JPS6235236B2 - - Google Patents
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- JPS6235236B2 JPS6235236B2 JP57082908A JP8290882A JPS6235236B2 JP S6235236 B2 JPS6235236 B2 JP S6235236B2 JP 57082908 A JP57082908 A JP 57082908A JP 8290882 A JP8290882 A JP 8290882A JP S6235236 B2 JPS6235236 B2 JP S6235236B2
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- phosphor
- phosphor layer
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、一対の電極間に螢光体層を挾持し、
両電極間に直流電圧を印加して螢光体を発光させ
るエレクトロルミネツセンス表示素子（以下EL
表示素子という）の製造方法に関する。
両電極間に直流電圧を印加して螢光体を発光させ
るエレクトロルミネツセンス表示素子（以下EL
表示素子という）の製造方法に関する。
硫化亜鉛（ZnS）等を基体として活性剤や付活
性剤の不純物を注入した螢光体に電圧を印加すれ
ば発光する現象はエレクトロルミネツセンス
（EL）として周知であり、この現象を利用した
EL発光素子が開発されている。EL発光素子は消
費電力量や発熱量が少なく、また非常に薄く作成
できるので近年省エネルギー光源として注目され
ている。又、電子機器の急速なデジタル化が進み
表示形態が多様化している中でEL発光素子も表
示用として実用化が試みられている。ところが、
EL発光素子は、内部に水分が存在すれば、硫化
亜鉛等の螢光体の分解が進み輝度劣化が非常に激
しくなり、EL表示素子として使用に耐えられな
くなる。このためEL表示素子製造にあたつて
は、素子内部に水分が存在しないように十分注意
しなければならない。
性剤の不純物を注入した螢光体に電圧を印加すれ
ば発光する現象はエレクトロルミネツセンス
（EL）として周知であり、この現象を利用した
EL発光素子が開発されている。EL発光素子は消
費電力量や発熱量が少なく、また非常に薄く作成
できるので近年省エネルギー光源として注目され
ている。又、電子機器の急速なデジタル化が進み
表示形態が多様化している中でEL発光素子も表
示用として実用化が試みられている。ところが、
EL発光素子は、内部に水分が存在すれば、硫化
亜鉛等の螢光体の分解が進み輝度劣化が非常に激
しくなり、EL表示素子として使用に耐えられな
くなる。このためEL表示素子製造にあたつて
は、素子内部に水分が存在しないように十分注意
しなければならない。
第１図は、一般的なEL表示素子の構成を示
し、１は三フツ化塩化エチレン等からなる有機透
明絶縁フイルム、２は、メツシユ状に形成した金
やアルミニウム又はITO（InとSnの酸化物）等を
透明絶縁フイルム上に蒸着して形成したEL光の
透過可能な透明電極で、３は硫化亜鉛やセレン化
亜鉛などに銅、マンガン、アルミニウム、塩素臭
素等の活性剤や付活性剤を注入した螢光体粉末
を、シアノエチル化セルロースやフツソ樹脂等の
有機質バインダー中に分散させてなる螢光体層、
４はアルミニユウムや金の箔又は板を用い対向電
極、５はフツ化塩化エチレンフイルム単体か又は
三フツ化塩化エチレンフイルムとポリエチレンフ
イルムとをラミネート接着した防湿用保護フイル
ムである。叙上の構成のEL表示素子の透明電極
２と対向電極４間に直流電圧を印加すると螢光体
層３が発光し表示が行われる。
し、１は三フツ化塩化エチレン等からなる有機透
明絶縁フイルム、２は、メツシユ状に形成した金
やアルミニウム又はITO（InとSnの酸化物）等を
透明絶縁フイルム上に蒸着して形成したEL光の
透過可能な透明電極で、３は硫化亜鉛やセレン化
亜鉛などに銅、マンガン、アルミニウム、塩素臭
素等の活性剤や付活性剤を注入した螢光体粉末
を、シアノエチル化セルロースやフツソ樹脂等の
有機質バインダー中に分散させてなる螢光体層、
４はアルミニユウムや金の箔又は板を用い対向電
極、５はフツ化塩化エチレンフイルム単体か又は
三フツ化塩化エチレンフイルムとポリエチレンフ
イルムとをラミネート接着した防湿用保護フイル
ムである。叙上の構成のEL表示素子の透明電極
２と対向電極４間に直流電圧を印加すると螢光体
層３が発光し表示が行われる。
次に従来のEL表示素子の製造方法を説明す
る。まず、アルミニウム等の金属箔又は金属板か
らなる対向電極４上に、シアノエチル化セルロー
スと螢光体粉末とを混合した螢光体層形成用ペー
ストを塗布乾燥して螢光体層３を形成する。さら
に透明絶縁フイルム１上に形成された透明電極２
を前記螢光体層３上に載置して加熱加圧して接着
し、EL表示素子基体を製造する。
る。まず、アルミニウム等の金属箔又は金属板か
らなる対向電極４上に、シアノエチル化セルロー
スと螢光体粉末とを混合した螢光体層形成用ペー
ストを塗布乾燥して螢光体層３を形成する。さら
に透明絶縁フイルム１上に形成された透明電極２
を前記螢光体層３上に載置して加熱加圧して接着
し、EL表示素子基体を製造する。
さらに、EL表示素子基体を、三フツ化塩化エ
チレンフイルム単体か又は三フツ化塩化エチレン
フイルムとポリエチレンフイルムとをラミネート
接着した防湿用保護フイルムでサンドウイツチ状
に挾み込み加熱ロール間を通過させ接着封止して
EL表示素子を作製していた。
チレンフイルム単体か又は三フツ化塩化エチレン
フイルムとポリエチレンフイルムとをラミネート
接着した防湿用保護フイルムでサンドウイツチ状
に挾み込み加熱ロール間を通過させ接着封止して
EL表示素子を作製していた。
第２図Ａ，Ｂは、叙上の従来の方法で作製した
EL表示素子を示したもので、それぞれ正面図及
び断側面図である。従来の製法で作製したEL表
示素子は、第２図Ａに示した如く、防湿効果を上
げるため保護フイルム５の周辺（非表示部）を、
EL表示素子基板より３〜５mm大きく作製しなけ
ればならなかつた。又、第２図Ｂに示した如く、
EL表示素子基体６を保護フイルム５で接着封止
する際、EL表示素子基体６の端部付近に空隙７
が生じ易く該空隙７に水分を含み易く、完成した
EL表示素子の信頼性を低下させていた。
EL表示素子を示したもので、それぞれ正面図及
び断側面図である。従来の製法で作製したEL表
示素子は、第２図Ａに示した如く、防湿効果を上
げるため保護フイルム５の周辺（非表示部）を、
EL表示素子基板より３〜５mm大きく作製しなけ
ればならなかつた。又、第２図Ｂに示した如く、
EL表示素子基体６を保護フイルム５で接着封止
する際、EL表示素子基体６の端部付近に空隙７
が生じ易く該空隙７に水分を含み易く、完成した
EL表示素子の信頼性を低下させていた。
第３図は従来方法で作製した表示部の中間部が
開孔しているEL表示素子を示したもので、８は
開孔部である。この種EL表示素子の従来の作製
方法は次のとおりである。まず開孔部にあるEL
表示素子基体を作成し、該EL表示素子基体を保
護フイルムでサンドウイツチ状に挾み込み加熱ロ
ール間を通過させ接着封止する。次に外周部及び
開孔部の保護フイルム５のうち余分な部分を切断
してEL表示素子を完成する。
開孔しているEL表示素子を示したもので、８は
開孔部である。この種EL表示素子の従来の作製
方法は次のとおりである。まず開孔部にあるEL
表示素子基体を作成し、該EL表示素子基体を保
護フイルムでサンドウイツチ状に挾み込み加熱ロ
ール間を通過させ接着封止する。次に外周部及び
開孔部の保護フイルム５のうち余分な部分を切断
してEL表示素子を完成する。
従来法で作製したこの種EL表示素子は、第３
図に示したように、外周部と開口部８周辺（非表
示部）は防湿のため保護フイルムがEL表示素子
基体６よりも３〜５mm大きく、それだけ形状に制
限があり、小型化には限界があつた。又、従来方
法はEL表示素子基体を防湿封止前に切断したり
開孔部を設けたりして複雑な形状とするため連続
製造して大量生産するには不向きであつた。
図に示したように、外周部と開口部８周辺（非表
示部）は防湿のため保護フイルムがEL表示素子
基体６よりも３〜５mm大きく、それだけ形状に制
限があり、小型化には限界があつた。又、従来方
法はEL表示素子基体を防湿封止前に切断したり
開孔部を設けたりして複雑な形状とするため連続
製造して大量生産するには不向きであつた。
本発明は、叙上の欠点を解消するためなされた
もので、所定形状の透明電極を連続して表面に形
成した透明絶縁フイルム上に螢光体形成用ペース
トを塗布・乾燥して螢光体層を連続形成し螢光体
フイルムを作製する工程と、前記螢光体フイルム
の螢光体層上に金属箔を圧着して連続した発光フ
イルムを作製する工程と、前記発光体フイルム
を、２枚の保護フイルムで上下より挟み込み加熱
圧着封止して連続したEL表示素子基体フイルム
を作製する工程と、前記EL表示素子基体フイル
ムを任意の形状に打ち抜き切断してEL表示素子
基体を作製する工程と、前記EL表示素子基体の
切断部周辺を封止する工程とよりなることを特徴
とするEL表示素子の製造方法を提供するもので
ある。
もので、所定形状の透明電極を連続して表面に形
成した透明絶縁フイルム上に螢光体形成用ペース
トを塗布・乾燥して螢光体層を連続形成し螢光体
フイルムを作製する工程と、前記螢光体フイルム
の螢光体層上に金属箔を圧着して連続した発光フ
イルムを作製する工程と、前記発光体フイルム
を、２枚の保護フイルムで上下より挟み込み加熱
圧着封止して連続したEL表示素子基体フイルム
を作製する工程と、前記EL表示素子基体フイル
ムを任意の形状に打ち抜き切断してEL表示素子
基体を作製する工程と、前記EL表示素子基体の
切断部周辺を封止する工程とよりなることを特徴
とするEL表示素子の製造方法を提供するもので
ある。
以後実施例に従つて本発明を更に詳しく説明す
る。
る。
実施例 １
厚さ0.1mmのポリエステルシートから成る透明
絶縁フイルム上に、スパツタリング法や蒸着法に
より酸化インジユームと酸化錫とからなる透明電
極を形成する。次に、シアノエチル化セルロース
と、アセトン、メチルエチルケトン、アセト酢酸
エチル等の溶媒とを、重量比が１：１〜10となる
様に混合しビヒクルを作製し、硫化亜鉛中に銅や
アルミニウムを注入した螢光体粉末をシアノエチ
ル化セルロースとの重量比が１：１〜10になる様
にビヒクル中に混合して螢光体ペーストを作製す
る。該螢光体ペーストを前記透明電極上に、乾燥
後膜厚が10〜50μｍとなるようにロールコーター
法、印刷法又はスプレー法により連続的に塗布乾
燥し螢光体層を形成し、螢光体フイルムを作製す
る。前記螢光体フイルムと厚さ10〜50μｍのアル
ミ箔からなる対向電極とを重ね合せ80〜170℃に
加熱しながら10〜80Kg／cm2の圧力でロールを通過
させ圧着させ、発光フイルムを作成する。なお圧
着する場合のロールには、対向電極の背面に厚さ
３〜10mmのシリコンゴムを使用し、螢光体層の表
面凹凸による圧着時のひずみ等の幣害を防止する
ことが望ましい。次に、発光フイルムより巾が広
く、三フツ化塩化エチレンとポリエチレンがラミ
ネート接着された２枚のフープ状防湿保護フイル
ムのポリエチレン側を対向させ、間に発光フイル
ムを挾み込み90〜150℃に加熱したロールを通過
させ圧着封止を行つて、連続したフープ状EL表
示素子基体フイルムを作製する。さらに該フープ
状EL表示素子基体フイルムを所定形状に、プレ
ス等により打ち抜き個々に切断してEL表示素子
基体を作製する。
絶縁フイルム上に、スパツタリング法や蒸着法に
より酸化インジユームと酸化錫とからなる透明電
極を形成する。次に、シアノエチル化セルロース
と、アセトン、メチルエチルケトン、アセト酢酸
エチル等の溶媒とを、重量比が１：１〜10となる
様に混合しビヒクルを作製し、硫化亜鉛中に銅や
アルミニウムを注入した螢光体粉末をシアノエチ
ル化セルロースとの重量比が１：１〜10になる様
にビヒクル中に混合して螢光体ペーストを作製す
る。該螢光体ペーストを前記透明電極上に、乾燥
後膜厚が10〜50μｍとなるようにロールコーター
法、印刷法又はスプレー法により連続的に塗布乾
燥し螢光体層を形成し、螢光体フイルムを作製す
る。前記螢光体フイルムと厚さ10〜50μｍのアル
ミ箔からなる対向電極とを重ね合せ80〜170℃に
加熱しながら10〜80Kg／cm2の圧力でロールを通過
させ圧着させ、発光フイルムを作成する。なお圧
着する場合のロールには、対向電極の背面に厚さ
３〜10mmのシリコンゴムを使用し、螢光体層の表
面凹凸による圧着時のひずみ等の幣害を防止する
ことが望ましい。次に、発光フイルムより巾が広
く、三フツ化塩化エチレンとポリエチレンがラミ
ネート接着された２枚のフープ状防湿保護フイル
ムのポリエチレン側を対向させ、間に発光フイル
ムを挾み込み90〜150℃に加熱したロールを通過
させ圧着封止を行つて、連続したフープ状EL表
示素子基体フイルムを作製する。さらに該フープ
状EL表示素子基体フイルムを所定形状に、プレ
ス等により打ち抜き個々に切断してEL表示素子
基体を作製する。
最後に、該EL表示素子基体を250〜350℃に加
熱したホツトメルトガンから溶融された液状の三
フツ化塩化エチレンを切断部周辺に塗布後冷却
し、EL発行素子を完成する。
熱したホツトメルトガンから溶融された液状の三
フツ化塩化エチレンを切断部周辺に塗布後冷却
し、EL発行素子を完成する。
第４図Ａ，Ｂは、それぞれこのようにして作製
したEL表示素子の正面図及び断側面図であり、
同図Ａに示すとおりEL表示素子基体６周辺部及
び開口部８周辺部（非表示部）も極めて小さくて
すみ、又同図Ｂに示した如く、EL表示素子基体
６端部付近にも、空隙は発生しない。従つて、小
型化が可能で信号性の高いEL表示素子が作製で
きる。又、絶縁フイルム上にペーストを塗布・乾
燥して螢光体層を形成するので、あらかじめシー
ト状の螢光体層を成形加工しておく必要がなく、
螢光体層の形成に際し、形成された螢光体層に亀
裂が発生しないため、高品質のEL表示素子を歩
留り良く製造できる。
したEL表示素子の正面図及び断側面図であり、
同図Ａに示すとおりEL表示素子基体６周辺部及
び開口部８周辺部（非表示部）も極めて小さくて
すみ、又同図Ｂに示した如く、EL表示素子基体
６端部付近にも、空隙は発生しない。従つて、小
型化が可能で信号性の高いEL表示素子が作製で
きる。又、絶縁フイルム上にペーストを塗布・乾
燥して螢光体層を形成するので、あらかじめシー
ト状の螢光体層を成形加工しておく必要がなく、
螢光体層の形成に際し、形成された螢光体層に亀
裂が発生しないため、高品質のEL表示素子を歩
留り良く製造できる。
なお、１は透明絶縁フイルム、２は透明電極、
３は螢光体層、４は対向電極、５は保護フイルム
である。
３は螢光体層、４は対向電極、５は保護フイルム
である。
実施例 ２
第５図は、本実施例による製造過程上のEL表
示素子の断側面図である。実施例１と同様にして
EL表示素子基体を作製し、第５図に示した如く
EL表示素子基体外周部に三フツ化塩化エチレン
からなるコの字形状の封止材９で挾み、開孔部８
には、三フツ化塩化エチレンからなる傘状の封止
材１０をあてる。次に外周部及び開孔部周辺に、
250〜350℃に熱したヒーターコテ又は熱風を吹き
付けて封止材９，１０を溶融封止してEL表示素
子を完成する。本実施例においても、完成された
EL表示素子は、周辺部も完全に密封され、小型
で信頼性高いものである。
示素子の断側面図である。実施例１と同様にして
EL表示素子基体を作製し、第５図に示した如く
EL表示素子基体外周部に三フツ化塩化エチレン
からなるコの字形状の封止材９で挾み、開孔部８
には、三フツ化塩化エチレンからなる傘状の封止
材１０をあてる。次に外周部及び開孔部周辺に、
250〜350℃に熱したヒーターコテ又は熱風を吹き
付けて封止材９，１０を溶融封止してEL表示素
子を完成する。本実施例においても、完成された
EL表示素子は、周辺部も完全に密封され、小型
で信頼性高いものである。
なお、１は透明絶縁フイルム、２は透明電極、
３は螢光体層、４は対向電極、５は保護フイルム
である。
３は螢光体層、４は対向電極、５は保護フイルム
である。
実施例 ３
実施例１と同様にしてEL表示素子基体の開孔
部を含めた周辺部をレーザービーム又は赤外線ビ
ーム等の加熱用ビームで上下から250〜350℃に加
熱すると上下の防湿保護フイルムは、溶融流動し
て切断面上を覆う。この後加熱用ビームを取り除
けば周辺部が冷却され三フツ化塩化エチレンから
なる強固な防湿膜が形成される。
部を含めた周辺部をレーザービーム又は赤外線ビ
ーム等の加熱用ビームで上下から250〜350℃に加
熱すると上下の防湿保護フイルムは、溶融流動し
て切断面上を覆う。この後加熱用ビームを取り除
けば周辺部が冷却され三フツ化塩化エチレンから
なる強固な防湿膜が形成される。
叙上の説明でわかるように、本発明において
は、あらかじめシート状の螢光体層を成形加工し
ておく必要がなく、螢光体層の形成に際し、形成
された螢光体層に亀裂が発生しないため、高品質
のEL表示素子を歩留り良く製造できる。又、さ
らに非表示部を極めて小さくすることができるた
め形状設計の自由度も大きく、又EL表示素子基
体端部に空隙ができることなく信頼性の高いEL
表示素子基体を提供できる大きな利点がある。
は、あらかじめシート状の螢光体層を成形加工し
ておく必要がなく、螢光体層の形成に際し、形成
された螢光体層に亀裂が発生しないため、高品質
のEL表示素子を歩留り良く製造できる。又、さ
らに非表示部を極めて小さくすることができるた
め形状設計の自由度も大きく、又EL表示素子基
体端部に空隙ができることなく信頼性の高いEL
表示素子基体を提供できる大きな利点がある。
第１図はEL表示素子の要部拡大断側面図、第
２図Ａ，Ｂは従来例でそれぞれEL表示素子の正
面図及び端部断側面図、第３図は従来例で開孔部
を有するEL表示素子の正面図であり、第４図は
本発明の実施例で、同図ＡはEL表示素子の正面
図、同図Ｂは端部断側面図、第５図は本発明の他
の実施例である。 １……透明絶縁フイルム、２……透明電極、３
……螢光体層、４……対向電極、５……保護フイ
ルム、６……EL表示素子基体、７……空隙、８
……開孔部、９，１０……封止材。
２図Ａ，Ｂは従来例でそれぞれEL表示素子の正
面図及び端部断側面図、第３図は従来例で開孔部
を有するEL表示素子の正面図であり、第４図は
本発明の実施例で、同図ＡはEL表示素子の正面
図、同図Ｂは端部断側面図、第５図は本発明の他
の実施例である。 １……透明絶縁フイルム、２……透明電極、３
……螢光体層、４……対向電極、５……保護フイ
ルム、６……EL表示素子基体、７……空隙、８
……開孔部、９，１０……封止材。
Claims (1)
- １ 所定形状の透明電極を連続して表面に形成し
た透明絶縁フイルム上に螢光体形成用ペーストを
塗布・乾燥して螢光体層を連続形成し螢光体フイ
ルムを作製する工程と、前記螢光体フイルムの螢
光体層上に金属箔を圧着して連続した発光フイル
ムを作製する工程と、前記発光体フイルムを、２
枚の保護フイルムで上下より挾み込み加熱圧着封
止して連続したEL表示素子基体フイルムを作製
する工程と、前記EL表示素子基体フイルムを任
意の形状に打ち抜き切断してEL表示素子基体を
作製する工程と、前記EL表示素子基体の切断部
周辺を封止する工程とよりなることを特徴とする
EL表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57082908A JPS58198893A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | Ｅｌ表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57082908A JPS58198893A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | Ｅｌ表示素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58198893A JPS58198893A (ja) | 1983-11-18 |
| JPS6235236B2 true JPS6235236B2 (ja) | 1987-07-31 |
Family
ID=13787349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57082908A Granted JPS58198893A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | Ｅｌ表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58198893A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002093982A1 (en) * | 2001-05-16 | 2002-11-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | El element and illumination unit comprising it |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5031789A (ja) * | 1973-07-23 | 1975-03-28 |
-
1982
- 1982-05-17 JP JP57082908A patent/JPS58198893A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002093982A1 (en) * | 2001-05-16 | 2002-11-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | El element and illumination unit comprising it |
| CN1315358C (zh) * | 2001-05-16 | 2007-05-09 | 松下电器产业株式会社 | El元件以及使用该el元件的照明设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58198893A (ja) | 1983-11-18 |
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