JPS6233759A - 炭素被膜の製造方法 - Google Patents
炭素被膜の製造方法Info
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- JPS6233759A JPS6233759A JP17300585A JP17300585A JPS6233759A JP S6233759 A JPS6233759 A JP S6233759A JP 17300585 A JP17300585 A JP 17300585A JP 17300585 A JP17300585 A JP 17300585A JP S6233759 A JPS6233759 A JP S6233759A
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- carbon film
- film
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- glassy carbon
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0605—Carbon
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は炭素被膜の製造方法に関する。特に、耐久性に
優れ、しかも摺接する相手の部材および自身の下地に損
傷を与えない炭素被膜の製造方法に関する。
優れ、しかも摺接する相手の部材および自身の下地に損
傷を与えない炭素被膜の製造方法に関する。
本発明は、情報処理装置の磁気記録媒体、人工関節、電
磁弁摺動部その他に利用する。
磁弁摺動部その他に利用する。
本発明は、他の部材と摺接する摺接部品の表面に被膜を
形成する炭素皮膜の製造方法において、ガラス状カーボ
ンを炭素源としてスバノクリングにより炭素被膜を形成
することにより、耐久性に優れ、しかも摺接する他の部
材との摩擦抵抗が少ない被膜を形成するものである。
形成する炭素皮膜の製造方法において、ガラス状カーボ
ンを炭素源としてスバノクリングにより炭素被膜を形成
することにより、耐久性に優れ、しかも摺接する他の部
材との摩擦抵抗が少ない被膜を形成するものである。
現在、シートやフィルム等に磁性体層を設けた記録媒体
を用いる記録再生装置や、紙を記録媒体として用いる記
録再生装置が各種市販されている。
を用いる記録再生装置や、紙を記録媒体として用いる記
録再生装置が各種市販されている。
これらの記録再生装置には、記録媒体と常時または一時
的に摺接する部品が多数台まれている。このような部品
としては、例えばフレキシブルディスクのヘントスライ
ダ、ハードディスクの浮上スライダ、磁気ヘッド等を挙
げることができる。これらの部品には、耐久性に優れ、
しかも相対的に摺接する記録媒体に損傷を与えないこと
が必要である。
的に摺接する部品が多数台まれている。このような部品
としては、例えばフレキシブルディスクのヘントスライ
ダ、ハードディスクの浮上スライダ、磁気ヘッド等を挙
げることができる。これらの部品には、耐久性に優れ、
しかも相対的に摺接する記録媒体に損傷を与えないこと
が必要である。
また、メカニカルシール、電磁弁摺動部、人工関節等の
摺動性を機能の一つとしてもっ摺接部品において、その
構造材としての強度を有する部材の表面に摺動性を賦与
させることが必要である。
摺動性を機能の一つとしてもっ摺接部品において、その
構造材としての強度を有する部材の表面に摺動性を賦与
させることが必要である。
機能としての摺動性とは、摩擦係数が小さく、耐久性が
あり、しかも相対的に摺接する相手の材料に損傷を与え
ない性質をいう。
あり、しかも相対的に摺接する相手の材料に損傷を与え
ない性質をいう。
このような摺動性を得るために、界面科学的な研究が行
われてきた。フレキシブルディスク駆動装置やハードデ
ィスク駆動装置では、記録媒体表面に保護膜を設けたり
、記録媒体に潤滑剤を塗布したり、記録媒体と摺接する
部品の表面に潤滑剤を塗布する等により、記録媒体の損
傷を防止する試みがなされている。
われてきた。フレキシブルディスク駆動装置やハードデ
ィスク駆動装置では、記録媒体表面に保護膜を設けたり
、記録媒体に潤滑剤を塗布したり、記録媒体と摺接する
部品の表面に潤滑剤を塗布する等により、記録媒体の損
傷を防止する試みがなされている。
しかし、潤滑剤を用いる場合には、潤滑剤が経時的に失
われる問題がある。すなわち、潤滑作用を長時間持続さ
せることが困難であり、定期的に潤滑剤を塗布しなけれ
ばならない欠点があった。
われる問題がある。すなわち、潤滑作用を長時間持続さ
せることが困難であり、定期的に潤滑剤を塗布しなけれ
ばならない欠点があった。
保護膜を設けた例としては、磁気ヘッドにアルミナ（特
開昭５６−８３８２９） 、シリカ、あるいはチタン酸
バリウム（特開昭５６−８３８６９）の被膜を形成した
例が知られているが、記録媒体の耐久性は不十分であっ
た。
開昭５６−８３８２９） 、シリカ、あるいはチタン酸
バリウム（特開昭５６−８３８６９）の被膜を形成した
例が知られているが、記録媒体の耐久性は不十分であっ
た。
記録媒体表面に保護膜を形成した例も知られ、その材料
としてシリカや炭素が用いられている。
としてシリカや炭素が用いられている。
しかし、これらは、保護膜の下になる記録媒体の特性を
劣化させ、摺動性が不十分であるものが多い。
劣化させ、摺動性が不十分であるものが多い。
本発明は、耐久性に優れ、摺接する部材との摩擦抵抗が
少ない炭素被膜を形成することを特徴とする特に、磁気
記録媒体の表面に、磁性層およびその特性を損傷させる
ことなしに炭素被膜を形成することを目的とする。
少ない炭素被膜を形成することを特徴とする特に、磁気
記録媒体の表面に、磁性層およびその特性を損傷させる
ことなしに炭素被膜を形成することを目的とする。
本発明の炭素被膜の製造方法は、他の部材と摺接する摺
接部品の表面に炭素被膜を形成する炭素皮膜の製造方法
において、ガラス状カーボンを炭素源とし、スパッタリ
ングにより炭素被膜を形成することを特徴とする。
接部品の表面に炭素被膜を形成する炭素皮膜の製造方法
において、ガラス状カーボンを炭素源とし、スパッタリ
ングにより炭素被膜を形成することを特徴とする。
ここで「スパッタリング」とは、ターゲットに配置した
物質にイオンを衝突させてこのターゲット表面の原子ま
たは分子を蒸発させ、この蒸発した原子または分子を被
スパンタ物の表面に沈着させる方法をいう。本発明では
、イオンの種類、反応雰囲気、イオンを生成する方法な
どを限定するものではないが、形成される皮膜の純度や
形成速度の速さの点で、低ガス圧スパッタリング法を用
いることが望ましい。低ガス圧スパッタリング法とは、
反応中のガス圧が通常の冷陰極直流グロー放電維持頭載
の１０−’〜ｌＯづＴｏｒｒより低い状態でスパッタリ
ングを行う方法であり、３極直流グロー放電スパツタリ
ング法、２極高周波グロー放電スパッタリング法、マグ
ネトロンスパッタリング法等が知られている。
物質にイオンを衝突させてこのターゲット表面の原子ま
たは分子を蒸発させ、この蒸発した原子または分子を被
スパンタ物の表面に沈着させる方法をいう。本発明では
、イオンの種類、反応雰囲気、イオンを生成する方法な
どを限定するものではないが、形成される皮膜の純度や
形成速度の速さの点で、低ガス圧スパッタリング法を用
いることが望ましい。低ガス圧スパッタリング法とは、
反応中のガス圧が通常の冷陰極直流グロー放電維持頭載
の１０−’〜ｌＯづＴｏｒｒより低い状態でスパッタリ
ングを行う方法であり、３極直流グロー放電スパツタリ
ング法、２極高周波グロー放電スパッタリング法、マグ
ネトロンスパッタリング法等が知られている。
本発明では、炭素源として、熱硬化性樹脂を炭化して得
られるガラス状カーボン、共重合や共縮合等により熱硬
化するように変性された樹脂を炭素化して得られるガラ
ス状カーボン、硬化あるいは炭素化の過程で化学処理に
より結晶化を著しく妨げることにより得られるガラス状
カーボン、メタン、エチレン、ベンゼン等の低分子量炭
化水素類を気相で熱分解して得られるガラス状カーボン
等を用いる。具体的には、ポリアクリロニトリル系ガラ
ス状カーボン、レーヨン系ガラス状カーボン、ピンチ系
ガラス状カーボン、リグニン系ガラス状カーボン、フェ
ノール系ガラス状カーボン、フラン系ガラス状カーボン
、アルキッド樹脂系ガラス状カーボン、不飽和ポリエス
テル系ガラス状カーボン、キシレン樹脂系ガラス状カー
ボン等を用いることができる。
られるガラス状カーボン、共重合や共縮合等により熱硬
化するように変性された樹脂を炭素化して得られるガラ
ス状カーボン、硬化あるいは炭素化の過程で化学処理に
より結晶化を著しく妨げることにより得られるガラス状
カーボン、メタン、エチレン、ベンゼン等の低分子量炭
化水素類を気相で熱分解して得られるガラス状カーボン
等を用いる。具体的には、ポリアクリロニトリル系ガラ
ス状カーボン、レーヨン系ガラス状カーボン、ピンチ系
ガラス状カーボン、リグニン系ガラス状カーボン、フェ
ノール系ガラス状カーボン、フラン系ガラス状カーボン
、アルキッド樹脂系ガラス状カーボン、不飽和ポリエス
テル系ガラス状カーボン、キシレン樹脂系ガラス状カー
ボン等を用いることができる。
より好ましくは、フェノール、フルフリルアルコールお
よびホルマリンの３元系混合物を主成分とする樹脂硬化
物を焼成して得られたガラス状カーボンを用いる。
よびホルマリンの３元系混合物を主成分とする樹脂硬化
物を焼成して得られたガラス状カーボンを用いる。
摺接部品やその他の基板表面に炭素被膜を形成する方法
としては、気相状態の炭化水素を炭素源として用いるも
のと、バルク状のカーボン材料を炭素源として用いるも
のとがある。
としては、気相状態の炭化水素を炭素源として用いるも
のと、バルク状のカーボン材料を炭素源として用いるも
のとがある。
気相状態の炭化水素を炭素源として用いる例としては、
一般に、熱的平衡条件下で熱分解炭素を生じさせる化学
気相成長（ＣＶＤ）法や、何等かの方法で熱的平衡状態
を乱すかまたは強制的に非熱平衡状態にして炭素を分離
する方法がある。後者の例としては、メタン等の炭化水
素を用いたプラズマＣＶＤ法や、イオン化蒸着法がある
。これらの方法では熱分解を起こすための温度域が６０
０℃〜８００℃以上であり、基板の耐熱性の問題や、磁
気記録媒体に被膜を形成する場合には磁性材料への熱の
影響の問題がある。さらに、この方法では大面積に均一
に被膜を形成することが困難である。また、プラズマＣ
ＶＤ法やイオン化蒸着法では、硬い炭素被膜を得ること
ができるが、十分な均一性が得られず、高価な装置が必
要となる。
一般に、熱的平衡条件下で熱分解炭素を生じさせる化学
気相成長（ＣＶＤ）法や、何等かの方法で熱的平衡状態
を乱すかまたは強制的に非熱平衡状態にして炭素を分離
する方法がある。後者の例としては、メタン等の炭化水
素を用いたプラズマＣＶＤ法や、イオン化蒸着法がある
。これらの方法では熱分解を起こすための温度域が６０
０℃〜８００℃以上であり、基板の耐熱性の問題や、磁
気記録媒体に被膜を形成する場合には磁性材料への熱の
影響の問題がある。さらに、この方法では大面積に均一
に被膜を形成することが困難である。また、プラズマＣ
ＶＤ法やイオン化蒸着法では、硬い炭素被膜を得ること
ができるが、十分な均一性が得られず、高価な装置が必
要となる。
バルク状のカーボン材料を炭素源として用いる方法の例
としては、真空蒸着やスパッタリングを用いた方法があ
る。しかし、真空蒸着により被膜を形成する場合には、
蒸着する粒子の運動エネルギが比較的低いために、形成
された被膜は剥がれやすく耐久性に劣る欠点がある。ま
た、真空蒸着により得られる薄膜は、一般的に不均質で
あり膜圧も不均質である。
としては、真空蒸着やスパッタリングを用いた方法があ
る。しかし、真空蒸着により被膜を形成する場合には、
蒸着する粒子の運動エネルギが比較的低いために、形成
された被膜は剥がれやすく耐久性に劣る欠点がある。ま
た、真空蒸着により得られる薄膜は、一般的に不均質で
あり膜圧も不均質である。
この他に、イオンブレーティング法等が知られているが
、高価な装置が必要である。
、高価な装置が必要である。
これに対して、スパッタリング法は膜厚が極めて均質な
被膜を形成することができる。本発明者らの研究により
、スパッタリング法により炭素被膜を形成すると、ター
ゲット材料の構造と相関のある膜が形成され、ガラス状
カーボンをスパッタリングのターゲットに用いた場合に
は、得られる炭素被膜は実質的に非晶質であり、均質で
、しかも耐久性に優れていることが判明した。さらに、
表面孔が極めて少ないガラス状カーボンを用いた場合に
は、スパッタリングを行うための背景圧力Ｉ Ｘ １０
− ’Ｔｏｒｒに到達するまでの時間を短縮でき、しか
もスパッタリング時およびその前後での不純ガスおよび
カーボン粉末の発生を抑制することができる。
被膜を形成することができる。本発明者らの研究により
、スパッタリング法により炭素被膜を形成すると、ター
ゲット材料の構造と相関のある膜が形成され、ガラス状
カーボンをスパッタリングのターゲットに用いた場合に
は、得られる炭素被膜は実質的に非晶質であり、均質で
、しかも耐久性に優れていることが判明した。さらに、
表面孔が極めて少ないガラス状カーボンを用いた場合に
は、スパッタリングを行うための背景圧力Ｉ Ｘ １０
− ’Ｔｏｒｒに到達するまでの時間を短縮でき、しか
もスパッタリング時およびその前後での不純ガスおよび
カーボン粉末の発生を抑制することができる。
本発明の方法により得られた炭素被膜は、摺接部品その
ものの耐久性を改善し、しかもこの部品と摺接する他の
部材との摩擦係数を低下させる効果がある。したがって
、このような炭素被膜をハードディスクの表面保護膜、
電磁弁摺動面、人工骨摺動面等に用いて大きな効果があ
る。
ものの耐久性を改善し、しかもこの部品と摺接する他の
部材との摩擦係数を低下させる効果がある。したがって
、このような炭素被膜をハードディスクの表面保護膜、
電磁弁摺動面、人工骨摺動面等に用いて大きな効果があ
る。
以下に本発明の実施例および比較例を示して本発明の詳
細な説明する。以下に示す例はあくまでも一例であり、
これにより本発明の技術的範囲を限定するものではない
。また、以下の実施例および比較例では、磁気記憶装置
に用いられるハードディスクに炭素被膜を形成する場合
を例に説明するが、他の材料や他の部材でも本発明を同
様に実施できる。なお、実施例中で「部Ｊとあるのはす
べて「重量部」を意味する。
細な説明する。以下に示す例はあくまでも一例であり、
これにより本発明の技術的範囲を限定するものではない
。また、以下の実施例および比較例では、磁気記憶装置
に用いられるハードディスクに炭素被膜を形成する場合
を例に説明するが、他の材料や他の部材でも本発明を同
様に実施できる。なお、実施例中で「部Ｊとあるのはす
べて「重量部」を意味する。
（実施例１）
フルフリルアルコール、パラホルムアルデヒドおよびフ
ェノールをモル比で３０ ： ４０ ： ３０になるよ
うに調節したフェノール変性フラン樹脂を通常の方法に
より生成し、８００ｃｐｓの液状樹脂を得た。この樹脂
に、ｐ−１ル工ンスルホン酸６０％水溶液を２．５部添
加して十分に撹拌し、厚さ３．５ｍｍの円板状硬化物に
成形した。この硬化物を、窒素雰囲気中において２℃／
ｈｒの昇温速度で１）００℃まで昇温し、２時間保持し
た後に冷却してガラス状カーボンを得た。
ェノールをモル比で３０ ： ４０ ： ３０になるよ
うに調節したフェノール変性フラン樹脂を通常の方法に
より生成し、８００ｃｐｓの液状樹脂を得た。この樹脂
に、ｐ−１ル工ンスルホン酸６０％水溶液を２．５部添
加して十分に撹拌し、厚さ３．５ｍｍの円板状硬化物に
成形した。この硬化物を、窒素雰囲気中において２℃／
ｈｒの昇温速度で１）００℃まで昇温し、２時間保持し
た後に冷却してガラス状カーボンを得た。
このガラス状カーボンをバッキングプレートに装着して
、スパッタリングのターゲツト材とした。
、スパッタリングのターゲツト材とした。
被膜を施す基板は、住友軽金属製の直径５．２５インチ
のアルミニウム基板に０．５−の厚さのＣｏ−Ｃｒ合金
膜をスパッタリングで形成したディスク基板を用いた。
のアルミニウム基板に０．５−の厚さのＣｏ−Ｃｒ合金
膜をスパッタリングで形成したディスク基板を用いた。
スパッタリング装置として日電アネルバ製５ＰＦ５３０
を用い、通常のスパッタリングと同様に、背景圧力とし
てＩ Ｘ ＩＦ ’Ｔｏｒｒの真空にした後、放電ガス
としてアルゴンガスを２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで導
入し、基板を水冷し、４００Ｗの高周波電力を印加して
スパッタリングを行った。このとき、形成中の被膜の厚
さを水晶発振式の膜圧針でモニタし、４００人の炭素被
膜を形成した。
を用い、通常のスパッタリングと同様に、背景圧力とし
てＩ Ｘ ＩＦ ’Ｔｏｒｒの真空にした後、放電ガス
としてアルゴンガスを２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで導
入し、基板を水冷し、４００Ｗの高周波電力を印加して
スパッタリングを行った。このとき、形成中の被膜の厚
さを水晶発振式の膜圧針でモニタし、４００人の炭素被
膜を形成した。
薄膜Ｘ線回折、ラマン分光分析、透過型電子顕微鏡像か
ら、得られた炭素被膜は実質的に非晶質であることが判
明した。
ら、得られた炭素被膜は実質的に非晶質であることが判
明した。
（実施例２）
ガラス状カーボン（花王石鹸製グラハードＳ）をターゲ
ツト材とし、背景圧力Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ、アル
ゴンガス圧３ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒおよび高周波電力
３００Ｗの条件で実施例１と同様にスパッタリングを行
い、ディスク基板表面に膜厚３５０人の炭素被膜を形成
した。実施例１と同様の測定によると、得られた炭素被
膜は実質的に非晶質であった。
ツト材とし、背景圧力Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ、アル
ゴンガス圧３ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒおよび高周波電力
３００Ｗの条件で実施例１と同様にスパッタリングを行
い、ディスク基板表面に膜厚３５０人の炭素被膜を形成
した。実施例１と同様の測定によると、得られた炭素被
膜は実質的に非晶質であった。
（実施例３）
ガラス状カーボン（花王石鹸製グラハードＲ）をターゲ
ツト材とし、背景圧力Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ、アル
ゴンガス圧３ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒおよび高周波電力
５００Ｗの条件で実施例１と同様にスパッタリングを行
い、ディスク基板表面に膜厚４００人の炭素被膜を形成
した。
ツト材とし、背景圧力Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ、アル
ゴンガス圧３ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒおよび高周波電力
５００Ｗの条件で実施例１と同様にスパッタリングを行
い、ディスク基板表面に膜厚４００人の炭素被膜を形成
した。
（比較例１）
炭素被膜を形成するために、グラファイト（東北協和カ
ーボン製メタフエイトＭＰ−３０１）をスパッタリング
ターゲットに用いて、背景圧力ｌＸｌ０−７Ｔｏｒｒ、
アルゴンガス圧３ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒおよび高周波
電力５００Ｗの条件で実施例■と同様にスパッタリング
を行い、ディスク基板表面に膜厚４００人の炭素被膜を
形成した。この比較例では、被膜の厚さを段差針を用い
て測定した。
ーボン製メタフエイトＭＰ−３０１）をスパッタリング
ターゲットに用いて、背景圧力ｌＸｌ０−７Ｔｏｒｒ、
アルゴンガス圧３ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒおよび高周波
電力５００Ｗの条件で実施例■と同様にスパッタリング
を行い、ディスク基板表面に膜厚４００人の炭素被膜を
形成した。この比較例では、被膜の厚さを段差針を用い
て測定した。
（実施例４）
モル比が３５ ： ４０ ： ３５のフルフリルアルコ
ール、バラホルムアルデヒドおよびフェノールからなる
樹脂硬化物を原料に、実施例１と同様に焼成およびスパ
ッタリングを行い、膜厚が４００人の炭素被膜を形成し
た。
ール、バラホルムアルデヒドおよびフェノールからなる
樹脂硬化物を原料に、実施例１と同様に焼成およびスパ
ッタリングを行い、膜厚が４００人の炭素被膜を形成し
た。
（実施例５）
モル比が５：５５：４０のフルフリルアルコール、バラ
ホルムアルデヒドおよびフェノールからなる樹脂硬化物
を原料に、実施例１と同様に焼成およびスパッタリング
を行い、膜厚が４００人の炭素被膜を形成した。
ホルムアルデヒドおよびフェノールからなる樹脂硬化物
を原料に、実施例１と同様に焼成およびスパッタリング
を行い、膜厚が４００人の炭素被膜を形成した。
（実施例６）
モル比が５０ ： ３０ ： ２０のフルフリルアルコ
ール、バラホルムアルデヒドおよびフェノールからなる
樹脂硬化物を原料に、実施例１と同様に焼成およびスパ
ッタリングを行い、膜厚が４００人の炭素被膜を形成し
た。
ール、バラホルムアルデヒドおよびフェノールからなる
樹脂硬化物を原料に、実施例１と同様に焼成およびスパ
ッタリングを行い、膜厚が４００人の炭素被膜を形成し
た。
（実施例７）
実施例２で得られた樹脂硬化物を、窒素気流中２℃／ｈ
ｒの昇温速度で６００℃まで加熱し、これを２時間保持
した。この焼成物の炭素比率を元素分析装置で定量した
ところ９２．５重量％であった。この焼成物を用いて、
実施例１と同様の方法でスパッタリングを行い、膜厚４
００人の炭素被膜を形成した。
ｒの昇温速度で６００℃まで加熱し、これを２時間保持
した。この焼成物の炭素比率を元素分析装置で定量した
ところ９２．５重量％であった。この焼成物を用いて、
実施例１と同様の方法でスパッタリングを行い、膜厚４
００人の炭素被膜を形成した。
（比較例２）
市販のＳｉＯ２スパッタリングターゲット材料を用いて
、背景圧力Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ、アルゴンガス圧
３Ｘ １０” ’Ｔｏｒｒの雰囲気に酸素気流を導入し
て、高周波電力５００ Ｗでバイアススパッタリングを
行い、ディスク基板表面にＳｉｎｇの被膜を形成した。
、背景圧力Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ、アルゴンガス圧
３Ｘ １０” ’Ｔｏｒｒの雰囲気に酸素気流を導入し
て、高周波電力５００ Ｗでバイアススパッタリングを
行い、ディスク基板表面にＳｉｎｇの被膜を形成した。
（試験例）
実施例１〜７および比較例により得られた炭素被膜の摩
擦係数を、ピンオンディスク型の摩擦係数測定装置で測
定した。ピンとしては、磁気ヘッドの材料として用いら
れるＭｎ−Ｚｎフェライトのチップを用いた。
擦係数を、ピンオンディスク型の摩擦係数測定装置で測
定した。ピンとしては、磁気ヘッドの材料として用いら
れるＭｎ−Ｚｎフェライトのチップを用いた。
さらに、実施例１〜７および比較例１〜２により炭素被
膜が形成されたディスク基板をカートリッジ型ハードデ
ィスク駆動装置に装着して、一定のトランク上を磁気ヘ
ッドの浮上、着陸を繰り返すコンタクト・スタート・ス
トップ（Ｃ３Ｓ）Ｅ験を２万回行い、互いに摺接する基
板面およびヘッド面の損傷状況を走査型電子顕微鏡によ
り観測した。この結果を表に示す。また、下地の磁性膜
の磁気特性（保磁力Ｈｃおよび異方性磁界の強さＨｋ）
が保護膜形成により変化するようすを示した。表から、
ガラス状カーボンをターゲットとしたスパッタリングに
より得られた被膜は、下地の磁性膜の特性劣化がなく、
耐久性に優れ、しかも摩擦係数が低いことがわかる。
膜が形成されたディスク基板をカートリッジ型ハードデ
ィスク駆動装置に装着して、一定のトランク上を磁気ヘ
ッドの浮上、着陸を繰り返すコンタクト・スタート・ス
トップ（Ｃ３Ｓ）Ｅ験を２万回行い、互いに摺接する基
板面およびヘッド面の損傷状況を走査型電子顕微鏡によ
り観測した。この結果を表に示す。また、下地の磁性膜
の磁気特性（保磁力Ｈｃおよび異方性磁界の強さＨｋ）
が保護膜形成により変化するようすを示した。表から、
ガラス状カーボンをターゲットとしたスパッタリングに
より得られた被膜は、下地の磁性膜の特性劣化がなく、
耐久性に優れ、しかも摩擦係数が低いことがわかる。
（以下号二頁余白）
Claims (6)
- （１）他の部材と摺接する摺接部品の表面に炭素被膜を
形成する炭素被膜の製造方法において、ガラス状カーボ
ンを炭素源としてスパッタリングにより炭素被膜を形成
すること を特徴とする炭素被膜の製造方法。 - （２）形成される炭素被膜は実質的に非晶質である特許
請求の範囲第（１）項に記載の炭素皮膜の製造方法。 - （３）摺接部品は磁気記憶装置のハードディスクである
特許請求の範囲第（１）項に記載の炭素皮膜の製造方法
。 - （４）ガラス状カーボンは、フェノール、フルフリルア
ルコールおよびホルマリンの混合物を主成分とする樹脂
硬化物の焼成物である特許請求の範囲第（１）項に記載
の炭素皮膜の製造方法。 - （５）ガラス状カーボンは、表面孔が極めて少ないもの
を用いる特許請求の範囲第（１）項に記載の炭素皮膜の
製造方法。 - （６）スパッタリングは、冷陰極直流グロー放電を維持
できるガス圧より低い雰囲気下で行う特許請求の範囲第
（１）項に記載の炭素皮膜の製造方法。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP17300585A JPH062936B2 (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 炭素被膜の製造方法 |
| EP19860110505 EP0216079B1 (en) | 1985-08-05 | 1986-07-30 | Manufacturing method of carbon film and use thereof |
| DE8686110505T DE3668187D1 (de) | 1985-08-05 | 1986-07-30 | Herstellung eines kohlenstoffueberzuges und dessen verwendung. |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP17300585A JPH062936B2 (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 炭素被膜の製造方法 |
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| JPH062936B2 JPH062936B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=15952423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17300585A Expired - Lifetime JPH062936B2 (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 炭素被膜の製造方法 |
Country Status (3)
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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- 1986-07-30 DE DE8686110505T patent/DE3668187D1/de not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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|---|---|
| JPH062936B2 (ja) | 1994-01-12 |
| EP0216079A1 (en) | 1987-04-01 |
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