JPH01268043A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01268043A JPH01268043A JP9720388A JP9720388A JPH01268043A JP H01268043 A JPH01268043 A JP H01268043A JP 9720388 A JP9720388 A JP 9720388A JP 9720388 A JP9720388 A JP 9720388A JP H01268043 A JPH01268043 A JP H01268043A
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- aluminum
- wiring
- melting
- thickness
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- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に用いられる配線構造に
関する。
関する。
従来、半導体集積回路装置の配線にはアルミニウムある
いはアルミニウムとシリコンの合金が用いられてきてい
る。
いはアルミニウムとシリコンの合金が用いられてきてい
る。
上述した従来のアルミニウムあるいはアルミニウム合金
は微細加工が非常に困難であり又エレクトロ・マイグレ
ーションあるいはストレスマイグレーションに極めて弱
いという欠点がある。
は微細加工が非常に困難であり又エレクトロ・マイグレ
ーションあるいはストレスマイグレーションに極めて弱
いという欠点がある。
本発明の半導体集積回路は、高融点金属あるいは高融点
金属シリサイド配線の側壁あるいは表面カアルミニウム
あるいはアルミニウム合金テ覆ワれている配線を有して
いる。
金属シリサイド配線の側壁あるいは表面カアルミニウム
あるいはアルミニウム合金テ覆ワれている配線を有して
いる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
１００はｎ型Ｓｔ基板、１０１は接合深さが０．３μｍ
のＰ”拡散層又１０２は膜厚５０００人のシリコン酸化
膜である。１０３は膜厚５０００人のモリブデン配線で
配線幅１μｍである。１０４はアルミニウムであり、モ
リブデン配線１０３を形成後、２０００人のアルミニウ
ムをシリコンウェハー全体に被着し、異方性のドライエ
ツチングでエッチバックし、アルミニウム１０４をモリ
ブデン配線の側壁に残存させたものである。このモリブ
デン配線１０３は０．８Ｘ０．８（μｍ）２のフンタク
ト孔１０５を介してＰ＋拡散層１０１に接続されている
。
のＰ”拡散層又１０２は膜厚５０００人のシリコン酸化
膜である。１０３は膜厚５０００人のモリブデン配線で
配線幅１μｍである。１０４はアルミニウムであり、モ
リブデン配線１０３を形成後、２０００人のアルミニウ
ムをシリコンウェハー全体に被着し、異方性のドライエ
ツチングでエッチバックし、アルミニウム１０４をモリ
ブデン配線の側壁に残存させたものである。このモリブ
デン配線１０３は０．８Ｘ０．８（μｍ）２のフンタク
ト孔１０５を介してＰ＋拡散層１０１に接続されている
。
第２図は、本発明の他の実施例を示す断面図である。２
００は、膜厚５０００人のシリコン酸化膜、２０１はタ
ングステンで膜厚１μｍ配線幅は１μｍである。２０２
は膜厚２０００人のアルミニウムで、タングステン配線
２０１に選択的にアルミニウムを被着して形成したもの
である。
００は、膜厚５０００人のシリコン酸化膜、２０１はタ
ングステンで膜厚１μｍ配線幅は１μｍである。２０２
は膜厚２０００人のアルミニウムで、タングステン配線
２０１に選択的にアルミニウムを被着して形成したもの
である。
このように、本発明では微細加工の容易な高融点金属あ
るいは高融点金属シリサイドの配線の側面するいは表面
をアルミニウムあるいはアルミニウム合金で覆う“ので
、微細な配線パターンが形成可能であり、さらに高融点
金属あるいは、そのシリサイド配線の抵抗が高くても、
側壁あるいは表面を覆うアルミニウムあるいはアルミニ
ウム合金により配線の抵抗を十分に下げることが可能で
ある。さらに高融点金属あるいは高融点金属シリサイド
はエレクトロマイグレーションあるいはストレスマイグ
レーション耐性が十分に大きいという長所も併せて有す
る。このように本発明により、微細で、かつ抵抗が小さ
く、さらにエレク）＋＝ｙマイグレーション、ストレス
マイグレーション耐性のある配線を使用する半導体・集
積回路装置を提供できるという効果がある。
るいは高融点金属シリサイドの配線の側面するいは表面
をアルミニウムあるいはアルミニウム合金で覆う“ので
、微細な配線パターンが形成可能であり、さらに高融点
金属あるいは、そのシリサイド配線の抵抗が高くても、
側壁あるいは表面を覆うアルミニウムあるいはアルミニ
ウム合金により配線の抵抗を十分に下げることが可能で
ある。さらに高融点金属あるいは高融点金属シリサイド
はエレクトロマイグレーションあるいはストレスマイグ
レーション耐性が十分に大きいという長所も併せて有す
る。このように本発明により、微細で、かつ抵抗が小さ
く、さらにエレク）＋＝ｙマイグレーション、ストレス
マイグレーション耐性のある配線を使用する半導体・集
積回路装置を提供できるという効果がある。
第１図および第２図はそれぞれ本発明の実施例を示す断
面図である。 １００・・・・・・ｎ型Ｓｉ基板、１０１・・・・・・
Ｐ＋拡散層、１０２・・・・・・シリコン酸化膜、１０
３・・・・・・モリブデン、１０４・・・・・・アルミ
ニウム、１０５・・・・・・コンタクト孔、２００・・
・・・・シリコン酸化膜、２０１・・・・・・タングス
テン、２０２・・・・・・アルミニウム。 代理人 弁理士 内 原 晋
面図である。 １００・・・・・・ｎ型Ｓｉ基板、１０１・・・・・・
Ｐ＋拡散層、１０２・・・・・・シリコン酸化膜、１０
３・・・・・・モリブデン、１０４・・・・・・アルミ
ニウム、１０５・・・・・・コンタクト孔、２００・・
・・・・シリコン酸化膜、２０１・・・・・・タングス
テン、２０２・・・・・・アルミニウム。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 高融点金属あるいは高融点金属シリサイド配線の側壁
あるいは表面がアルミニウムあるいはアルミニウムの合
金で覆れていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9720388A JPH01268043A (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9720388A JPH01268043A (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01268043A true JPH01268043A (ja) | 1989-10-25 |
Family
ID=14186054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9720388A Pending JPH01268043A (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01268043A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5126283A (en) * | 1990-05-21 | 1992-06-30 | Motorola, Inc. | Process for the selective encapsulation of an electrically conductive structure in a semiconductor device |
-
1988
- 1988-04-19 JP JP9720388A patent/JPH01268043A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5126283A (en) * | 1990-05-21 | 1992-06-30 | Motorola, Inc. | Process for the selective encapsulation of an electrically conductive structure in a semiconductor device |
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