JPS6232681A - 電子材料セラミツク及びこれを用いた電子回路用基体 - Google Patents
電子材料セラミツク及びこれを用いた電子回路用基体Info
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- JPS6232681A JPS6232681A JP17186285A JP17186285A JPS6232681A JP S6232681 A JPS6232681 A JP S6232681A JP 17186285 A JP17186285 A JP 17186285A JP 17186285 A JP17186285 A JP 17186285A JP S6232681 A JPS6232681 A JP S6232681A
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- Japan
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- ceramic
- electronic
- dielectric
- ceramic substrate
- dielectric constant
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁器コンデンサー乃至はこの様なコンデンサー
を内蔵した磁器基板等として利用し得る電子材料セラミ
−２り、及びこれを用いて構成さる電子回路用基体に関
する。
を内蔵した磁器基板等として利用し得る電子材料セラミ
−２り、及びこれを用いて構成さる電子回路用基体に関
する。
従来、電子回路用基体は、導体回路のみ、導体回路と抵
抗、もしくは導体回路と抵抗と限られた範囲のコンデン
サーを具備して構成され、その他の機能部分は、素子と
して分離して基体に装着ゴれていた。
抗、もしくは導体回路と抵抗と限られた範囲のコンデン
サーを具備して構成され、その他の機能部分は、素子と
して分離して基体に装着ゴれていた。
即ち、例えば、従来の磁器基板においては、導体と抵抗
体の内蔵基板が中心であり、コンデンサーはチップ部品
等としてはんだ付により装着していた。この為、電子回
路の小型化には限界があった。第８図にその１例を示す
。５１は磁器基板、５２は導体回路、５３は抵抗体、５
４はチップコンデンサーである。
体の内蔵基板が中心であり、コンデンサーはチップ部品
等としてはんだ付により装着していた。この為、電子回
路の小型化には限界があった。第８図にその１例を示す
。５１は磁器基板、５２は導体回路、５３は抵抗体、５
４はチップコンデンサーである。
近年、同一の磁器基板内で誘電率を変化させる事により
、基板内に複数個のコンデンサーを内蔵させようとする
試みがなされている。つまり第９図に示すように、高誘
電率ε１の部分６１と低誘電率ε２の部分６２を分離す
る事により同一基板上に複数個のコンデンサーを形成さ
せようとする試みである。しかしながら、従来、同一基
板内に異なった誘電体部分を形成する方法が非常に難し
く、例えば積層セラミックコンデンサーを作製する場合
の煩雑さを考えれば自明である様に、複数個のコンデン
サーを内蔵する基板は、未だ実現乃至実用化されていな
いのが現状である。
、基板内に複数個のコンデンサーを内蔵させようとする
試みがなされている。つまり第９図に示すように、高誘
電率ε１の部分６１と低誘電率ε２の部分６２を分離す
る事により同一基板上に複数個のコンデンサーを形成さ
せようとする試みである。しかしながら、従来、同一基
板内に異なった誘電体部分を形成する方法が非常に難し
く、例えば積層セラミックコンデンサーを作製する場合
の煩雑さを考えれば自明である様に、複数個のコンデン
サーを内蔵する基板は、未だ実現乃至実用化されていな
いのが現状である。
本発明は、従来の問題点を解決し、複数の高誘電体部分
を画成し得る電子材料セラミックを提供すべくなされた
ものである。
を画成し得る電子材料セラミックを提供すべくなされた
ものである。
本発明は、また、この様な電子材料セラミックを用いる
ことにより、複数個のコンデンサーを内蔵し得る電子回
路用基体を提供すべくなされたものである。
ことにより、複数個のコンデンサーを内蔵し得る電子回
路用基体を提供すべくなされたものである。
本発明は、更に、誘電体をはじめとする多くの機能部分
を備えしかも小型化され安価な電子回路用基体を提供す
べくなされたものである。
を備えしかも小型化され安価な電子回路用基体を提供す
べくなされたものである。
即ち、本発明によって提供される電子材料セラミックは
、誘電体乃至はその前駆体を含む成形体に設けられた空
所に誘電率の異なる物質が充填されて形成される誘電率
の異なる部分を有していることを特徴とするものであり
、また、本発明によって提供される電子回路用基体は、
上記電子材料セラミックにより構成されていることを特
徴とするものである。
、誘電体乃至はその前駆体を含む成形体に設けられた空
所に誘電率の異なる物質が充填されて形成される誘電率
の異なる部分を有していることを特徴とするものであり
、また、本発明によって提供される電子回路用基体は、
上記電子材料セラミックにより構成されていることを特
徴とするものである。
本発明において前記成形体とは、例えば圧粉体（原料と
なる例えば金属酸化物類の圧粉状の固体）、焼成体又は
焼結体（磁器類等）などを言い、本発明の電子材料セラ
ミックを構成する誘電体乃至は誘電体を形成するための
前駆体（例えば前述の圧粉状の固体や、高誘電体を合成
するときに一次焼成により得られる半導体磁器や半導体
粒子群から成る固体等）を含むものを言う。
なる例えば金属酸化物類の圧粉状の固体）、焼成体又は
焼結体（磁器類等）などを言い、本発明の電子材料セラ
ミックを構成する誘電体乃至は誘電体を形成するための
前駆体（例えば前述の圧粉状の固体や、高誘電体を合成
するときに一次焼成により得られる半導体磁器や半導体
粒子群から成る固体等）を含むものを言う。
本発明の電子材料セラミックの特徴は、前記成形体に設
けられた空所に誘電率の異なる物質を充填し、必要に応
じて焼成等の工程を経て誘電率の異なる部分を形成せし
めたことにある。従って、成形体に単一もしくは複数の
空所を設け、例えば低誘電率の物質を充填することによ
り、空所の周囲で高誘電率化されるべき部分を２つ以上
に分離して、互いに離隔した２つ以上の高誘電体部分を
画成せしめることができる。
けられた空所に誘電率の異なる物質を充填し、必要に応
じて焼成等の工程を経て誘電率の異なる部分を形成せし
めたことにある。従って、成形体に単一もしくは複数の
空所を設け、例えば低誘電率の物質を充填することによ
り、空所の周囲で高誘電率化されるべき部分を２つ以上
に分離して、互いに離隔した２つ以上の高誘電体部分を
画成せしめることができる。
１つの例として、粒界絶縁型の高誘電体で構成される磁
器基板は、通常例えばＢ ａＴ ｉ ０３にＤｙ２０３
、Ｓ ｉ０２等の成分を添加し混合した圧粉状の成形
体を、−次焼成して半導体化し、次いで焼成体表面に金
属又は金属酸化物（例えばＣｕ 、ＣｕＯ、ＭｎＯ２、
Ｔ１２０３等）を塗布し、二次焼成して粒界絶縁層を形
成せしめることにより得られる。この例において本発明
を実施する場合、まず前記圧粉状の成形体、−次焼成後
の焼成体、金属又は金属酸化物を表面に塗布した焼成体
、又は二次焼成後の焼成体の所望の部位に所望の形状の
空所（例えば表層部分に穿たれた凹所等）を設ける。空
所の数は画成すべき誘電体の数によって適宜決められる
。空所を設ける方法としては、例えば圧粉体のプレス成
形、レーザー加工、機械加工（例えばダイヤモンド切削
）、超音波加工等による方法が挙げられる。
器基板は、通常例えばＢ ａＴ ｉ ０３にＤｙ２０３
、Ｓ ｉ０２等の成分を添加し混合した圧粉状の成形
体を、−次焼成して半導体化し、次いで焼成体表面に金
属又は金属酸化物（例えばＣｕ 、ＣｕＯ、ＭｎＯ２、
Ｔ１２０３等）を塗布し、二次焼成して粒界絶縁層を形
成せしめることにより得られる。この例において本発明
を実施する場合、まず前記圧粉状の成形体、−次焼成後
の焼成体、金属又は金属酸化物を表面に塗布した焼成体
、又は二次焼成後の焼成体の所望の部位に所望の形状の
空所（例えば表層部分に穿たれた凹所等）を設ける。空
所の数は画成すべき誘電体の数によって適宜決められる
。空所を設ける方法としては、例えば圧粉体のプレス成
形、レーザー加工、機械加工（例えばダイヤモンド切削
）、超音波加工等による方法が挙げられる。
次いで、この様にして設けられる空所に、例えば低誘電
率の物質を充填し、その後の磁器基板を得るための工程
、あるいは必要に応じて行なわれる三次焼成を経て、高
誘電体部分を複数画成した磁器基板を得る。画成される
高誘電体部分の誘電率は互いに同じであっても異なって
いてもよい。
率の物質を充填し、その後の磁器基板を得るための工程
、あるいは必要に応じて行なわれる三次焼成を経て、高
誘電体部分を複数画成した磁器基板を得る。画成される
高誘電体部分の誘電率は互いに同じであっても異なって
いてもよい。
異ならせしむる方法としては、例えば塗布添加剤の種類
を変える方法等が挙げられる。なお、この例の磁器基板
を得るために用いられる前記低誘電率物質としては、融
点が磁器本体より低いものがなお更よく、例えばＰｂＳ
ｉＯ３、ＢＳ ｆ０３、Ｌｉ５ｉ０３．各種結晶化ガラ
ス等が好適である。
を変える方法等が挙げられる。なお、この例の磁器基板
を得るために用いられる前記低誘電率物質としては、融
点が磁器本体より低いものがなお更よく、例えばＰｂＳ
ｉＯ３、ＢＳ ｆ０３、Ｌｉ５ｉ０３．各種結晶化ガラ
ス等が好適である。
かくして得られる磁器基板には、各々の高誘電体部分の
表面上に導体部分（電極、引出し部等）を設けることに
より、複数個のコンデンサーを内蔵させることができる
。また更に、磁器基板の内部乃至は周囲に、導体部分（
例えばスルホール状の・９体）、抵抗体乃至は絶縁体部
分（例えば通常の薄膜乃至は厚膜形成法により形成され
る）を形成して、多くの機能部分を備えた基板とするこ
とができる。
表面上に導体部分（電極、引出し部等）を設けることに
より、複数個のコンデンサーを内蔵させることができる
。また更に、磁器基板の内部乃至は周囲に、導体部分（
例えばスルホール状の・９体）、抵抗体乃至は絶縁体部
分（例えば通常の薄膜乃至は厚膜形成法により形成され
る）を形成して、多くの機能部分を備えた基板とするこ
とができる。
以下、具体的実施例を示して、本発明を更に詳しく説明
するが、本発明の実施の態様はこれにより限定されない
。
するが、本発明の実施の態様はこれにより限定されない
。
実施例１
第１図に本発明の実施例である磁器基板の製造工程を示
す。本実施例においては、第２図（ａ）に示すようにプ
レス成形時に成形体１に四部２を形成する。次に通常の
磁器コンデンサーを作製するのと同様な工程でＢａＴｉ
Ｏ３−Ｄｙ２０３−５ｉ０２系の誘電体磁器を形成する
。すなわち成形体を所定の雰囲気において一次焼成を行
い、次にＣｕＯ等添加剤の塗布を行ない、酸化雰囲気中
において二次焼成を行い、誘電体磁器基板を得る。前記
誘電体磁器基板の凹部に例えばＰｂＳｉＯ３の粉末３を
第２図（ｂ）に示す様に充填した後、三次焼成を行う。
す。本実施例においては、第２図（ａ）に示すようにプ
レス成形時に成形体１に四部２を形成する。次に通常の
磁器コンデンサーを作製するのと同様な工程でＢａＴｉ
Ｏ３−Ｄｙ２０３−５ｉ０２系の誘電体磁器を形成する
。すなわち成形体を所定の雰囲気において一次焼成を行
い、次にＣｕＯ等添加剤の塗布を行ない、酸化雰囲気中
において二次焼成を行い、誘電体磁器基板を得る。前記
誘電体磁器基板の凹部に例えばＰｂＳｉＯ３の粉末３を
第２図（ｂ）に示す様に充填した後、三次焼成を行う。
更に磁器基板に所定の導体部分、抵抗体部分、及び絶縁
体部分を形成する事により、Ｃ，Ｒ内蔵基板が得られる
。
体部分を形成する事により、Ｃ，Ｒ内蔵基板が得られる
。
実施例２
第３図に本発明の実施例である磁器基板の他の製造工程
を示す、未実施例においては、成形により所望形状の成
形体２１を得（第４図（ａ））、−次焼成によって半導
体化した磁器基板２２においてレーザー照射により凹部
２３を形成する（第４図（ｂ））。次に添加剤の塗布を
行い、二次焼成して誘電体磁器基板を得る。前記磁器基
板の凹部に例えばＰ ｂ Ｓ ｉ Ｏ３の粉末２４を第
４図（ｃ）に示す様に充填する０次に三次焼成を行う。
を示す、未実施例においては、成形により所望形状の成
形体２１を得（第４図（ａ））、−次焼成によって半導
体化した磁器基板２２においてレーザー照射により凹部
２３を形成する（第４図（ｂ））。次に添加剤の塗布を
行い、二次焼成して誘電体磁器基板を得る。前記磁器基
板の凹部に例えばＰ ｂ Ｓ ｉ Ｏ３の粉末２４を第
４図（ｃ）に示す様に充填する０次に三次焼成を行う。
更に、この基板に所定の導体部分、抵抗体部分、及び絶
縁体部分を形成する事により、Ｃ，Ｒ内蔵基板が得られ
る。
縁体部分を形成する事により、Ｃ，Ｒ内蔵基板が得られ
る。
実施例３
第５図に本発明の実施例である磁器基板の他の製造工程
を示す。本実施例においては、成形により所望形状の成
形体３１を得（第６図（ａ））、−次焼成により半導体
化した磁器基板に添加剤を塗布後、二次焼成を行い誘電
体磁器基板３２を得る。この磁器基板にダイヤモンド工
具を使用した機械加工により凹部３３を形成しく第６図
（ｂ））、その凹部に例えばＰ ｂ Ｓ ｉ Ｏ３の粉
末３４を第６図（ｃ）に示す様に充填する。次に三次焼
成を行う。前記基板に所定の導体部分、抵抗体部分、及
び絶縁体部分を形成する事により、Ｃ，Ｒ内蔵基板が得
られる。
を示す。本実施例においては、成形により所望形状の成
形体３１を得（第６図（ａ））、−次焼成により半導体
化した磁器基板に添加剤を塗布後、二次焼成を行い誘電
体磁器基板３２を得る。この磁器基板にダイヤモンド工
具を使用した機械加工により凹部３３を形成しく第６図
（ｂ））、その凹部に例えばＰ ｂ Ｓ ｉ Ｏ３の粉
末３４を第６図（ｃ）に示す様に充填する。次に三次焼
成を行う。前記基板に所定の導体部分、抵抗体部分、及
び絶縁体部分を形成する事により、Ｃ，Ｒ内蔵基板が得
られる。
なお、第７図に前記実施例に示した様な工程により得ら
れる本発明の磁器基板の例を示す、第７図（ａ）及び（
ｂ）は、それぞれ磁器基板の平面図及び断面図であり、
４１が高誘電体部分、４２が低誘電体部分である。また
第７図（ｃ）は、更に導体部分４３、抵抗体部分４４、
及び絶縁体部分４５を形成した磁器基板を示している。
れる本発明の磁器基板の例を示す、第７図（ａ）及び（
ｂ）は、それぞれ磁器基板の平面図及び断面図であり、
４１が高誘電体部分、４２が低誘電体部分である。また
第７図（ｃ）は、更に導体部分４３、抵抗体部分４４、
及び絶縁体部分４５を形成した磁器基板を示している。
本発明の電子材料セラミックは、各種誘電率の異なる誘
電体を複数画成し得る。従って、これを用いて構成され
る本発明の電子回路用基体は、各種容量のコンデンサー
を複数内蔵することができ、またこの基板に導体、抵抗
体、絶縁体等の各種機能部分を形成することにより、多
くの機能部分を備え、しかも小型化され安価な電子回路
用基体となる。また、この様に基体内でのコンデンサー
、抵抗等の設計の自由度を大幅に向上させることができ
る。
電体を複数画成し得る。従って、これを用いて構成され
る本発明の電子回路用基体は、各種容量のコンデンサー
を複数内蔵することができ、またこの基板に導体、抵抗
体、絶縁体等の各種機能部分を形成することにより、多
くの機能部分を備え、しかも小型化され安価な電子回路
用基体となる。また、この様に基体内でのコンデンサー
、抵抗等の設計の自由度を大幅に向上させることができ
る。
なお、本発明においては、成形体に設けられた空所に誘
電率の異なる物質を充填するが１例えば充填材なし、す
なわち空気相のみでも低誘電率化を達成する事が可能で
あるが、基板の一部が極端に薄くなる事により、基板自
体の強度が問題となる。従って、空所に充填材を充填す
る事により強度の向上という効果をも達成し得るもので
ある。
電率の異なる物質を充填するが１例えば充填材なし、す
なわち空気相のみでも低誘電率化を達成する事が可能で
あるが、基板の一部が極端に薄くなる事により、基板自
体の強度が問題となる。従って、空所に充填材を充填す
る事により強度の向上という効果をも達成し得るもので
ある。
第１図は、本発明の１実施例である磁器基板の製造工程
を説明するための工程説明図であり、第２図の（ａ）は
このときの凹部を形成したプレス成形体の断面図、（ｂ
）は凹部に誘電率の異なる物質を充填した磁器基板の断
面図を示している。 第３図は、本発明の１実施例である磁器基板の他の製造
工程を説明するための工程説明図であり、第４図の（ａ
）はこのときの成形体、（ｂ）は凹部を形成した半導体
磁器基板、（Ｃ）は凹部に誘電率の異なる物質を充填し
た磁器基板のそれぞれの断面図を示している。 第５図は、本発明の１実施例である磁器基板の更に他の
製造工程を説明するための工程説明図であり、第６図の
（ａ）はこのときの成形体。 （ｂ）は凹部を形成した誘電体磁器基板、（Ｃ）は凹部
に誘電率の異なる物質を充填した誘電体磁器基板のそれ
ぞれの断面図を示している。 第７図の（ａ ”）は、本発明の１実施例である磁器基
板の平面図、（ｂ）は（ａ）中Ａ−Ａ断面図であり、（
Ｃ）は更にこの磁器基板に導体、抵抗体、絶縁体等の機
能部分を形成したＲ、Ｃ内蔵の磁器基板の断面図である
。 第８図は、従来の磁器基板の断面図である。 第９図は、従来試みられている方法による複数の高誘電
体部分を有する磁器基板の断面図である。 １．２１．３１・Φ・成形体。 ２．２３，３２．４１・拳・誘電体磁器。 ３．２４，３３，４２・−Φ低誘電率物質。 ２２・Φ・半導体磁器。 ４３・・・導体。 ４４・９−抵抗体。 ４５・・・絶縁体。 代理人 弁理士 山 下 積 平第１図 （Ｇ） （ｂ） 第３図 第４図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） Ｍ５図 第６図 （ｂ） （Ｃ） 第７因 （ａ） （Ｃ）
を説明するための工程説明図であり、第２図の（ａ）は
このときの凹部を形成したプレス成形体の断面図、（ｂ
）は凹部に誘電率の異なる物質を充填した磁器基板の断
面図を示している。 第３図は、本発明の１実施例である磁器基板の他の製造
工程を説明するための工程説明図であり、第４図の（ａ
）はこのときの成形体、（ｂ）は凹部を形成した半導体
磁器基板、（Ｃ）は凹部に誘電率の異なる物質を充填し
た磁器基板のそれぞれの断面図を示している。 第５図は、本発明の１実施例である磁器基板の更に他の
製造工程を説明するための工程説明図であり、第６図の
（ａ）はこのときの成形体。 （ｂ）は凹部を形成した誘電体磁器基板、（Ｃ）は凹部
に誘電率の異なる物質を充填した誘電体磁器基板のそれ
ぞれの断面図を示している。 第７図の（ａ ”）は、本発明の１実施例である磁器基
板の平面図、（ｂ）は（ａ）中Ａ−Ａ断面図であり、（
Ｃ）は更にこの磁器基板に導体、抵抗体、絶縁体等の機
能部分を形成したＲ、Ｃ内蔵の磁器基板の断面図である
。 第８図は、従来の磁器基板の断面図である。 第９図は、従来試みられている方法による複数の高誘電
体部分を有する磁器基板の断面図である。 １．２１．３１・Φ・成形体。 ２．２３，３２．４１・拳・誘電体磁器。 ３．２４，３３，４２・−Φ低誘電率物質。 ２２・Φ・半導体磁器。 ４３・・・導体。 ４４・９−抵抗体。 ４５・・・絶縁体。 代理人 弁理士 山 下 積 平第１図 （Ｇ） （ｂ） 第３図 第４図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） Ｍ５図 第６図 （ｂ） （Ｃ） 第７因 （ａ） （Ｃ）
Claims (5)
- （１）誘電体乃至はその前駆体を含む成形体に設けられ
た空所に誘電率の異なる物質が充 填されて形成される誘電率の異なる部分を 有していることを特徴とする電子材料セラ ミック。 - （２）空所に低誘電率の物質が充填されて低誘電率化さ
れている特許請求の範囲第（１） 項記載の電子材料セラミック。 - （３）誘電体乃至はその前駆体を含む成形体に設けられ
た空所に誘電率の異なる物質が充 填されて形成される誘電率の異なる部分を 有している電子材料セラミックにより構成 されていることを特徴とする電子回路用基 体。 - （４）空所に低誘電率物質が充填されて低誘電率化され
た部分を挟んで、互いに離隔した ２つ以上の高誘電体部分を有している特許 請求の範囲第（３）項記載の電子回路用基 体。 - （５）セラミック内部乃至は周囲に、更に、導体、抵抗
体及び絶縁体等のうち少なくとも １種類の機能部分を有している特許請求の 範囲第（３）項又は第（４）項記載の電子 回路用基体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60171862A JPH0738489B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 電子材料セラミツク及びこれを用いた電子回路用基体 |
| US06/892,320 US4759965A (en) | 1985-08-06 | 1986-08-04 | Ceramic, preparation thereof and electronic circuit substrate by use thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60171862A JPH0738489B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 電子材料セラミツク及びこれを用いた電子回路用基体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6232681A true JPS6232681A (ja) | 1987-02-12 |
| JPH0738489B2 JPH0738489B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=15931162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60171862A Expired - Fee Related JPH0738489B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 電子材料セラミツク及びこれを用いた電子回路用基体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738489B2 (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5017946U (ja) * | 1973-06-12 | 1975-02-27 | ||
| JPS52127786A (en) * | 1976-04-20 | 1977-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and its preparation |
| JPS5519075A (en) * | 1978-07-31 | 1980-02-09 | Touyoko Shokuhin Kogyo Kk | Preparation of coating chocolate for ice cream comprising fruit juice and natural pigment |
| JPS57177589A (en) * | 1981-04-27 | 1982-11-01 | Hitachi Electronics | Composite board |
| JPS5858702A (ja) * | 1981-10-05 | 1983-04-07 | 松下電器産業株式会社 | セラミックバリスタ等の電極構造 |
| JPS5867089A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-21 | 株式会社日立製作所 | 高周波回路板 |
-
1985
- 1985-08-06 JP JP60171862A patent/JPH0738489B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5017946U (ja) * | 1973-06-12 | 1975-02-27 | ||
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| JPS5867089A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-21 | 株式会社日立製作所 | 高周波回路板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0738489B2 (ja) | 1995-04-26 |
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