JPS6236731A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6236731A JPS6236731A JP17556085A JP17556085A JPS6236731A JP S6236731 A JPS6236731 A JP S6236731A JP 17556085 A JP17556085 A JP 17556085A JP 17556085 A JP17556085 A JP 17556085A JP S6236731 A JPS6236731 A JP S6236731A
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- JP
- Japan
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- magnetic recording
- thin film
- gas pressure
- recording medium
- carbon
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Lubricants (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
現在、実用化されている磁気記録媒体は、磁性体粒子を
結合剤中に分散させた不連続媒体が主流である。しかし
、近年磁気記録媒体の高記録密度化の要請により、連続
薄膜媒体からなる保磁力の大きい磁気記録媒体が実用化
に向けて活発に開発が行われている。 この中でも、金属磁性薄膜として、めっき法によるＣｏ
−Ｐ及びＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金及びスパッタリング法によ
るＣｏ−Ｎｉ及びＣｏ−Ｃｒ合金が特に実用化に近いも
のとして注目を集めている。 しかし金属磁性薄膜の場合、通常膜厚は５００人〜１５
００人の範囲にあり、従来の不連続媒体に比較して薄い
ため、特に磁気記録層を保護するための表面層を形成す
る方法が実用化の大きなポイントであった。 アモルファス状炭素薄膜は、従来から検討されてきた各
種保護膜の中でも特にヘッドとの潤滑性。 耐摩耗性に優れているが、スパッタリング条件によって
膜質が大きく異なり、このため再現性良く、最適な潤滑
性、耐摩耗性を得るための形成条件は未だ確立されてい
ない状況にある。 この保護膜形成のために、最近磁性層の上にアモルファ
ス状炭素１１１９を＾ｒガス雰囲気中でスパッタリング
して形成する方法が使用されるようになってきている。
結合剤中に分散させた不連続媒体が主流である。しかし
、近年磁気記録媒体の高記録密度化の要請により、連続
薄膜媒体からなる保磁力の大きい磁気記録媒体が実用化
に向けて活発に開発が行われている。 この中でも、金属磁性薄膜として、めっき法によるＣｏ
−Ｐ及びＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金及びスパッタリング法によ
るＣｏ−Ｎｉ及びＣｏ−Ｃｒ合金が特に実用化に近いも
のとして注目を集めている。 しかし金属磁性薄膜の場合、通常膜厚は５００人〜１５
００人の範囲にあり、従来の不連続媒体に比較して薄い
ため、特に磁気記録層を保護するための表面層を形成す
る方法が実用化の大きなポイントであった。 アモルファス状炭素薄膜は、従来から検討されてきた各
種保護膜の中でも特にヘッドとの潤滑性。 耐摩耗性に優れているが、スパッタリング条件によって
膜質が大きく異なり、このため再現性良く、最適な潤滑
性、耐摩耗性を得るための形成条件は未だ確立されてい
ない状況にある。 この保護膜形成のために、最近磁性層の上にアモルファ
ス状炭素１１１９を＾ｒガス雰囲気中でスパッタリング
して形成する方法が使用されるようになってきている。
本発明は、潤滑性、耐摩耗性の最も優れたアモルファス
炭素保！！膜をＡｒガス雰囲気中のスパッタリングで磁
性層上に形成する磁気記録媒体の製造方法に関する。
炭素保！！膜をＡｒガス雰囲気中のスパッタリングで磁
性層上に形成する磁気記録媒体の製造方法に関する。
本発明は、Ａｒガス雰囲気中でスパッタリングする際の
Ａｒガス圧が変化すると炭素Ｉｇ！の膜質が変化し、Ａ
ｒガス圧を高くすると炭素はグラファイト状からアモル
ファス状へ変化し、高いＡｒガス圧のもとで形成したア
モルファス状炭素薄膜は、低いＡｒガス圧のもとで形成
したグラファイト状炭素薄膜よりも硬質で耐摩耗性にす
ぐれているとの認識に基つくもので、ガス圧力が１．
ＯＸ １０−２Ｔｏｒｒ以上に制御したアルゴンガス雰
囲気中でスパッタリングして炭素薄膜を形成することに
よって、上記の目的を達成する。
Ａｒガス圧が変化すると炭素Ｉｇ！の膜質が変化し、Ａ
ｒガス圧を高くすると炭素はグラファイト状からアモル
ファス状へ変化し、高いＡｒガス圧のもとで形成したア
モルファス状炭素薄膜は、低いＡｒガス圧のもとで形成
したグラファイト状炭素薄膜よりも硬質で耐摩耗性にす
ぐれているとの認識に基つくもので、ガス圧力が１．
ＯＸ １０−２Ｔｏｒｒ以上に制御したアルゴンガス雰
囲気中でスパッタリングして炭素薄膜を形成することに
よって、上記の目的を達成する。
本発明は、次の実験結果を基礎としている。
ガラス基板Ｅ及びＳｉウェハ上に直接炭素薄膜をスパッ
タリングして作製し、ガラス基板上に作製した炭素薄膜
から光学吸収スペクトルのエネルギーバンドギャップを
測定し、Ｓ１ウエノ翫上に作製した炭素薄膜からエリプ
ソソータで光の屈折率を測定した。またガラス基板上に
作製した炭素薄膜の構造をＸ線回折から求めた０作製条
件はＡｒガス圧３、 Ｏｘ １０−２Ｔｏｒｒ＋ ｔ、
ＯＸ １０−２Ｔｏｒｒ、 ４． Ｏｘ １０−２Ｔ
ｏｒｒの３［類である。 光学吸収スペクトルのエネルギーバンドギヤノブは、Ａ
ｒガス圧が高い条件で作製した炭素薄膜はど大きくなり
、よりアモルファス状になっていることがわかった。 屈折率は、Ａｒガス圧が高い条件になるほど低くなり、
４． ＯＸ １０−２Ｔｏｒｒの条件では約３．５程度
の値が得られた。 Ｘ線回折では、３． ＯＸ １０−２Ｔｏｒｒ条件下で
作製した炭素薄膜はグラファイトの（００２）面のピー
クが明確にみとめられたのに対して、１． ＯＸ １０
−２Ｔｏｒｒおよび４． ＯＸ １０−２Ｔｏｒｒの条
件下で作製した炭素薄膜は、全くピークがみとめられな
かった。 以上の結果に基づき、次のような磁気記録媒体の試作お
よび試験を行った。 アルミニウム合金基板の上にＮ１−Ｐ層を約１０−の厚
さでめっきし、その表面を超精密研摩して平滑化し、そ
の上にＧｏ−Ｐ磁性層を約０．０７−の厚さでめっきに
より形成した媒体に、９９．９９９％以上の純度をもつ
グラファイト構造の炭素ターゲットを用いてのスパッタ
リングにより、炭素薄膜を作製した。 このときの作製条件は第１表のとおりである。 第１表 これらＡｒガス圧と炭素膜厚の２つのパラメータを変化
させて合計９通りの条件で炭素薄膜を形成し、これらの
磁気記録媒体の浮上性試験および耐ＣＳＳ試験を行い比
較検討した。 第１図は回内にそれぞれ記入したＡｒガス圧と炭素膜厚
（Ｃ）の条件で試作した媒体の浮と性試験の結果を示し
、炭素ｗＡ厚が６００人の場合はＡｒガス圧が３． Ｏ
Ｘ １０−’↑ｏｒｒ、 １． ＯＸ １０−２Ｔｏｒ
ｒ、 ４． ＯＸ １０−富Ｔｏｒｒの高くなるにつれ
て最低浮上攬が小さくなり、ヘッドが媒体に対してより
低い位置で安定に浮上することがわかる。またＡ「ガス
圧１． ＯＸ １０−２Ｔｏｒｒで一定の場合、炭素膜
厚を３００人、６００人、９００人と厚くするにつれて
突起検出電圧が小さくなっていることがわかる。これは
すなわち、突起物から受ける衝撃が小さいということで
、媒体表面がよりなめらかになったと理解できる。 第２図に示した耐コンタクト・スタート・ストップ（Ｃ
３Ｓ）試験では、図中に記入されたように炭素膜厚 （
Ｃ）を６００人と一定にしてＡｒガス圧を３．ＯＸｌ０
−２Ｔｏｒｒ、 １．ＯＸｌ０−２Ｔｏｒｒ、 ４．Ｏ
Ｘｌ０−”Ｔｏｒｔと高くしていくと、各Ｃ８Ｓ回数後
の再生出力の低下率が減少していくことがわかる。特に
、４、 ＯＸ １０−２ＴｏｒｒのＡｒガス圧ではスタ
ート時から再生出力が全く低下していない。 以上の結果から、１． ＯＸ １０−”↑ｏｒｒ以上の
圧力のＡｒガス雰囲気中でスパッタリングして保護膜を
形成することが有効なことがわかった。
タリングして作製し、ガラス基板上に作製した炭素薄膜
から光学吸収スペクトルのエネルギーバンドギャップを
測定し、Ｓ１ウエノ翫上に作製した炭素薄膜からエリプ
ソソータで光の屈折率を測定した。またガラス基板上に
作製した炭素薄膜の構造をＸ線回折から求めた０作製条
件はＡｒガス圧３、 Ｏｘ １０−２Ｔｏｒｒ＋ ｔ、
ＯＸ １０−２Ｔｏｒｒ、 ４． Ｏｘ １０−２Ｔ
ｏｒｒの３［類である。 光学吸収スペクトルのエネルギーバンドギヤノブは、Ａ
ｒガス圧が高い条件で作製した炭素薄膜はど大きくなり
、よりアモルファス状になっていることがわかった。 屈折率は、Ａｒガス圧が高い条件になるほど低くなり、
４． ＯＸ １０−２Ｔｏｒｒの条件では約３．５程度
の値が得られた。 Ｘ線回折では、３． ＯＸ １０−２Ｔｏｒｒ条件下で
作製した炭素薄膜はグラファイトの（００２）面のピー
クが明確にみとめられたのに対して、１． ＯＸ １０
−２Ｔｏｒｒおよび４． ＯＸ １０−２Ｔｏｒｒの条
件下で作製した炭素薄膜は、全くピークがみとめられな
かった。 以上の結果に基づき、次のような磁気記録媒体の試作お
よび試験を行った。 アルミニウム合金基板の上にＮ１−Ｐ層を約１０−の厚
さでめっきし、その表面を超精密研摩して平滑化し、そ
の上にＧｏ−Ｐ磁性層を約０．０７−の厚さでめっきに
より形成した媒体に、９９．９９９％以上の純度をもつ
グラファイト構造の炭素ターゲットを用いてのスパッタ
リングにより、炭素薄膜を作製した。 このときの作製条件は第１表のとおりである。 第１表 これらＡｒガス圧と炭素膜厚の２つのパラメータを変化
させて合計９通りの条件で炭素薄膜を形成し、これらの
磁気記録媒体の浮上性試験および耐ＣＳＳ試験を行い比
較検討した。 第１図は回内にそれぞれ記入したＡｒガス圧と炭素膜厚
（Ｃ）の条件で試作した媒体の浮と性試験の結果を示し
、炭素ｗＡ厚が６００人の場合はＡｒガス圧が３． Ｏ
Ｘ １０−’↑ｏｒｒ、 １． ＯＸ １０−２Ｔｏｒ
ｒ、 ４． ＯＸ １０−富Ｔｏｒｒの高くなるにつれ
て最低浮上攬が小さくなり、ヘッドが媒体に対してより
低い位置で安定に浮上することがわかる。またＡ「ガス
圧１． ＯＸ １０−２Ｔｏｒｒで一定の場合、炭素膜
厚を３００人、６００人、９００人と厚くするにつれて
突起検出電圧が小さくなっていることがわかる。これは
すなわち、突起物から受ける衝撃が小さいということで
、媒体表面がよりなめらかになったと理解できる。 第２図に示した耐コンタクト・スタート・ストップ（Ｃ
３Ｓ）試験では、図中に記入されたように炭素膜厚 （
Ｃ）を６００人と一定にしてＡｒガス圧を３．ＯＸｌ０
−２Ｔｏｒｒ、 １．ＯＸｌ０−２Ｔｏｒｒ、 ４．Ｏ
Ｘｌ０−”Ｔｏｒｔと高くしていくと、各Ｃ８Ｓ回数後
の再生出力の低下率が減少していくことがわかる。特に
、４、 ＯＸ １０−２ＴｏｒｒのＡｒガス圧ではスタ
ート時から再生出力が全く低下していない。 以上の結果から、１． ＯＸ １０−”↑ｏｒｒ以上の
圧力のＡｒガス雰囲気中でスパッタリングして保護膜を
形成することが有効なことがわかった。
上述の説明から明らかなように、磁気記録媒体の磁性層
上の保護膜として、スパッタリングにより炭素薄膜を形
成する場合、雰囲気のＡｒガス圧が高くなるにしたがっ
て、炭素薄膜はグラファイト状からアモルファス状へ変
化していき、この膜買の変化に伴ってヘッドがより低い
浮上量で安定に走行するようになり、耐摩耗性がより向
上する。 従ってアモルファス状炭素）１膜を形成することができ
る１、０Ｘ１０−″↑ｏｒｒ以上のＡｒガス圧で磁気記
録媒体上に炭素薄膜を形成することによって、媒体の潤
滑性、耐摩耗性を飛躍的に向上させることが可能になっ
た。
上の保護膜として、スパッタリングにより炭素薄膜を形
成する場合、雰囲気のＡｒガス圧が高くなるにしたがっ
て、炭素薄膜はグラファイト状からアモルファス状へ変
化していき、この膜買の変化に伴ってヘッドがより低い
浮上量で安定に走行するようになり、耐摩耗性がより向
上する。 従ってアモルファス状炭素）１膜を形成することができ
る１、０Ｘ１０−″↑ｏｒｒ以上のＡｒガス圧で磁気記
録媒体上に炭素薄膜を形成することによって、媒体の潤
滑性、耐摩耗性を飛躍的に向上させることが可能になっ
た。
第１図はＡｒガスおよび膜厚をパラメータとして磁性層
上に作製した炭素薄膜を存する本発明の実施例および比
較例の磁気記録媒体の浮上性試験における突起検出電圧
と浮上量との関係線図、第２図は耐Ｃ３Ｓ試験における
出力低下率とＣ８Ｓ回１″関係線図−ｃ″′ａ・
さ１ヒ
上に作製した炭素薄膜を存する本発明の実施例および比
較例の磁気記録媒体の浮上性試験における突起検出電圧
と浮上量との関係線図、第２図は耐Ｃ３Ｓ試験における
出力低下率とＣ８Ｓ回１″関係線図−ｃ″′ａ・
さ１ヒ
Claims (1)
- １）磁性層上にアルゴンガス雰囲気中のスパッタリング
によりアモルファス炭素薄膜を形成する際に、アルゴン
ガス圧力を１．０×１０＾−＾２Ｔｏｒｒ以上に制御す
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17556085A JPS6236731A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17556085A JPS6236731A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236731A true JPS6236731A (ja) | 1987-02-17 |
| JPH0423328B2 JPH0423328B2 (ja) | 1992-04-22 |
Family
ID=15998214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17556085A Granted JPS6236731A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6236731A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6446221A (en) * | 1987-08-14 | 1989-02-20 | Hitachi Ltd | Magnetic disk |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6233759A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-13 | Kao Corp | 炭素被膜の製造方法 |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP17556085A patent/JPS6236731A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6233759A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-13 | Kao Corp | 炭素被膜の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6446221A (en) * | 1987-08-14 | 1989-02-20 | Hitachi Ltd | Magnetic disk |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0423328B2 (ja) | 1992-04-22 |
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