１′１は、ＩＨｒｌ＋ｌＨｄ　ｃｌとなり、１Ｈｒ
ｌに比べてホールディングフィールドＨｄｃの強さＩＨ
ｄｃｌだけ強くなっている。逆に、Ｓ　ｔ　／　Ｓ　ｐ
方向と逆方向の場合のｌＨｒ’ｌはｌ　Ｈｒ　ｌ　　ｌ
　Ｈｄ　ｃ　ｌとなり、ｌ　Ｈｒ　ｌに比べて１Ｈｄｃ
ｌだけ弱まっている。

（周辺回路　第３０図） 最後に素子ＣＨＩの周辺回路を第３０図で説明する。Ｒ
Ｆは素子ＣＨＩのＸ及びＹコイルに９０゜位相差の電流
を流し回転磁界Ｈｒを発生するための回路である。ＳＡ
は素子ＣＨＩの磁気抵抗素子からの微小なバブル検出信
号を回転磁界のタイミングと合わせてサンプリングし感
知、増幅するセンスアンプである。ＤＲは、ＭＢＭデバ
イスの書き込みに関係するバブル発生及びスワップ並び
に読み出しに関係するレプリケートの各機能導体に所定
のタイミングで電流を流す駆動回路である。

以上の回路は回転磁界Ｈｒのサイクル及び位相角に同期
して動作するようタイミング発生回路ＴＯによって同期
化されている。

（回転磁界分布特性　第３１図） 第３１図は前述した磁気回路ＰＦＣの回転磁界分布特性
を示したものである。すなわち同図において、横軸に第
８図Ｂで示した磁気回路ＰＦＣ内の中心をＯとしてＸ軸
方向の長さを、縦軸にそのＸ軸方向の回転磁界強度Ｈｘ
＝ＯとしたときのＸ軸方向の回転磁界強度Ｈｘをそれぞ
れ示すと、曲線工で示すような回転磁界分布特性が得ら
れた。

同図から明らかなように、磁気回路ＰＦＣの対向するコ
アＣＯＲ間の内側までの距離−Ｘｃ〜＋ＸＣの範囲まで
ほぼ均一な回転磁界強度Ｈｘが得られ、また、素子ＣＨ
工の有効エリア（回転磁界を付与すべき最小範１１［ｌ
）　−Ｘｅ〜＋Ｘｅの範囲では±約２％の磁界強度一様
性が得られた。なお、破線で示す曲線■は従来構成の磁
気回路による回転磁界分布特性である。

（変形例１） 次に、第１図乃至第２３図の一連の実施例の変形例を第
３２図乃至第４５図を参照しながら説明する。

なお、第１図乃至第２３図と同様な構成（材料、構造、
方法）、効果は説明を省略する。

（フレキシブル配線基板変形例１、第３２図）第３２図
にフレキシブル配線基板の変形例を示す。同図における
フレキシブル配線基板ＦＰＣ２は第４図のそれと次の点
で異なる。

■　配線１００の引出し方向は、回転磁界閉じ込めケー
ス内から外側に導き出される部分１０２ａ〜１０２ｄで
は４方向となっているが、後述する（第４２図）セラミ
ックス印刷基板との接続部分（フィルム１０１の開口部
１０４Ｑ、１０４に部分）では左右の２方向に集約され
ている。

■　フレキシブル基板ＦＰＣ２は、折り曲げをしないで
、外部端子（第４２図で説明するピングリッド）との電
気的結線が行われる。

■　フレキシブル基板ＦＰＣ２に配線１００の延長部分
１００ｄを設け、組立途中段階での特性極査ができるよ
うにした。端子１０９ｂはプローブ針等を接触させるこ
とができる端子である。

■　自動組立等を容易にするため、或は業界標準仕様の
フィルム基板や製造装置を使用できるように、フィルム
基板１０１　（ＦＰＣ２）の幅（図中縦の長さ）を３５
ｍｍに制限した（■で述べたように配線を２方向に集約
した理由の一つ）。また。

フィルム１０１には送り穴１０５ａが設けられている。

このフィルム１０１は１組立途中で、図の一点鎖線で示
した線で切断され、完成品として不要な部分は切り離さ
れる。基板ＦＰＣ２は、厚さ５０−程度のポリイミド樹
脂フィルムから成るベースフィルム上にエポキシ系の接
着剤によって銅薄膜を貼り合わせ、銅薄膜をエツチング
技術によりパターニングして得られた銅下地配線パター
ンを有する。銅下地配線層上には電気メツキ法等により
、Ｎｉメッキ層、Ａｕメッキ層が順次形成される。

このＡｕメッキ層は、銅層の電気的マイグレーションを
防止したり、磁気バブルメモリチップＣＨ工のポンディ
ングパッドとの熱圧着ボンディングを容易にするために
設けられる。Ｎｉ層は銅層と金層との密着性を良くする
ために使用される。各コマの配線パターン１００はこの
段階においては図中外周に設けられた枠状のパターンや
延長部分１００ｅによってつながっているが、これは電
気メッキのためである。

１コマのフィルム基板ＦＰＣ２は前述したように、配線
１００の外部接続部分１００ｃが左右２方向に集約され
ている。上下方向でなく左右方向に集約させている一つ
の理由は前述した３５ｍｍフィルムとのコンパチビリテ
ィである。別の理由は次の通りである。フィルム基板Ｆ
ＰＣ２はその下にメモリチップＣＨＩがフェスアップボ
ンディングされるが、後述するように基板ＦＰＣ２とチ
ップＣＨＩは、図中の左右方向で傾斜させられる（第２
Ｂ図と同じバイアス条件下では、磁石体を基準にして左
が高く右が低くなるように、右下がりの傾斜にされる）
。従って、フィルム基板ＦＰＣ２は上下方向には傾斜さ
せられないので、チップＣＨＩを後述の導体ケースにボ
ンディングしてからフィルム基板ＦＰＣとチップＣＨＩ
との電気的接続を行う場合はフィルム基板ＦＰＣ２のチ
ップとの接続部分１００ｃとチップＣＨＩのパッドとの
ボンディング時に、左側の全接続部分には均一な圧力が
加わり、また右側も同様に均一なボンディングができる
。このことはフィルム基板ＦＰＣと後述する印刷基板と
の接続についても言える。

（回転磁界閉込めケース変形例１、第３３．３４゜３５
図） 第３３図は内側ケースＲＦＳ２ｂを示す図であり、同図
Ａは平面図、同図Ｂはその３３Ｂ−３３Ｂ断面図である
。このケースＲＦＳ２ｂは第１０図のそれと比較して、
絞り部が省略されているのと、底面部の板厚が右側に寄
るに従って厚くされている点が異なっている。同図すに
示すように。

底板の上側の面に対し下側の面は右下がりの傾斜が約１
．７°の値で設けられている。第３８８図から判るよう
に、上側面には整磁板と永久磁石の磁石体が取付けられ
、下側面にはチップＣＨＩが配置される。つまりこのケ
ースにおける厚みの片寄りは、磁石体とチップＣＨＩと
の傾斜によるチップＣＨＩにホールディング磁界Ｈｄｃ
を与えるために設けられている。前述した導体ケースの
傾斜面は３００トン程度の加重によるプレス加工（偏肉
リボン加工）で形成される。この傾斜面は他の方法とし
て切削によって形成することもでき、また圧延時のロー
ラを傾けること等によって形成することもできる。

第１０図に示すような絞り部を無くしたことにより、フ
ィルム基板が絞り部に沿って曲げられることがなくなる
ので、フィルム基板に加わるストレスが緩和される。ま
た、導体ケースＲＦＳ２ｂ自体に傾斜面を設けているの
で、第１４図に示すような傾斜板ＩＮＭやＩＮＮが不要
となり（全部で４枚分）部品点数を減らすことができる
。部品点数の減少は材料費や組立費の節減につながる。

第３４図は外側ケースＲＦ　Ｓ　２　ａを示す図であす
、同図Ａは平面図、同図Ｂはその３４Ｂ−３４Ｂ断面図
である。外側ケースＲＦＳ２ａが内側ケースＲＦＳ２ｂ
と異なる点は磁気コアーＰＦＣを収納或ははめ込むため
の絞り部１３３を設けている点である。外側ケースＲＦ
　Ｓ　２　ａの底抜の上側の面には、内側ケースＲＦＳ
２ｂの底板の下側の面と同様な右下がりの傾斜面が設け
られている。

第３５図は外側及び内側ケースＲＦＳ２ａ及びＲＦＳ２
ｂだけを組合せた状態を示す図であり（第１２図と同様
、チップＣＨＩ、フィルム基板ＦＰＣ２及び磁気コアー
ＰＦＣを図から省略している）、同図Ａは平面図、同図
Ｂはその３５Ｂ−３５Ｂ断面図である。

（ケース組立体変形例１、第３６図） 第３６図はチップＣＨ１，，フレキシブル基板ＦＰＣ２
、磁気回路ＰＦＣを外側ケースＲＦＳ２ａ内に実装した
状態（内側ケースＲＦＳ２ｂでふたをする前の状態）を
示す図であり、同図Ａは上面図、同図Ｂはその３６Ｂ−
３６Ｂ断面図である。

チップＣＨＩはケースＲＦ　Ｓ　２　ａ内に収納される
前に基板ＦＰＣ２に取付けられる。フレキシブル基板Ｆ
ＰＣ２の配線１００がある方の面を表（おちて）面と命
名すると、チップＣ上工は、ポンディングパッド、配線
、転送路がある主面を上にして（フェースアップ）フレ
キシブル基板ＦＰＣ２の裏面に取付けら九る６勿論、接
続される部分は基板ＦＰＣ２の配線部分１００ａとチッ
プＣＨＩのパッド部分であるが、両者はリード部分１０
０ａを上側からキャピラリ等の治具によりパッドへ熱圧
着することによりボンディングされる。

ボンディング後複数の基板ＦＰＣ２が連なったフィルム
基板１０１は個々の基板ＦＰＣ２に切り離され、また周
囲のメッキ時に使用した不要な配線部分や補強部分は第
３６図Ａのように切り落される。

導体ケースＲＦＳ２ａはスタンプ式でエポキシ系樹脂等
の接着剤が塗布され、その部分に、フィルム基板ＦＰＣ
２にボンディングされたチップＣＨＩの裏面が接着され
る。このときのチップＣ上工とケースＲＦＳ２ａとの位
置関係は、ケースＲＦＳ２ａの切欠き部分１３５とフィ
ルム基板ＦＰＣ２の外部導出経路部分１０２ａ〜ｄで精
度良く決められる。必要あれば更に微細な位“置決め調
整は治具等を使用して可能である。

続いて磁気回路ＰＦＣがケースＲＦＳ２ａの絞り部１３
３と外側の壁１３４とで形成される溝にはめ込まれる。

この状態でチップＣＨＩの周辺にシリコーン・レジンＲ
ＥＧ２がポツティングされ、加熱処理によりシリコーン
・レジンＲＥＧ２は流動性を増し、毛細管現象によりフ
レキシブル基板ＦＰＣ２の裏面とチップＣ上工の主面と
の間に入り込み、チップＣＨＩはゴミの付着や湿気の侵
入等から保護される。

ケースＲＦＳ２ａの絞り部１３３の高さは、磁気回路Ｆ
ＰＣの厚さ、チップＣＨＩの厚さ等を考慮し、第３６Ｂ
図に示すようにフレキシブル基板ＦＰＣ２がケース内全
体にねたって平らになるように決められる。その後ケー
スＲＦＳ２ｂがケースＲＦＳ２ａとの面接触部分で超音
波溶接法にょって溶接される。

（磁石体変形例１、第３７図） 第３７図は磁石体ＢＩＭ２を示す図であり、同図Ａは平
面図、同図Ｂはその側面図、同図Ｃはその３７Ｇ−３７
Ｃ：断面図である。同図の磁石体ＢＩＭ２は第１４図の
それ（ＢＩＭ）と、傾斜抜工ＮＭ及びＩＮＮを省略した
点で異なる。

（ケース組立体への磁石体及びバイアスコイルの実装変
形例１、第３８図） 第３８図は第３６図で説明したケースＲＦ８２組立体に
第３７図の磁石体ＢＩＭ２及び第１５図のバイアスコイ
ルＢＩＣを組み込んだ状態を示す図であり、同図Ａは上
面図、同図Ｂはその３８Ｂ−３８Ｂ断面図である。

上側磁石体Ｂ　Ｉ　Ｍ　２　ａとバイアスコイルＢＩＣ
はお皿状の内側ケースＲＦＳ２ｂに取付けられ、下側磁
石体ＢＩＭ２ｂは外側ケースＲＦＳ２ａの絞り部３８に
囲まれた平らな部分に取付けられる。

同図Ｂから判るように、チップＣＨＩ及び磁気回路ＰＦ
Ｃは上下磁石体ＢＩＭ２ａ及びＢＩＭ２ｂが作る平行面
に対し左右方向に傾斜させられている。また、磁気回路
ＰＦＣとチップＣＨＩとを平行に配置する条件は第１３
図及び第１６図の例と変わり無いが、磁気回路ＰＦＣの
最上端面とチップＣＨＩの上面はほぼ同一面となるよう
に、チップＣＨＩの厚さ、磁気回路ＰＦＣの厚さ、外側
ケースＲＦＳ２ａの絞り部３８の高さが設計され。

フレキシブル基板ＦＰＣ２に応力が加すらないようにさ
れている。

（磁気シールドケース変形例１、第３９．４０図）第３
９図は上側シールドケースＳ　ＨＩ　２　ａを示す図で
あり、同図Ａは上面図、同図Ｂは右側面図、同図Ｃは下
側面図である。同図Ａから判るように上側シールドケー
スＳ　ＨＩ　２　ａの平面形状は正方形状で同じ点を通
る４本の水平、垂直及び右下がり、右上がり４５°中心
線（図示せず）のどの軸に対しても対象形とされている
。なお、４５°中心線と垂直に交わる４角の切欠き部１
５４は第３２図のフィルム基板ＦＰＣの４角の導出部分
１゜２ａ〜１０２ｄを通すために設けられている。ｌ５
１はケースの平面部であり、１５２は垂直方向に立って
いる壁部分である。壁１５２には各辺の中央部分に突出
部１５２ａ〜１５２ｄが設けられている。左右辺の突出
部１５２ａ及び１５２Ｃの高さはｈ２とされ、突出高さ
そのもの（ｈ、−ｈｌ）は、第４０図で示す下側シール
ドケース５ＨＩ２ｂの厚みｔ。と同じにされる。また、
上下辺の突出部１５２ｂ及び１５２ｄの亮さはり、とさ
れ、突出高さそのもの（ｈ、−ｈｌ）は、下側シールド
ケース５ＨＩ２ｂの厚さｔ。よりも若干大きくされる。

例えば、ｈ、＝４．５．ｈ２＝５．０．ｈ、＝５．３．
ｔ０＝０．５とされ、上下シールドケースＳ　ＨＩ　２
　ａ及び５ＨＩ２ｂを組立てたとき、上側シールドケー
スＳ　ＨＩ　２　ａの上下辺突出部１５２ｂ及び１５２
ｄが下側シールドケース５ＨＩ２ｂの下側平面部に対し
僅かに（ｈ、−ｈ□−ｔ０＝０゜３）飛び出るようにさ
れ４第４２図に示すセラミック印刷配線基板との位置決
めを容易にするよう工夫されている（各数値の単位はい
ずれもＩである）。

第４０図は下側シールドケース５ＨＩ２ｂを示しており
、同図Ａは平面図、同図Ｂは下側面図を示している。板
状の下側シールドケースＳ　ＨＩ　２　　・ｂは左右上
下の４辺に上側シールドケース５ＨＩ２ａの壁１５２の
厚さｔ。に相当する凹部を有し。

この部分に上側ケースの突出部１５２ａ〜１５２ｄがは
め込まれるようになっている。第３９及び４０図に示し
た各ケースの縦及び横方向の長さＬｉＯ２及びＬｉＯ４
は例えば２２．４ａｗｎで同じに設計される。

、下側シールドケース５ＨＩ２ｂは、第１８図のそれ（
ＳＨＩｂ）と比べて、曲げ加工が不要であり、低コスト
となるだけでなく、出来上がりデバイスの厚みを小さく
できる。

（磁気シールドケース組立体変形例１、第４１図）第４
１図は第３９．４０図に示した磁気シールドケースＳＨ
Ｉ　２ａ、ＳＨＩ　２ｂ内に第３８図で示した中間組立
体を実装した図を示しており、第４１Ａ図はその平面図
、同Ｂ図はその４１．８−４１Ｂ断面図を表わしている
。

第４１図に示した組立体は、最終組立品としては不要な
端子１０９ａ、１０９ｂやメッキ用配線延長部分１００
ｅを残しているが、この段階で中間組立体の動作試験や
良品の選別を行うことができ、１個当りの平均組立コス
トの低減が可能となる。

なお、フィルム基板ＦＰＣ２とチップＣＨＩとの導通チ
ェックや短絡チェックは前述したフェースアップボンデ
ィング後や、導体ケースＲＦＳ２等を組立てたそれぞれ
の段階で行おれる。

上側及び下側シールドケースＲＦ　Ｓ　２　ａ及びＲＦ
Ｓ２ｂはスポット溶接法やレーザ溶接法等で接着される
。

（ピングリッド端子配線基板、第４２図）第４２図は、
第４１図で示したシールドケース組立体をピングリッド
外部接続端子に電気的に接続するための配線基板であり
、同図Ａはその上面図、同図Ｂはその４２Ｂ−４２Ｂ断
面図、同図Ｃはその下面図である。

２０１は上面に配線２０５が施されたセラミックス基板
であり、この基板は上面スルーホール接続端子２０６、
スルーホール２０７、下面スルーホール接続端子２０８
を有する。配線２０５の他端部２０５ａはフレキシブル
配線基板ＦＰＣ２のアウターリード部１００ｃが接続さ
れる部分を示している。グリッド状に配置された外部接
続ピン２０４はスルーホール２０７内に形成された導電
層を通じて上面端子２０６に電気的に接続される。

配線２０５のうちやや太めのものはＸコイル、Ｙコイル
及びバイアスコイル接続用である（Ｉｘ、　Ｉｙ、、Ｉ
ｂ各各端端子。

２０２はセラミックス板であり、この上にエポキシ樹脂
等によって下側シールドケースＳ　ＨＩ　２ｂが接着さ
れる。つまり、このセラミックス板２ｏ２は、下側シー
ルドケース５ＨＩ２ｂによって、その下に位置すること
になる配線部分２０５ｂが短絡するのを防ぐ絶縁板の役
割を果たしている。

またセラミックス板２０２は凹部２０２ｂ、２０２ｄを
有し、この部分に前述した上側シールドケースＳ　ＨＩ
　２　ａの突出部１５２ｂ、１５２ｄがはめ込まれるよ
うになっており、シールドケース組立体の接着時の位置
決めの役割も兼ねている。セラミックス基板２０１及び
セラミックス板２０２はグリーンセラミックスの状態で
重ね合ねされ。

その後焼結される。

２０３は枠状の対土用リングであり、セラミックス基板
２０１の縁に銀ろう材等によって接着され、基板２０１
から外側に飛び出している部分に、後衛するパッケージ
ングキャップＰＫＧ２が溶接されるようになっている。

フレーム２０３及びグリッドピン２０４の材質としては
セラミックスと熱膨張係数が近いＦｅ−Ｎｊ・’Ｃｏ合
金（通称ＫＯＶＡＲ）が選ばれる。

配線２０５．端子２０６，２０８．スルーホール２０７
及びフレーム２０３をろう付けする部分のセラミックス
基板２０１にはＷのメタライズ層が形成されている。

２枚のセラミックス材２０１，２０２が焼結された後に
、グリッド・ピン２０４及びフレーム２０３は銀ろう材
によってセラミックス基板２０１にろう付けされる。Ｗ
メタライズ層は銀ろうとの接着力を強める働きがある。

その状態で、ピングリッド配線基板ＴＰＴ２に対して、
すなわち露出したＷメタライズ層上及びコバール材上に
、順次Ｎｉ、Ａｕ層が電気メッキされる。Ｎｉ層はＷＭ
とＡｕ層との接着力を強めるために設けられる。ピン２
０４はコバール材から成るがＡｕメッキされているので
ユーザにおけるプリント基板等への実装に関連した半田
付は性が良くなる。配線２０５の端部２０５ａのＡｕメ
ッキ層はフィルム基板ＦＰＣ２のＡｕメッキが施された
アウターリード１００ｃとの熱圧着ボンディングを可能
とする。フレーム２０３のＡｕメッキ層は後述するパッ
ケージングキャップＰＫＧ２の気密封止に役立つ。

セラミックス基板２０１の裏面にはＷメタライズ層、す
なわちＡｕメッキ層が２０９及び２０８の輪郭線で示さ
れるようにフレーム２０３およびピン２０４との接着面
より広めに形成され、それらの接着界面に銀ろう材等に
よるすき間が生じないようにとており、セラミックス材
の使用及び後述するパンケージングキャップＰＫＧ２の
使用と併せて気密封止が達成される。

なお、配線２０５のセラミックス板２０２の下に位置す
る部分２０５ｂにはＡｕメッキ層が形成されないが、前
述したフィルム基板ＦＰＣ２よりも配線のピッチが広い
ので電気マイグレーションの問題はない。

（ピングリッド配線基板組立体、第４３図）第４３図は
第４１図に示すシールドケース組立体を第４２図のピン
グリッド配線基板ＴＥＦ２に実装した状態を示す図であ
り、同図Ａはその上面図、同図Ｂはその４３Ｂ−４３Ｂ
断面図である。

この組立体の作り方は、第４２＠に関連して説明したの
で省略する。

（パッケージングキャップ変形例２、第４４図）第４４
図は封止用キャップを示す図で、同図Ａはその平面図、
同図Ｂはその４４Ｂ−４４Ｂ断面図である。

コバール製キャップＰＫＧ２は２つの壁部分２２１．２
２２を有し、２つの壁部分２２１と２２２の間の折り曲
げは、壁２２２が第４５図からも判るように上側シール
ドケースＳ　ＨＩ　２　ａとほぼ接するようにして、放
熱性を上げるために設けられている。

底面部分２２３はコバール製フレーム２２３のセラミッ
クス基板２０１から露出した部分に抵抗溶接法等によっ
て溶接される。従って、上記フレーム２２３の露出部分
とセラミックス基板２０１の側面との段差はキャップＰ
ＫＧ２のはめ込みの位置合わせに役立つ。

（完成デバイス構造変形例１．第４５図）第４５図は第
３２図〜第４４図で説明した一連の変形例の完成構造、
すなわち第４３図の中間組立体を第４４図のキャップＰ
ＫＧ２で封止した構造を示す図であり、同図Ａはその上
面図、同図Ｂはその４５Ｂ−４５Ｂ断面図、同図Ｃはそ
の右側面図である。

（変形例２、第４６図） 上述した変形例１は、前記第１の実施例に比べて、導体
シールドケース内における基板ＦＰＣの保護機能につい
て優れている。何故ならば、変形例１の導体シールドケ
ースＲＦＳが基板ＦＰＣと接する面は平坦であり、基板
ＦＰＣにストレスが加わらないから、因みに第１の実施
例における導体シールドケースＲＦＳは、その周縁部の
磁気回路ＰＦＣを収容する部分に段差部がある。従って
基板ＦＰＣはこの段差部に沿って配設されるから常に変
形する力を受ける。

この第１の実施例の基板ＦＰＣの変形は、１対の導体シ
ールドケースＲＦＳａ、ＲＦＳｂのうち、基板ＦＰＣを
実装する側の導体シールドケースを平坦にすることによ
り、無゛くすことができる。これを変形例２として第４
６図に示す。第４６図は外側ケースＲＦＳａを平坦にし
た例であり、第１３図と同一符号は同一要素を示してい
る。

変形例２が第１３図に示した第１の実施例と異なる点は
、基板ＦＰＣを実装する側の外側ケースＲＦＳａ四方の
折り曲げ部３４を除いてほぼ全面を平坦にしたことにあ
る。このように、チップＣＨ■を搭載した基板ＦＰＣと
接する外側ケースＲＦＳａの内面側を平坦状に形成した
ことにより、基板ＦＰＣ特にリードボンディング部に発
生する歪を低減することができる。

なお上記変形例２においては、外側ケースＲＦＳａに平
坦部を設けたが、内側ケースＲＦＳｂ側に基板ＦＰＣを
実装する場合、内側ケースＲＦＳｂの内面を平坦にすれ
ばよいことは勿論である。

（変形例３，４、第４７図、第４８図）上述した変形例
１は、磁石体ＢＩＭとチップＣＨＩとの傾斜によるチッ
プＣＨＩに対するホールディング磁界Ｈｄｃは、ケース
ＲＦＳの厚みの変化によって与えられている。一方、前
記第１の実施例によるホールディング磁界Ｈｄｃは、傾
斜板ＩＮＮを平坦なケースＲＦＳと磁石ＭＡＧとの間に
挿入することによって与えられる。

チップＣＨＩにホールディング磁界Ｈｄｃを供給する場
合に、チップＣＨＩと磁石ＭＡＧとの相対的な傾斜の付
は方の例として、第４７図及び第４８図に示した変形例
３，４について説明する。第４７図及び第４８図は、前
記第１の実施例の第２Ｏ図に相当する断面図であり、第
２０図とは上・下を逆に示している。第４７図及び第４
８図に示した発明の主題は、チップＣＨＩに対するケー
スＲＦＳ及び磁石体ＢＩＭの構造にあるため、主題とは
関係の薄いバイアスコイルＢＩＣ及び基板ＦＰＣは図示
を省略している。なお、第２０図と同一構成要素には同
一符号を付している。

第４７図及び第４８図において、ＲＦＳａ、ＲＦＳｂは
第１の実施例で示した外側ケース、内側ケースであり、
この組立体の内部には前述したように基板ＦＰＣ（図示
省略）に搭載されたチップＣＨＩと、磁気回路ＰＦＣを
構成するコアＣＯＲとコイルＣ○工が実装される。また
、５ＨＩａ。

５ＨＩｂはそれぞれ外側シールドケース、内側シールド
ケースであり、前記ケースＲＦＳとこのシールドケース
との間には、傾斜板ＩＮＭ、磁石板ＭＡＧ及び整磁板Ｈ
ＯＭから成る磁石体ＢＩＭが介挿される。

ここで変形例３，４によるケースＲＦＳが第２０図に示
したものと異なる点は、第４７図においては絞り加工に
て突起状のまた第４８図においては偏肉加工にて、それ
ぞれ傾斜設定部２００ａ。

２００ｂが設けられている点である。その傾斜角は、チ
ップＣＨＩに対する磁石板ＭＡＧの角度に対応するもの
で、第２図Ｂにおける傾斜板ＩＮＭ。

ＩＮＮの角度に相当している。

なお、第４７図における絞り加工による傾斜設定部は、
磁界一様性をさまたげないために、紙面垂直方向に長く
連なる突起よりは、少数の小さな突起の方が望ましい。

また第４８図に示した変形例４と第３８Ｂ図に示した変
形例１の構造はケースＲＦＳに偏肉加工を施している点
で共通しているが、チップＣＨＩと磁石ＭＡＧのうち、
どちらを傾斜させるかに相違がある。それに伴って磁石
体ＢＩＭに傾斜抜工ＮＭが必要であるか否かの差が生じ
ている。

〔発明の効果〕

このように、本発明の実施例においては、回転磁界閉じ
込めケースＲＦＳに絞り加工又は偏肉加工を施して、チ
ップＣＨＩと磁石板ＭＡＧ間の傾斜によって生じたシー
ルドケースＳＨＩと磁石板ＭＡＧ間のエアギャップを埋
めるものであるから、第２図Ｂに示した傾斜板ＩＮＮが
不要となって部品数が削減できるだけでなく、組立性も
改善されるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による磁気バブルメモリデバイスの全体
を示す一部破断斜視図、第２図Ａは底面図、第２図Ｂは
同図Ａの２Ｂ−２Ｂ断面図、第３図は積み重ね構造を示
す分解斜視図、第４図は基板ＦＰＣを説明する図、第５
図は基板ＦＰＣに素子ＣＨＩを搭載した基板組立体ＢＮ
Ｄを示す平面図、第６図は素子ＣＨＩを示す図、第７図
は基板組立体ＢＮＤのり一ドボンディングを説明する図
、第８図は磁気回路ＰＦＣを説明する図、第９図は磁気
回路ＰＦＣの製作方法を説明する図、第１０図は内側ケ
ースＲＦＳｂを示す図、第１１図は外側ケースＲＦ　Ｓ
　ａを示す図、第１２図はケースＲＦＳの組立図、第１
３図はケースＲＦＳ内に基板組立体ＢＮＤおよび磁気回
路ＦＰＣを収納した組立体の断面図、第１４図は磁石体
ＢＩＭの構成を説明する図、第１５図はバイアスコイル
を説明する図、第１６図はケースＲＦＳ組立体に一対の
磁石体ＢＩＭおよびバイアスコイルＢＩＣを組み込んだ
組立体の断面図、第１７図は外側シールドケースＳ　Ｈ
Ｉ　ａを示す図、第１８図は内側シールドケース５ＨＩ
ｂを示す図、第１９図はシールドケースＳＨＩの組立図
、第２０図は第１６図に示す組立体をシールドケース組
立体内に組み込んだ組立体の断面図、第２１図はパッケ
ージングケースＰＫＧを示す図、第２２図は端子固定板
ＴＥＦの構成を説明する図、第２３図はコンタクトパッ
ドの構成を示す図、第２４図は素子ＣＨＩの断面図。 第２５図は素子ＣＨＩの磁気バブル検出器りの構成を示
す図、第２６図は素子ＣＨＩの磁気バブル発生器ＧＥＮ
の構成を示す図、第２７図は素子ＣＨＩのスワップゲー
トＳｗＰの構成を示す図、第２８図は素子ＣＨＩのレプ
リケートゲートＲＥＰの構成を示す図、第２９図Ａはバ
イアス磁界Ｈｂとホールディング磁界Ｈｄｃの関係を示
す図、同図Ｂはトータル回転磁界Ｈｒ’　を示す図、第
３０図は磁気バブルメモリボードの全体回路を示す図、
第３１図は回転磁界分布特性図、第３２図はフレキシブ
ル配線基板の変形例を示す図、第３３図は内側ケースＲ
ＦＳ２ｂを示す図であり、同図Ａは平面図、同図Ｂはそ
の３３Ｂ−３３Ｂ断面図、第３４図は外側ケースＲＦ　
Ｓ　２　ａを示す図であり、同図Ａは平面図、同図Ｂは
その３４Ｂ−３４Ｂ断面図、第３５図は外側及び内側ケ
ースＲＦＳ２ａ及びＲＦＳ２ｂだけを組合せた状態を示
す図であり、同図Ａは平面図、同図Ｂはその３５Ｂ−３
５Ｂ断面図、第３６図はチップＣＨＩ、フレキシブル基
板ＦＰＣ２、磁気回路ＰＦＣを外側ケースＲＦＳ２ａ内
に実装した状態（内側ケースＲＦＳ　２ｂでふたをする
前の状態）を示す図であり、同図Ａは上面図、同図Ｂは
その３６Ｂ−３６Ｂ断面図、第３７図は磁石体ＢＩＭ２
を示す図であり、同図Ａは平面図、同図Ｂはその側面図
、同図Ｃはその３７Ｇ−３７Ｇ断面図、第３８図は第３
６図で説明したケースＲＦ８２組立体に第３７図の磁石
体ＢＩＭ２及び第１５図のバイアスコイルＢ　Ｉ　Ｃ？
。 組み込んだ状態を示す図であり、同図Ａは上面図、同図
Ｂはその３８Ｂ−３８Ｂ断面図、第３９図は上側シール
ドケースＳ　ＨＩ　２　ａを示す図であり、同図Ａは上
面図、同図Ｂは右側面図、同図Ｃは下側面図、第４０図
は下側シールドケースＳＨＩ　２ｂを示しており、同図
Ａは平面図、同図Ｂは下側面図、第４１図は第３９．４
０図に示した磁気シールドケース５ＨＩ２ａ、５ＨＩ２
ｂ内に第３８図で示した中間組立体を実装した図を示し
ており、第４１Ａ図はその平面図、同Ｂ図はその４１Ｂ
−４１Ｂ断面図、第４２図は、第４１図で示したシール
ドケース組立体をピングリッド外部接続端子に電気的に
接続するための配線基板であり、同図Ａはその上面図、
同図Ｂはその４２Ｂ−４２Ｂ断面図、同図Ｃはその下面
図、第４３図は第４１図に示すシールドケース組立体を
第４２図のピングリッド配線基板ＴＥＦ２に実装した状
態を示す図であり、同図Ａはその上面図、同図Ｂはその
４３Ｂ−４３Ｂ断面図、第４４図は封止用キャップを示
す図で、同図Ａはその平面図、同図Ｂはその４４Ｂ−４
４Ｂ断面図、第４５図は第３２図〜第４４図で説明した
一連の変形例の完成構造、すなわち第４３図の中ｔＩＩ
ｊＭｉ立体を第４４図のキャップＰＫＧ２で封止した構
造を示す図であり、同図Ａはその上面図、同図Ｂはその
４５Ｂ−４５Ｂ断面図、同図Ｃはその右側面図である。 第４６図は基板組立体ＢＮＤと磁気回路ＰＦＣが組立ら
れた時のケースＲＦＳ組立体の変形例２を示す断面図、
第４７図はシールドケースＳＨＩ組立体の変形例３を示
す断面図、第４８図はシールドケースＳ　ＨＩ組立体の
変形例４を示す断面図である。 ＣＨＩ・・・磁気バブルメモリチップ（素子）、ＦＰＣ
・・・フレキシブル配線基板（基板）、ＢＮＤ・・・基
板組立体、Ｃ○工・・・駆動コイル（コイル）、ＣＯＲ
・・・額縁形コア（コア）、ＰＦＣ・・・磁気回路、Ｒ
ＦＳ・・・回転磁界閉じ込めケース（ケース）、ＲＦＳ
ａ・・・外側ケース、ＲＦＳｂ・・・内側ケース、ＳＩ
Ｒ・・・シリコーン樹脂、ＢＩＭ・・・バイアス磁界発
生用磁石体（磁石体）、ＢＩＭａ・・・上部磁石体、Ｂ
　ＩＭｂ・・・下部磁石体、ＩＮＭ・・・傾斜板、ＭＡ
Ｇ・・・永久磁石板（磁石板）、ＨＯＭ・・・整磁板、
ＩＮＮ・・・非磁性傾斜板、ＢＩＣ・・・バイアス磁界
発生用コイル（バイアスコイル）、ＳＨＩ・・・外部磁
気シールドケース（シールドケース）、５ＨＩａ・・・
外側シールドケース、５ＨＩｂ・・・内側シールドケー
ス、ＲＥＧ・・・樹脂モールド剤、ＰＫＧ・・・パッケ
ージングケース、ＴＥＦ・・・端子固定板、ＧＮＰ・−
・コンタクトパッド、ＰＧＡ・・・端子板、ＢＯＤ・・
・ボード、１・・・素子搭載部、２，２ａ、２ｂ。 ２ｃ、２ｄ・・・折り曲げ部、３，３ａ、、３ｂ。 ３ｃ、３ｄ、　　・・・外部接続端子接続部、４，４ａ
、４ｂ、・・・開口部、５，５ａ、５ｂ、５ｃ・・・穿
孔、６・・・基板突出部、７・・・ベースフィルム、８
・・・接着剤、９ａ・・・配線用リード、９ｂ・・・外
部端子、９ｃ・・・接続用端子、９ｄ・・・記号、９ｅ
・・・インデックスマーク、９ｆ・・・導体パターン、
１０・・・カバーフィルム、１１・・・錫メッキ層、１
２・・・開口、１３・・・半田メッキ層、１４・・・ポ
ンディングパッド、１５・・・金バンプ、２０ａ。 ２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ　−−−ヘリックスコイル、２
１ａ、２１ｂ・・・接続点、２２ａ・・・ｘコイル、２
２ｂ・・・Ｙコイル、２３・・・磁気コア、２４・・・
タップ、２５・・・幅の大きい溝、２６・・・幀の小さ
い溝、３０・・・絞り部、３１・・・折り曲げ部、３２
・・・切欠き部、３３・・・絞り部、３４・・・折り曲
げ部、３５・・・切欠き部、３６・・・ポリイミドフィ
ルム、３７・・・接着剤、３８・・・コイル巻線、４０
・・・巻線、５１・・・平坦部、５２・・・折り曲げ部
、５３・・・凹部、５４・・・切欠き部、５５・・・平
坦部、５６・・・折り曲げ部、５７・・・凹部、５８・
・・切欠き部、５９・・・凹部、６０，２００・・・樹
脂板、６１・・・貫通孔、６２・・・非貫通孔、６３・
・・マーク、６４・・・開口、６５・・・溝、６６・・
・角部、７０・・・素片、７１・・・ニッケルメッキ層
、７２・・・金メッ第４図Ｃ 第４図り 第５図 ｙ 第８図Ｂ 第１１図Ｂ Ｈｌ−：）Ｑ 第１２図Ａ 第１２図Ｂ 第１４図Ａ　　　第１４図Ｂ 第１４図Ｃ ＨＯＭ　　　　　　　　　　　　ＩＮＮＮＮ第１六 第１８図Ａ 第１８図Ｂ 第１９図Ａ 第１９図Ｂ 第２１図Ａ 旦空 第２１図Ｂ 二 第２２図Ａ 第２２図Ｂ 第２２図Ｃ 第２６図 第２８図 ＲＦ５２ａ 第４０図Ａ ＨＩ２ｂ 第３７図Ｂ ＢＩＭ２

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、情報を蓄積するための磁気バブルメモリチップと該
   チップに回転磁界を供給するためのコイルとを収納する
   回転磁界閉じ込めケースに突起又は厚さの変化を持たせ
   ることによって、該ケースの外側に配置されかつ上記チ
   ップにバイアス磁界を与える磁石と上記チップとが形成
   する２つの平面に傾斜角を持たせたことを特徴とする磁
   気バブルメモリ。