JPS6233686A - 光記録材料 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光記録媒体に関し、さらζこ詳しくは集光したレー
ザ光の熱作用により薄膜にピットを形成して記録する光
記録媒体に関するものである。
きる光記録媒体に関し、さらζこ詳しくは集光したレー
ザ光の熱作用により薄膜にピットを形成して記録する光
記録媒体に関するものである。
(従来の技術)
レーザ光によって情報を媒体に記録し、かつ再生する追
記型光ティスフメモリは、配備密度が高いことから大容
量記録装置として優れた特徴を有している。このような
追記型光ディスクメモリの記録媒体とじては、低融点金
属であるTe、Biあるいにそれらを含有する合金が使
用されている(例えば、特公昭54−15483号)。
記型光ティスフメモリは、配備密度が高いことから大容
量記録装置として優れた特徴を有している。このような
追記型光ディスクメモリの記録媒体とじては、低融点金
属であるTe、Biあるいにそれらを含有する合金が使
用されている(例えば、特公昭54−15483号)。
(発明が解決しようとする問題点)
しかし、低融点金属(とくlこ高感度であるSn)は、
記録再生信号の品質が悪く実用番こ供することはできな
かった。
記録再生信号の品質が悪く実用番こ供することはできな
かった。
本発明の目的は、記録感度が高く、かつ信号品質の良好
な光記録媒体に用いる光記録材料を提供することにある
。
な光記録媒体に用いる光記録材料を提供することにある
。
(問題点を解決するための手段)
本発明の光記録材料は光記録媒体の記録層に用いる光記
録材料であってスズを体積率で30%以上含有し、加え
て、ニッケル酸化物を体積率で20−以上含有して構成
されることを特徴とする特(作用) 本発明による記録@は体積率で30チ以上のスズに加え
て体積率で20チ以上のニッケル酸化物を不可欠な構成
要素として含んでいる。スズに低融点の半金属のため高
い記録感度を有している。
録材料であってスズを体積率で30%以上含有し、加え
て、ニッケル酸化物を体積率で20−以上含有して構成
されることを特徴とする特(作用) 本発明による記録@は体積率で30チ以上のスズに加え
て体積率で20チ以上のニッケル酸化物を不可欠な構成
要素として含んでいる。スズに低融点の半金属のため高
い記録感度を有している。
しかし、材料の結晶性に起因して表面性が悲いので、未
記録ノイズが大きく問題であり実用に供することにでき
ない。本発明者らは体積率で20%以上のニッケル酸化
物をスズに含有させること番こより記録層の表面性が著
しく改善されることを見出し1本発明に致ったものであ
る。
記録ノイズが大きく問題であり実用に供することにでき
ない。本発明者らは体積率で20%以上のニッケル酸化
物をスズに含有させること番こより記録層の表面性が著
しく改善されることを見出し1本発明に致ったものであ
る。
記録層の膜厚は100〜10(IOA程度が記録感度。
信号品質の点で望ましく、とくに150〜5000Aが
望ましい。
望ましい。
記録層はスズとニッケル酸化物のみの混合物でも充分に
優れた光記録媒体特性を有するが、更に耐候性を向上さ
せたり1反射率を所定の値に調整する1こめには第3物
質等を含有させてもよい。第3物質とじてに、炭素、ア
ルミニウム、チタン、りC1ム、 鉄、 ニアハルト、
ニッケル、m、亜鉛、ゲルマニウム、ジルコニウム、ニ
オブ、モlJブfン、ロジウム、パラジウム、銀、タン
タル、タングステン、白金、金のうち1以上が望ましい
。これらは体積率で約lO〜15チ以下で効果を示すも
のが多いが、物理によってはこれらより多く含ませるこ
ともある。
優れた光記録媒体特性を有するが、更に耐候性を向上さ
せたり1反射率を所定の値に調整する1こめには第3物
質等を含有させてもよい。第3物質とじてに、炭素、ア
ルミニウム、チタン、りC1ム、 鉄、 ニアハルト、
ニッケル、m、亜鉛、ゲルマニウム、ジルコニウム、ニ
オブ、モlJブfン、ロジウム、パラジウム、銀、タン
タル、タングステン、白金、金のうち1以上が望ましい
。これらは体積率で約lO〜15チ以下で効果を示すも
のが多いが、物理によってはこれらより多く含ませるこ
ともある。
図に光記録媒体の一例を示す断面図である。lは基板、
2は記録層を表わす。
2は記録層を表わす。
基板としては洩々のものを使用できるが、一致tこは合
成樹脂Jガラス、磁器が望ましい。合成樹脂としては、
ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、ポリカー
ボネート、ボワエーテルイミド、ポリサルホン、エポキ
シ樹脂、塩化ビニル樹脂等がある。基板lこはその上に
断熱層やスムージング層を設けてもよい。基板の形状に
円板状、シート状、テープ状とすることができる。
成樹脂Jガラス、磁器が望ましい。合成樹脂としては、
ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、ポリカー
ボネート、ボワエーテルイミド、ポリサルホン、エポキ
シ樹脂、塩化ビニル樹脂等がある。基板lこはその上に
断熱層やスムージング層を設けてもよい。基板の形状に
円板状、シート状、テープ状とすることができる。
記録層への情報の記録は、記録層にビットを形成するこ
とによりなされる。円板状の基板を用いるディスク媒体
では、ビットニ同心円状又にスパイラル状の多数のトラ
ック形成するように記録される。多数のトラックを一定
間隔で精度よく記録するには1通常基板上に光の案内溝
が設けられる。
とによりなされる。円板状の基板を用いるディスク媒体
では、ビットニ同心円状又にスパイラル状の多数のトラ
ック形成するように記録される。多数のトラックを一定
間隔で精度よく記録するには1通常基板上に光の案内溝
が設けられる。
ビーム径程度の溝lこ光が入射すると光が回折される。
ビーム中Ivが溝からずれるにつれて回折光強度の空間
分布が異なり、これを検出してビームを溝の中心lこ入
射させるよう番こサーボ系を構成できる。通常溝の幅に
0.3〜1.2μm、その深さは使用する記録再生レー
ザ波長のl/12〜1/4の範囲ζこ設定される。
分布が異なり、これを検出してビームを溝の中心lこ入
射させるよう番こサーボ系を構成できる。通常溝の幅に
0.3〜1.2μm、その深さは使用する記録再生レー
ザ波長のl/12〜1/4の範囲ζこ設定される。
(実施例1)
以下1本発明の実施例について説明する。
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mm の案
内溝付きアクリル樹脂ディスク基板を真空蒸着装置内に
入れ、 2XIOTorr以下に排気した。蒸発源と
しては、抵抗加熱用ボートfこSnを入れ、電子ビーム
加熱用るつほにNiOを入れた。水晶扱動子式膜厚モニ
ターを用いてそれぞれの蒸着物質の蒸着速度を制御しな
から共蒸着することにより、ディスク基板上に記録層を
形成した。
内溝付きアクリル樹脂ディスク基板を真空蒸着装置内に
入れ、 2XIOTorr以下に排気した。蒸発源と
しては、抵抗加熱用ボートfこSnを入れ、電子ビーム
加熱用るつほにNiOを入れた。水晶扱動子式膜厚モニ
ターを用いてそれぞれの蒸着物質の蒸着速度を制御しな
から共蒸着することにより、ディスク基板上に記録層を
形成した。
第1表に、 3so4の記録層のNiOの体積含有率を
変化させた場合に、基板入射反射率(波長8300A)
、未記録ノイズレベル、信号対雑音比(C/N )がど
のようζこ変化するかを示す。ここで。
変化させた場合に、基板入射反射率(波長8300A)
、未記録ノイズレベル、信号対雑音比(C/N )がど
のようζこ変化するかを示す。ここで。
記録再生に用いた半導体レーザの波長は8300Xであ
り、信号周波数は1.2MHz、ハンド@は30KHz
、媒体の線速度は5m/sec である。反射率はNi
Oの含有率が増大するfこしたがって低下する傾向とな
り、スズの含有率が30%未満では反射率が1014こ
達しないのでフォーカスサーボに悪影響を与え実用上問
題となる。未記録ノイズレベルi、NiOを添加するこ
とにより急激に低下し、20%以上のNiOの含有で実
用の域に達する。
り、信号周波数は1.2MHz、ハンド@は30KHz
、媒体の線速度は5m/sec である。反射率はNi
Oの含有率が増大するfこしたがって低下する傾向とな
り、スズの含有率が30%未満では反射率が1014こ
達しないのでフォーカスサーボに悪影響を与え実用上問
題となる。未記録ノイズレベルi、NiOを添加するこ
とにより急激に低下し、20%以上のNiOの含有で実
用の域に達する。
したがって、NiOの体積含有率が20チ以上でかつS
nの体積含有率が30%以上が実用可能な組成範囲であ
る。
nの体積含有率が30%以上が実用可能な組成範囲であ
る。
膜厚が35OA 以外の場合の実施例を第2表に示す。
この場合においても上記組成範囲が良好であることがわ
かる。
かる。
第2表
\\、+
(実施例2)
抵抗加熱用ボートにSnを入れ、を子ビーム加熱用るつ
ぼにNiOを入れもう一つの電子ビーム加熱用るつぼに
Cnを入れ、体積率で60%、35チ、5%で共蒸着し
てアクリルディスク基板上に記録層を形成した、実施例
1と同様lこして記録再生したところC/N 約50d
Bと良好な記録ができた。
ぼにNiOを入れもう一つの電子ビーム加熱用るつぼに
Cnを入れ、体積率で60%、35チ、5%で共蒸着し
てアクリルディスク基板上に記録層を形成した、実施例
1と同様lこして記録再生したところC/N 約50d
Bと良好な記録ができた。
(実施例3)
抵抗加熱用ボートにSn を入れ、電子ヒーム加熱用る
つぼlこNiOを入れ、もう一つの電子ビーム加熱用る
つほに重−lφで80対20のへ1−Cr合金を入れ、
体積率で55鴫、40%、5%テ共蒸着してアクリルデ
ィスク基板上lこ記録層を形成した。実施例1と同様l
こして記録再生したところC/N 約50 dBと良好
な記録ができた。
つぼlこNiOを入れ、もう一つの電子ビーム加熱用る
つほに重−lφで80対20のへ1−Cr合金を入れ、
体積率で55鴫、40%、5%テ共蒸着してアクリルデ
ィスク基板上lこ記録層を形成した。実施例1と同様l
こして記録再生したところC/N 約50 dBと良好
な記録ができた。
(実施例4)
抵抗加熱用ボートにSnを入れ、電子ビーム加熱用るつ
ぼにNiOを入れ、もう一つの電子ビーム加熱用るつほ
に重t%で70対25対5のFelICr−AA!合金
を入れ1体atiで55%、40%。
ぼにNiOを入れ、もう一つの電子ビーム加熱用るつほ
に重t%で70対25対5のFelICr−AA!合金
を入れ1体atiで55%、40%。
5%で共蒸着してポリカーボネート基板上fこ記録層を
形成した。実施例1と同様番こして記録再生したところ
、C/N 約4fld B と良好な記録ができた。
形成した。実施例1と同様番こして記録再生したところ
、C/N 約4fld B と良好な記録ができた。
(発明の効果)
上記実施例から明らかなように1本発明により記録感度
が烏くかつ毎号品質の良好な光記録材料が得られる。
が烏くかつ毎号品質の良好な光記録材料が得られる。
図に元記鋒媒体の断面図である。
図1こおいて、1は基板、2t/′i記録層を示す。
−二゛
、゛そIダ一
代野人弁理士 内wC層Jハj]′:
\\〜−
手続補正書(自発)
61.10.28
昭和 年 月 日
Claims (1)
- 光記録媒体の記録層に用いる光記録材料であって、ス
ズを体積率で30%以上含有し、加えてニッケル酸化物
を体積率で20%以上含有してなることを特徴とする光
記録材料。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60175137A JPS6233686A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 光記録材料 |
| US06/893,040 US4763139A (en) | 1985-08-08 | 1986-08-01 | Optical information storage medium |
| DE8686110786T DE3679249D1 (de) | 1985-08-08 | 1986-08-04 | Optisches informationsspeicherungsmedium. |
| EP86110786A EP0211435B1 (en) | 1985-08-08 | 1986-08-04 | Optical information storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60175137A JPS6233686A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 光記録材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6233686A true JPS6233686A (ja) | 1987-02-13 |
| JPH0523197B2 JPH0523197B2 (ja) | 1993-03-31 |
Family
ID=15990934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60175137A Granted JPS6233686A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 光記録材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6233686A (ja) |
-
1985
- 1985-08-08 JP JP60175137A patent/JPS6233686A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0523197B2 (ja) | 1993-03-31 |
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