JPS6233424A - イオン注入方法 - Google Patents
イオン注入方法Info
- Publication number
- JPS6233424A JPS6233424A JP17343485A JP17343485A JPS6233424A JP S6233424 A JPS6233424 A JP S6233424A JP 17343485 A JP17343485 A JP 17343485A JP 17343485 A JP17343485 A JP 17343485A JP S6233424 A JPS6233424 A JP S6233424A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- contrast
- pattern
- resist pattern
- mask
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- Granted
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明に、縮小投影露光法を用いた元ソングラフイーを
こより形成されるレジストノくターンをマスクとして使
用する高濃度イオン注入方法に関する。
こより形成されるレジストノくターンをマスクとして使
用する高濃度イオン注入方法に関する。
（従来の技術）
イオン注入用マスクとして最も簡便な方法として元１９
ノグラフィーによりパターンを形成したレジストが広く
用いら九ている。従来のレジストパターン形成方法に、
レジスト塗布後ζこグリベークを行なった後、例えば縮
小投影露光法によりレジスト上にマスクパターンを転写
し、これを現像することにより所要のパターンを得てい
る。
ノグラフィーによりパターンを形成したレジストが広く
用いら九ている。従来のレジストパターン形成方法に、
レジスト塗布後ζこグリベークを行なった後、例えば縮
小投影露光法によりレジスト上にマスクパターンを転写
し、これを現像することにより所要のパターンを得てい
る。
（発明が解決しようとする問題点）
この方法によると転写用レチクルマスクを透過した後の
″／ｌ、ｉＬｆ学系を通すことによりレジスト感″Ｊｔ
、ｆこ至るまでに強度のコントラストが低下し。
″／ｌ、ｉＬｆ学系を通すことによりレジスト感″Ｊｔ
、ｆこ至るまでに強度のコントラストが低下し。
その結果得られるレジストパターンもコントラスト低下
の影響を反映し、知型性の低下したテーバを有するもの
となる。第２図は縮小投影露光法により得られる゛矩型
性の低下したテーバそ有するレジストパターンの斜視図
である。かかる矩型性の低下したテーバを有するレジス
トパターンｌを質量数の大きいイオンを尚濃度にイオン
注入する際のスマクとして用いた場合、質量数の大きい
イオンの衝撃ｔこよって、レジストパターンデーパの裾
３の部分ζこおいて、レジストＩと下地基板２との混合
が起こり、変質層が形成される。この変質層はレジスト
マスクを除去する際、酸素プラズマによる炭化、あるい
は酸ボイルといったいかなる方法正こよっても除去で＠
ない。第３図ンユデーバを南するレジストパターンをマ
スクとして質量数の大きいイオンを高照度にイオン注入
した後にレジストマスクを除去した状態を示す斜視図で
ある。第３図において４にイオン注入によってレジスト
バター７のテーバの裾の部分−こ形成された変質層であ
る。この変質層はデバイスに対して悪影Ｖを与えるもの
と考えられる、 このような変質層の形成を阻止するためにぼイオン注入
マスクとして用いるレジストパターンの久巨型性を良好
（こし、テーバを宿しないものにする必−安がある。
の影響を反映し、知型性の低下したテーバを有するもの
となる。第２図は縮小投影露光法により得られる゛矩型
性の低下したテーバそ有するレジストパターンの斜視図
である。かかる矩型性の低下したテーバを有するレジス
トパターンｌを質量数の大きいイオンを尚濃度にイオン
注入する際のスマクとして用いた場合、質量数の大きい
イオンの衝撃ｔこよって、レジストパターンデーパの裾
３の部分ζこおいて、レジストＩと下地基板２との混合
が起こり、変質層が形成される。この変質層はレジスト
マスクを除去する際、酸素プラズマによる炭化、あるい
は酸ボイルといったいかなる方法正こよっても除去で＠
ない。第３図ンユデーバを南するレジストパターンをマ
スクとして質量数の大きいイオンを高照度にイオン注入
した後にレジストマスクを除去した状態を示す斜視図で
ある。第３図において４にイオン注入によってレジスト
バター７のテーバの裾の部分−こ形成された変質層であ
る。この変質層はデバイスに対して悪影Ｖを与えるもの
と考えられる、 このような変質層の形成を阻止するためにぼイオン注入
マスクとして用いるレジストパターンの久巨型性を良好
（こし、テーバを宿しないものにする必−安がある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は稲小投影露光法ｌこよってレジストパターンを
形成する際に、マスク転写時の光のコントラスト低下を
補う方法として紫外光を吸収した部分のみが光を透過す
る物質ｌこ変化するようなコントラスト・工〃ハンスト
材をレジスト膜上に塗布した後にコントランスト・エン
ハンスト層ヲ通して露光を行なうことｌこより、コント
ラストが向上した矩型性の良好なパターンを得て、この
矩型レジストパターンを質量数の大きいイオンの高濃度
イオン注入のマスクに用いて変質層が形成さｎないよう
なイオン注入を可能ならしめることに特徴を有するもの
でめる。
形成する際に、マスク転写時の光のコントラスト低下を
補う方法として紫外光を吸収した部分のみが光を透過す
る物質ｌこ変化するようなコントラスト・工〃ハンスト
材をレジスト膜上に塗布した後にコントランスト・エン
ハンスト層ヲ通して露光を行なうことｌこより、コント
ラストが向上した矩型性の良好なパターンを得て、この
矩型レジストパターンを質量数の大きいイオンの高濃度
イオン注入のマスクに用いて変質層が形成さｎないよう
なイオン注入を可能ならしめることに特徴を有するもの
でめる。
（実施例）
第１図（５）〜（ＤＩは本発明の実施例１こお灯る炉型
レジストパターンの形成工程図である。下地基板２の上
ｌこレジスト１を塗布しツリベータを行なった後（第１
図（Ａｌ）コントラスト・エンハンスト材５をレジスト
膜１上に塗布する（第１図（Ｂ））。コントラスト・エ
ンハンスト材とじては、露光波長の光を吸収する以前に
おいては光の透過度が非常に小さく光を吸収し、光化学
反応がおこった後に光の透過度が著しく増加するものを
使用する０ここでにＧＥ社製のＣＥＭ−３８８（藺品名
）を用いた。
レジストパターンの形成工程図である。下地基板２の上
ｌこレジスト１を塗布しツリベータを行なった後（第１
図（Ａｌ）コントラスト・エンハンスト材５をレジスト
膜１上に塗布する（第１図（Ｂ））。コントラスト・エ
ンハンスト材とじては、露光波長の光を吸収する以前に
おいては光の透過度が非常に小さく光を吸収し、光化学
反応がおこった後に光の透過度が著しく増加するものを
使用する０ここでにＧＥ社製のＣＥＭ−３８８（藺品名
）を用いた。
コントラストを同上させるｌこはコントラスト・エンハ
ンスト材の感ｉｆこ比べてレジストの感度が十分大きい
ことが必要となる。このようなコントラスト・二ンハン
スト層を通して縮小投影露光を行ない、コントラスト−
エンハンスト材を除去した後（第１図（Ｃ））レジスト
を現像することｌこより。
ンスト材の感ｉｆこ比べてレジストの感度が十分大きい
ことが必要となる。このようなコントラスト・二ンハン
スト層を通して縮小投影露光を行ない、コントラスト−
エンハンスト材を除去した後（第１図（Ｃ））レジスト
を現像することｌこより。
コントラスト・エンハンストの良好す矩型パターンが得
ら１２る（第１図（ＤＪ ） 、視像後ボストベークを
１１ない必柴（こ応じて遠紫外線を照射し、レジストの
ハードニングを行ない、イオン注入に対する耐性を向上
させた後、この矩型レジストパターンをマスクとして質
量数の大きいイオンの高濃度イオン注入を行なう。
ら１２る（第１図（ＤＪ ） 、視像後ボストベークを
１１ない必柴（こ応じて遠紫外線を照射し、レジストの
ハードニングを行ない、イオン注入に対する耐性を向上
させた後、この矩型レジストパターンをマスクとして質
量数の大きいイオンの高濃度イオン注入を行なう。
このようす矩型レジストパターンの形成ｌこより質を数
の大きいイオンの高濃度イオン注入を行なった場合でも
、イオンは矩型パターンの上部でマスクされ下地との混
合がお°≧ることｒＸない。したかって変質層も形成さ
れず、イオン注入後のレジストマスクも完全に除去する
ことができデバイスの特性に影響を与えることもない。
の大きいイオンの高濃度イオン注入を行なった場合でも
、イオンは矩型パターンの上部でマスクされ下地との混
合がお°≧ることｒＸない。したかって変質層も形成さ
れず、イオン注入後のレジストマスクも完全に除去する
ことができデバイスの特性に影響を与えることもない。
なお、このような炉型レジストパターンの形成は従来の
縮小投影露光の工程にらントラスト・エンハンスト材塗
布工程とコントラスト・エンハンスト材除去工程を付加
するのみでよ〈、−回の露光で矩型パターンを得ること
ができ、工程が複雑な多層レジスト法に比べて非常に簡
便であり１作業能率を向上させる効果をもたらす。
縮小投影露光の工程にらントラスト・エンハンスト材塗
布工程とコントラスト・エンハンスト材除去工程を付加
するのみでよ〈、−回の露光で矩型パターンを得ること
ができ、工程が複雑な多層レジスト法に比べて非常に簡
便であり１作業能率を向上させる効果をもたらす。
第１図囚〜（ＤＩは本発明の実施例における矩型レジス
トパターンの形成工程図である。 第２図に、従来の綿小投影露光法により得られ私党のコ
ントラスト低下の影響を反映した矩型性の悪いテーバを
有するレジストパターンの断面図であり、第３図は、こ
の矩型性の悪いテーバを有するレジストパターンをマス
クとして質量数の大きいイオンを高濃度ζこイオン注入
し７１：後ｌこ、レジ、Ｘ）を除去した状態を示す断面
図である。 図において １はレジスト ２は下地基板 ３はレジストパター
ンテーバの裾の部分 ４はイオン注入ｌこよってレジ
ストパターンのテーバの裾の部分に形成された変質層
５１−ｃコントラスト・エンハンスト材を示す。 ＜ぐ ／ ′ｒ ｔｃｒｖ、、 ｘｐ：″１内ＷＣｇ：、、、、。
トパターンの形成工程図である。 第２図に、従来の綿小投影露光法により得られ私党のコ
ントラスト低下の影響を反映した矩型性の悪いテーバを
有するレジストパターンの断面図であり、第３図は、こ
の矩型性の悪いテーバを有するレジストパターンをマス
クとして質量数の大きいイオンを高濃度ζこイオン注入
し７１：後ｌこ、レジ、Ｘ）を除去した状態を示す断面
図である。 図において １はレジスト ２は下地基板 ３はレジストパター
ンテーバの裾の部分 ４はイオン注入ｌこよってレジ
ストパターンのテーバの裾の部分に形成された変質層
５１−ｃコントラスト・エンハンスト材を示す。 ＜ぐ ／ ′ｒ ｔｃｒｖ、、 ｘｐ：″１内ＷＣｇ：、、、、。
Claims (1)
- レジスト塗布後に、紫外光を吸収した部分のみが光を
透過する物質に変化するようなコントラスト・エンハン
スト材を塗布し、コントラスト・エンハンスト層を通し
て露光を行なうことにより得られる短型性のよいレジス
トパターンをマスクにしてイオン圧入を行うことを特徴
とするイオン注入方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17343485A JPH0652723B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | イオン注入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17343485A JPH0652723B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | イオン注入方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6233424A true JPS6233424A (ja) | 1987-02-13 |
| JPH0652723B2 JPH0652723B2 (ja) | 1994-07-06 |
Family
ID=15960388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17343485A Expired - Lifetime JPH0652723B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | イオン注入方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0652723B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6271792U (ja) * | 1985-10-21 | 1987-05-08 | ||
| KR100401524B1 (ko) * | 2001-10-25 | 2003-10-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 불량 어드레스 조사 방법 |
-
1985
- 1985-08-06 JP JP17343485A patent/JPH0652723B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6271792U (ja) * | 1985-10-21 | 1987-05-08 | ||
| KR100401524B1 (ko) * | 2001-10-25 | 2003-10-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 불량 어드레스 조사 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0652723B2 (ja) | 1994-07-06 |
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