JPH0581976B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体に関するものである。

［従来の技術］ レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、テルル（Te）
等のカルコゲン元素又はこれらの化合物が使用さ
れている（特公昭47−26897号公報）。とくにテル
ル−セレン系合金はよく使用されている（特公昭
54−41902号公報、特公昭57−7919号公報、特公
昭57−56058号公報）。

近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルル−セレン系合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
｛フイジカ・ステイタス・ソリダイ、７、189、
1964（phys.stat.sol.７、189、1964）｝。

このテルル−セレン系合金を光記録層として用
いた光記録媒体は第２図に示すような構成になつ
ている。すなわち基板１に隣接してテルル−セレ
ン系合金よりなる記録層２１が設けられている。
記録用レーザ光は基板１を通して記録層２１に集
光照射され、ピツト２２が形成される。基板１と
してはポリカーボネート、ポリオレフイン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂が使用され、基板１にはピツトが同心円状
あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録
されるように通常案内溝が設けられている。

レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると
光は回折され、ビーム中心が溝からずれるにつれ
て回折光強度の空間分布が変化するので、これを
検出してレーザビームを溝の中心に入射させるよ
うにサーボ系が構成されている。溝の幅は通常
0.3〜1.3μｍであり、溝の深さは使用するレーザ
波長の1/12から1/4の範囲に設定される。集光に
関しても同様にサーボ系が構成されている。情報
の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレ
ーザ光をピツト上を通過するように照射すること
により、ピツトの有無に起因する反射率の変化を
検出して行なう。

［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、テルル−セレン合金層を記録層
として用いた光記録媒体では信号品質が充分に良
好ではなかつた。

一方、本発明者らは記録層をテルルとセレンと
窒素を主成分とすることにより、信号品質が良好
となることを見出し、すでに提案している。本発
明はこれをさらに改善したものであり、耐候性が
よくかつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体を
提供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は基板と、レーザ光によつて一部が選択
的に除去されて情報を記録する前記基板上に形成
された記録層とからなる光記録媒体において、前
記記録層がホウ化物を主成分とする前記基板側に
形成された層と、この層に隣接して前記基板の外
方に形成されたテルル、セレンおよび窒素を主成
分とする層とを少なくとも有していることを特徴
とする光記録媒体である。

本発明においては例えば第１図に示すように、
基板１上にホウ化物を主成分とする層（以下ホウ
化物層と略す）２およびテルル、セレンおよび窒
素を主成分とする層（以下テルル−セレン−窒素
層と略す）３が順次積層されて記録層を形成す
る。基板１とテルル−セレン−窒素層３との間に
ホウ化物層２を設けることにより、記録により形
成されるピツトが大きく拡がらないようになる。
したがつて、ピツトをつめて記録できるので高密
度記録が可能となる。又、記録パワー変動に対す
る余裕度も大きくなるので実用的な光記録媒体と
なる。さらに又、大きなピツトが形成されないた
めトラツキングやフオーカスサーボが不安定にな
らないので実用的な光記録媒体となる。

ホウ化物層としては種々のホウ化物を使用する
ことができるが、その中ではホウ化チタンがとく
に望ましい。吸収のないホウ化物の場合は膜厚は
５Åから200Åの範囲が望ましい。吸収のあるホ
ウ化物の場合の膜厚は２Åから1000Åの範囲が望
ましい。吸収のあるホウ化物を用いた場合の記録
ピツトはテルル−セレン−窒素層の孔とホウ化物
層の変形（孔、凹部等）とにより形成される。

テルル−セレン−窒素層の厚さは100Åから
1000Åの範囲が記録再生特性の観点から望まし
い。またテルル−セレン−窒素層における窒素の
含有量は原子数パーセントで２パーセント以上20
パーセント未満が記録再生特性、耐候性の観点か
ら望ましく、セレンの含有量は原子数パーセント
で２パーセントから50パーセントの範囲が耐候性
の観点から望ましい。

テルル−セレン−窒素層には鉛、ヒ素、スズ、
ゲルマニウム、カドミウム、タリウム、アンチモ
ン、イオウ、リン、インジウム、ガリウム、亜
鉛、ビスマス、アルミニウム、銅、銀、マグネシ
ウム、タンタル、金、パラジウム、コバルトの群
から選ばれた少なくとも１種の元素が添加されて
いてもよい。この場合、ピツトの形状を良好に整
える場合がある。ただし添加量は原子数パーセン
トで20パーセント未満が望ましい。

成膜方法は、スパツタリング法の他に、蒸着
法、反応性蒸着法、イオンプレーテイング法、イ
オンビームデポジシヨン法等でもよい。

基板としてはポリカーボネート、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂など通常使用されているものが用
いられる。

［作用］ 基板とテルル−セレン−窒素層の間にホウ化物
層を介在させることによつてピツトが大きく拡が
らなくなり、優れた光記録媒体を得ることができ
る。これはテルル−セレン−窒素層の有無による
表面エネルギーの差がホウ化物層の形成により変
化するためであると考えられる。

［実施例］ 以下、本発明の実施例について説明する。

100℃で２時間アニール処理した内径15mm、外
径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネート樹脂デイ
スク基板に、ホウ化チタンを約30Å厚形成し、ひ
きつづきこの上に、テルル−セレン合金ターゲツ
トをアルゴンと窒素の混合ガスでマグネトロンス
パツタして、テルルとセレンと窒素の比が原子数
パーセントで90対４対６のテルル−セレン−窒素
層を約240Å厚形成した。この光デイスクを95℃
の窒素雰囲気中で１時間アニールしたのち、波長
8300Åにおける基板入射反射率を測定したところ
34％であつた。波長8300Åの半導体レーザ光を基
板を通して入射して記録層上で1.6μｍφ程度に絞
り、媒体線速度5.6ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、
記録パルス幅70nsec、記録パワー6.5ｍＷの条件
で記録し、0.7ｍＷで再生した。バンド幅30KHz
のキヤリアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は50dB
と良好であつた。この光デイスクを70℃、80％の
高温高湿度の環境に60時間保存した後、上記特性
を調べたが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒
体であることが確認された。

比較のためのホウ化チタン層を設けない光デイ
スクに比べて、45dB以上のＣ／Ｎが得られる記
録パワー範囲はおよそ２倍大きくなり、記録パワ
ー変動に対する余裕度の大きいことが確認され
た。又、トラツキングやフオーカスのサーボも不
安定になることはなかつた。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明の光記録媒体は耐候
性がよくかつ高感度で信号品質の良好なものであ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光記録媒体の１実施例を示す
部分断面図、第２図は従来の光記録媒体を示す部
分断面図である。 １……基板、２……ホウ化物層、３……テルル
−セレン−窒素層、２１……記録層、２２……ピ
ツト。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 基板と、レーザ光によつて一部が選択的に除
   去されて情報を記録する前記基板上に形成された
   記録層とからなる光記録媒体において、前記記録
   層がホウ化チタンを主成分とする前記基板側に形
   成された層と、この層に隣接して前記基板の外方
   に形成されたテルル、セレンおよび窒素を主成分
   とする層とを少なくとも有していることを特徴と
   する光記録媒体。