JPH0342682B2 - - Google Patents
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- JPH0342682B2 JPH0342682B2 JP60116910A JP11691085A JPH0342682B2 JP H0342682 B2 JPH0342682 B2 JP H0342682B2 JP 60116910 A JP60116910 A JP 60116910A JP 11691085 A JP11691085 A JP 11691085A JP H0342682 B2 JPH0342682 B2 JP H0342682B2
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- thin film
- electrode
- film
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- resistor film
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は耐熱性の高い薄膜サーミスタに関する
ものである。
ものである。
従来の技術
薄膜サーミスタは、例えば、長井、他、ナシヨ
ナルテクニカルレポート（National Technical
Report）vol.26，（1980）P.403に示されているよ
うに、平板状絶縁性基板の一方の表面に感温抵抗
体膜と一対の電極膜とを形成して構成される。
ナルテクニカルレポート（National Technical
Report）vol.26，（1980）P.403に示されているよ
うに、平板状絶縁性基板の一方の表面に感温抵抗
体膜と一対の電極膜とを形成して構成される。
発明が解決しようとする問題点
前記文献に示されているように、感温抵抗体膜
として炭化硅素（SiC）抵抗体、一対の電極膜と
してAu−Pt厚膜電極膜を用いたとき、この薄膜
サーミスタは空気中400〜450℃の高温に耐える優
れた耐熱性を有する。しかし、この温度以上では
特性変化が大きいという欠点があつた。この原因
のひとつは、薄膜サーミスタが空気中で高温（例
えば、600℃）に暴されたとき、SiC抵抗体膜と
接するAu−Pt電極膜の界面に絶縁性の薄い層が
形成され、このためにSiC抵抗体膜とAu−Pt電
極膜との間に大きな接触抵抗が存在することにあ
る。
として炭化硅素（SiC）抵抗体、一対の電極膜と
してAu−Pt厚膜電極膜を用いたとき、この薄膜
サーミスタは空気中400〜450℃の高温に耐える優
れた耐熱性を有する。しかし、この温度以上では
特性変化が大きいという欠点があつた。この原因
のひとつは、薄膜サーミスタが空気中で高温（例
えば、600℃）に暴されたとき、SiC抵抗体膜と
接するAu−Pt電極膜の界面に絶縁性の薄い層が
形成され、このためにSiC抵抗体膜とAu−Pt電
極膜との間に大きな接触抵抗が存在することにあ
る。
この薄い絶縁層が形成される詳細な理由は不明
であるが、次のように考えられる。Au−Pt電極
膜は、Au，Ptの金属微粒子と硝子との均一な混
合物で構成されるが、高温雰囲気中に長時間放置
されたとき、金属微粒子と硝子とが分離し易すく
なる。このため硝子成分の多い部分が絶縁性にな
ると考えられる。
であるが、次のように考えられる。Au−Pt電極
膜は、Au，Ptの金属微粒子と硝子との均一な混
合物で構成されるが、高温雰囲気中に長時間放置
されたとき、金属微粒子と硝子とが分離し易すく
なる。このため硝子成分の多い部分が絶縁性にな
ると考えられる。
本発明は電極として硝子成分を含まない材料を
用いることにより前記欠点を解消した薄膜サーミ
スタを提供するものである。
用いることにより前記欠点を解消した薄膜サーミ
スタを提供するものである。
問題点を解決するための手段
前記問題点を解決する本発明の技術的な手段
は、共晶銀ろうでSiC抵抗体膜にろう付されたTi
もしくはZrを電極として用いる点にある。
は、共晶銀ろうでSiC抵抗体膜にろう付されたTi
もしくはZrを電極として用いる点にある。
作 用
本発明は上述したように、硝子などの絶縁性材
料を含まない材料で電極を構成しているので、
SiC抵抗体膜と電極との間で大きな接触抵抗は発
生しない。また、共晶銀ろうの融点は約780℃で
あるので、650〜700℃の高温中でも電極として安
定に作用する。
料を含まない材料で電極を構成しているので、
SiC抵抗体膜と電極との間で大きな接触抵抗は発
生しない。また、共晶銀ろうの融点は約780℃で
あるので、650〜700℃の高温中でも電極として安
定に作用する。
実施例
第１図は本発明の薄膜サーミスタの一実施例を
示す断面図である。平板状アルミナ基板１の一方
の表面上にSiC抵抗体膜２を形成した。このの
ち、共晶銀ろう箔３とTi箔４とをこの順序でSiC
抵抗体膜２上に一対配置し、真空中で800820℃に
加熱した。この真空中加熱により、Ti箔３はSiC
抵抗体膜２にろう付された。
示す断面図である。平板状アルミナ基板１の一方
の表面上にSiC抵抗体膜２を形成した。このの
ち、共晶銀ろう箔３とTi箔４とをこの順序でSiC
抵抗体膜２上に一対配置し、真空中で800820℃に
加熱した。この真空中加熱により、Ti箔３はSiC
抵抗体膜２にろう付された。
真空中加熱ののち、Ti箔４とSiC抵抗体膜２の
間の化学組成を分析したところ、SiC抵抗体膜２
の表面に微量のTi原子が存在し、つづいてAg，
Cu，Tiの合金層を介してTi箔４がろう付されて
いることが明らかになつた。このことから、真空
加熱中に溶融した共晶銀ろう中をTi原子がSiC抵
抗体膜２に向つて拡散し、SiC抵抗体膜２の表面
でTi原子が化学的に吸着される過程によりTi箔
４がSiC抵抗体膜２にろう付されると考えられ
る。
間の化学組成を分析したところ、SiC抵抗体膜２
の表面に微量のTi原子が存在し、つづいてAg，
Cu，Tiの合金層を介してTi箔４がろう付されて
いることが明らかになつた。このことから、真空
加熱中に溶融した共晶銀ろう中をTi原子がSiC抵
抗体膜２に向つて拡散し、SiC抵抗体膜２の表面
でTi原子が化学的に吸着される過程によりTi箔
４がSiC抵抗体膜２にろう付されると考えられ
る。
このようにして形成した本発明の薄膜サーミス
タと従来の薄膜サーミスタを空気中600℃中に約
100H放置試験した。試験前後の抵抗値の周波数
特性を次表に示す。
タと従来の薄膜サーミスタを空気中600℃中に約
100H放置試験した。試験前後の抵抗値の周波数
特性を次表に示す。
■■■ 亀の甲 ［0002］ ■■■
同表から明らかなように、従来の薄膜サーミス
タは、試験後、周波数が高くなるにつれて抵抗値
が大巾に減少した。これは容量性インピーダンス
の大きいことを示す。従来の薄膜サーミスタは図
２に示す構造を有することを考えると、試験後の
従来薄膜サーミスタの容量性インピーダンスは、
SiC抵抗体膜２とAu−Pt電極膜５の界面に存在
すると考えられる。他方、本発明の薄膜サーミス
タは試験後でも抵抗の周波数特性を殆んど示さな
かつた。これは、本発明の薄膜サーミスタは高温
放置試験によりTi箔電極４とSiC抵抗体膜２の電
気的接触が影響を受けないことを示す。
タは、試験後、周波数が高くなるにつれて抵抗値
が大巾に減少した。これは容量性インピーダンス
の大きいことを示す。従来の薄膜サーミスタは図
２に示す構造を有することを考えると、試験後の
従来薄膜サーミスタの容量性インピーダンスは、
SiC抵抗体膜２とAu−Pt電極膜５の界面に存在
すると考えられる。他方、本発明の薄膜サーミス
タは試験後でも抵抗の周波数特性を殆んど示さな
かつた。これは、本発明の薄膜サーミスタは高温
放置試験によりTi箔電極４とSiC抵抗体膜２の電
気的接触が影響を受けないことを示す。
なお、Ti箔４の代りにZr箔４を用いても同様
の効果が得られた。
の効果が得られた。
発明の効果
以上述べてきたように本発明の薄膜サーミスタ
によれば次に示す効果が得られる。
によれば次に示す効果が得られる。
(1) SiC抵抗体膜にTi箔をろう付して電極を構成
しているので、すなわち電極は導電性材料のみ
で構成され、絶縁性材料を含まないので、高温
下でもSiC抵抗体膜と電極との接触は安定であ
る。
しているので、すなわち電極は導電性材料のみ
で構成され、絶縁性材料を含まないので、高温
下でもSiC抵抗体膜と電極との接触は安定であ
る。
(2) 薄膜サーミスタを実用する場合、電極にリー
ド線を溶接する必要がある。本発明の薄膜サー
ミスタの電極はTi箔であるので、従来のAu−
Pt厚膜電極膜に比べると、リード線の溶接は
容易であり、また溶接部の安定性が高い。
ド線を溶接する必要がある。本発明の薄膜サー
ミスタの電極はTi箔であるので、従来のAu−
Pt厚膜電極膜に比べると、リード線の溶接は
容易であり、また溶接部の安定性が高い。
第１図は本発明の一実施例を示す薄膜サーミス
タの断面図、第２図は従来の一実施例を示す薄膜
サーミスタの断面図である。 １……平板状絶縁性基板、２……SiC抵抗体
膜、３……共晶銀ろう、４……TiあるいはZr、
５……Au−Pt厚膜電極膜。
タの断面図、第２図は従来の一実施例を示す薄膜
サーミスタの断面図である。 １……平板状絶縁性基板、２……SiC抵抗体
膜、３……共晶銀ろう、４……TiあるいはZr、
５……Au−Pt厚膜電極膜。
Claims (1)
- １ 平板状絶縁性基板と、この平板状絶縁性基板
の一方の表面に形成された炭化硅素抵抗体膜と一
対の電極から成り、この一対の電極が共晶銀ろう
で前記炭化硅素抵抗体膜にろう付されたチタンも
しくはジルコニウムで構成された薄膜サーミス
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60116910A JPS61276202A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 薄膜サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60116910A JPS61276202A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 薄膜サ−ミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61276202A JPS61276202A (ja) | 1986-12-06 |
| JPH0342682B2 true JPH0342682B2 (ja) | 1991-06-28 |
Family
ID=14698670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60116910A Granted JPS61276202A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 薄膜サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61276202A (ja) |
-
1985
- 1985-05-30 JP JP60116910A patent/JPS61276202A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61276202A (ja) | 1986-12-06 |
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