JPS6236388B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6236388B2 JPS6236388B2 JP57168188A JP16818882A JPS6236388B2 JP S6236388 B2 JPS6236388 B2 JP S6236388B2 JP 57168188 A JP57168188 A JP 57168188A JP 16818882 A JP16818882 A JP 16818882A JP S6236388 B2 JPS6236388 B2 JP S6236388B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- probe
- sample holding
- case
- stand
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基板の評価等をするためにこの
半導体基板を低温から高温まで温度変化させつつ
そのDLTS特性等を測定する半導体基板測定装置
で用いる半導体基板測定用カセツト式ユニツトに
関するものである。
半導体基板を低温から高温まで温度変化させつつ
そのDLTS特性等を測定する半導体基板測定装置
で用いる半導体基板測定用カセツト式ユニツトに
関するものである。
この種の装置においては、半導体基板の任意の
点にプローブの針を接触させた状態で、半導体基
板を液体窒素等で例えば−195℃程度まで下げた
後、温度を徐々に上げていつてヒータで例えば＋
150℃まで温度上昇させて各種の測定を行う。
点にプローブの針を接触させた状態で、半導体基
板を液体窒素等で例えば−195℃程度まで下げた
後、温度を徐々に上げていつてヒータで例えば＋
150℃まで温度上昇させて各種の測定を行う。
このような場合、従来の装置においては、半導
体基板を数箇所部分的に押えた状態で測定を行つ
ていたので、ウエハー状の半導体基板がそり返
り、プローブの針が接触不良を起し易い欠点があ
つた。また、従来の装置では、プローブの針を１
箇所毎にねらいを定めて位置決めしていたので、
最近のように半導体基板が大型化し、測定点がふ
えると、プローブの設定箇所がふえ、この位置決
め設定に非常に時間がかかる欠点があつた。ま
た、測定点の変更を行うときにも同様に時間がか
かる欠点がある。
体基板を数箇所部分的に押えた状態で測定を行つ
ていたので、ウエハー状の半導体基板がそり返
り、プローブの針が接触不良を起し易い欠点があ
つた。また、従来の装置では、プローブの針を１
箇所毎にねらいを定めて位置決めしていたので、
最近のように半導体基板が大型化し、測定点がふ
えると、プローブの設定箇所がふえ、この位置決
め設定に非常に時間がかかる欠点があつた。ま
た、測定点の変更を行うときにも同様に時間がか
かる欠点がある。
本発明の目的は、半導体基板のそりを押えて測
定ができ、また多数の装定点でもプローブの設定
を能率よく行うことができる半導体基板測定用カ
セツト式ユニツトを提供するにある。
定ができ、また多数の装定点でもプローブの設定
を能率よく行うことができる半導体基板測定用カ
セツト式ユニツトを提供するにある。
本発明に係る半導体基板測定用カセツト式ユニ
ツトは、ヒータを内蔵した金属製のケースと、ヒ
ータを内蔵して前記ケースの開口部を密閉する金
属製の蓋と、前記ケース内に絶縁して収容された
試料載置電極板と、前記ケース内で前記試料載置
電極板上の半導体基板の上に載置されてこれを押
えつつプローブを支持する試料押えプローブ台と
を具備し、前記試料押えプローブ台はこれを貫通
して前記半導体基板の表面に達するプローブ据付
孔を備えていることを特徴とするものである。
ツトは、ヒータを内蔵した金属製のケースと、ヒ
ータを内蔵して前記ケースの開口部を密閉する金
属製の蓋と、前記ケース内に絶縁して収容された
試料載置電極板と、前記ケース内で前記試料載置
電極板上の半導体基板の上に載置されてこれを押
えつつプローブを支持する試料押えプローブ台と
を具備し、前記試料押えプローブ台はこれを貫通
して前記半導体基板の表面に達するプローブ据付
孔を備えていることを特徴とするものである。
以下本発明の実施例を図面を参照して詳細に説
明する。第１図乃至第３図に示すように本実施例
の半導体基板測定用カセツト式ユニツトは、有底
で上面が開口した金属製のケース１を有し、この
ケース１内に電気的に絶縁してヒータ２が内蔵さ
れている。ケース１内にはセラミツク板３及びセ
ラミツクリング４で絶縁されて金属製の試料載置
電極板５が配設されている。この試料載置電極板
５の上には測定試料であるウエハー状の半導体基
板６が載置されている。試料載置電極板５には半
導体基板６に電圧印加するためのリード線７が接
続されている。半導体基板６の上には試料押えプ
ローブ台８が載置され、ネジ９でケース１に固定
され、半導体基板６を押えて固定するようになつ
ている。この試料押えプローブ台８は、ケース１
の内周に沿つて嵌合されて半導体基板６の外周を
押えるリング状の試料押えリング部８Ａと、この
リング部８Ａの中心を横切つて設けられた試料押
えプローブ台部８Ｂとから成つている。試料押え
プローブ台部８Ｂの下面にはテトラフルオロエチ
レンの如き絶縁材１０が取付けられ、この絶縁材
１０を介して半導体基板６に当接されるようにな
つている。試料押えプローブ台部８Ｂはネジ１１
で試料押えリング部８Ａに固定されている。この
試料押えプローブ台部８Ｂには、これを貫通して
半導体基板６の表面に達するプローブ据付孔１２
が複数個所定間隔が設けられている。これらの孔
１２の一部若しくは全部にプローブ１３が絶縁支
持体１４を介して支持されている。プローブ１３
の針１３Ａの先端は半導体基板６の表面の所定の
電極部に接触されている。各プローブ１３のリー
ド線１５はケーブル１６に接続されて外部に引き
出されている。ケース１の上面の外周にはパツキ
ン１７が支持されている。
明する。第１図乃至第３図に示すように本実施例
の半導体基板測定用カセツト式ユニツトは、有底
で上面が開口した金属製のケース１を有し、この
ケース１内に電気的に絶縁してヒータ２が内蔵さ
れている。ケース１内にはセラミツク板３及びセ
ラミツクリング４で絶縁されて金属製の試料載置
電極板５が配設されている。この試料載置電極板
５の上には測定試料であるウエハー状の半導体基
板６が載置されている。試料載置電極板５には半
導体基板６に電圧印加するためのリード線７が接
続されている。半導体基板６の上には試料押えプ
ローブ台８が載置され、ネジ９でケース１に固定
され、半導体基板６を押えて固定するようになつ
ている。この試料押えプローブ台８は、ケース１
の内周に沿つて嵌合されて半導体基板６の外周を
押えるリング状の試料押えリング部８Ａと、この
リング部８Ａの中心を横切つて設けられた試料押
えプローブ台部８Ｂとから成つている。試料押え
プローブ台部８Ｂの下面にはテトラフルオロエチ
レンの如き絶縁材１０が取付けられ、この絶縁材
１０を介して半導体基板６に当接されるようにな
つている。試料押えプローブ台部８Ｂはネジ１１
で試料押えリング部８Ａに固定されている。この
試料押えプローブ台部８Ｂには、これを貫通して
半導体基板６の表面に達するプローブ据付孔１２
が複数個所定間隔が設けられている。これらの孔
１２の一部若しくは全部にプローブ１３が絶縁支
持体１４を介して支持されている。プローブ１３
の針１３Ａの先端は半導体基板６の表面の所定の
電極部に接触されている。各プローブ１３のリー
ド線１５はケーブル１６に接続されて外部に引き
出されている。ケース１の上面の外周にはパツキ
ン１７が支持されている。
ケース１の上面には金属製の蓋１８が被せら
れ、パツキン１７がこの蓋１８の下面の溝１９に
嵌まり込んでケース１の開口部が密閉されるよう
になつている。蓋１８内には電気的に絶縁してヒ
ータ２０が内蔵されている。蓋１８の下面には、
試料押えリング部８Ａと試料押えプローブ台部８
Ｂとの間の窓部から挿入されて半導体基板６の表
面を押える試料押え駒２１がネジ２２で取付けら
れている。駒２１の下面にはテトラフルホロエチ
レンの如き絶縁材２３が取付けられている。
れ、パツキン１７がこの蓋１８の下面の溝１９に
嵌まり込んでケース１の開口部が密閉されるよう
になつている。蓋１８内には電気的に絶縁してヒ
ータ２０が内蔵されている。蓋１８の下面には、
試料押えリング部８Ａと試料押えプローブ台部８
Ｂとの間の窓部から挿入されて半導体基板６の表
面を押える試料押え駒２１がネジ２２で取付けら
れている。駒２１の下面にはテトラフルホロエチ
レンの如き絶縁材２３が取付けられている。
このような半導体基板測定用カセツト式ユニツ
トは、図示しない冷却容器内の液体窒素の如き冷
却液の中に浸漬させて直接冷却を行わせる。この
ようにすると、ユニツトの全表面が直接全体的に
冷却され、冷却を効率よく行うことができる。半
導体基板６が所定の温度になつたならば、所要の
測定を行う。測定はヒータ２，２０に通電して温
度を例えば−195℃〜＋150℃まで徐々に上昇させ
つつ行う。このように温度を変化させても、半導
体基板６は試料押えプローブ台８でその表面が押
えられているので、温度変化によるそり返りを防
止しつつ測定を行うことができる。従つて、プロ
ーブ針１３Ａの接触不良を防止することができ
る。所要の測定が終了したら、ユニツトを冷却容
量から取り出し、蓋１８を開けてネジ９を外し、
試料押えプローブ台８を回転することにより測定
点の変更を容易に単時間で行うことができる。次
に、他の半導体基板の測定を行うときには、別の
カセツト式ユニツトに予めその半導体基板をセツ
トしておいて、カセツト式ユニツトを交換するこ
とにより容易に行うことができる。
トは、図示しない冷却容器内の液体窒素の如き冷
却液の中に浸漬させて直接冷却を行わせる。この
ようにすると、ユニツトの全表面が直接全体的に
冷却され、冷却を効率よく行うことができる。半
導体基板６が所定の温度になつたならば、所要の
測定を行う。測定はヒータ２，２０に通電して温
度を例えば−195℃〜＋150℃まで徐々に上昇させ
つつ行う。このように温度を変化させても、半導
体基板６は試料押えプローブ台８でその表面が押
えられているので、温度変化によるそり返りを防
止しつつ測定を行うことができる。従つて、プロ
ーブ針１３Ａの接触不良を防止することができ
る。所要の測定が終了したら、ユニツトを冷却容
量から取り出し、蓋１８を開けてネジ９を外し、
試料押えプローブ台８を回転することにより測定
点の変更を容易に単時間で行うことができる。次
に、他の半導体基板の測定を行うときには、別の
カセツト式ユニツトに予めその半導体基板をセツ
トしておいて、カセツト式ユニツトを交換するこ
とにより容易に行うことができる。
なお、試料押えプローブ台部８Ｂは十字状或は
放射状にしてもよい。或は、試料押えプローブ台
８を円盤状にして半導体基板６の表面を全体的に
押えるようにしてもよい。この場合には、蓋１８
の試料押え駒２１を省略することができる。
放射状にしてもよい。或は、試料押えプローブ台
８を円盤状にして半導体基板６の表面を全体的に
押えるようにしてもよい。この場合には、蓋１８
の試料押え駒２１を省略することができる。
以上説明したように本発明に係る半導体基板測
定用カセツト式ユニツトは、密閉されたケース内
に半導体基板を収容し、このケースを冷却液中に
浸漬させて冷却を行うことができるので、冷却速
度が従来に比べて非常に早くなり、測定に要する
時間を短縮することができる。また、本発明では
ケース内に収容した半導体基板の表面を試料押え
プローブ台で押え、このプローブ台を貫通する孔
内にセツトされたプローブで測定を行うので、プ
ローブ針が接触される箇所ではその周囲がプロー
ブ台で押えられており、従つて温度変化による半
導体基板のそり返りを防止しつつ、且つ接触不良
事故を防止しつつ測定を行うことができる。ま
た、プローブはプローブ台に予めセツトしておく
ことができるので、プローブの設定も容易にな
り、且つプローブの数が多いマルチ測定もプロー
ブのセツトが容易になり、能率よく行うことがで
きる。更に、測定点の変更も試料押えプローブ台
を回転することにより容易に行うことができる。
かつまた、本発明によればカセツト式ユニツトの
交換により他の半導体基板の交換を能率よく行う
ことができる。
定用カセツト式ユニツトは、密閉されたケース内
に半導体基板を収容し、このケースを冷却液中に
浸漬させて冷却を行うことができるので、冷却速
度が従来に比べて非常に早くなり、測定に要する
時間を短縮することができる。また、本発明では
ケース内に収容した半導体基板の表面を試料押え
プローブ台で押え、このプローブ台を貫通する孔
内にセツトされたプローブで測定を行うので、プ
ローブ針が接触される箇所ではその周囲がプロー
ブ台で押えられており、従つて温度変化による半
導体基板のそり返りを防止しつつ、且つ接触不良
事故を防止しつつ測定を行うことができる。ま
た、プローブはプローブ台に予めセツトしておく
ことができるので、プローブの設定も容易にな
り、且つプローブの数が多いマルチ測定もプロー
ブのセツトが容易になり、能率よく行うことがで
きる。更に、測定点の変更も試料押えプローブ台
を回転することにより容易に行うことができる。
かつまた、本発明によればカセツト式ユニツトの
交換により他の半導体基板の交換を能率よく行う
ことができる。
図面は本発明に係る半導体基板測定用カセツト
式ユニツトの一実施例を示したもので、第１図は
ケースと蓋とを分離した状態の斜視図、第２図は
蓋の縦断面図、第３図はケース側の一部縦断面図
である。 １……ケース、２……ヒータ、３……セラミツ
ク板、４……セラミツクリング、５……試料載置
電極板、６……半導体基板、８……試料押えプロ
ーブ台、８Ａ……試料押えリング部、８Ｂ……試
料押えプローブ台部、１０……絶縁材、１２……
プローブ据付孔、１３……プローブ、１３Ａプロ
ーブ針、１４……絶縁支持体、１７……パツキ
ン、１８……蓋、１９……溝、２０……ヒータ、
２１……試料押え駒。
式ユニツトの一実施例を示したもので、第１図は
ケースと蓋とを分離した状態の斜視図、第２図は
蓋の縦断面図、第３図はケース側の一部縦断面図
である。 １……ケース、２……ヒータ、３……セラミツ
ク板、４……セラミツクリング、５……試料載置
電極板、６……半導体基板、８……試料押えプロ
ーブ台、８Ａ……試料押えリング部、８Ｂ……試
料押えプローブ台部、１０……絶縁材、１２……
プローブ据付孔、１３……プローブ、１３Ａプロ
ーブ針、１４……絶縁支持体、１７……パツキ
ン、１８……蓋、１９……溝、２０……ヒータ、
２１……試料押え駒。
Claims (1)
- １ ヒータを内蔵した金属製のケースと、ヒータ
を内蔵して前記ケースの開口部を密閉する金属製
の蓋と、前記ケース内に絶縁して収容された試料
載置電極板と、前記ケース内で前記試料載置電極
板上の半導体基板の上に載置されてこれを押えつ
つプローブを支持する試料押えプローブ台とを具
備し、前記試料押えプローブ台はこれを貫通して
前記半導体基板の表面に達するプローブ据付孔を
備えていることを特徴とする半導体基板測定用カ
セツト式ユニツト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57168188A JPS5957444A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 半導体基板測定用カセツト式ユニツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57168188A JPS5957444A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 半導体基板測定用カセツト式ユニツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5957444A JPS5957444A (ja) | 1984-04-03 |
| JPS6236388B2 true JPS6236388B2 (ja) | 1987-08-06 |
Family
ID=15863409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57168188A Granted JPS5957444A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 半導体基板測定用カセツト式ユニツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5957444A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS639945A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-16 | Fujitsu Ltd | 真空中の電気特性測定方法 |
| US5084671A (en) * | 1987-09-02 | 1992-01-28 | Tokyo Electron Limited | Electric probing-test machine having a cooling system |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP57168188A patent/JPS5957444A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5957444A (ja) | 1984-04-03 |
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