JPS63146403A - Ｐｔｃサ−ミスタの製造方法 - Google Patents
Ｐｔｃサ−ミスタの製造方法Info
- Publication number
- JPS63146403A JPS63146403A JP61294053A JP29405386A JPS63146403A JP S63146403 A JPS63146403 A JP S63146403A JP 61294053 A JP61294053 A JP 61294053A JP 29405386 A JP29405386 A JP 29405386A JP S63146403 A JPS63146403 A JP S63146403A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- ptc thermistor
- mol
- manufacturing
- present
- Prior art date
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- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はセラミック半導体材料の一種で、温度が上昇す
ると抵抗値が増加する（正の抵抗温度係数をもつ）性質
を有したチタン酸バリウムとチタン酸ストロンチウムを
主成分とするＰＴＣサーミスタの製造方法に関するもの
である。
ると抵抗値が増加する（正の抵抗温度係数をもつ）性質
を有したチタン酸バリウムとチタン酸ストロンチウムを
主成分とするＰＴＣサーミスタの製造方法に関するもの
である。
従来の技術
ＰＴＣサーミスタには抵抗温度係数が１０％／Ｃを越え
、主に限流素子、ヒータなどに用いられるものと、抵抗
温度係数が１０％／℃以下で温度センナとして用いられ
るものとがある。後者のＰＴＣサーミスタはキュリ一温
度を常温以下の低温にずらし、抵抗値が温度に対してほ
ぼ一定に増加する領域を使用したものである。従って、
ＰＴＣサーミスタとしての温度係数が負から正に変化す
る温度（キュリ一温度近辺であり、以下Ｔｃ温度と略記
する）及びＴｃ温度より高温側で温度係数が正から負に
変化する温度Ｃ以下ピーク温度あるいはＴｐ温度と略記
する）の２点があり、センサとして用いるためにはＴｃ
温度とＴｐ温度間で使用しなければならない。
、主に限流素子、ヒータなどに用いられるものと、抵抗
温度係数が１０％／℃以下で温度センナとして用いられ
るものとがある。後者のＰＴＣサーミスタはキュリ一温
度を常温以下の低温にずらし、抵抗値が温度に対してほ
ぼ一定に増加する領域を使用したものである。従って、
ＰＴＣサーミスタとしての温度係数が負から正に変化す
る温度（キュリ一温度近辺であり、以下Ｔｃ温度と略記
する）及びＴｃ温度より高温側で温度係数が正から負に
変化する温度Ｃ以下ピーク温度あるいはＴｐ温度と略記
する）の２点があり、センサとして用いるためにはＴｃ
温度とＴｐ温度間で使用しなければならない。
発明が解決しようとする問題点
従来、このようなセンサ用のＰＴＣサーミスタは、抵抗
温度係数が２〜６に７℃でＴｃ温度はほぼ一３０℃付近
、Ｔｐ温度はは＃’！’ ２００℃であり。
温度係数が２〜６に７℃でＴｃ温度はほぼ一３０℃付近
、Ｔｐ温度はは＃’！’ ２００℃であり。
センナとして使用可能な温度範囲は−２０”Ｃから８０
℃程度であった。ここで、センサとしての使用温度範囲
を拡充するために、チタン酸ストロンチウムを増加させ
ると、Ｔｃ温度を低温側にずらせば、同時にＴｐ湿温度
低温側にずれて、使用温度範囲が広くならないという問
題があった。
℃程度であった。ここで、センサとしての使用温度範囲
を拡充するために、チタン酸ストロンチウムを増加させ
ると、Ｔｃ温度を低温側にずらせば、同時にＴｐ湿温度
低温側にずれて、使用温度範囲が広くならないという問
題があった。
本発明は上記の’ｒｅ温度とτｐ温度の間の温度領域を
広げ、センサとしての使用温度範囲を拡充するためのも
のである。
広げ、センサとしての使用温度範囲を拡充するためのも
のである。
問題点を解決するだめの手段
この問題点を解決するために本発明のＰＴＣサーミスタ
の製造方法は、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチ
ウム、二酸化ケイ素、半導体化元素を含むＰＴＣ組成物
でマンガン化合物をＭｎＯ□に換算して０．００１モル
以上０．０００５モル以下含む材料を焼成した後、毎時
３００℃以上の速度で降温するようにしたものである。
の製造方法は、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチ
ウム、二酸化ケイ素、半導体化元素を含むＰＴＣ組成物
でマンガン化合物をＭｎＯ□に換算して０．００１モル
以上０．０００５モル以下含む材料を焼成した後、毎時
３００℃以上の速度で降温するようにしたものである。
作用
本発明者は、上記のセンサとしての使用温度範囲を拡充
するための検討を、！’ＴＯサーミスタの添加物および
製造条件の種々の点から検討した結果、焼成後の冷却速
度（降温速度）を制御することにより抵抗温度係数を変
え得ることを見出し。
するための検討を、！’ＴＯサーミスタの添加物および
製造条件の種々の点から検討した結果、焼成後の冷却速
度（降温速度）を制御することにより抵抗温度係数を変
え得ることを見出し。
またマンガン添加によりＰＴＣサーミスタの抵抗変化幅
が大きくなることと合わせて本発明をなすに至ったもの
である。したがって１本発明の方法によれば、センサと
しての使用可能な温度範囲を拡張し得ることとなる。
が大きくなることと合わせて本発明をなすに至ったもの
である。したがって１本発明の方法によれば、センサと
しての使用可能な温度範囲を拡張し得ることとなる。
実施例
以下１本発明の実施例について説明する。
まず、チタン酸バリウム６０モル％、チタン酸ストロン
チウム６０モル％となるように炭酸バリウム、炭酸スト
ロンチウム、酸化チタンを秤量し。
チウム６０モル％となるように炭酸バリウム、炭酸スト
ロンチウム、酸化チタンを秤量し。
これに適量（０，０１〜０．０５％ル）の二酸化ケイ素
、イツトリアなどの半導体化元素を適量（ｏ、ｏｏ１〜
０．００３モル）加え、さらに二酸化マンガンを加えた
組成物を通常の方法でボールミル混合し、得られた原料
を通常の方法で造粒しプレス成形した。
、イツトリアなどの半導体化元素を適量（ｏ、ｏｏ１〜
０．００３モル）加え、さらに二酸化マンガンを加えた
組成物を通常の方法でボールミル混合し、得られた原料
を通常の方法で造粒しプレス成形した。
この成形体を１４００”Ｃで１時間焼成した後、種々の
冷却速度で降温した。その後この素体に通常の方法で銀
電極を形成し温度特性を測定した。マンガン添加量及び
冷却速度とキュリ一温度Ｔｃ。
冷却速度で降温した。その後この素体に通常の方法で銀
電極を形成し温度特性を測定した。マンガン添加量及び
冷却速度とキュリ一温度Ｔｃ。
ピーク温度Ｔｐの関係を表１及び図に示す。第１表中黒
１ 、７１ｉ２． ｒ亮１１Ｇ１ｏ及び図中点１は本発
明以外のものである。
１ 、７１ｉ２． ｒ亮１１Ｇ１ｏ及び図中点１は本発
明以外のものである。
ここで、マンガン化合物の量を０．０００１モル以上０
．０００５モル以下としたのは、００００１モル未満で
は添加量が少なく本発明の効果が得られず。
．０００５モル以下としたのは、００００１モル未満で
は添加量が少なく本発明の効果が得られず。
ｏ、ｏｏｏｓモルを越えるとＴｐ湿温度低くなるためセ
ンサとしての使用温度範囲がせまくなる。
ンサとしての使用温度範囲がせまくなる。
また降温速度が毎時３００ ℃未満では抵抗温度係数が
太きく Ｔｐ湿温度低くなり本発明の効果が得られない
。
太きく Ｔｐ湿温度低くなり本発明の効果が得られない
。
発明の効果
以上詳述したように、本発明によればキュリ一温度Ｔｏ
とピーク温度’ｒｐとの間の領域を広くし、センナとし
ての使用可能な温度範囲を拡張しうるものでありその利
用価値は大きい。
とピーク温度’ｒｐとの間の領域を広くし、センナとし
ての使用可能な温度範囲を拡張しうるものでありその利
用価値は大きい。
図は本発明の一実施例及び従来例の抵抗温度特性を示す
図である。
図である。
Claims (1)
- チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、二酸化
ケイ素、半導体化元素を含むＰＴＣサーミスタ組成物で
マンガン化合物をＭｎＯ＿２に換算して０．０００１モ
ル以上０．００５モル以下含む材料を焼成した後、毎時
３００℃以上の速度で降温するようにしたＰＴＣサーミ
スタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61294053A JPS63146403A (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | Ｐｔｃサ−ミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61294053A JPS63146403A (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | Ｐｔｃサ−ミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63146403A true JPS63146403A (ja) | 1988-06-18 |
Family
ID=17802669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61294053A Pending JPS63146403A (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | Ｐｔｃサ−ミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63146403A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02290303A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-11-30 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 高周波誘電体部品およびその製造方法 |
| US6582647B1 (en) * | 1998-10-01 | 2003-06-24 | Littelfuse, Inc. | Method for heat treating PTC devices |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6186467A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-05-01 | 科学技術庁無機材質研究所長 | 高性能チタン酸バリウム系ポジスタ−の製造方法 |
| JPS61294053A (ja) * | 1985-06-20 | 1986-12-24 | 株式会社 日本パ−ツセンタ− | ブロツク |
-
1986
- 1986-12-10 JP JP61294053A patent/JPS63146403A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6186467A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-05-01 | 科学技術庁無機材質研究所長 | 高性能チタン酸バリウム系ポジスタ−の製造方法 |
| JPS61294053A (ja) * | 1985-06-20 | 1986-12-24 | 株式会社 日本パ−ツセンタ− | ブロツク |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02290303A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-11-30 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 高周波誘電体部品およびその製造方法 |
| US6582647B1 (en) * | 1998-10-01 | 2003-06-24 | Littelfuse, Inc. | Method for heat treating PTC devices |
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