JPS6235540A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6235540A JPS6235540A JP17480485A JP17480485A JPS6235540A JP S6235540 A JPS6235540 A JP S6235540A JP 17480485 A JP17480485 A JP 17480485A JP 17480485 A JP17480485 A JP 17480485A JP S6235540 A JPS6235540 A JP S6235540A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melting point
- high melting
- point metal
- wiring
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＬＳＩの高集積化及び高信頼性を可能にする
半導体装置に関する。特に微細パターニング配線や多層
配線を持つＬＳＩにおいて有効である。
半導体装置に関する。特に微細パターニング配線や多層
配線を持つＬＳＩにおいて有効である。
本発明け、半導体素子を接続する配線が、ルま几はＡＬ
−ｓｆｆｌからなり該ＡＬまたはＡＬ−８ｉ上には高融
照会Ｍが形成され、コンタクトホール及びスルーホール
には高融点金属ｈｔ埋め込まれてなる半導体装置に関す
る。
−ｓｆｆｌからなり該ＡＬまたはＡＬ−８ｉ上には高融
照会Ｍが形成され、コンタクトホール及びスルーホール
には高融点金属ｈｔ埋め込まれてなる半導体装置に関す
る。
従来のＬＳＩにおいて、半導体を接続する配線はＡＬま
次けＡＬ−Ｆ３ｉの単層構造で形成されてい友。
次けＡＬ−Ｆ３ｉの単層構造で形成されてい友。
しかしながらＬ１２工の高集積化に伴い、配線及びコン
タクト穴が微細化されるため、特ＫＭ差部でのＡＬ配線
の断面積（幅×厚さ）が小さくなり、従来技術では断線
やエレクトロマイグレーションによる配線不良が増加す
るという欠点があっ之。
タクト穴が微細化されるため、特ＫＭ差部でのＡＬ配線
の断面積（幅×厚さ）が小さくなり、従来技術では断線
やエレクトロマイグレーションによる配線不良が増加す
るという欠点があっ之。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕本発明は、
このような従来の欠点を解決するもので、その目的とす
るところは、微細パターニングからなるＶＬＳＩにおい
て、断線がなく、耐エレクトーマイグレーシ冒ンに優れ
之配線を持つ半導体装置を提供することである。
このような従来の欠点を解決するもので、その目的とす
るところは、微細パターニングからなるＶＬＳＩにおい
て、断線がなく、耐エレクトーマイグレーシ冒ンに優れ
之配線を持つ半導体装置を提供することである。
本発明の半導体装置は、コンタクトま友はスルー・ホー
ルだけ高融点金属ｈｔ埋め込まれ、配線がＡＬまたけＡ
Ｌ−８？：と高融点金属の２層構造を持つことを特徴と
する。
ルだけ高融点金属ｈｔ埋め込まれ、配線がＡＬまたけＡ
Ｌ−８？：と高融点金属の２層構造を持つことを特徴と
する。
本発明の作用を述べれば、コンタクトオよびスルーφホ
ールに埋め込まれる高融点金属は、微細パターニングの
表面が最も急激に変化する断差部領域のコンタクトおよ
びスルー・ホールを平坦にする効果を持つ。まｔ配線の
下層部のＡＬま几はＡＩＪ −ｓｉは、配線の下地Ｓ＜
Ｏ２との密着性に優れ、低い比抵抗を持つため、下地
との密着性に優れ、かつ低抵抗の配線を提供する。配線
の上層部の高融点金属は、耐エレクトロ・マイグレーシ
ョンに優れ、配線のマイグレーションを防ぐ。
ールに埋め込まれる高融点金属は、微細パターニングの
表面が最も急激に変化する断差部領域のコンタクトおよ
びスルー・ホールを平坦にする効果を持つ。まｔ配線の
下層部のＡＬま几はＡＩＪ −ｓｉは、配線の下地Ｓ＜
Ｏ２との密着性に優れ、低い比抵抗を持つため、下地
との密着性に優れ、かつ低抵抗の配線を提供する。配線
の上層部の高融点金属は、耐エレクトロ・マイグレーシ
ョンに優れ、配線のマイグレーションを防ぐ。
第１図は１本発明の実施例における半導体装置の断面図
である。シリコン基板１の不純物拡散層３と眉間絶縁膜
２を形成後、コンタクト・ホールを形成し、該コンタク
ト・ホールを選択的にＷなどの高融点金属４で埋め込ん
だ後、肚層５と高融点金属層６から成る配線を形成して
いる。
である。シリコン基板１の不純物拡散層３と眉間絶縁膜
２を形成後、コンタクト・ホールを形成し、該コンタク
ト・ホールを選択的にＷなどの高融点金属４で埋め込ん
だ後、肚層５と高融点金属層６から成る配線を形成して
いる。
本発明の半導体装置によれば、コンタクト・ホールの断
差部は、高融点金属で埋め込まれ平坦化されている几め
配線が細らない。ま念、下地の眉間絶縁膜と配線下層の
ＡＬの密着性は良好で、耐エレクトロ・マイグレーグ１
ンについては配線上層の高融点金属により配線のマイグ
レーションを防ぐことｈ″−可能になる。従って、本発
明によれば断線Ｍなく耐エレクトロマイグレーションに
優れ之配線を持つ半導体装置を提供する。
差部は、高融点金属で埋め込まれ平坦化されている几め
配線が細らない。ま念、下地の眉間絶縁膜と配線下層の
ＡＬの密着性は良好で、耐エレクトロ・マイグレーグ１
ンについては配線上層の高融点金属により配線のマイグ
レーションを防ぐことｈ″−可能になる。従って、本発
明によれば断線Ｍなく耐エレクトロマイグレーションに
優れ之配線を持つ半導体装置を提供する。
第１図・・本発明による配線構造を持つ半導体装置の２
Ｆ１面図。 １・・・・・・シリコン基板 ２・・・・・・眉間絶縁膜 ３・・・・・・不純物拡散層 ４・・・・・・高融点金属 ５・・・・・・ＡＬまたけＡＬ−Ｂｉ ６・・・・・・高融点金属 以 上
Ｆ１面図。 １・・・・・・シリコン基板 ２・・・・・・眉間絶縁膜 ３・・・・・・不純物拡散層 ４・・・・・・高融点金属 ５・・・・・・ＡＬまたけＡＬ−Ｂｉ ６・・・・・・高融点金属 以 上
Claims (1)
- 集積回路において、半導体素子を接続する配線が、最下
層がＡＬまたはＡＬ−Ｓｉからなり、該ＡＬまたはＡＬ
−Ｓｉ上には高融点金属が形成された２層構造を持ち、
層間絶縁膜を通して配線を接続するコンタクトホール及
びスルーホールには高融点金属が埋め込まれていること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17480485A JPS6235540A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17480485A JPS6235540A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6235540A true JPS6235540A (ja) | 1987-02-16 |
Family
ID=15984952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17480485A Pending JPS6235540A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6235540A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01161735A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2008078396A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-08-08 JP JP17480485A patent/JPS6235540A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01161735A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2008078396A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100342897B1 (ko) | 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 | |
| US6028367A (en) | Bonds pads equipped with heat dissipating rings and method for forming | |
| JPH01302842A (ja) | 多層配線構造の半導体装置 | |
| KR920020618A (ko) | 반도체 장치의 배선 접속 구조 및 그 제조방법 | |
| JP2919488B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS6235540A (ja) | 半導体装置 | |
| KR930014785A (ko) | 다층금속 배선구조의 콘택제조방법 | |
| JP2000049228A (ja) | デュアルダマシンの構造 | |
| JPH04188753A (ja) | 多層配線半導体装置 | |
| JPH0621236A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| GB2149574A (en) | Semiconductor device and process of manufacture thereof | |
| JPH0786281A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH01268152A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS58191449A (ja) | 多層配線構造 | |
| JPH02183536A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0577185B2 (ja) | ||
| JPH04250628A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58191450A (ja) | 多層配線構造 | |
| JPH06103694B2 (ja) | 半導体装置の配線構造 | |
| JPH06125012A (ja) | 半導体装置の配線構造 | |
| JPH01268043A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01312852A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0287553A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS63117446A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000106395A (ja) | 半導体集積回路 |