JPS6233280Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は分子線蒸着装置、特にソース源を収納
し、かつ斯るソース源を加熱するためのクヌーセ
ン型セルの構造に関する。

第１図は従来のこの種装置を示し、１は一端面
１ａの略中央に開孔２が穿設された有底円筒形の
ソース源室であり、該ソース源室１はBN（ボロ
ンナイトライド）、カーボンもしくは石英等耐熱
材料からなる。３は該ソース源室１の側壁１ｂに
らせん状に巻回された第１ヒータ、４は上記ソー
ス源室１の他端面１ｃに位置する熱電対、５は上
記開孔２を除くソース源室１、第１ヒータ３及び
熱電対４を覆う熱シールド体であり、該シールド
体はタンタルからなる。

上記装置では第１ヒータ３でソース源室１内に
収納されたソース源６を加熱蒸発させて上記開孔
２より分子線として噴出させる。またこのときソ
ース源室１の温度は熱電対４からの信号により上
記第１ヒータ３に流れる電流を制御することによ
り制御される。

ところが、実際には例え熱シールド体５がソー
ス源室１全体を覆つていても斯るソース源室１の
温度は均一にはならず、開孔２が穿設された一端
面１ａ側の温度がやや低くなる傾向があつた。

そこで、一端面１ａ側のヒータ線の巻数をやや
多くして温度低下を小さくする方策などが採用さ
れているが、第１ヒータ３より最長距離に位置す
る開孔２周辺は温度低下が免がれず、甚しい場合
一旦ソース源室１内で蒸発したソースが開孔２周
辺に付着し、デンドライド状に成長していき開孔
２が狭窄されるのみならずついには閉塞する事態
が発生する危惧があつた。

本考案は斯る点に鑑みてなされたもので以下一
実施例につき説明する。

第２図、第３図は本考案の一実施例装置を示
す。尚第１図と同一箇所には同一番号を付して説
明を省略する。

第２図、第３図において、７はソース源室１の
一端面１ａに配された第２ヒータであり、該第２
ヒータ７は上記開孔２を整合する孔を有した略ド
ーナツ形状をなすと共にスポツト溶接により第１
ヒータ３に電気的に接続固定されている。８は上
記第２ヒータ７を覆う絶縁シールド体であり、該
絶縁シールド体８は例えばパイロリテイツクポロ
ンナイトライドのような絶縁、耐熱性に秀れた材
料により構成され得る。

本実施例装置では、ソース源室１の一端面１ａ
に配された第２ヒータ７により斯る端面も充分に
加熱されるので従来のようにソースがデンドライ
ド状に成長して開孔２を閉塞する危惧はなく、効
率良く分子線を噴出することができる。

また、上記第２ヒータ７材料としては高温下で
蒸発しないことが重要であり、好適例としてはタ
ンタルが良く、本実施例では約50μｍ厚のタンタ
ル箔を用いた。

以上の説明から明らかな如く、本考案の分子線
蒸着装置では第２ヒータにより開孔周辺の温度低
下がなくなるので斯る開孔の狭窄及び閉塞現象が
防止できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のクヌーセン型セルを示す断面
図、第２図及び第３図は本考案の一実施例を示す
要部拡大断面図及び平面図である。 １……ソース源室、３……第１ヒータ、７……
第２ヒータ。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 一端面に開孔を有する有底円筒形のソース源
   室、該ソース源室の側面に巻回された第１ヒー
   タ、上記開孔周縁に配され上記第１ヒータと電
   気的に接続された第２ヒータからなることを特
   徴とする分子線蒸着装置。 (2) 上記実用新案登録請求の範囲第１項におい
   て、上記第２ヒータはタンタルからなることを
   特徴とする分子線蒸着装置。