JPS6233763A - スパツタリング用複合タ−ゲツト - Google Patents
スパツタリング用複合タ−ゲツトInfo
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- JPS6233763A JPS6233763A JP17203785A JP17203785A JPS6233763A JP S6233763 A JPS6233763 A JP S6233763A JP 17203785 A JP17203785 A JP 17203785A JP 17203785 A JP17203785 A JP 17203785A JP S6233763 A JPS6233763 A JP S6233763A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- target
- composite target
- alloy
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はスパッタリング用複合ターゲット、特に、基板
上に複数の成膜物質による合金薄膜を付着形成させる際
に使用されるのに適するスパッタリング用複合ターゲッ
トに関する。
上に複数の成膜物質による合金薄膜を付着形成させる際
に使用されるのに適するスパッタリング用複合ターゲッ
トに関する。
（従来の技術）
従来、スパッタリングによって合金薄膜を基板上に付着
形成させるのには、基板上に成膜させるべき合金のター
ゲットが用いられており、また、冶金学的に合金を形成
しない物質による合金をスパッタリングによって基板上
に付着形成させようとする場合には、ターゲット上に他
の物質のチップを載置した状態でスパッタリングを行な
うようにしていた。
形成させるのには、基板上に成膜させるべき合金のター
ゲットが用いられており、また、冶金学的に合金を形成
しない物質による合金をスパッタリングによって基板上
に付着形成させようとする場合には、ターゲット上に他
の物質のチップを載置した状態でスパッタリングを行な
うようにしていた。
（発明が解決しようとする問題点）
ところが、前記した従来技術における前者の場合には、
ターゲットとして高価な合金ターゲットが必要とされる
という欠点があり、また、前記した従来技術における後
者の場合には、安定性のよい成膜を行なうことができな
いという欠点があった。
ターゲットとして高価な合金ターゲットが必要とされる
という欠点があり、また、前記した従来技術における後
者の場合には、安定性のよい成膜を行なうことができな
いという欠点があった。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、それぞれ異なる成膜物質による部分ターゲッ
トで構成されてなるスパッタリング用複合ターゲットを
提供するものである。
トで構成されてなるスパッタリング用複合ターゲットを
提供するものである。
（実施例）
以下、添付図面を参照しながら本発明のスパッタリング
用複合ターゲットの具体的な内容について詳細に説明す
る。
用複合ターゲットの具体的な内容について詳細に説明す
る。
第１図は本発明のスパッタリング用複合ターゲットの一
実施例の平面図、第２図は第１図中のＡ−Ａ線位置にお
けるスパッタリング用複合ターゲットの縦断側面図であ
る。
実施例の平面図、第２図は第１図中のＡ−Ａ線位置にお
けるスパッタリング用複合ターゲットの縦断側面図であ
る。
この第１図及び第２図に示されている実施例のスパッタ
リング用複合ターゲットにおいて、１゜２．３はそれぞ
れ基板上に付着形成させるべき合金薄膜の構成４分物質
で作られている部分ターゲットである０図示の実施例に
おいてスパッタリング用複合ターゲットは、それの全体
形状が円形であり、また、部分ターゲット１，２はそれ
ぞれ円環状となされており、さらに１部分ターゲット３
が円板状のものとして実施されているが１本発明・の実
施に当っては全体の形状が任意であってもよく、また、
分割される個々の部分も任意であってもよいのである。
リング用複合ターゲットにおいて、１゜２．３はそれぞ
れ基板上に付着形成させるべき合金薄膜の構成４分物質
で作られている部分ターゲットである０図示の実施例に
おいてスパッタリング用複合ターゲットは、それの全体
形状が円形であり、また、部分ターゲット１，２はそれ
ぞれ円環状となされており、さらに１部分ターゲット３
が円板状のものとして実施されているが１本発明・の実
施に当っては全体の形状が任意であってもよく、また、
分割される個々の部分も任意であってもよいのである。
そして、前記の部分ターゲットは、それぞれの構成物質
のスパッタリングレートを考慮して、それぞれの大きさ
が決定されることが望ましいことはいうまでもない。
のスパッタリングレートを考慮して、それぞれの大きさ
が決定されることが望ましいことはいうまでもない。
また１本発明のスパッタリング用複合ターゲットが、マ
グネトロンスパッタリング用のターゲラ 、トとして用
いられる場合には、二ロージ履ンエリアに含まれる部分
ターゲットの構成物質としてはスパッタリングレートの
低いもの、あるいは、基板上に付着形成させるべき合金
の組成比の大きなものなどが選定される。
グネトロンスパッタリング用のターゲラ 、トとして用
いられる場合には、二ロージ履ンエリアに含まれる部分
ターゲットの構成物質としてはスパッタリングレートの
低いもの、あるいは、基板上に付着形成させるべき合金
の組成比の大きなものなどが選定される。
すなわち、ターゲットの近傍しこ形成させた磁界中にプ
ラズマを封じ込め、アルゴンガスのイオン化が良好に行
なわれるようにして、高いスパッタリングレートが得ら
れるようにしたマグネトロンスパッタリングにおいては
、前記のようにプラズマが封じ込められる領域中に、タ
ーゲットが激しく侵蝕される部分、すなわち、二ローシ
ョンエリアが生じるからである。
ラズマを封じ込め、アルゴンガスのイオン化が良好に行
なわれるようにして、高いスパッタリングレートが得ら
れるようにしたマグネトロンスパッタリングにおいては
、前記のようにプラズマが封じ込められる領域中に、タ
ーゲットが激しく侵蝕される部分、すなわち、二ローシ
ョンエリアが生じるからである。
本発明のスパッタリング用複合ターゲットは。
それぞれの部分ターゲット１〜３の間が、密着状態にな
されても、あるいは、各部分ターゲット１゜２．３間に
間隙が設けられていてもよい。
されても、あるいは、各部分ターゲット１゜２．３間に
間隙が設けられていてもよい。
（効果 ）
以上の説明から明らかなように、本発明のスパッタリン
グ用複合ターゲットは、それぞれ異なる成膜物質による
部分ターゲットで構成されてなるものであるから、本発
明のスパッタリング用複合ターゲットによれば、高価な
合金ターゲットを用いる必要がなく、また、冶金学的に
合金を形成しない物質による合金の薄膜も、スパッタリ
ングによって容易に、かつ、安定に基板上に付着形成さ
せることができるのであり１本発明によれば既述した従
来の問題点は良好に解決されるのである。
グ用複合ターゲットは、それぞれ異なる成膜物質による
部分ターゲットで構成されてなるものであるから、本発
明のスパッタリング用複合ターゲットによれば、高価な
合金ターゲットを用いる必要がなく、また、冶金学的に
合金を形成しない物質による合金の薄膜も、スパッタリ
ングによって容易に、かつ、安定に基板上に付着形成さ
せることができるのであり１本発明によれば既述した従
来の問題点は良好に解決されるのである。
第１図は本発明のスパッタリング用複合ターゲットの一
実施例の平面図、第２図は第１図中のＡ−Ａ線位置の縦
断面図である。
実施例の平面図、第２図は第１図中のＡ−Ａ線位置の縦
断面図である。
Claims (1)
- それぞれ異なる成膜物質による部分ターゲットで構成さ
れてなるスパッタリング用複合ターゲット
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17203785A JPS6233763A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | スパツタリング用複合タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17203785A JPS6233763A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | スパツタリング用複合タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6233763A true JPS6233763A (ja) | 1987-02-13 |
Family
ID=15934356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17203785A Pending JPS6233763A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | スパツタリング用複合タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6233763A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6512245B2 (en) | 1993-01-14 | 2003-01-28 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device |
-
1985
- 1985-08-05 JP JP17203785A patent/JPS6233763A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6512245B2 (en) | 1993-01-14 | 2003-01-28 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device |
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