JPH0481958B2 - - Google Patents
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- JPH0481958B2 JPH0481958B2 JP61141738A JP14173886A JPH0481958B2 JP H0481958 B2 JPH0481958 B2 JP H0481958B2 JP 61141738 A JP61141738 A JP 61141738A JP 14173886 A JP14173886 A JP 14173886A JP H0481958 B2 JPH0481958 B2 JP H0481958B2
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- tellurium
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- recording
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/24322—Nitrogen
-
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- G11B7/2531—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising glass
-
- G—PHYSICS
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- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体に関するものである。
ことのできる光記録媒体に関するものである。
［従来の技術］
レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、テルル（Te）
等のカルコゲン元素又はこれらの化合物が使用さ
れている（特公昭47−26897号公報）。とくにテル
ル−セレン系合金はよく使用されている（特公昭
54−41902号公報、特公昭57−7919号公報、特公
昭57−56058号公報）。
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、テルル（Te）
等のカルコゲン元素又はこれらの化合物が使用さ
れている（特公昭47−26897号公報）。とくにテル
ル−セレン系合金はよく使用されている（特公昭
54−41902号公報、特公昭57−7919号公報、特公
昭57−56058号公報）。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源
としては半導体レーザが使用されている。半導体
レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テルル
−セレン系合金はきてこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られ
る、｛フイジカ・ステイタス・ソリダイ、７、
189、1964（phys.stat.sol.７、189、1964）｝。
としては半導体レーザが使用されている。半導体
レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テルル
−セレン系合金はきてこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られ
る、｛フイジカ・ステイタス・ソリダイ、７、
189、1964（phys.stat.sol.７、189、1964）｝。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用
いた光記録媒体は第２図に示すような構成になつ
ている。すなわち基板１に隣接してテルル−セレ
ン系合金よりなる記録層２１が設けられている。
記録レーザ光は基板１を通して記録層２１に集光
照射され、ピツト２２が形成される。基板１とし
てはポリカーボネート、ポリオレフイン、ポリメ
チルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成
樹脂やガラスが使用され、基板１にはピツトが同
心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よ
く記録されるように通常案内溝が設けられてい
る。
いた光記録媒体は第２図に示すような構成になつ
ている。すなわち基板１に隣接してテルル−セレ
ン系合金よりなる記録層２１が設けられている。
記録レーザ光は基板１を通して記録層２１に集光
照射され、ピツト２２が形成される。基板１とし
てはポリカーボネート、ポリオレフイン、ポリメ
チルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成
樹脂やガラスが使用され、基板１にはピツトが同
心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よ
く記録されるように通常案内溝が設けられてい
る。
レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると
光は回析され、ビーム中心が溝からずれるにつれ
て回析光強度の空間分布が変化するので、これを
検出してレーザビームを溝の中心に入射させるよ
うにサーボ径が構成されている。溝の幅は通常
0.3〜1.3μｍであり、溝の深さは使用するレーザ
波長の1/12から1/4の範囲に設定される。集光に
関しても同様にサーボ系が構成されている。情報
の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレ
ーザ光をピツト上を通過するよううに照射するこ
とにより、ピツトの有無に起因する反射率の変化
を検出して行なう。
光は回析され、ビーム中心が溝からずれるにつれ
て回析光強度の空間分布が変化するので、これを
検出してレーザビームを溝の中心に入射させるよ
うにサーボ径が構成されている。溝の幅は通常
0.3〜1.3μｍであり、溝の深さは使用するレーザ
波長の1/12から1/4の範囲に設定される。集光に
関しても同様にサーボ系が構成されている。情報
の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレ
ーザ光をピツト上を通過するよううに照射するこ
とにより、ピツトの有無に起因する反射率の変化
を検出して行なう。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、テルル−セレン合金層のみを記
録層として用いた光記録媒体では信号品質が充分
に良好ではなかつた。
録層として用いた光記録媒体では信号品質が充分
に良好ではなかつた。
一方、本発明者らは記録層をテルルとセレンと
窒素を主成分とすることにより、信号品質が良好
となることを見出し、すでに提案している。本発
明はこれらをさらに改善したものであり、耐候性
がよくかつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体
を提供することを目的とする。
窒素を主成分とすることにより、信号品質が良好
となることを見出し、すでに提案している。本発
明はこれらをさらに改善したものであり、耐候性
がよくかつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体
を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は基板と、レーザ光によつて一部が選択
的に除去されて情報を記録する前記基板上に形成
された記録層とからなる光記録媒体において、前
記記録層がアルキル置換フタロシアニン色素より
なる前記基板側に形成された層と、この層に隣接
して前記基板の外方に形成されたテルル、セレン
および窒素を主成分とする層（以下テルル−セレ
ン−窒素層と略す）とを少なくとも有しているこ
とを特徴とする光記録媒体である。
的に除去されて情報を記録する前記基板上に形成
された記録層とからなる光記録媒体において、前
記記録層がアルキル置換フタロシアニン色素より
なる前記基板側に形成された層と、この層に隣接
して前記基板の外方に形成されたテルル、セレン
および窒素を主成分とする層（以下テルル−セレ
ン−窒素層と略す）とを少なくとも有しているこ
とを特徴とする光記録媒体である。
本発明においては例えば第１図に示すように基
板１上にアルキル置換フタロシアニン層２および
テルル−セレン−窒素層３が順次積層されて記録
層を形成する。このほか、基板１とアルキル置換
フタロシアニン層２の間および／またはテルル−
セレン−窒素層３の外方に他の層が存在するもの
であつてもよい。
板１上にアルキル置換フタロシアニン層２および
テルル−セレン−窒素層３が順次積層されて記録
層を形成する。このほか、基板１とアルキル置換
フタロシアニン層２の間および／またはテルル−
セレン−窒素層３の外方に他の層が存在するもの
であつてもよい。
アルキル置換フタロシアニン色素層の厚さは５
Åから1000Åの範囲が望ましく、テルル−セレン
−窒素層の厚さは100Åから1000Åの範囲が記録
再生特性の観点から望ましい。またテルル−セレ
ン−窒素層における窒素の含有量は原子数パーセ
ントで２以上の20未満の範囲が記録再生特性、耐
候性の観点から望ましく、セレンの含有量は原子
数パーセントで２から50パーセントの範囲が耐候
性の観点から望ましい。
Åから1000Åの範囲が望ましく、テルル−セレン
−窒素層の厚さは100Åから1000Åの範囲が記録
再生特性の観点から望ましい。またテルル−セレ
ン−窒素層における窒素の含有量は原子数パーセ
ントで２以上の20未満の範囲が記録再生特性、耐
候性の観点から望ましく、セレンの含有量は原子
数パーセントで２から50パーセントの範囲が耐候
性の観点から望ましい。
テルル−セレン−窒素層には、鉛、ヒ素、ス
ズ、ゲルマニウム、カドミウム、タリウム、アン
チモン、イオウ、リン、インジウム、ガリウム、
亜鉛、ビスマス、アルミニウム、銅、銀、マグネ
シウム、タンタル、金、パラジウム、コバルトの
群から選ばれた少なくとも１種の元素が添加され
ていてもよい。この場合ピツトの形状を良好に整
える場合がある。ただし添加量は原子数パーセン
トで20パーセント未満が望ましい。
ズ、ゲルマニウム、カドミウム、タリウム、アン
チモン、イオウ、リン、インジウム、ガリウム、
亜鉛、ビスマス、アルミニウム、銅、銀、マグネ
シウム、タンタル、金、パラジウム、コバルトの
群から選ばれた少なくとも１種の元素が添加され
ていてもよい。この場合ピツトの形状を良好に整
える場合がある。ただし添加量は原子数パーセン
トで20パーセント未満が望ましい。
基板としてはポリカーポネート、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスなど通常使用されている
ものが用いられる。
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスなど通常使用されている
ものが用いられる。
また記録層の成膜方法は、スパツタリング法の
ほかに、蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーテ
イング法、イオンビームデポジシヨン法等でもよ
い。
ほかに、蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーテ
イング法、イオンビームデポジシヨン法等でもよ
い。
［実施例］
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例
100℃で２時間アニール処理した内径15mm、外
径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネート樹脂デイ
スク基板にｔ−ブチル置換バナジルフタロシアニ
ン色素を約150Å厚形成し、ひきつづきこの上に、
テルル−セレン合金ターゲツトをアルゴンと窒素
の混合ガスでスパツタしてテルルとセレンと窒素
の比が原子数パーセントで90対４対６のテルル−
セレン−窒素層を約230Å厚形成した。この光デ
イスクを95℃の窒素雰囲気中で１時間アニールし
たのち、波長8300Åにおける基板入射反射率を測
定したところ30％であつた。波長8300Åの半導体
レーザ光を基板を通して入射して記録層上で1.6μ
ｍφ程度に絞り、媒体線速度5.6ｍ／sec、記録周
波数3.77MHz、記録パルス幅70nsec、記録パワ
ー5.5ｍＷの条件で記録し、0.7ｍＷで再生した。
バンド幅30kHzのキヤリアーとノイズとの比
（Ｃ／Ｎ）は51dBと良好であつた。この光デイス
ク70℃、80％の高温高湿度の環境に60時間保存し
た後、上記特性を調べたが変化はなく、耐候性に
優れた光記録媒体であることが確認された。
径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネート樹脂デイ
スク基板にｔ−ブチル置換バナジルフタロシアニ
ン色素を約150Å厚形成し、ひきつづきこの上に、
テルル−セレン合金ターゲツトをアルゴンと窒素
の混合ガスでスパツタしてテルルとセレンと窒素
の比が原子数パーセントで90対４対６のテルル−
セレン−窒素層を約230Å厚形成した。この光デ
イスクを95℃の窒素雰囲気中で１時間アニールし
たのち、波長8300Åにおける基板入射反射率を測
定したところ30％であつた。波長8300Åの半導体
レーザ光を基板を通して入射して記録層上で1.6μ
ｍφ程度に絞り、媒体線速度5.6ｍ／sec、記録周
波数3.77MHz、記録パルス幅70nsec、記録パワ
ー5.5ｍＷの条件で記録し、0.7ｍＷで再生した。
バンド幅30kHzのキヤリアーとノイズとの比
（Ｃ／Ｎ）は51dBと良好であつた。この光デイス
ク70℃、80％の高温高湿度の環境に60時間保存し
た後、上記特性を調べたが変化はなく、耐候性に
優れた光記録媒体であることが確認された。
比較のためのアルキル置換をしていないバナジ
ルフタロシアニン色素を用いたデイスクは、上記
高温高湿度条件に長時間保存しておくと光学特性
が変化して問題であつた。これは無置換バナジル
フタロシアニンが結晶化し、波長8300Åにおける
消衰係数が大きくなるためである。例えば、ガラ
ス基板上にｔ−ブチル置換バナジルフタロシアニ
ンを形成したものと、無置換バナジルフタロシア
ニンを形成したものとを作製し、300℃、１時間
のアニールを行なうと、無置換の試料は結晶化が
進行して表面荒れをおこすが、アルキル置換の試
料は表面荒れを生じない。即ち、アルキル置換の
フタロシアニンは、その立体障害性のために結晶
化しにくく耐候性に優れるものである。
ルフタロシアニン色素を用いたデイスクは、上記
高温高湿度条件に長時間保存しておくと光学特性
が変化して問題であつた。これは無置換バナジル
フタロシアニンが結晶化し、波長8300Åにおける
消衰係数が大きくなるためである。例えば、ガラ
ス基板上にｔ−ブチル置換バナジルフタロシアニ
ンを形成したものと、無置換バナジルフタロシア
ニンを形成したものとを作製し、300℃、１時間
のアニールを行なうと、無置換の試料は結晶化が
進行して表面荒れをおこすが、アルキル置換の試
料は表面荒れを生じない。即ち、アルキル置換の
フタロシアニンは、その立体障害性のために結晶
化しにくく耐候性に優れるものである。
なお、ｔ−ブチル置換バナジルフタロシアニン
膜は波長8300Åにおいて吸収があり、記録ピツト
はテルル−セレン−窒素層の孔とフタロシアニン
層の凹部とにより形成されている。
膜は波長8300Åにおいて吸収があり、記録ピツト
はテルル−セレン−窒素層の孔とフタロシアニン
層の凹部とにより形成されている。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の光記録媒体は耐候
性がよくかつ高感度で信号品質の良好なものであ
る。
性がよくかつ高感度で信号品質の良好なものであ
る。
第１図は本発明の光記録媒体の１実施例を示す
部分断面図、第２図は従来の光記録媒体を示す部
分断面図である。 １……基板、２……アルキル置換フタロシアニ
ン層、３……テルル−セレン−窒素層、２１……
記録層、２２……ピツト。
部分断面図、第２図は従来の光記録媒体を示す部
分断面図である。 １……基板、２……アルキル置換フタロシアニ
ン層、３……テルル−セレン−窒素層、２１……
記録層、２２……ピツト。
Claims (1)
- １ 基板と、レーザ光によつて一部が選択的に除
去されて情報を記録する前記基板上に形成された
記録層とからなる光記録媒体において、前記記録
層がアルキル置換フタロシアニン色素よりなる前
記基板側に形成された層と、この層に隣接して前
記基板の外方に形成されたテルル、セレンおよび
窒素を主成分とする層とを少なくとも有している
ことを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61141738A JPS62297181A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61141738A JPS62297181A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62297181A JPS62297181A (ja) | 1987-12-24 |
| JPH0481958B2 true JPH0481958B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=15299055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61141738A Granted JPS62297181A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62297181A (ja) |
-
1986
- 1986-06-17 JP JP61141738A patent/JPS62297181A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62297181A (ja) | 1987-12-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |