JPS6232631A - 集積回路パッケージ用リード片の製法 - Google Patents
集積回路パッケージ用リード片の製法Info
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- JPS6232631A JPS6232631A JP60171068A JP17106885A JPS6232631A JP S6232631 A JPS6232631 A JP S6232631A JP 60171068 A JP60171068 A JP 60171068A JP 17106885 A JP17106885 A JP 17106885A JP S6232631 A JPS6232631 A JP S6232631A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- circuit package
- glass
- thermal expansion
- silicon carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Heat Treatment Of Steel (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、炭化けい素質セラミックスよりなる絶縁基板
上に半導体素子を有し１周囲をキャップで気密に覆って
いる構造の集積回路パッケージに係り、特に基板とキャ
ップをガラス封止する構造の集積回路パッケージに関す
る。
上に半導体素子を有し１周囲をキャップで気密に覆って
いる構造の集積回路パッケージに係り、特に基板とキャ
ップをガラス封止する構造の集積回路パッケージに関す
る。
本発明は、電子計算機に使用するのに好適である。
セラミックス絶縁基板、キャップおよび封止用ガラスに
よって気密に囲われた小室内に、半導体素子と、室外か
ら導入されたリード片の端部、および半導体素子とリー
ド片とを電気的に接続したワイヤを収容してなる集積回
路パッケージが知られている。たとえば特開昭５！ｌｌ
−１３４８５２号公報には。
よって気密に囲われた小室内に、半導体素子と、室外か
ら導入されたリード片の端部、および半導体素子とリー
ド片とを電気的に接続したワイヤを収容してなる集積回
路パッケージが知られている。たとえば特開昭５！ｌｌ
−１３４８５２号公報には。
絶縁基板として従前のアルミナ焼結体に代えて炭化けい
素質セラミックスを使用した例が示されている。
素質セラミックスを使用した例が示されている。
かかる集積回路パッケージにおいては、該公報にも記載
（第２頁右下＄１１７行〜第３頁左上欄第２行）されて
いるように、基板とキャップとを封止するガラス層に亀
裂が生じやすい。
（第２頁右下＄１１７行〜第３頁左上欄第２行）されて
いるように、基板とキャップとを封止するガラス層に亀
裂が生じやすい。
ガラス層の亀裂を防止するために、該公報では炭化けい
素質セラミックス絶縁基板に近似した熱膨張係数を有す
るセラミックスによりキャップを構成することが記載さ
れている。
素質セラミックス絶縁基板に近似した熱膨張係数を有す
るセラミックスによりキャップを構成することが記載さ
れている。
本発明の目的は、ガラス層の亀裂防止に対する信頼性が
より高い集積回路パッケージを提供することにある。
より高い集積回路パッケージを提供することにある。
本発明は、炭化けい素質セラミックス絶縁基板を有する
集積回路パッケージにおいて、リード片を、ニッケルと
コバルトを含み且つマルテンサイト変態温度が一５５℃
以下の鉄合金により構成することにある。
集積回路パッケージにおいて、リード片を、ニッケルと
コバルトを含み且つマルテンサイト変態温度が一５５℃
以下の鉄合金により構成することにある。
本発明者らは、炭化けい素質セラミックス絶縁基板を有
する集積回路パッケージにおけるガラス層の亀裂の一原
因が、ガラス封止処理後の冷却過程、或はパッケージ製
作後に冷熱サイクルを与えて行う寿命試験によりガラス
層が熱応力を受けることにあることを究明した。
する集積回路パッケージにおけるガラス層の亀裂の一原
因が、ガラス封止処理後の冷却過程、或はパッケージ製
作後に冷熱サイクルを与えて行う寿命試験によりガラス
層が熱応力を受けることにあることを究明した。
そして、ガラス層に熱応力を与えないためには、リード
片の材料の熱膨張、収縮をガラスの熱膨張、収縮とほぼ
同じにすればよいとの結論に達し１本＋Ｓ 発明の到達した。
片の材料の熱膨張、収縮をガラスの熱膨張、収縮とほぼ
同じにすればよいとの結論に達し１本＋Ｓ 発明の到達した。
本発明の効果は、冷熱サイクルによる寿命試験によって
十分に実証され、ガラス層の亀裂のない信頼性の高い集
積回路パッケージを得ることができた。
十分に実証され、ガラス層の亀裂のない信頼性の高い集
積回路パッケージを得ることができた。
本発明は、特開昭５９−１３４８５２号公報に記載の発
明に対して適用するとより一層効果的である。
明に対して適用するとより一層効果的である。
（イ） リード片の構成；
本発明におけるリード片は、相転移温度具体的にはマル
テンサイト変態温度が一５５℃以下をもつ材料で構成さ
れる。集積回路パッケージの冷熱サイクル寿命試験は、
一般に一５５℃と＋１５０℃の間でくり返されるので、
−５５℃以下の相転移温度を有することが必要である。
テンサイト変態温度が一５５℃以下をもつ材料で構成さ
れる。集積回路パッケージの冷熱サイクル寿命試験は、
一般に一５５℃と＋１５０℃の間でくり返されるので、
−５５℃以下の相転移温度を有することが必要である。
このように極めて低い相転位温度を有し且つ低熱膨張の
材料として、ニッケル（Ｎｉ）とコバルト（Ｃｏ ）を
含む鉄合金がある。この鉄合金のなかで特にＮｉ量が２
９〜３１重量％、Ｇｏ量が１２．５〜１５重量％の範囲
にある合金は、ガラスの熱膨張係数に近似した熱膨張係
数を有し、リード片の材料として最適である。かかる成
分組成のＦ ｅ −Ｎ ｉ −Ｃ６ｆ合金溶製材を、１
０〜６０％の冷間加工後に１００〜６００℃間の温度で
応力除去焼鈍を行なうと、その熱膨張係数が４０ Ｘ
１０−７／℃以下となることが判明した。なお実用上は
上記組成に、炭素（Ｃ）を０．１ 重量％以下、けい素
（Ｓｉ）を０．５重量％以下、マンガン（Ｍｎ）を０．
５ 重量％以下の範囲で含有することができる。その他
の成分として溶解時に混入するリン（Ｐ）、硫黄（Ｓ）
等を不可避の不純物として、通常の溶製合金に含まれる
程度の量含んでもかまわない。
材料として、ニッケル（Ｎｉ）とコバルト（Ｃｏ ）を
含む鉄合金がある。この鉄合金のなかで特にＮｉ量が２
９〜３１重量％、Ｇｏ量が１２．５〜１５重量％の範囲
にある合金は、ガラスの熱膨張係数に近似した熱膨張係
数を有し、リード片の材料として最適である。かかる成
分組成のＦ ｅ −Ｎ ｉ −Ｃ６ｆ合金溶製材を、１
０〜６０％の冷間加工後に１００〜６００℃間の温度で
応力除去焼鈍を行なうと、その熱膨張係数が４０ Ｘ
１０−７／℃以下となることが判明した。なお実用上は
上記組成に、炭素（Ｃ）を０．１ 重量％以下、けい素
（Ｓｉ）を０．５重量％以下、マンガン（Ｍｎ）を０．
５ 重量％以下の範囲で含有することができる。その他
の成分として溶解時に混入するリン（Ｐ）、硫黄（Ｓ）
等を不可避の不純物として、通常の溶製合金に含まれる
程度の量含んでもかまわない。
Ｎｉ及びＣＯ含有量が上記組成範囲より少ないと、完全
焼鈍状態からの冷却でマルテンサイト変態が生じ熱膨張
係数が増大する。また、上記組成範囲よりＮｉ及びＣｏ
量が多いと、オーステナイトが化学的に安定化しマルテ
ンサイト変態点は下がるが、熱膨張係数が増し４０ Ｘ
１０−７／℃が得られにくくなる。冷間加工度につい
ては、１０％以下では加工によるオーステナイトの安定
化が得べ られない。また組成によっては冷間加工度１６０％をこ
えると熱膨張係数が増加し９０％以上になると加エマル
テンサイドが生成し熱膨張係数が著しく増大する。好ま
しくは１２〜５０％の冷間加工度を与えるのがよく、こ
の加工を与えることによりオーステナイトの安定化が得
られる。応力除去焼鈍は、材料の再結晶温度以下で行な
うべきで１００〜６００℃が適当である。１００℃以下
テは十分な歪除去が達成できず、ガラス封止でリードが
変形するおそれがある。６００℃以上の温度で焼鈍する
と加工によるオーステナイトの安定化効果が失なわれマ
ルテンサイト変態を生じやすくなる。
焼鈍状態からの冷却でマルテンサイト変態が生じ熱膨張
係数が増大する。また、上記組成範囲よりＮｉ及びＣｏ
量が多いと、オーステナイトが化学的に安定化しマルテ
ンサイト変態点は下がるが、熱膨張係数が増し４０ Ｘ
１０−７／℃が得られにくくなる。冷間加工度につい
ては、１０％以下では加工によるオーステナイトの安定
化が得べ られない。また組成によっては冷間加工度１６０％をこ
えると熱膨張係数が増加し９０％以上になると加エマル
テンサイドが生成し熱膨張係数が著しく増大する。好ま
しくは１２〜５０％の冷間加工度を与えるのがよく、こ
の加工を与えることによりオーステナイトの安定化が得
られる。応力除去焼鈍は、材料の再結晶温度以下で行な
うべきで１００〜６００℃が適当である。１００℃以下
テは十分な歪除去が達成できず、ガラス封止でリードが
変形するおそれがある。６００℃以上の温度で焼鈍する
と加工によるオーステナイトの安定化効果が失なわれマ
ルテンサイト変態を生じやすくなる。
次に脱酸、脱硫剤として添加する元素及び製造中に不可
避に混入する元素の許容量について説明する。Ｃは強力
な脱酸剤として材料の清浄度を向上させるために必要で
あるが、その含有量が増加すると熱膨張係数が増加する
のでＣは０．１ 重量％以下にすべきである。Ｓｉも脱
酸剤として用いられるが含有量が増加すると靭性が低下
しリード折れの原因となるので０．５重量％以下が適当
である。Ｍｎは脱硫剤として用いられるが、含有量が増
加すると熱膨張係数が増加するので０．５ 重量％以下
に限定する。ｐ、ｓは材料の靭性を劣下させるのでＰ＋
Ｓ量で０．０１ 重量％以下にするのが望ましい。
避に混入する元素の許容量について説明する。Ｃは強力
な脱酸剤として材料の清浄度を向上させるために必要で
あるが、その含有量が増加すると熱膨張係数が増加する
のでＣは０．１ 重量％以下にすべきである。Ｓｉも脱
酸剤として用いられるが含有量が増加すると靭性が低下
しリード折れの原因となるので０．５重量％以下が適当
である。Ｍｎは脱硫剤として用いられるが、含有量が増
加すると熱膨張係数が増加するので０．５ 重量％以下
に限定する。ｐ、ｓは材料の靭性を劣下させるのでＰ＋
Ｓ量で０．０１ 重量％以下にするのが望ましい。
第１表に、Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｎ ｉ −Ｇ ｏ −Ｆ
ｅ合金の熱膨張係数、電気抵抗の変化より求めた相変態
温度を示す。
ｅ合金の熱膨張係数、電気抵抗の変化より求めた相変態
温度を示す。
第１表
第２図に１本発明によるリードの材料すなわち２９．５
重量％Ｎ ｉ −１４、５重量％Ｃｏ −Ｆ ｓ合金、
比較のために示した４２重量％Ｎ ｉ −Ｆ ｅ合金お
よびガラスの熱膨張特性を示す、 Ｎｉ −Ｃｏ−Ｆｅ
合金の熱膨張はガラスよりも少ない。
重量％Ｎ ｉ −１４、５重量％Ｃｏ −Ｆ ｓ合金、
比較のために示した４２重量％Ｎ ｉ −Ｆ ｅ合金お
よびガラスの熱膨張特性を示す、 Ｎｉ −Ｃｏ−Ｆｅ
合金の熱膨張はガラスよりも少ない。
（ロ）絶縁基板の構成：
絶縁基板は、炭化けい素質セラミックスによって構成さ
れる。従前のアルミナ焼結体基板に代えて炭化けい素質
セラミックスを用いることにより、半導体素子に生じた
熱の放散性をよくすることができる。
れる。従前のアルミナ焼結体基板に代えて炭化けい素質
セラミックスを用いることにより、半導体素子に生じた
熱の放散性をよくすることができる。
炭化けい素質セラミックス基板は、セラミックス成型品
の製造手段として通常実施されている焼結法によって製
造することができる。
の製造手段として通常実施されている焼結法によって製
造することができる。
好適な絶縁基板は、ベリリウム（Ｂｅ）およびベリリウ
ム化合物から選ばれた少なくとも１種をベリリウム量に
して、０．０５〜５重量％含み、炭化けい素を主成分と
する炭化けい素質セラミックスであって、かつ、理論密
度の９０％以上の相対密度を有する焼結体である。かか
る焼結体の熱膨張係数は３５〜４０ Ｘ １０−’／”
Ｃであって、けい素の熱膨張係数値に近く、また、その
熱伝導率は０．２ｃａΩ／ ａｍ−ｓ・℃以上である。
ム化合物から選ばれた少なくとも１種をベリリウム量に
して、０．０５〜５重量％含み、炭化けい素を主成分と
する炭化けい素質セラミックスであって、かつ、理論密
度の９０％以上の相対密度を有する焼結体である。かか
る焼結体の熱膨張係数は３５〜４０ Ｘ １０−’／”
Ｃであって、けい素の熱膨張係数値に近く、また、その
熱伝導率は０．２ｃａΩ／ ａｍ−ｓ・℃以上である。
この熱伝導率味０．２ ｃａＱ／ｃｘ−ｓ・℃という値
は、炭化けい素質セラミックスが焼結によって作られる
場合に、電気絶縁性（抵抗率１０７Ω−１以上）と熱膨
張係数とに悪影響を与えることなく、良好な再現性をも
って得られる熱伝導率の下限を意味し、しかもそれは従
来のアルミナセラミック基板の熱伝導率の約４倍の値で
ある。また、熱膨張係数は半導体素子に使われるシリコ
ンのそれに近いものであリ、半導体素子が基板に接合さ
れた場合に、両者の熱膨張の差によって生ずる熱応力は
小さい。
は、炭化けい素質セラミックスが焼結によって作られる
場合に、電気絶縁性（抵抗率１０７Ω−１以上）と熱膨
張係数とに悪影響を与えることなく、良好な再現性をも
って得られる熱伝導率の下限を意味し、しかもそれは従
来のアルミナセラミック基板の熱伝導率の約４倍の値で
ある。また、熱膨張係数は半導体素子に使われるシリコ
ンのそれに近いものであリ、半導体素子が基板に接合さ
れた場合に、両者の熱膨張の差によって生ずる熱応力は
小さい。
（ハ） キャップの構成；
基板上の半導体素子、配線等を覆い封入するためのキャ
ップは、熱膨張係数が２０〜５５ Ｘｌ０−７／℃をも
つ材料で構成されることが望ましい、このような材料と
して、炭化けい素質セラミックス。
ップは、熱膨張係数が２０〜５５ Ｘｌ０−７／℃をも
つ材料で構成されることが望ましい、このような材料と
して、炭化けい素質セラミックス。
°ムライト質セラミックス、ジルコン質セラミックス、
窒化けい素質セラミックスなどが使用できる。
窒化けい素質セラミックスなどが使用できる。
前記熱膨張係数値をもつキャップ材を使用すると、従来
のアルミナセラミックス（熱膨張係数値６５Ｘ １０−
７／℃）使用に比較して、炭化けい素質絶縁基板との間
の膨張差は少なくとも１７３以上軽減され、従ってそれ
だけ基板とキャップ間に起り得る熱応力は軽減される。
のアルミナセラミックス（熱膨張係数値６５Ｘ １０−
７／℃）使用に比較して、炭化けい素質絶縁基板との間
の膨張差は少なくとも１７３以上軽減され、従ってそれ
だけ基板とキャップ間に起り得る熱応力は軽減される。
（ニ）封止用ガラスの構成；
封止用ガラス材については、理想的には基板に使われた
炭化けい素質セラミックスの熱膨張係数に近い材料が望
ましく、その値として３０〜５５Ｘ１０−７／”Ｃ特に
４０〜５５Ｘ１０−フ／℃が適当である。ガラス封止が
、絶縁基板上に半導体素子を接着したのちに行なわれる
ため、高融点のガラスは使用に適さない、最高でも５０
０℃以下の温度で封止可能なガラスを選定することが望
ましい。
炭化けい素質セラミックスの熱膨張係数に近い材料が望
ましく、その値として３０〜５５Ｘ１０−７／”Ｃ特に
４０〜５５Ｘ１０−フ／℃が適当である。ガラス封止が
、絶縁基板上に半導体素子を接着したのちに行なわれる
ため、高融点のガラスは使用に適さない、最高でも５０
０℃以下の温度で封止可能なガラスを選定することが望
ましい。
このような条件を満足させるために、βユークリブタイ
ト、チタン酸鉛、これらを含むほう酸鉛系のガラスを使
用することが望ましい。
ト、チタン酸鉛、これらを含むほう酸鉛系のガラスを使
用することが望ましい。
以上のように構成することにより、封止温度から室温ま
での冷却においても、また、−５５〜＋１５０℃の間の
冷熱サイクルを反復した際にも。
での冷却においても、また、−５５〜＋１５０℃の間の
冷熱サイクルを反復した際にも。
封止部に亀裂を生じたり、電気特性に異常を生ずること
のない安定性と、高い信頼性をもち、熱放散特性にすぐ
れた集積回路パッケージが得られる。
のない安定性と、高い信頼性をもち、熱放散特性にすぐ
れた集積回路パッケージが得られる。
次に、本発明を実施例によって説明する。
実施例１
第１図に本発明の集積回路パッケージの断面を例示する
。同図において、炭化けい素質セラミックスからなる絶
縁基板４の一方の面上の中央部に半導体素子１が金属ソ
ルダ層７によって接着され。
。同図において、炭化けい素質セラミックスからなる絶
縁基板４の一方の面上の中央部に半導体素子１が金属ソ
ルダ層７によって接着され。
同面上に封止ガラス層６によって複数個のリード片３が
接着され、リード片の一端と半導体素子１との間は、ボ
ンディングワイヤ２によって電気的に接続されている。
接着され、リード片の一端と半導体素子１との間は、ボ
ンディングワイヤ２によって電気的に接続されている。
リード片３の他端は絶縁基板４の周縁から外方に延びて
いる。半導体素子１゜ボンディングワイヤ２およびリー
ド片３の端部は絶縁基板とキャップ５によって囲まれ、
該キャップ５と絶縁基板４およびリード片３との間隙は
封止ガラス層６を介して気密に封着されている。
いる。半導体素子１゜ボンディングワイヤ２およびリー
ド片３の端部は絶縁基板とキャップ５によって囲まれ、
該キャップ５と絶縁基板４およびリード片３との間隙は
封止ガラス層６を介して気密に封着されている。
絶縁基板に用いる炭化けい素質セラミックスは、理論密
度の９０％以上の密度をもつ焼結体である。
度の９０％以上の密度をもつ焼結体である。
この焼結体は抵抗率（室温）１０ａΩ−１以上の電気絶
縁性と、熱伝導率０．２〜０．７ｃａΩ／ａ１・Ｓ・℃
以上１曲げ強さ３０ｋｇｆ／ｍａ”以上、熱膨張係数ａ
５ ｘ １０−７／℃の特性をもっている。
縁性と、熱伝導率０．２〜０．７ｃａΩ／ａ１・Ｓ・℃
以上１曲げ強さ３０ｋｇｆ／ｍａ”以上、熱膨張係数ａ
５ ｘ １０−７／℃の特性をもっている。
キャップ材には炭化けい素質セラミックスに近い熱膨張
係数をもつムライト質セラミックス（４０〜５５Ｘ１０
−）７℃）、炭化けい素質セラミックス（２５〜３５
Ｘ １０−７／”Ｃ）などが用いられる。封着用ガラス
には、熱膨張係数が絶縁基板の炭化けい素質セラミック
ス及びキャップ材料の熱膨張係数に近い４０〜５５Ｘ１
０７／℃をも必要である。封止温度が低く、且つ、熱膨
張係数が低いガラスとしては、βユークリブタイト、チ
タン酸鉛、またはその両者を含むほう酸鉛系のガラスが
あり、本発明における封止用ガラス材として使用可能で
ある。
係数をもつムライト質セラミックス（４０〜５５Ｘ１０
−）７℃）、炭化けい素質セラミックス（２５〜３５
Ｘ １０−７／”Ｃ）などが用いられる。封着用ガラス
には、熱膨張係数が絶縁基板の炭化けい素質セラミック
ス及びキャップ材料の熱膨張係数に近い４０〜５５Ｘ１
０７／℃をも必要である。封止温度が低く、且つ、熱膨
張係数が低いガラスとしては、βユークリブタイト、チ
タン酸鉛、またはその両者を含むほう酸鉛系のガラスが
あり、本発明における封止用ガラス材として使用可能で
ある。
リード片の材料は、室温〜４００℃の熱膨張係数が４０
Ｘ １０−’／℃以下の特性を有するＮｉ−Ｃｏ−Ｆ
ｅ合金で、マルテンサイト変態が一５５℃以下をもつ、
リード片はＦａ、Ｎｉ及びＧｏを所要量配合し真空溶解
後、熱間圧延してから冷間圧延と焼鈍をくり返し行ない
板厚０．１８ｍにしてから、焼鈍し再び０．１５■の厚
さまで冷間圧延を行ない仕上げた。その後約４００〜５
００℃で歪取り焼鈍を行なった板よりリードフレームを
製作し、第１図に示す集積回路パッケージを製作した。
Ｘ １０−’／℃以下の特性を有するＮｉ−Ｃｏ−Ｆ
ｅ合金で、マルテンサイト変態が一５５℃以下をもつ、
リード片はＦａ、Ｎｉ及びＧｏを所要量配合し真空溶解
後、熱間圧延してから冷間圧延と焼鈍をくり返し行ない
板厚０．１８ｍにしてから、焼鈍し再び０．１５■の厚
さまで冷間圧延を行ない仕上げた。その後約４００〜５
００℃で歪取り焼鈍を行なった板よりリードフレームを
製作し、第１図に示す集積回路パッケージを製作した。
−５５〜＋１５０℃の信頼性試験の結果、ガラス封止部
のリーク不良は全くないことが確認された。
のリーク不良は全くないことが確認された。
以上のように本発明によれば、ガラス封着処理の加熱か
ら室温迄冷却した時、及び−５５〜＋１５０℃の冷熱サ
イクルの寿命試験をかけた時に、ガラス封止部に亀裂を
生ずることのない、信頼性の高い集積回路パッケージが
得られる。
ら室温迄冷却した時、及び−５５〜＋１５０℃の冷熱サ
イクルの寿命試験をかけた時に、ガラス封止部に亀裂を
生ずることのない、信頼性の高い集積回路パッケージが
得られる。
第１図は本発明の集積回路パッケージの断面図である。
第２図はリード片材料およびガラスの熱膨張特性図であ
る。 １・・・半導体素子、２・・・ボンディングワイヤ、３
・・・リード片、４・・・絶縁基板、５・・・キャップ
、６・・・封止ガラス層、７・・・金属ソルダ層。
る。 １・・・半導体素子、２・・・ボンディングワイヤ、３
・・・リード片、４・・・絶縁基板、５・・・キャップ
、６・・・封止ガラス層、７・・・金属ソルダ層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、炭化けい素質セラミックス絶縁基板、キャップおよ
び封止用ガラスによつて気密に囲まれた室内に、前記基
板上に載置された半導体素子と、前記室外から導入され
たリード片の端部、およびそれらを電気的に接続したワ
イヤを収容してなる集積回路パッケージにおいて、前記
リード片がニッケルとコバルトを含み、且つマルテンサ
イト変態温度が−５５℃以下の鉄合金よりなることを特
徴とする集積回路パッケージ。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記鉄合金の成分
組成が、ニッケル２９〜３１重量％、コバルト１２．５
〜１５．５重量％および残部実質的に鉄よりなることを
特徴とする集積回路パッケージ。 ３、特許請求の範囲第２項において、前記鉄合金が１０
０〜６００℃の温度範囲で応力除去焼鈍されていること
を特徴とする集積回路パッケージ。 ４、特許請求の範囲第１項において、前記基板が炭化け
い素質焼結体よりなることを特徴とする集積回路パッケ
ージ。 ５、特許請求の範囲第４項において、前記焼結体の成分
組成がベリリウムとベリリウム化分物の少なくとも１つ
をベリリウム量にして０．０５〜５重量％、残部実質的
に炭化けい素よりなることを特徴とする集積回路パッケ
ージ。 ６、特許請求の範囲第１項において、前記キャップが熱
膨張係数２０〜５５×１０＾−＾７／℃を有するセラミ
ックスよりなることを特徴とする集積回路パッケージ。 ７、特許請求の範囲第６項において、前記キャップがム
ライト質セラミックス、炭化けい素質セラミックス、ジ
ルコン質セラミックス、窒化けい素質セラミックスのい
ずれか１つよりなることを特徴とする集積回路パッケー
ジ。 ８、特許請求の範囲第１項において、前記ガラスが熱膨
張係数３０〜５５×１０＾−＾７／℃を有することを特
徴とする集積回路パッケージ。 ９、特許請求の範囲第８項において、前記ガラスがβユ
ークリブタイト、チタン酸鉛系ガラス、ほウ酸鉛系ガラ
スのいずれか１つよりなることを特徴とする集積回路パ
ッケージ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60171068A JPS6232631A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 集積回路パッケージ用リード片の製法 |
| US06/890,533 US4729010A (en) | 1985-08-05 | 1986-07-30 | Integrated circuit package with low-thermal expansion lead pieces |
| EP86305894A EP0211618B1 (en) | 1985-08-05 | 1986-07-31 | Integrated circuit package |
| DE8686305894T DE3672709D1 (de) | 1985-08-05 | 1986-07-31 | Integrierte schaltungspackung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60171068A JPS6232631A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 集積回路パッケージ用リード片の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6232631A true JPS6232631A (ja) | 1987-02-12 |
| JPH0431187B2 JPH0431187B2 (ja) | 1992-05-25 |
Family
ID=15916442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60171068A Granted JPS6232631A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 集積回路パッケージ用リード片の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6232631A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03167853A (ja) * | 1989-11-27 | 1991-07-19 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
| JPH03173154A (ja) * | 1989-11-30 | 1991-07-26 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
| JPH0456343A (ja) * | 1990-06-26 | 1992-02-24 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
Citations (7)
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| JPS61235535A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-20 | Hitachi Metals Ltd | リ−ドフレ−ム用合金 |
-
1985
- 1985-08-05 JP JP60171068A patent/JPS6232631A/ja active Granted
Patent Citations (7)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0431187B2 (ja) | 1992-05-25 |
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