JPS6234420A - 組み合わせ論理回路 - Google Patents
組み合わせ論理回路Info
- Publication number
- JPS6234420A JPS6234420A JP60176468A JP17646885A JPS6234420A JP S6234420 A JPS6234420 A JP S6234420A JP 60176468 A JP60176468 A JP 60176468A JP 17646885 A JP17646885 A JP 17646885A JP S6234420 A JPS6234420 A JP S6234420A
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- signal line
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- input signal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は集積回路の改良に関し、特に組み合わせ論理回
路の改良に関するものである。
路の改良に関するものである。
第2図は従来のデコーダの回路構成例であり、次頁の表
11表2はそれぞれ通常モード、テストモードにおける
デコーダの真理値表である。
11表2はそれぞれ通常モード、テストモードにおける
デコーダの真理値表である。
第2図において、1,2は入力データa、bを入力する
ための入力信号線、3はコントロールデータtを入力す
るための入力信号線、4.5.6は反転入力データi、
1.τを入力するための入力信号線、11〜I3は入力
データa、bとコントロールデータtとを入力して反転
入力データ丁、 b、 tを出力するインバータ、
7.8,9.10は反転出力データτ、d、e、rを出
力するための出力信号線、11.12,13.14は出
力データc、d、e、fを出力するための出力信号線、
■4〜I7は反転出力データτ、d、τ、下を入力して
出力データc、d、゛e、fを出力するためのインバー
タ、Gは接地、T1〜TIOはプログラム用NMO5型
トランジスタ、■は電源、Rはプログラム用NMOS型
トランジスタT1〜T10が導通状態の時に電源■から
接地Gに流れる貫通電流を調整するための負荷素子であ
る。NMOS型トランジスタT1〜TIOのゲートは入
力信号線1,2.3または入力信号線4.5.6のいず
れかに接続され、そのドレインは出力信号線7,8,9
.10のいずれかに接続され、そのソースは接地されて
いる。
ための入力信号線、3はコントロールデータtを入力す
るための入力信号線、4.5.6は反転入力データi、
1.τを入力するための入力信号線、11〜I3は入力
データa、bとコントロールデータtとを入力して反転
入力データ丁、 b、 tを出力するインバータ、
7.8,9.10は反転出力データτ、d、e、rを出
力するための出力信号線、11.12,13.14は出
力データc、d、e、fを出力するための出力信号線、
■4〜I7は反転出力データτ、d、τ、下を入力して
出力データc、d、゛e、fを出力するためのインバー
タ、Gは接地、T1〜TIOはプログラム用NMO5型
トランジスタ、■は電源、Rはプログラム用NMOS型
トランジスタT1〜T10が導通状態の時に電源■から
接地Gに流れる貫通電流を調整するための負荷素子であ
る。NMOS型トランジスタT1〜TIOのゲートは入
力信号線1,2.3または入力信号線4.5.6のいず
れかに接続され、そのドレインは出力信号線7,8,9
.10のいずれかに接続され、そのソースは接地されて
いる。
次にこの組み合わせ論理回路の動作について説明する。
最初、電源■に電圧、たとえば、5Vが加えられていて
、コントロールデータtが論理的にrLJで、通常モー
ドであるとする。この時、ゲートが入力信号線3に接続
されたプログラム用NMOS型トランジスタT9.TI
Oは常に非導通状態にある。ここで、入力データa、b
が共にrLJになると、ゲートが入力信号線1.2に接
続されたプログラム用NMOS型トランジスタT3、T
4.T7.T8は非導通状態になる。また、インバータ
It、12により反転データa、bは共にrHJの状態
になるので、ゲートが入力信号′fIIA4. 5に接
続されたプログラム用NMO8型トランジスタTl、T
2.T5.T6は導通状態になり、貫通電流が電源■か
らプログラム用NMO8型トランジスタT1.T2.T
5.T6を通して接地Gに流れる。このことにより、反
転出力データτ5丁、了はrLJになり、インバータI
4.15.17により出力データc、d、fは「H」に
なる。また、ゲートが入力信号線1.2.3に接続され
、ドレインが出力信号線9に接続されたプログラム用N
MOS型トランジスタT3.T8、TIOは非導通状態
であるので、反転出力データτは電源Vの電圧によりr
HJになり、出力データeは「L」になる。
、コントロールデータtが論理的にrLJで、通常モー
ドであるとする。この時、ゲートが入力信号線3に接続
されたプログラム用NMOS型トランジスタT9.TI
Oは常に非導通状態にある。ここで、入力データa、b
が共にrLJになると、ゲートが入力信号線1.2に接
続されたプログラム用NMOS型トランジスタT3、T
4.T7.T8は非導通状態になる。また、インバータ
It、12により反転データa、bは共にrHJの状態
になるので、ゲートが入力信号′fIIA4. 5に接
続されたプログラム用NMO8型トランジスタTl、T
2.T5.T6は導通状態になり、貫通電流が電源■か
らプログラム用NMO8型トランジスタT1.T2.T
5.T6を通して接地Gに流れる。このことにより、反
転出力データτ5丁、了はrLJになり、インバータI
4.15.17により出力データc、d、fは「H」に
なる。また、ゲートが入力信号線1.2.3に接続され
、ドレインが出力信号線9に接続されたプログラム用N
MOS型トランジスタT3.T8、TIOは非導通状態
であるので、反転出力データτは電源Vの電圧によりr
HJになり、出力データeは「L」になる。
次に入力データa、bはrLJのままで、コントロール
データtがrHJになり、テストモードになったとする
。この時、ゲートが人力信号線3に接続されたプログラ
ム用NMOS型トランジスタT9.TIOが新たに導通
状態になることにより、反転出力データc、d、e、f
は共にrLJになり、出力データc、d、e、fはrH
Jになる。
データtがrHJになり、テストモードになったとする
。この時、ゲートが人力信号線3に接続されたプログラ
ム用NMOS型トランジスタT9.TIOが新たに導通
状態になることにより、反転出力データc、d、e、f
は共にrLJになり、出力データc、d、e、fはrH
Jになる。
同様にして入力データa、bおよびコントロールデータ
tのすべての論理値に対して求まる出力データc、d、
e、fの論理値を表わす真理値表を3頁の表11表2に
示す。表1は通常モードの場合であり、表2はテストモ
ードの場合である。
tのすべての論理値に対して求まる出力データc、d、
e、fの論理値を表わす真理値表を3頁の表11表2に
示す。表1は通常モードの場合であり、表2はテストモ
ードの場合である。
従来の組み合わせ論理回路は以上のように構成されてい
るので、たとえば、通常モードとテストモードの2つの
モードの切り換えによって異なる論理機能を実現させた
い場合、大規模LSI等ではコントロールデータを入力
用の入力信号線3やプログラム用NMOS型トランジス
タが多数必要となり、面積が大きくなるという問題があ
った。
るので、たとえば、通常モードとテストモードの2つの
モードの切り換えによって異なる論理機能を実現させた
い場合、大規模LSI等ではコントロールデータを入力
用の入力信号線3やプログラム用NMOS型トランジス
タが多数必要となり、面積が大きくなるという問題があ
った。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、コントロールデータ用の入力信
号線を必要とせず、面積の増大なしに、容易にモード切
り換えを行え、異なる論理機能を実現できる組み合わせ
論理回路を得ることにある。
の目的とするところは、コントロールデータ用の入力信
号線を必要とせず、面積の増大なしに、容易にモード切
り換えを行え、異なる論理機能を実現できる組み合わせ
論理回路を得ることにある。
このような目的を達成するために本発明は、入力信号線
と出力信号線との交点に配置されたMO8型トランジス
タとして、第1の電位とこの第1の電位よりも高い第2
の電位とのいずれでも動作する第1のMOS型トランジ
ス゛りと、第1の電位では動作せず第2の電位で動作す
る第2のMOS型トランジスタとを設けるようにしたも
のである。
と出力信号線との交点に配置されたMO8型トランジス
タとして、第1の電位とこの第1の電位よりも高い第2
の電位とのいずれでも動作する第1のMOS型トランジ
ス゛りと、第1の電位では動作せず第2の電位で動作す
る第2のMOS型トランジスタとを設けるようにしたも
のである。
本発明においては、通常の電源電圧は第1の電位であり
、通常のしきい値を持つMOS型トランジスタが動作し
ているが、電源電圧が第1の電位より高い第2の電位に
なると、高いしきい値を持つMOS型トランジスタが動
作を始め、第1の電位印加時とは異なる論理機能をもつ
ようになる。
、通常のしきい値を持つMOS型トランジスタが動作し
ているが、電源電圧が第1の電位より高い第2の電位に
なると、高いしきい値を持つMOS型トランジスタが動
作を始め、第1の電位印加時とは異なる論理機能をもつ
ようになる。
また第2の電位を第1の電位にもどすことによりもとの
論理機能にもどる。
論理機能にもどる。
第1図に本発明に係わる組み合わせ論理回路の一実施例
を示す。第1図において、THI、TH2は高いしきい
値(この実施例ではその値は6■)を持つプログラム用
NMOS型トランジスタである。第1図において第2図
と同一部分又は相当部分には同一符号が付しである。プ
ログラム用NMOS型トランジスタT1〜T8は通常の
しきい値(この実施例ではその値はIV)を持ち、その
ゲートは入力信号線1.2または入力信号線4゜5のい
ずれかに接続され、そのドレインは出力信号線7,8,
9.10のいずれかに接続され、そのソースは接地され
ている。NMOS型トランジスタTHI、TH2はNM
OS型トランジスタT1〜T8と同様に接続されている
。
を示す。第1図において、THI、TH2は高いしきい
値(この実施例ではその値は6■)を持つプログラム用
NMOS型トランジスタである。第1図において第2図
と同一部分又は相当部分には同一符号が付しである。プ
ログラム用NMOS型トランジスタT1〜T8は通常の
しきい値(この実施例ではその値はIV)を持ち、その
ゲートは入力信号線1.2または入力信号線4゜5のい
ずれかに接続され、そのドレインは出力信号線7,8,
9.10のいずれかに接続され、そのソースは接地され
ている。NMOS型トランジスタTHI、TH2はNM
OS型トランジスタT1〜T8と同様に接続されている
。
次にこの組み合わせ論理回路の動作について説明する。
最初、電源Vの電圧は第1の電位、すなわち、通常の電
圧(この実施例ではその電圧値は5V)であり、通常モ
ードであるとする。この時、入力データa、bおよび反
転入力データ丁、可の電位の変化は「0」から「5」■
までであるので、高いしきい値を持つプログラム用NM
OS型トランジスタTHI、TH2は常に非導通状態で
ある。
圧(この実施例ではその電圧値は5V)であり、通常モ
ードであるとする。この時、入力データa、bおよび反
転入力データ丁、可の電位の変化は「0」から「5」■
までであるので、高いしきい値を持つプログラム用NM
OS型トランジスタTHI、TH2は常に非導通状態で
ある。
ここで、入力データa、bが共に「L」になると、ゲー
トが入力信号′ai、2に接続されたプログラム用NM
OS型トランジスタT3.T4.T7゜T8は非導通状
態になる。また、インバータ■1、■2により反転入力
データa、bは共にrHJになるので、ゲートを入力信
号線4.5に接続されたプログラム用NMOS型トラン
ジスタTl。
トが入力信号′ai、2に接続されたプログラム用NM
OS型トランジスタT3.T4.T7゜T8は非導通状
態になる。また、インバータ■1、■2により反転入力
データa、bは共にrHJになるので、ゲートを入力信
号線4.5に接続されたプログラム用NMOS型トラン
ジスタTl。
T2.T5.T6が導通状態になり、貫通電流が電源■
から低いしきい値を持つプログラム用NMOS型トラン
ジスタTI、T2.T5.T6を通して接地Gに流れる
。このことにより、反転出力データτ、了、了はrLJ
になり、インバータI4.15.17により出力データ
c、d、fは「H」になる。また、ゲートを入力信号線
1,2に接続され、ドレインを出力信号線9に接続され
た通常のしきい値を持つプログラム用NMOS型トラン
ジスタT3.T8は非導通状態なので、反転出力データ
τは電源VによりrHJになり、出力データeはrLJ
になる。
から低いしきい値を持つプログラム用NMOS型トラン
ジスタTI、T2.T5.T6を通して接地Gに流れる
。このことにより、反転出力データτ、了、了はrLJ
になり、インバータI4.15.17により出力データ
c、d、fは「H」になる。また、ゲートを入力信号線
1,2に接続され、ドレインを出力信号線9に接続され
た通常のしきい値を持つプログラム用NMOS型トラン
ジスタT3.T8は非導通状態なので、反転出力データ
τは電源VによりrHJになり、出力データeはrLJ
になる。
次に入力データa、bはrLJのままで、電源■を第2
の電位、すなわち、通常の電位より高い電位(この実施
例ではその値は8V)にしてテストモードにする。この
時、入力データa、bおよび反転入力データi、τの電
位の変化は「0」から「8」■までであるので、高いし
きい値を持つプログラム用NMOS型トランジスタTH
I、TH2が動作可能になる。そのため、ゲートを入力
信号線4.5に接続された高いしきい値を持つプログラ
ム用NMOS型トランジスタTHI、TH2が新たに導
通状態となり、反転出力データτ2d、e、fはrLJ
になり、出力データc、d。
の電位、すなわち、通常の電位より高い電位(この実施
例ではその値は8V)にしてテストモードにする。この
時、入力データa、bおよび反転入力データi、τの電
位の変化は「0」から「8」■までであるので、高いし
きい値を持つプログラム用NMOS型トランジスタTH
I、TH2が動作可能になる。そのため、ゲートを入力
信号線4.5に接続された高いしきい値を持つプログラ
ム用NMOS型トランジスタTHI、TH2が新たに導
通状態となり、反転出力データτ2d、e、fはrLJ
になり、出力データc、d。
e、 fはrF(Jになる。
同様にして入力データa、bのすべての論理値に対して
求まる出力データc、d、e、fの論理値を表わす真理
値表を次頁の表32表4に示す。
求まる出力データc、d、e、fの論理値を表わす真理
値表を次頁の表32表4に示す。
表3は通常モードの場合であり、表4はテストモードの
場合である。入力データtを除外すれば、表3は表1と
全く同一であり、表4は表2と全く同一である。すなわ
ち、この組み合わせ論理回路は従来の組み合わせ論理回
路と同一の機能を有する。
場合である。入力データtを除外すれば、表3は表1と
全く同一であり、表4は表2と全く同一である。すなわ
ち、この組み合わせ論理回路は従来の組み合わせ論理回
路と同一の機能を有する。
以上のように、しきい値の異なるNMOS型O3ンジス
タをプログラム素子として用いることにより、通常の電
源電圧印加時とこれより高い電源電圧印加時とで組み合
わせ論理回路に異なる論理機能をもたせることができる
。− なお、上記実施例ではデコーダ回路についてのみ述べた
が、これをプログラマブルロジックアレイのアンドアレ
イもしくはオアアレイ又は読み出し専用メモリのメモリ
セルアレイに対して用いてもよく、上記実施例と同様の
効果を奏する。
タをプログラム素子として用いることにより、通常の電
源電圧印加時とこれより高い電源電圧印加時とで組み合
わせ論理回路に異なる論理機能をもたせることができる
。− なお、上記実施例ではデコーダ回路についてのみ述べた
が、これをプログラマブルロジックアレイのアンドアレ
イもしくはオアアレイ又は読み出し専用メモリのメモリ
セルアレイに対して用いてもよく、上記実施例と同様の
効果を奏する。
以上説明したように本発明は、入力信号線と出力信号線
との交点に配置されたMOS型トランジスタとして、第
1の電位とこの第1の電位よりも高い第2の電位とのい
ずれでも動作する第1のMO8型トランジスタと、第1
の電位では動作せず第2の電位で動作する第2のMOS
型トランジスタとを設けることにより、外部から加える
電源電圧を通常モードとテストモードに従って変化させ
るだけで、簡単にかつ面積の増大なしに1つの組み合わ
せ論理回路で異なる論理機能が得られる効果がある。
との交点に配置されたMOS型トランジスタとして、第
1の電位とこの第1の電位よりも高い第2の電位とのい
ずれでも動作する第1のMO8型トランジスタと、第1
の電位では動作せず第2の電位で動作する第2のMOS
型トランジスタとを設けることにより、外部から加える
電源電圧を通常モードとテストモードに従って変化させ
るだけで、簡単にかつ面積の増大なしに1つの組み合わ
せ論理回路で異なる論理機能が得られる効果がある。
第1図は本発明に係わる組み合わせ論理回路の一実施例
を示す回路図、第2図は従来の組み合わせ論理回路を示
す回路図である。 1.2,4.5・・・・入力信号線、7〜14・・・・
出力信号線、It、12.ih〜17・・・・インバー
タ、T1〜T8.THI、TH2・・・・プログラム用
NMOS型トランジスタ、■・・・・電源、R・・・・
負荷素子、G・・・・接地。
を示す回路図、第2図は従来の組み合わせ論理回路を示
す回路図である。 1.2,4.5・・・・入力信号線、7〜14・・・・
出力信号線、It、12.ih〜17・・・・インバー
タ、T1〜T8.THI、TH2・・・・プログラム用
NMOS型トランジスタ、■・・・・電源、R・・・・
負荷素子、G・・・・接地。
Claims (1)
- 第1の方向に配置された入力信号線と、第2の方向に配
置された出力信号線と、ゲートが前記入力信号線に接続
されドレインが前記出力信号線に接続され前記入力信号
線と出力信号線との交点に配置されたMOS型トランジ
スタとを有し、前記入力信号線と出力信号線との交点に
前記MOS型トランジスタが有るか否かにより任意のプ
ログラムを実現する組み合わせ論理回路において、前記
MOS型トランジスタは、第1の電位とこの第1の電位
よりも高い第2の電位とのいずれでも動作する第1のM
OS型トランジスタと、前記第1の電位では動作せず前
記第2の電位で動作する第2のMOS型トランジスタと
から構成されたことを特徴とする組み合わせ論理回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60176468A JPS6234420A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | 組み合わせ論理回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60176468A JPS6234420A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | 組み合わせ論理回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6234420A true JPS6234420A (ja) | 1987-02-14 |
| JPH035094B2 JPH035094B2 (ja) | 1991-01-24 |
Family
ID=16014205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60176468A Granted JPS6234420A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | 組み合わせ論理回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6234420A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6830632B1 (en) | 2002-07-24 | 2004-12-14 | Lucas Milhaupt, Inc. | Flux cored preforms for brazing |
-
1985
- 1985-08-07 JP JP60176468A patent/JPS6234420A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH035094B2 (ja) | 1991-01-24 |
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