JPS6235211A - レ−ザ走査型外径測定器 - Google Patents
レ−ザ走査型外径測定器Info
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- JPS6235211A JPS6235211A JP17533485A JP17533485A JPS6235211A JP S6235211 A JPS6235211 A JP S6235211A JP 17533485 A JP17533485 A JP 17533485A JP 17533485 A JP17533485 A JP 17533485A JP S6235211 A JPS6235211 A JP S6235211A
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- JP
- Japan
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- lens
- outer diameter
- collimating lens
- light
- laser
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000004801 process automation Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば光ファイ・クー、ta、ケーブル等の
測定物の外径をレーザ走査によ)測定する弁参呑衾→レ
ーザ走査型外径測定器に関しj、。
測定物の外径をレーザ走査によ)測定する弁参呑衾→レ
ーザ走査型外径測定器に関しj、。
特に装置構造の簡略化手段に関する。
レーザ走査型外径測定器は、非接触状態で外径寸法を迅
速かつ高精度に測定できることから、極めて幅広い産業
分野での生産工程や検査工程等に導入されておシ、工程
の自動化に大きく貢献している。
速かつ高精度に測定できることから、極めて幅広い産業
分野での生産工程や検査工程等に導入されておシ、工程
の自動化に大きく貢献している。
レーザ走査型外径測定器における測定原理は、一定の速
さで走査を繰返すレーザ光束の中に測定物を置き、測定
物によって生じる影の長さを受光器で検出することによ
って、外径測定を行なうものである。
さで走査を繰返すレーザ光束の中に測定物を置き、測定
物によって生じる影の長さを受光器で検出することによ
って、外径測定を行なうものである。
第9図は従来のレーザ走査型外径測定器の構成を示す図
である。レーザIから出射したレーザ光はミラー2 a
r 2 bおよびコリメートレンズ3を通シ、ポリゴ
ンミラー4に入射する。ポリゴンミラー4は発振器5の
出力信号に応動するモータドライバ6によって駆動され
るモータ7に連結されている。ポリゴンミラー4からの
反射光は、コリメートレンズ3により平行光束化された
のち、第1の窓8および第2の窓9を通過して集光レン
ズ10により集光され、光検出器11に入射する。この
とき第1、第2の窓8.9間の平行光束移動領域内に置
かれた測定物I2により平行光束の一部が遮られるので
、光検出器11の出力信号にはエツジ部が生じる。
である。レーザIから出射したレーザ光はミラー2 a
r 2 bおよびコリメートレンズ3を通シ、ポリゴ
ンミラー4に入射する。ポリゴンミラー4は発振器5の
出力信号に応動するモータドライバ6によって駆動され
るモータ7に連結されている。ポリゴンミラー4からの
反射光は、コリメートレンズ3により平行光束化された
のち、第1の窓8および第2の窓9を通過して集光レン
ズ10により集光され、光検出器11に入射する。この
とき第1、第2の窓8.9間の平行光束移動領域内に置
かれた測定物I2により平行光束の一部が遮られるので
、光検出器11の出力信号にはエツジ部が生じる。
このエツジ部はエツジ検出器13にて検出される。そし
てこのエツジ検出信号に基いたf−)信号がダート回路
14により形成され、カウンタ15に与えられる。カウ
ンタz5はそのダート時間に対応する期間中に発振器5
から到来するパルス列を計数し、これをディジタル表示
器Z6に供給する。かくして測定物Z2の外径が表示さ
れ、測定されることになる。
てこのエツジ検出信号に基いたf−)信号がダート回路
14により形成され、カウンタ15に与えられる。カウ
ンタz5はそのダート時間に対応する期間中に発振器5
から到来するパルス列を計数し、これをディジタル表示
器Z6に供給する。かくして測定物Z2の外径が表示さ
れ、測定されることになる。
しかるに上記従来のレーザ走査型外径測定器においては
、光学的に極めて高精度なボIJ コンミラー4を必要
とし、構成が複雑でコスト高となる上、ポリがンミラー
4を回転駆動するモータ7、ドライバ6等を必要とする
ので、極めて大型で重量の重いものとなるという問題が
あった。
、光学的に極めて高精度なボIJ コンミラー4を必要
とし、構成が複雑でコスト高となる上、ポリがンミラー
4を回転駆動するモータ7、ドライバ6等を必要とする
ので、極めて大型で重量の重いものとなるという問題が
あった。
そこで本発明は、構成が簡単で低コストで製作可能であ
る上、小型軽量なレーザ走査型外径測定器を提供するこ
とを目的とする。
る上、小型軽量なレーザ走査型外径測定器を提供するこ
とを目的とする。
本発明は上記問題点を解決し目的を達成するために、次
のような手段を講じたことを特徴としている。すなわち
、出射光の偏向機能を有する半導体レーザを設け、この
半導体レーザからの出射光を平行光束化するようにコリ
メートレンズを設け、このコリメートレンズにより平行
光束化された光を集光する如く集光レンズを設け、この
集光レンズにより集光された光を受光し前記コリメート
レンズと集光レンズとの間の平行光束移動領域内に置か
れた測定物の外径情報を検出する如く検出手段を設ける
。
のような手段を講じたことを特徴としている。すなわち
、出射光の偏向機能を有する半導体レーザを設け、この
半導体レーザからの出射光を平行光束化するようにコリ
メートレンズを設け、このコリメートレンズにより平行
光束化された光を集光する如く集光レンズを設け、この
集光レンズにより集光された光を受光し前記コリメート
レンズと集光レンズとの間の平行光束移動領域内に置か
れた測定物の外径情報を検出する如く検出手段を設ける
。
光源として出射光を偏向させ得る機能をもった半導体レ
ーザを用いているので、メカニカルな回転式偏向機構で
あるポリゴンミラー等を用いずに外径測定することが可
能となる。
ーザを用いているので、メカニカルな回転式偏向機構で
あるポリゴンミラー等を用いずに外径測定することが可
能となる。
第1図は本発明の第1の実施例ν全体的構成を示す図で
ある。第1図において20は出射光を偏向させ得る機能
をもった半導体レーザ即ちビームスキャニングレーザ(
以下BSLと略称スる)である。このBSL 20から
の出射光はコリメートレンズ3により平行光束化され、
集光レンズ10により集光されて光検出器z1に入射す
る。BSL 20の出射光が矢印X方向に偏向制御され
ると、レンズ3.10間の平行光束は矢印Y方向に平行
移動し、集光レンズ10を通過後の光は矢印2方向に移
動する。したがってコリメートレンズ3と集光レンズ1
0との間の平行光束移動領域内に、例えばファイバー、
電線、ケーブルなどの測定物I2を置き、この測定物1
2による遮光時間を光検出器以下の計測系にて計測する
ことにより、その外径を測定することができる。ただし
平行光束が一定速度で移動するようにBSL 20のビ
ームスキャニング速度を制御する必要がある。そこで以
下BSL 20について説明する。
ある。第1図において20は出射光を偏向させ得る機能
をもった半導体レーザ即ちビームスキャニングレーザ(
以下BSLと略称スる)である。このBSL 20から
の出射光はコリメートレンズ3により平行光束化され、
集光レンズ10により集光されて光検出器z1に入射す
る。BSL 20の出射光が矢印X方向に偏向制御され
ると、レンズ3.10間の平行光束は矢印Y方向に平行
移動し、集光レンズ10を通過後の光は矢印2方向に移
動する。したがってコリメートレンズ3と集光レンズ1
0との間の平行光束移動領域内に、例えばファイバー、
電線、ケーブルなどの測定物I2を置き、この測定物1
2による遮光時間を光検出器以下の計測系にて計測する
ことにより、その外径を測定することができる。ただし
平行光束が一定速度で移動するようにBSL 20のビ
ームスキャニング速度を制御する必要がある。そこで以
下BSL 20について説明する。
半導体レーザ夜は、一般にその導波機構に応じて、屈折
率導波型と利得導波型との二つに分けられる。前者は、
半導体レーザの活性層の接合面に対し、垂直方向および
平行方向ともに屈折率によって光が導波される機構をも
ったものであるのに対し、稜者は活性層に注入されるキ
ャリア密度に依存する利得の高いところに沿って光が導
波されるという性質に基いた機構を有するものである。
率導波型と利得導波型との二つに分けられる。前者は、
半導体レーザの活性層の接合面に対し、垂直方向および
平行方向ともに屈折率によって光が導波される機構をも
ったものであるのに対し、稜者は活性層に注入されるキ
ャリア密度に依存する利得の高いところに沿って光が導
波されるという性質に基いた機構を有するものである。
BSL 20は、この利得導波機構を積極的に活用した
ものである。すなわち、通常の利得導波型半導体レーザ
の活性層内の利得分布は、活性層上に電流注入電極が一
様に形成されているので、活性層中心に対して対称に分
布する。一方、BSL 20の場合には、活性層上に2
つに分割した電極が形成されておシ、しかもこの一対の
電極には独立に電流を注入することができるので、活性
層内の利得分布を非対称にすることができる。
ものである。すなわち、通常の利得導波型半導体レーザ
の活性層内の利得分布は、活性層上に電流注入電極が一
様に形成されているので、活性層中心に対して対称に分
布する。一方、BSL 20の場合には、活性層上に2
つに分割した電極が形成されておシ、しかもこの一対の
電極には独立に電流を注入することができるので、活性
層内の利得分布を非対称にすることができる。
第2図はBSL 20の構造例を示す斜視図であシ、文
献r D、 R,5cifrea Appl Phys
Lett 33(8)、702.1978Jに示され
ているものである。
献r D、 R,5cifrea Appl Phys
Lett 33(8)、702.1978Jに示され
ているものである。
第2図に示すようにn型GaA1基板21上に、n型G
a 0.5 AtO,5Asクラッド層22、p型Ga
O,95AL O,05Am活性層23、p型Ga O
,5A/=0.5Asり5ラド層24及びn型GaAs
キaryプ二分割された電極27h 、27bが設けで
ある。
a 0.5 AtO,5Asクラッド層22、p型Ga
O,95AL O,05Am活性層23、p型Ga O
,5A/=0.5Asり5ラド層24及びn型GaAs
キaryプ二分割された電極27h 、27bが設けで
ある。
すなわちこの電極27a 、27bは、電極分割部分2
8において分離されておシ、一対のIJ−ド線29*、
29bを介してそれぞれ独立に電流11+1.を注入可
能になっている。また前記キャッゾ層25の電極27*
、27bと接している部分には、それぞれZn拡散領
域30h 。
8において分離されておシ、一対のIJ−ド線29*、
29bを介してそれぞれ独立に電流11+1.を注入可
能になっている。また前記キャッゾ層25の電極27*
、27bと接している部分には、それぞれZn拡散領
域30h 。
30bが設けてあシ、電極27a、27bから注入され
る電流励起領域を制限するようになっている。
る電流励起領域を制限するようになっている。
活性層237の活性領域3ノにおける非対称利)得分布
は、上述した注入電流工1112の比を−変えることに
より行う。
は、上述した注入電流工1112の比を−変えることに
より行う。
すなわち、注入電流を非対称(Il−II−I2 )に
すると、活性層23内忙注入されるキャリアの密度は注
入電流の大きい電極側が高くなる。
すると、活性層23内忙注入されるキャリアの密度は注
入電流の大きい電極側が高くなる。
例えばr、)r、の場合には、電極27a側からキャリ
アが多く注入され、活性領域31内での利得はIl側が
高くなる。従って、利得分布のピークが271L側に偏
った第3図(、)に示すような分布を示す。逆にIf<
Il とすると、活性領域31内での利得は工2側が高
くなシ、利得分布のピークが27b側に偏った第3図(
b)に示すような分布を示す。第3図(a) 、 (b
)に示す利得分布を形成した場合の活性層23の光モー
ドの波面の位相は、第4図(a) 、 (b)に示すよ
うに傾斜した波面となることがわかる。波面の傾斜のと
平行な方向を示す。
アが多く注入され、活性領域31内での利得はIl側が
高くなる。従って、利得分布のピークが271L側に偏
った第3図(、)に示すような分布を示す。逆にIf<
Il とすると、活性領域31内での利得は工2側が高
くなシ、利得分布のピークが27b側に偏った第3図(
b)に示すような分布を示す。第3図(a) 、 (b
)に示す利得分布を形成した場合の活性層23の光モー
ドの波面の位相は、第4図(a) 、 (b)に示すよ
うに傾斜した波面となることがわかる。波面の傾斜のと
平行な方向を示す。
レーザ出射光の方向は、活性層23内の光のして所定角
度偏向された方向にピークを有している。
度偏向された方向にピークを有している。
この出射光ピーク位置は、活性層23への注BSLll
の光源としての動作の特徴は、第6図(、)に示すよう
に、出射光の強度分布のピークpを注入電流比II/I
2の可変操作により矢印で示すように連続的に偏向させ
ることができる点である。
の光源としての動作の特徴は、第6図(、)に示すよう
に、出射光の強度分布のピークpを注入電流比II/I
2の可変操作により矢印で示すように連続的に偏向させ
ることができる点である。
従って、第6図(b) K示すように、BSI、 20
りi4の出射端面をレンズの焦点(fは焦点距離)上に
置くことにより、レーザビームの矢印Xの゛ようなヒー
ム偏向動作に応じて、レンズ3通過後の平行光束を矢印
Yのように平行移動することが可能になる。
りi4の出射端面をレンズの焦点(fは焦点距離)上に
置くことにより、レーザビームの矢印Xの゛ようなヒー
ム偏向動作に応じて、レンズ3通過後の平行光束を矢印
Yのように平行移動することが可能になる。
つ1シ、BSL 20とコリメートレンズ3との組合わ
せにより、光源であるBSL 20のビームスキャニン
グ動作を行なうのみで、ポリコ9ノミラーなどのメカニ
カルな回転式偏向機構を用いずに平行光束の平行移動を
容易かつ精度よく行なえる。
せにより、光源であるBSL 20のビームスキャニン
グ動作を行なうのみで、ポリコ9ノミラーなどのメカニ
カルな回転式偏向機構を用いずに平行光束の平行移動を
容易かつ精度よく行なえる。
第7図は本発明の第2の実施例の主要部を示す図である
。この実施例が前記第1の実施例と異なる点は、コリメ
ートレンズ3と集光レンズ10との間の平行光束移動領
域内に、偏向方向を同一方向に揃えた一対の偏向板41
.42を挿入した点である。すなわち半導体レーザの発
振モードはTEモードであり、接合面に平行な方向に電
界が振動するので、偏向板41.42の偏向方向を半導
体レーザすなわちBSL 20の接合方向に揃えて設置
する。
。この実施例が前記第1の実施例と異なる点は、コリメ
ートレンズ3と集光レンズ10との間の平行光束移動領
域内に、偏向方向を同一方向に揃えた一対の偏向板41
.42を挿入した点である。すなわち半導体レーザの発
振モードはTEモードであり、接合面に平行な方向に電
界が振動するので、偏向板41.42の偏向方向を半導
体レーザすなわちBSL 20の接合方向に揃えて設置
する。
このように構成された第2の実施例によれば、測定物1
20表面での反射に起因する偏向方向の回転による誤差
を除去することができる。その結果、光検出感度を高め
得る利点がある。
20表面での反射に起因する偏向方向の回転による誤差
を除去することができる。その結果、光検出感度を高め
得る利点がある。
第8図は本発明の第3の実施例の主要部を示す図である
。この実施例が前記第1の実施例と異なる点は、光検出
器として測定物I2の投影像を受光検出可能な二次元ア
レイ状の光検出器43を用いた点である。すなわちこの
実施例は、測定物12によって生じた影を、二次元アレ
イ状の光検出器43上に投影し、その投影像の長さから
直接的に測定物の12の外径を測定するようにした例で
ある。
。この実施例が前記第1の実施例と異なる点は、光検出
器として測定物I2の投影像を受光検出可能な二次元ア
レイ状の光検出器43を用いた点である。すなわちこの
実施例は、測定物12によって生じた影を、二次元アレ
イ状の光検出器43上に投影し、その投影像の長さから
直接的に測定物の12の外径を測定するようにした例で
ある。
この第3の実施例によれば、計測系の信号処理回路の構
成が簡略化する利点がある。
成が簡略化する利点がある。
なお本発明は前記各実施例に限定されるものではない。
例えばBSL 20とコリメートレンズ3との間に、B
SL 20の出射光を真円化するための整形フプリズム
などを挿入するようにしてもよい。このほか本発明の要
旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能であるのは勿論
である。
SL 20の出射光を真円化するための整形フプリズム
などを挿入するようにしてもよい。このほか本発明の要
旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能であるのは勿論
である。
本発明によれば、光源として出射光を偏向させ得る機能
をもった半導体レーザを用いているので、メカニカルな
回転式偏向機洛であるポリゴンミラー等を用いずに外径
測定することが可能となる。その結果、構成が簡単で低
コストで製作可能である上、小型@量なレーザ走査型外
径測定器を提供できる。
をもった半導体レーザを用いているので、メカニカルな
回転式偏向機洛であるポリゴンミラー等を用いずに外径
測定することが可能となる。その結果、構成が簡単で低
コストで製作可能である上、小型@量なレーザ走査型外
径測定器を提供できる。
第1図は本発明の第1の実施例の全体的檜成を示す図、
閉2図は同実施例のBSLを示す斜視図、第3図(a)
、 (b) 〜第5図(a) 、 (b)は同BSL
、の特性を示す図、第6図(a) 、 (b)は同BS
Lの作用を示す図、第7図は本発明の第2の実施例の主
要部を示す図、第8図は本発明の第3の実施例の主要部
を示す図である。第9図は従来例の構成を示す図である
。 3・・・コリメートレンズ、10・・・集光レンズ、I
I・・・光検出器、20・・・BSL (ビームスキャ
ニングレーザ)。 出ト人代理人 弁理士 坪 井 浮筒1図 第2因 (a ) (b )第3図 第4図 第6図 第8図 第9図
閉2図は同実施例のBSLを示す斜視図、第3図(a)
、 (b) 〜第5図(a) 、 (b)は同BSL
、の特性を示す図、第6図(a) 、 (b)は同BS
Lの作用を示す図、第7図は本発明の第2の実施例の主
要部を示す図、第8図は本発明の第3の実施例の主要部
を示す図である。第9図は従来例の構成を示す図である
。 3・・・コリメートレンズ、10・・・集光レンズ、I
I・・・光検出器、20・・・BSL (ビームスキャ
ニングレーザ)。 出ト人代理人 弁理士 坪 井 浮筒1図 第2因 (a ) (b )第3図 第4図 第6図 第8図 第9図
Claims (3)
- (1)出射光の偏光機能を有する半導体レーザと、この
半導体レーザからの出射光を平行光束化するように設け
られたコリメートレンズと、このコリメートレンズによ
り平行光束化された光を集光する集光レンズと、この集
光レンズにより集光された光を受光し前記コリメートレ
ンズと集光レンズとの間の平行光束移動領域内に置かれ
た測定物の外径情報を検出する検出手段とを具備したこ
とを特徴とするレーザ走査型外径測定器。 - (2)コリメートレンズと集光レンズとの間の平行光束
移動領域は、偏向方向の異なる光を除去する偏向板を備
えたものであることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載のレーザ走査型外径測定器。 - (3)検出手段は、測定物の投影像を受光する二次元ア
レイ状の光検出器であることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載のレーザ走査型外径測定器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17533485A JPS6235211A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | レ−ザ走査型外径測定器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17533485A JPS6235211A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | レ−ザ走査型外径測定器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6235211A true JPS6235211A (ja) | 1987-02-16 |
Family
ID=15994252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17533485A Pending JPS6235211A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | レ−ザ走査型外径測定器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6235211A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0328703A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-02-06 | Power Reactor & Nuclear Fuel Dev Corp | 燃料集合体の検査方法 |
| JP2003066012A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-05 | Idemitsu Eng Co Ltd | 表面波による欠陥の検査方法及び検査装置 |
| CN102087100A (zh) * | 2010-11-23 | 2011-06-08 | 东莞市日新传导科技股份有限公司 | 基于fpga的激光测径方法 |
| CN110836693A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-02-25 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种测量杂质弹丸大小及注入频率的方法及装置 |
| CN112781488A (zh) * | 2019-11-11 | 2021-05-11 | 中国计量大学 | 一种基于线阵ccd的工件尺寸测量装置 |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP17533485A patent/JPS6235211A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0328703A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-02-06 | Power Reactor & Nuclear Fuel Dev Corp | 燃料集合体の検査方法 |
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