JPS6231121A - 被露光物体用チヤツクとそれを利用した縮小投影型露光装置 - Google Patents
被露光物体用チヤツクとそれを利用した縮小投影型露光装置Info
- Publication number
- JPS6231121A JPS6231121A JP60169877A JP16987785A JPS6231121A JP S6231121 A JPS6231121 A JP S6231121A JP 60169877 A JP60169877 A JP 60169877A JP 16987785 A JP16987785 A JP 16987785A JP S6231121 A JPS6231121 A JP S6231121A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chuck
- exposed
- focus
- exposure
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は一般に半導体焼付用露光装置に関するものであ
り、特に半導体焼付用露光装置における被露光物体の矯
正チャックに関するものである。
り、特に半導体焼付用露光装置における被露光物体の矯
正チャックに関するものである。
［従来の技術］
従来の半導体焼付用露光装置のレンズの設計では露光面
を平面とし、その平面で最良の像が得られるようにして
いたし、チャックは被露光物体を極力平面に矯正するよ
うに設計されていた。
を平面とし、その平面で最良の像が得られるようにして
いたし、チャックは被露光物体を極力平面に矯正するよ
うに設計されていた。
ところで近来、露光装置の解像力が向上するにつれてそ
の解像力の得られる焦点深度はますます浅くなってきて
い、る。そのため露光面積全体でよい解像力を得るには
、レンズの像面湾曲も小さくする必要があり、そしてこ
のことはレンズ設計において大きな制約となっている。
の解像力の得られる焦点深度はますます浅くなってきて
い、る。そのため露光面積全体でよい解像力を得るには
、レンズの像面湾曲も小さくする必要があり、そしてこ
のことはレンズ設計において大きな制約となっている。
［発明が解決しようとする問題点とその解決手段］本発
明の目的は、半導体露光装置において現在使用し得るレ
ンズの焦点深度を実質的に深くすると共に、レンズの設
計における像面湾曲についての制約を緩和できるように
することであり、そしてこの目的は本発明に従って、露
光装置の投影系により投影される像面の湾曲に一致する
曲面から成る矯正面を備える被露光物体用チャックによ
り達成される。
明の目的は、半導体露光装置において現在使用し得るレ
ンズの焦点深度を実質的に深くすると共に、レンズの設
計における像面湾曲についての制約を緩和できるように
することであり、そしてこの目的は本発明に従って、露
光装置の投影系により投影される像面の湾曲に一致する
曲面から成る矯正面を備える被露光物体用チャックによ
り達成される。
［実施例］
第１図は本発明の被露光物体用チャックの実施例の使用
状態を示す側面図である。第２図は本発明の被露光物体
用チャックを設けた縮小投影型露光装置の斜視図であり
、第１図と同様に使用状態を示している。
状態を示す側面図である。第２図は本発明の被露光物体
用チャックを設けた縮小投影型露光装置の斜視図であり
、第１図と同様に使用状態を示している。
これらの図において、１は露光装置の投影系部分、２は
被露光物体、３は被露光物体を矯正するチャックである
。４はある像高中心のフォーカス位置を表わし、５は別
の像高でのフォーカス位置を表わす。６は被露光物体の
保持部である。
被露光物体、３は被露光物体を矯正するチャックである
。４はある像高中心のフォーカス位置を表わし、５は別
の像高でのフォーカス位置を表わす。６は被露光物体の
保持部である。
第１図に示すように、チャック３によって被露光物体２
を図に示すように矯正することにより、すべての像高で
フォーカスがあうことになる。また、その結果焦点深度
も深くなる。
を図に示すように矯正することにより、すべての像高で
フォーカスがあうことになる。また、その結果焦点深度
も深くなる。
本発明の被露光用物体用チャックはどのような型式の半
導体露光装置にも適用できるが、特に半導体露光装置の
うち縮小投影型露光装置に適用する場合について説明す
る。
導体露光装置にも適用できるが、特に半導体露光装置の
うち縮小投影型露光装置に適用する場合について説明す
る。
その場合もちろんショット配列を考慮してチャックの矯
正面を加工することもできるが、第２図に示すようにチ
ャック３に対し被露光物体２を移動させる手段を講じ、
ショット毎に被露光物体２をチャック３に対して移動す
るようにするのが好都合である。
正面を加工することもできるが、第２図に示すようにチ
ャック３に対し被露光物体２を移動させる手段を講じ、
ショット毎に被露光物体２をチャック３に対して移動す
るようにするのが好都合である。
すなわち、第２図に保持部６によって被露光物体２は所
定の露光位置に順次移動させられチャック３によって平
面が矯正され露光が行なわれる。
定の露光位置に順次移動させられチャック３によって平
面が矯正され露光が行なわれる。
このようにショット毎に矯正を行なえるようにすればス
テッパ一方式への矯正チャックの適用が容易となる。
テッパ一方式への矯正チャックの適用が容易となる。
［発明の効果］
本発明の被露光物体用チャックの効果を列挙すると次の
ようになる。
ようになる。
１、像面湾曲を補正しているため、利用できる実質的な
焦点深度がふかくなる。
焦点深度がふかくなる。
２、レンズを設計する際に像面湾曲の許容度が大きくな
るので設計が容易になる。
るので設計が容易になる。
３、チャック部分と、被露光物体を移動させる部分を分
離させているためチャックを容易にステッパーに適用で
きる。 □
離させているためチャックを容易にステッパーに適用で
きる。 □
第１図は本発明の被露光物体用チャックの実施例の使用
状態を示す半導体露光装置の関連部分の側面図である。 第２図は本発明の被露光物体用チャックを設けた縮小投
影型露光装置の開運部分の斜視図である。 図中： １：露光装置の投影系部分、 ２：被露光物体、 ３：チャック、 ６：被露光物体の保持部。
状態を示す半導体露光装置の関連部分の側面図である。 第２図は本発明の被露光物体用チャックを設けた縮小投
影型露光装置の開運部分の斜視図である。 図中： １：露光装置の投影系部分、 ２：被露光物体、 ３：チャック、 ６：被露光物体の保持部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、露光装置の投影系により投影される像面の湾曲に一
致する曲面から成る矯正面を備えることを特徴とする被
露光物体用チャック。 ２、露光装置の投影系により投影される像面の湾曲に一
致する曲面から成る矯正面を有する被露光物体用チャッ
クと、 このチャックに対し被露光物体を移動させる手段 とを備えたことを特徴とする縮小投影型露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60169877A JPS6231121A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 被露光物体用チヤツクとそれを利用した縮小投影型露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60169877A JPS6231121A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 被露光物体用チヤツクとそれを利用した縮小投影型露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6231121A true JPS6231121A (ja) | 1987-02-10 |
Family
ID=15894613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60169877A Pending JPS6231121A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 被露光物体用チヤツクとそれを利用した縮小投影型露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6231121A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57204547A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-15 | Hitachi Ltd | Exposing method |
| JPS5867026A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-21 | Hitachi Ltd | ステップアンドリピート方式の露光装置 |
| JPS5917247A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-28 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
-
1985
- 1985-08-02 JP JP60169877A patent/JPS6231121A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57204547A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-15 | Hitachi Ltd | Exposing method |
| JPS5867026A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-21 | Hitachi Ltd | ステップアンドリピート方式の露光装置 |
| JPS5917247A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-28 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
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