JPH0481954B2 - - Google Patents
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- JPH0481954B2 JPH0481954B2 JP61227652A JP22765286A JPH0481954B2 JP H0481954 B2 JPH0481954 B2 JP H0481954B2 JP 61227652 A JP61227652 A JP 61227652A JP 22765286 A JP22765286 A JP 22765286A JP H0481954 B2 JPH0481954 B2 JP H0481954B2
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- Japan
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- tellurium
- selenium
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
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- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/24322—Nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体に関するものである。
ことのできる光記録媒体に関するものである。
（従来の技術）
レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、Te等のカル
コゲン元素やこれらの化合物が使用されている
（例えば特公昭47−26897）。
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、Te等のカル
コゲン元素やこれらの化合物が使用されている
（例えば特公昭47−26897）。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、これらの媒体では、耐候性と感
度と信号品質のすべてを充分に満足するものはな
かつた。
度と信号品質のすべてを充分に満足するものはな
かつた。
本発明の目的は、耐候性が充分によく、かつ高
感度で信号品質の充分に良好で安定な光記録媒体
を提供することにある。
感度で信号品質の充分に良好で安定な光記録媒体
を提供することにある。
（問題を解決するための手段）
本発明の光記録媒体は情報をレーザ光によつて
記録しかつ読み取る光記録媒体であつて、テルル
と窒素テルルとセレンとを主成分とする結晶質の
記録層を有することを特徴とする。
記録しかつ読み取る光記録媒体であつて、テルル
と窒素テルルとセレンとを主成分とする結晶質の
記録層を有することを特徴とする。
（作用）
光記録媒体は第１図のような構成になつてい
る。即ち、基板１の上に記録層２１が設けられて
いる。記録用レーザ光は基板１を通して記録層２
１に集光照射され、ピツト２２が形成される。基
板１としてはポリカーボネイト、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスが使用される。基板に
は、ピツトが同心円状あるいはスパイラル状に一
定間隔で精度よく記録されるように案内溝が設け
られている。レーザビーム径程度の幅の溝に光が
入射すると光は回折され、ビーム中心が溝からず
れるにつれて回折光強度の空間分布が変化するの
で、これを検出してレーザビームを溝の中心に入
射させるようにサーボ系が構成されている。溝の
幅は通常0.3〜1.3μｍであり、溝の深さは使用す
るレーザ波長の1/12から1/4の範囲に設定される。
集光に関しても同様にサーボ系が構成されてい
る。情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパ
ワーのレーザ光をピツト上を通過するように照射
することにより、ピツトの有無に起因する反射率
の変化を検出して行なう。記録層２１としては
種々の材料を使用できる。その中でもテルルは比
較的記録再生特性が良好である。しかしながら高
温高湿環境における酸化劣化がはげしいので実用
には供せなかつた。又、感度的にもやや不足であ
つた。感度不足を解決する１つとして、加熱時に
窒素が遊離して高感度化するようにテルル膜に窒
素を含ませることが提案されている（特開昭57−
58250）。本発明者らはこの実施例を追試して光記
録媒体を作製し記録再生特性を評価したところ、
本発明者らが目的とする小型大容量記録装置の光
源である半導体レーザ波長（およそ8300Å）では
ほとんど吸収がないため感度不足であつた。又、
窒素が遊離しやすいため、高温高湿環境における
保存性が充分ではなかつた。又、上記提案のよう
に窒素ガス中でスパツタリングして成膜するので
はなく、アルゴンと窒素との混合ガス中でスパツ
タリングして成膜するということも提案されてい
る（アプライド・フイジツクス・レターズ
（Appl.Phys.Lett、45、202、1984））。しかしなが
ら、これでもまだ充分な記録感度ではなかつた。
本発明者らは記録層をテルルと窒化テルルとセレ
ンとを主成分とする結晶質とすることにより、高
感度でかつ耐候性のよい光記録媒体となりしかも
信号品質が良好でかつ安定に得られることを見出
し、本発明に到つたものである。本記録層が高感
度でかつ耐候性がよくかつ信号品質が良好で安定
である理由は明確ではないが、セレンを入れるこ
とで系全体の融点が低下したことと層を結晶質に
したことで孔形成の初期段階である小穴の形成が
比較的低い温度で生じるようになつたために高感
度化したと思われ、テルルと窒化テルルとセレン
との相互作用が好都合に作用して耐候性が向上し
たものと思われ、テルルと窒化テルルとセレンと
の相互作用と結晶質であることが好都合に作用し
て信号品質が良好で安定に得られるものと思われ
る。
る。即ち、基板１の上に記録層２１が設けられて
いる。記録用レーザ光は基板１を通して記録層２
１に集光照射され、ピツト２２が形成される。基
板１としてはポリカーボネイト、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスが使用される。基板に
は、ピツトが同心円状あるいはスパイラル状に一
定間隔で精度よく記録されるように案内溝が設け
られている。レーザビーム径程度の幅の溝に光が
入射すると光は回折され、ビーム中心が溝からず
れるにつれて回折光強度の空間分布が変化するの
で、これを検出してレーザビームを溝の中心に入
射させるようにサーボ系が構成されている。溝の
幅は通常0.3〜1.3μｍであり、溝の深さは使用す
るレーザ波長の1/12から1/4の範囲に設定される。
集光に関しても同様にサーボ系が構成されてい
る。情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパ
ワーのレーザ光をピツト上を通過するように照射
することにより、ピツトの有無に起因する反射率
の変化を検出して行なう。記録層２１としては
種々の材料を使用できる。その中でもテルルは比
較的記録再生特性が良好である。しかしながら高
温高湿環境における酸化劣化がはげしいので実用
には供せなかつた。又、感度的にもやや不足であ
つた。感度不足を解決する１つとして、加熱時に
窒素が遊離して高感度化するようにテルル膜に窒
素を含ませることが提案されている（特開昭57−
58250）。本発明者らはこの実施例を追試して光記
録媒体を作製し記録再生特性を評価したところ、
本発明者らが目的とする小型大容量記録装置の光
源である半導体レーザ波長（およそ8300Å）では
ほとんど吸収がないため感度不足であつた。又、
窒素が遊離しやすいため、高温高湿環境における
保存性が充分ではなかつた。又、上記提案のよう
に窒素ガス中でスパツタリングして成膜するので
はなく、アルゴンと窒素との混合ガス中でスパツ
タリングして成膜するということも提案されてい
る（アプライド・フイジツクス・レターズ
（Appl.Phys.Lett、45、202、1984））。しかしなが
ら、これでもまだ充分な記録感度ではなかつた。
本発明者らは記録層をテルルと窒化テルルとセレ
ンとを主成分とする結晶質とすることにより、高
感度でかつ耐候性のよい光記録媒体となりしかも
信号品質が良好でかつ安定に得られることを見出
し、本発明に到つたものである。本記録層が高感
度でかつ耐候性がよくかつ信号品質が良好で安定
である理由は明確ではないが、セレンを入れるこ
とで系全体の融点が低下したことと層を結晶質に
したことで孔形成の初期段階である小穴の形成が
比較的低い温度で生じるようになつたために高感
度化したと思われ、テルルと窒化テルルとセレン
との相互作用が好都合に作用して耐候性が向上し
たものと思われ、テルルと窒化テルルとセレンと
の相互作用と結晶質であることが好都合に作用し
て信号品質が良好で安定に得られるものと思われ
る。
（実施例）
以下、本発明の実施例について説明する。
100℃で２時間アニール処理した内径15mm、外
径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカーボネイ
ト樹脂デイスク基板上に、テルルセレン合金ター
ゲツトをアルゴンと窒素の混合ガスでマグネトロ
ンスパツタすることにより約300Å厚の膜を形成
し、しかる後、温度85℃、相対湿度90％の環境に
12時間保存して光記録媒体を作製した。このよう
にして作製した記録膜を分析したところ、記録層
はテルルと窒化テルルとセレンとを含んでおり、
テルルと窒素とセレンとの原子数の比はおよそ90
対５対５であり、記録層は多結晶質であつた。こ
の光デイスクの波長8300Åにおける基板入射の反
射率を測定したところ、約29％であつた。波長
8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入射して
記録層上で1.6μｍ中程度に絞り、媒体線速度5.65
ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス幅
70nsec、記録パワー6.0ｍＷの条件で記録し、0.7
ｍＷで再生した。バンド幅30KHzのキヤリアーと
ノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は48dBと良好であつた。
この値は、記録再生装置を変更することにより生
ずる記録パワー変動に対しても実用上充分に安定
であつた。この光デイスクを85℃90％の高温高湿
度の環境に60時間保存した後、上記特性を調べた
が変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体である
ことが確認された。
径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカーボネイ
ト樹脂デイスク基板上に、テルルセレン合金ター
ゲツトをアルゴンと窒素の混合ガスでマグネトロ
ンスパツタすることにより約300Å厚の膜を形成
し、しかる後、温度85℃、相対湿度90％の環境に
12時間保存して光記録媒体を作製した。このよう
にして作製した記録膜を分析したところ、記録層
はテルルと窒化テルルとセレンとを含んでおり、
テルルと窒素とセレンとの原子数の比はおよそ90
対５対５であり、記録層は多結晶質であつた。こ
の光デイスクの波長8300Åにおける基板入射の反
射率を測定したところ、約29％であつた。波長
8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入射して
記録層上で1.6μｍ中程度に絞り、媒体線速度5.65
ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス幅
70nsec、記録パワー6.0ｍＷの条件で記録し、0.7
ｍＷで再生した。バンド幅30KHzのキヤリアーと
ノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は48dBと良好であつた。
この値は、記録再生装置を変更することにより生
ずる記録パワー変動に対しても実用上充分に安定
であつた。この光デイスクを85℃90％の高温高湿
度の環境に60時間保存した後、上記特性を調べた
が変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体である
ことが確認された。
テルルと窒化テルルとセレンとを主成分とする
層の厚さは100Åから1000Åの範囲が記録再生特
性の観点から望ましく、セレンの含有量は原子パ
ーセントで２パーセント以上40パーセント未満の
範囲が記録再生特性、耐候性の観点から望まし
く、窒化テルルの含有量は窒素の原子数換算で２
パーセント以上20パーセント未満が記録再生特
性、耐候性の観点から望ましい。
層の厚さは100Åから1000Åの範囲が記録再生特
性の観点から望ましく、セレンの含有量は原子パ
ーセントで２パーセント以上40パーセント未満の
範囲が記録再生特性、耐候性の観点から望まし
く、窒化テルルの含有量は窒素の原子数換算で２
パーセント以上20パーセント未満が記録再生特
性、耐候性の観点から望ましい。
テルルと窒化テルルとセレンとを主成分とする
層には、鉛、スズ、ゲルマニウム、アンチモン、
インジウム、ガリウム、亜鉛、ビスマス、アルミ
ニウム、銅、銀、マグネシウム、タンタル、金、
パラジウム、コバルトの群から選ばれた少なくと
も１種の元素を添加すると、ピツトの形状を良好
に整える場合がある。ただし、添加量は原子パー
セントで20パーセント未満が望ましい。
層には、鉛、スズ、ゲルマニウム、アンチモン、
インジウム、ガリウム、亜鉛、ビスマス、アルミ
ニウム、銅、銀、マグネシウム、タンタル、金、
パラジウム、コバルトの群から選ばれた少なくと
も１種の元素を添加すると、ピツトの形状を良好
に整える場合がある。ただし、添加量は原子パー
セントで20パーセント未満が望ましい。
テルル、セレン、鉛合金の例について以下に説
明する。
明する。
100℃で２時間アニール処理した内径15mm、外
径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカーボネイ
ト樹脂デイスク基板を、13.56MHzの高周波電源
を有するマグネトロンスパツタ装置内に装着して
排気した。２×10-6Torr以下に排気後、アルゴ
ンガスと窒素ガスを導入し１×10-2Torrとした。
このときの窒素ガス分圧は0.26％、窒素ガス流量
は0.30SCCMである。原子％で73対20対７のテル
ルセレン鉛合金の焼結体の８インチターゲツトを
この混合ガスで投入パワー120Wでデイスク基板
を回転させながらスパツタリングすることによ
り、約220Å厚の膜をデイスク基板上に形成した。
しかる後、温度85℃相対湿度90％の環境に12時間
保存して光記録媒体を作製した。このようにして
作製した記録膜を分析したところ、記録層はテル
ルと窒化テルルとセレンと鉛とを含んでおり、テ
ルルと窒素とセレンと鉛との原子数の比はおよそ
71対２対20対７であり、記録層は多結晶質であつ
た。この光デイスクの波長8300Åにおける基板入
射の反射率を測定したところ、約32％であつた。
波長8300Åの半導体レーザ光を基板に通して入射
して記録層上で1.6μｍφ程度に絞り、媒体線速度
5.65ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス幅
70nsec、記録パワー6.0ｍＷの条件で記録し、0.7
ｍＷで再生した。バンド幅30kHzのキヤリアーと
ノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は49dBと良好であつた。
この値は、記録再生装置を変更することにより生
ずる記録パワー変動に対しても実用上充分に安定
であつた。この光デイスクを85℃95％の高温高湿
度の環境に200時間保存した後、上記特性を調べ
たが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体であ
ることが確認された。この条件で鉛を含有させな
かつた記録膜においてはビツトエラーレイトに変
化はないものの膜表面には0.01〜0.1μｍ程度の突
起状のものが発生するか、鉛を含有させた記録膜
には発生しない。この効果は、原子％で５以下の
鉛含有量では得られない。
径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカーボネイ
ト樹脂デイスク基板を、13.56MHzの高周波電源
を有するマグネトロンスパツタ装置内に装着して
排気した。２×10-6Torr以下に排気後、アルゴ
ンガスと窒素ガスを導入し１×10-2Torrとした。
このときの窒素ガス分圧は0.26％、窒素ガス流量
は0.30SCCMである。原子％で73対20対７のテル
ルセレン鉛合金の焼結体の８インチターゲツトを
この混合ガスで投入パワー120Wでデイスク基板
を回転させながらスパツタリングすることによ
り、約220Å厚の膜をデイスク基板上に形成した。
しかる後、温度85℃相対湿度90％の環境に12時間
保存して光記録媒体を作製した。このようにして
作製した記録膜を分析したところ、記録層はテル
ルと窒化テルルとセレンと鉛とを含んでおり、テ
ルルと窒素とセレンと鉛との原子数の比はおよそ
71対２対20対７であり、記録層は多結晶質であつ
た。この光デイスクの波長8300Åにおける基板入
射の反射率を測定したところ、約32％であつた。
波長8300Åの半導体レーザ光を基板に通して入射
して記録層上で1.6μｍφ程度に絞り、媒体線速度
5.65ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス幅
70nsec、記録パワー6.0ｍＷの条件で記録し、0.7
ｍＷで再生した。バンド幅30kHzのキヤリアーと
ノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は49dBと良好であつた。
この値は、記録再生装置を変更することにより生
ずる記録パワー変動に対しても実用上充分に安定
であつた。この光デイスクを85℃95％の高温高湿
度の環境に200時間保存した後、上記特性を調べ
たが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体であ
ることが確認された。この条件で鉛を含有させな
かつた記録膜においてはビツトエラーレイトに変
化はないものの膜表面には0.01〜0.1μｍ程度の突
起状のものが発生するか、鉛を含有させた記録膜
には発生しない。この効果は、原子％で５以下の
鉛含有量では得られない。
テルルと窒化テルルとセレンとを主成分とする
層と基板との間には酸化物、窒化物、フツ化物、
炭化物、硫化物、ホウ化物のうちの少なくとも１
層を形成すると、記録パワー変動に対する余裕度
が大きくなり、トラツキングやフオーカスのサー
ボが安定になることがある。
層と基板との間には酸化物、窒化物、フツ化物、
炭化物、硫化物、ホウ化物のうちの少なくとも１
層を形成すると、記録パワー変動に対する余裕度
が大きくなり、トラツキングやフオーカスのサー
ボが安定になることがある。
（発明の効果）
上記実施例から明らかなように、本発明により
耐候性が充分によく、かつ高感度で信号品質の充
分に良好で安定な光記録媒体が得られる。
耐候性が充分によく、かつ高感度で信号品質の充
分に良好で安定な光記録媒体が得られる。
第１図は光記録媒体の一例を示す断面概略図で
ある。 図において、１は基板、２１は記録層、２２は
ピツトを表わす。
ある。 図において、１は基板、２１は記録層、２２は
ピツトを表わす。
Claims (1)
- １ 情報をレーザ光によつて記録しかつ読み取る
光記録媒体において、テルルと窒化テルルとセレ
ンとを主成分とする結晶質の記録層を有すること
を特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61227652A JPS6381091A (ja) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | 光記録媒体 |
| US07/043,626 US4839208A (en) | 1986-04-30 | 1987-04-28 | Optical information recording medium |
| DE8787106262T DE3781926T2 (de) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Medium fuer optische informationsaufzeichnung. |
| EP87106262A EP0243958B1 (en) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61227652A JPS6381091A (ja) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6381091A JPS6381091A (ja) | 1988-04-11 |
| JPH0481954B2 true JPH0481954B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=16864219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61227652A Granted JPS6381091A (ja) | 1986-04-30 | 1986-09-25 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6381091A (ja) |
-
1986
- 1986-09-25 JP JP61227652A patent/JPS6381091A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6381091A (ja) | 1988-04-11 |
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