JPS6232601A - 湿度センサ−素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はＰｂ２ＣｒＯＳ−を主成分として構成した湿
度センサー素子に間し、湿度の広い範囲に渡ってずぐれ
た検知感度を示す素子に係わる。

（イ）産業上の利用分野 Ｐｂ２．Ｃｒ０５−に希土類元素である酸化ランタンＬ
ａ。

０２．酸化サマリウムＳ　ｍ　ｚＯ３＋酸化ネオジウム
Ｎｄ２Ｏうなどを微ｆｉｔ添加することにによりそのＴ
Ｌ電気抵抗値低下させ、かつ電気抵抗値の温度変化を少
なくすることができる。このようにして電気抵抗を制御
したＰｂ２Ｃｒｔテに二酸化チタンＴｉＯ□、炭酸リチ
ウム１２ＣＯ）を適量加えて得られた磁器あるいは厚膜
はン四度の変化に対して敏感にその電気抵抗値の変化を
示し、家庭、倉庫、温室なとの空調、電子機器、精密機
械の湿度センサー素子として広く応用される。

（０）従来の技術 これまでの湿度検出用酸化物半導体センサー素子として
はＭｇＣｒ２Ｏ４づ１０？系、Ｔｉ０ｌ−ＶｉＯｒ系、
Ｚｎ０−Ｃｒ、０３系、Ｃａ１ｏ（ＰＯ４）６（ＯＨ）
ｚ系なとがあげられる。

（ハ）発明が解決しようとする問題点 これまでの湿度検出用酸化物半導体センサー素子は製造
時の焼成に１１００　’Ｃ−１３００°Ｃといった高い
温度を必要とする、母体の電気抵抗値が大きい、薄形と
する加工に手間がかかる、加熱クリーニングを必要とす
る、素子間のバラツキが大きい、経時変化が大きいなど
幾つかの問題点があった。

（ニ）問題点を解決するための手段 Ｐｂ２ＣｒＯｒを主成分とした湿度センサー素子は図１
の製造工程図に表わしたように仮焼温度８５０’Ｃ１熱
処理温度６５０’Ｃと低温処理で製造ができる。

Ｌａ、０．、Ｎｄ２．０３．Ｓｍ２Ｏ３なとの希土類元
素を数ａｔ％加えることによりｆｒＬ気抵抗抵抗値５°
Ｃにおいて１ＯＯＫＱ・ｃｍに低下でき同時に電気抵抗
値の温度変化を小さくする。またＴｉＯ□を約２０讐ｔ
％加えることて特性の安定化ができる。特に厚膜形の場
合はトリミングにより素子電気抵抗値のバラツキをなく
し製造工程が簡素化される。

（ホ）発明の効果 Ｐｂ、Ｃｒ０ｒを主成分とした湿度センサー素子は湿度
の変化に対して敏感な電気抵抗値変化と素早い応答特性
をもち従来の酸化物半導体センサー素子に比へ低い抵抗
値をもつので電子回路素子としての応用が簡単になった
。素子の電気抵抗値のバラツキがなくなり互換性のある
ものとなった。熱処理温度は８５０°Ｃ以下となり製造
工程の簡素化がなされた。また経時変化は室内に６力月
放置した場合でもほとんど生じない。

【図面の簡単な説明】

第１図は厚膜形湿度センサー素子の製造工程図、第２図
は電気抵抗値の湿度特性、第３図は電気抵抗値の湿度変
化に対する応答特性である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 五酸化クロム酸鉛（Ｐｂ＿２ＣｒＯ＿５）を主成分とし
   た湿度センサー素子。