JPS623385B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS623385B2 JPS623385B2 JP51011985A JP1198576A JPS623385B2 JP S623385 B2 JPS623385 B2 JP S623385B2 JP 51011985 A JP51011985 A JP 51011985A JP 1198576 A JP1198576 A JP 1198576A JP S623385 B2 JPS623385 B2 JP S623385B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- probe
- transistor
- center conductor
- ground
- Prior art date
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- Expired
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、超高周波トランジスタウエハの、Ｇ
Hz帯以上の伝送パラメータ等の高周波特性を測定
する方法に関するものである。
Hz帯以上の伝送パラメータ等の高周波特性を測定
する方法に関するものである。
一般に、トランジスタ（以下Trと記す）の高
周波特性測定をウエハの状態で行うことは、測定
治具の高周波特性の面で、極めて難しいと考えら
れており、高周波においては、従来はTrチツプ
を同軸ケーブル内に挿入してTrチツプの特性を
測定する方法がとられていた。また、集積回路の
測定周波数が数十ＭHz程度の素子は、同軸ケーブ
ルの先端に２〜３cm程度の探針を接続して、ウエ
ハ状態の特性を測定することがなされている。
周波特性測定をウエハの状態で行うことは、測定
治具の高周波特性の面で、極めて難しいと考えら
れており、高周波においては、従来はTrチツプ
を同軸ケーブル内に挿入してTrチツプの特性を
測定する方法がとられていた。また、集積回路の
測定周波数が数十ＭHz程度の素子は、同軸ケーブ
ルの先端に２〜３cm程度の探針を接続して、ウエ
ハ状態の特性を測定することがなされている。
前者の方法は、Trチツプの大きさがたかだか
0.5mm四方程度なので、同軸ケーブル内に挿入し
ても電磁界の乱れを抑えて、1GHz以上の周波数
においても測定することはできる。しかしながら
Trウエハ（以下単にウエハという）の場合は、
大きさが直径40mm以上であり、不整合が大きくな
つて同じ方法はとれない。さらにウエハ内にある
複数のTrについて測定が必要なため、機構が複
雑となり、接続部が多くなるので、不整合も無視
できず、ウエハを同軸ケーブル内に挿入する方法
は困難である。
0.5mm四方程度なので、同軸ケーブル内に挿入し
ても電磁界の乱れを抑えて、1GHz以上の周波数
においても測定することはできる。しかしながら
Trウエハ（以下単にウエハという）の場合は、
大きさが直径40mm以上であり、不整合が大きくな
つて同じ方法はとれない。さらにウエハ内にある
複数のTrについて測定が必要なため、機構が複
雑となり、接続部が多くなるので、不整合も無視
できず、ウエハを同軸ケーブル内に挿入する方法
は困難である。
後者の方法では、同軸ケーブル先端の探針を短
くすれば、測定治具の特性は改良できるが、ウエ
ハの接地と治具の接地を高周波で不整合を生じな
いように共通にとることは極めて困難であり、た
とえばどこかで接続したとしても、接続部のイン
ピーダンスを同軸ケーブルのインピーダンスと同
一にするのは極めて困難なので、高周波では位相
がずれてきて、正確な測定ができないという致命
的な欠点がある。
くすれば、測定治具の特性は改良できるが、ウエ
ハの接地と治具の接地を高周波で不整合を生じな
いように共通にとることは極めて困難であり、た
とえばどこかで接続したとしても、接続部のイン
ピーダンスを同軸ケーブルのインピーダンスと同
一にするのは極めて困難なので、高周波では位相
がずれてきて、正確な測定ができないという致命
的な欠点がある。
本発明はこのような欠点を解決するため、ＧHz
帯の高周波まで測定系および被測定物が不整合な
く構成できる方法を提供したもので、信号伝送路
としてコプレーナガイドを用い、その先端に0.5
mm程度のごく短い探針を取り付けて測定治具とし
た測定系を構成し、さらにウエハ上に、Trの電
極とは別にコレクタ層と同一極性の接地用電極を
設けることにより、測定系とウエハの接地を共通
に取つて測定時の測定信号の電磁界の乱れを最少
にする構造とし、測定系全体の周波数特性を向上
させて、ＧHz帯以上の高周波においても精度のよ
い測定を可能にしたものである。以下図面により
本発明を詳細に説明する。
帯の高周波まで測定系および被測定物が不整合な
く構成できる方法を提供したもので、信号伝送路
としてコプレーナガイドを用い、その先端に0.5
mm程度のごく短い探針を取り付けて測定治具とし
た測定系を構成し、さらにウエハ上に、Trの電
極とは別にコレクタ層と同一極性の接地用電極を
設けることにより、測定系とウエハの接地を共通
に取つて測定時の測定信号の電磁界の乱れを最少
にする構造とし、測定系全体の周波数特性を向上
させて、ＧHz帯以上の高周波においても精度のよ
い測定を可能にしたものである。以下図面により
本発明を詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例説明図であつて、１
および１′はコプレーナガイド、２および２′は測
定器接続用コネクタ、３は測定用探針、４はウエ
ハ、５はステージである。
および１′はコプレーナガイド、２および２′は測
定器接続用コネクタ、３は測定用探針、４はウエ
ハ、５はステージである。
コプレーナガイド１，１′は導体面を下にして
マニピユレータ（微動調節装置）に固定し、ウエ
ハ面上の任意のTrを測定できるようマニピユレ
ータまたは、ステージを自由に動かすことができ
るようにする。そしてコネクタ２および２′をＳ
パラメータ（散乱パラメータ）測定装置などの測
定器と接続し、測定用探針３を測定しようとする
Trの電極と接触させて測定を行う。
マニピユレータ（微動調節装置）に固定し、ウエ
ハ面上の任意のTrを測定できるようマニピユレ
ータまたは、ステージを自由に動かすことができ
るようにする。そしてコネクタ２および２′をＳ
パラメータ（散乱パラメータ）測定装置などの測
定器と接続し、測定用探針３を測定しようとする
Trの電極と接触させて測定を行う。
コプレーナガイド１，１′は第２図に示すよう
に、中心導体６、接地導体７および７′から成
り、測定器特性インピーダンスと特性インピーダ
ンスが等しくなるように、中心導体６と接地導体
７および７′の間隔を設計する。さらに第２図に
示すように、一端に測定器接続用コネクタ２を固
定し、他端に測定用探針すなわち中心導体探針
８、接地導体探針９および９′を固定する。中心
導体探針８の先端と、接地導体探針９および９′
の先端との間隔は、第３図に示すTrの電極配置
例に従つて決められた間隔、すなわちベース電極
１０またはエミツタ電極１１と、接地用電極１２
および１２′との間隔になるように固定させる。
また接地用電極１２および１２′は、本来のTr動
作の妨げにならないような位置であつて、さらに
ベース電極１０およびエミツタ電極１１にできる
だけ近い位置に設置する。
に、中心導体６、接地導体７および７′から成
り、測定器特性インピーダンスと特性インピーダ
ンスが等しくなるように、中心導体６と接地導体
７および７′の間隔を設計する。さらに第２図に
示すように、一端に測定器接続用コネクタ２を固
定し、他端に測定用探針すなわち中心導体探針
８、接地導体探針９および９′を固定する。中心
導体探針８の先端と、接地導体探針９および９′
の先端との間隔は、第３図に示すTrの電極配置
例に従つて決められた間隔、すなわちベース電極
１０またはエミツタ電極１１と、接地用電極１２
および１２′との間隔になるように固定させる。
また接地用電極１２および１２′は、本来のTr動
作の妨げにならないような位置であつて、さらに
ベース電極１０およびエミツタ電極１１にできる
だけ近い位置に設置する。
以上説明したように、本発明のウエハの高周波
測定方法は、測定治具を一定の特定インピーダン
スを持つたコプレーナガイドと、ごく短い探針と
で構成するので、治具の周波数特性がすぐれてお
り、かつ接地用電極をウエハ表面上に設置するの
で、測定系とウエハが電磁界の乱れを最少にする
構造で接続でき、従来不可能であつた1GHz以上
の高い周波数においても、精度の高い測定がウエ
ハの状態で可能である。
測定方法は、測定治具を一定の特定インピーダン
スを持つたコプレーナガイドと、ごく短い探針と
で構成するので、治具の周波数特性がすぐれてお
り、かつ接地用電極をウエハ表面上に設置するの
で、測定系とウエハが電磁界の乱れを最少にする
構造で接続でき、従来不可能であつた1GHz以上
の高い周波数においても、精度の高い測定がウエ
ハの状態で可能である。
第１図は本発明の一実施例図、第２図はコプレ
ーナガイドを用いた測定治具の斜視図、第３図は
Trの電極配置図である。 １……コプレーナガイド、２……測定器接続用
コネクタ、３……測定用探針、４……トランジス
タウエハ、５……ステージ、６……中心導体、
７，７′……接地導体、８……中心導体探針、
９，９′……接地導体探針、１０……ベース電
極、１１……エミツタ電極、１２，１２′……接
地用電極。
ーナガイドを用いた測定治具の斜視図、第３図は
Trの電極配置図である。 １……コプレーナガイド、２……測定器接続用
コネクタ、３……測定用探針、４……トランジス
タウエハ、５……ステージ、６……中心導体、
７，７′……接地導体、８……中心導体探針、
９，９′……接地導体探針、１０……ベース電
極、１１……エミツタ電極、１２，１２′……接
地用電極。
Claims (1)
- １ マニピユレータに固定された中心導体および
接地導体を有するコプレーナガイドを、測定器接
続用コネクタを介して被測定装置に接続し、前記
中心導体および接地導体の前記コネクタとは反対
の側の先端に、それぞれ極めて短い中心導体探針
および接地導体探針を取り付け、この中心導体探
針および接地導体探針を、ウエハ上の各トランジ
スタの電極および各トランジスタの表面に別に設
けた接地用電極にそれぞれ接触させて、ウエハ上
の各トランジスタのＧHz帯以上の高周波特性を測
定することを特徴とするトランジスタウエハの高
周波特性測定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1198576A JPS5295182A (en) | 1976-02-06 | 1976-02-06 | Measurement for high frequency characteristics of transistor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1198576A JPS5295182A (en) | 1976-02-06 | 1976-02-06 | Measurement for high frequency characteristics of transistor wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5295182A JPS5295182A (en) | 1977-08-10 |
| JPS623385B2 true JPS623385B2 (ja) | 1987-01-24 |
Family
ID=11792877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1198576A Granted JPS5295182A (en) | 1976-02-06 | 1976-02-06 | Measurement for high frequency characteristics of transistor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5295182A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4697143A (en) * | 1984-04-30 | 1987-09-29 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe |
| JPS6221068A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-29 | Koichi Yoshida | フラツト形探針 |
| FR2592176B1 (fr) * | 1985-12-20 | 1988-02-12 | Labo Electronique Physique | Dispositif de test pour boitier sans broches muni d'une pastille de circuit integre hyperfrequences |
| FR2592175B1 (fr) * | 1985-12-20 | 1988-02-12 | Labo Electronique Physique | Dispositif de test pour pastille de circuit integre hyperfrequences |
| JPS62177455A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
| JPH0690222B2 (ja) * | 1986-01-31 | 1994-11-14 | 田中貴金属工業株式会社 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
| JPH0740577B2 (ja) * | 1987-04-21 | 1995-05-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プロ−ブカ−ド |
| US20250035671A1 (en) * | 2023-07-28 | 2025-01-30 | Mpi Corporation | Contact probe and contacting member thereof, method of manufacturing contacting member, probe system using the contacting member, method of testing unpackaged semiconductor device, tested semiconductor device and method of producing the same |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3911361A (en) * | 1974-06-28 | 1975-10-07 | Ibm | Coaxial array space transformer |
-
1976
- 1976-02-06 JP JP1198576A patent/JPS5295182A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5295182A (en) | 1977-08-10 |
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