JPH0423328B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0423328B2 JPH0423328B2 JP60175560A JP17556085A JPH0423328B2 JP H0423328 B2 JPH0423328 B2 JP H0423328B2 JP 60175560 A JP60175560 A JP 60175560A JP 17556085 A JP17556085 A JP 17556085A JP H0423328 B2 JPH0423328 B2 JP H0423328B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- torr
- carbon
- thin film
- gas pressure
- carbon thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Lubricants (AREA)
Description
本発明は、耐摩耗性を向上させるための磁性層
の上に保護膜としてアモルフアス炭素薄膜を形成
する磁気記録媒体の製造方法に関する。
の上に保護膜としてアモルフアス炭素薄膜を形成
する磁気記録媒体の製造方法に関する。
現在、実用化されている磁気記録媒体は、磁性
体粒子を結合剤中に分散させた不連続媒体が主流
である。しかし、近年磁気記録媒体の高記録密度
化の要請により、連続薄膜媒体からなる保磁力の
大きい磁気記録媒体が実用化に向けて活発に開発
が行われている。 この中でも、金属磁性薄膜として、めつき法に
よるCo−Ｐ及びCo−Ni−Ｐ合金及びスパツタリ
ング法によるCo−Ni及びCo−Cr合金が特に実用
化に近いものとして注目を集めている。 しかし金属磁性薄膜の場合、通常膜厚は500Å
〜1500Åの範囲にあり、従来の不連続媒体に比較
して薄いため、特に磁気記録層を保護するための
表面層を形成する方法が実用化の大きなポイント
であつた。 アモルフアス状炭素薄膜は、従来から検討され
てきた各種保護膜の中でも特にヘツドとの潤滑
性、耐摩耗性に優れているが、スパツタリング条
件によつて膜質が大きく異なり、このため再現性
良く、最適な潤滑性，耐摩耗性を得るための形成
条件は未だ確立されていない状況にある。 この保護膜形成のために、最近磁性層の上にア
モルフアス状炭素薄膜をArガス雰囲気中でスパ
ツタリングして形成する方法が使用されるように
なつてきている。
体粒子を結合剤中に分散させた不連続媒体が主流
である。しかし、近年磁気記録媒体の高記録密度
化の要請により、連続薄膜媒体からなる保磁力の
大きい磁気記録媒体が実用化に向けて活発に開発
が行われている。 この中でも、金属磁性薄膜として、めつき法に
よるCo−Ｐ及びCo−Ni−Ｐ合金及びスパツタリ
ング法によるCo−Ni及びCo−Cr合金が特に実用
化に近いものとして注目を集めている。 しかし金属磁性薄膜の場合、通常膜厚は500Å
〜1500Åの範囲にあり、従来の不連続媒体に比較
して薄いため、特に磁気記録層を保護するための
表面層を形成する方法が実用化の大きなポイント
であつた。 アモルフアス状炭素薄膜は、従来から検討され
てきた各種保護膜の中でも特にヘツドとの潤滑
性、耐摩耗性に優れているが、スパツタリング条
件によつて膜質が大きく異なり、このため再現性
良く、最適な潤滑性，耐摩耗性を得るための形成
条件は未だ確立されていない状況にある。 この保護膜形成のために、最近磁性層の上にア
モルフアス状炭素薄膜をArガス雰囲気中でスパ
ツタリングして形成する方法が使用されるように
なつてきている。
本発明は、耐摩耗性の最も優れたアモルフアス
炭素保護膜をArガス雰囲気中のスパツタリング
で磁性層上に形成する磁気記録媒体の製造方法に
関する。
炭素保護膜をArガス雰囲気中のスパツタリング
で磁性層上に形成する磁気記録媒体の製造方法に
関する。
本発明は、グラフアイト構造の炭素ターゲツト
を用いてArガス雰囲気中でスパツタリングする
際のArガス圧が変化すると炭素薄膜の膜質が変
化し、Arガス圧を高くすると炭素はグラフアイ
ト状からアモルフアス状へ変化し、高いArガス
圧のもとで形成したアモルフアス状炭素薄膜は、
低いArガス圧のもとで形成したグラフアイト状
炭素薄膜よりも硬質で耐摩耗性にすぐれていると
の認識に基づくもので、ガス圧力が1.0×
10-2Torr以上に制御したアルゴンガス雰囲気中
でスパツタリングして炭素薄膜を形成することに
よつて、上記の目的を達成する。
を用いてArガス雰囲気中でスパツタリングする
際のArガス圧が変化すると炭素薄膜の膜質が変
化し、Arガス圧を高くすると炭素はグラフアイ
ト状からアモルフアス状へ変化し、高いArガス
圧のもとで形成したアモルフアス状炭素薄膜は、
低いArガス圧のもとで形成したグラフアイト状
炭素薄膜よりも硬質で耐摩耗性にすぐれていると
の認識に基づくもので、ガス圧力が1.0×
10-2Torr以上に制御したアルゴンガス雰囲気中
でスパツタリングして炭素薄膜を形成することに
よつて、上記の目的を達成する。
本発明は、次の実験結果を基礎としている。ガ
ラス基板上及びSiウエハ上に直接炭素薄膜をスパ
ツタリングして作製し、ガラス基板上に作製した
炭素薄膜から光学吸収スペクトルのエネルギーバ
ンドギヤツプを測定し、Siウエハ上に作製した炭
素薄膜からエリプソソータで光の屈折率を測定し
た。またガラス基板上に作製した炭素薄膜の構造
をＸ線回折から求めた。作製条件はArガス圧3.0
×10-3Torr，1.0×10-2Torr、4.0×10-2Torrの３
種類である。 光学吸収スペクトルのエネルギーバンドギヤツ
プは、Arガス圧が高い条件で作製した炭素薄膜
ほど大きくなり、よりアモルフアス状になつてい
ることがわかつた。 屈折率は、Arガス圧が高い条件になるほど低
くなり、4.0×10-2Torrの条件では約3.5程度の値
が得られた。 Ｘ線回折では、3.0×10-3Torr条件下で作製し
た炭素薄膜はグラフアイトの（002）面のピーク
が明確にみとめられたのに対して、1.0×
10-2Torrおよび4.0×10-2Torrの条件下で作製し
た炭素薄膜は、全くピークがみとめられなかつ
た。 以上の結果に基づき、次のような磁気記録媒体
の試作および試験を行つた。 アルミニウム合金基板の上にNi−Ｐ層を約
10μmの厚さでめつきし、その表面を超精密研摩
して平滑化し、その上にCo−Ｐ磁性層を約
0.07μmの厚さでめつきにより形成した媒体に、
99.999％以上の純度をもつグラフアイト構造の炭
素ターゲツトを用いてのスパツタリングにより、
炭素薄膜を作製した。 このときの作製条件は第１表のとおりである。
ラス基板上及びSiウエハ上に直接炭素薄膜をスパ
ツタリングして作製し、ガラス基板上に作製した
炭素薄膜から光学吸収スペクトルのエネルギーバ
ンドギヤツプを測定し、Siウエハ上に作製した炭
素薄膜からエリプソソータで光の屈折率を測定し
た。またガラス基板上に作製した炭素薄膜の構造
をＸ線回折から求めた。作製条件はArガス圧3.0
×10-3Torr，1.0×10-2Torr、4.0×10-2Torrの３
種類である。 光学吸収スペクトルのエネルギーバンドギヤツ
プは、Arガス圧が高い条件で作製した炭素薄膜
ほど大きくなり、よりアモルフアス状になつてい
ることがわかつた。 屈折率は、Arガス圧が高い条件になるほど低
くなり、4.0×10-2Torrの条件では約3.5程度の値
が得られた。 Ｘ線回折では、3.0×10-3Torr条件下で作製し
た炭素薄膜はグラフアイトの（002）面のピーク
が明確にみとめられたのに対して、1.0×
10-2Torrおよび4.0×10-2Torrの条件下で作製し
た炭素薄膜は、全くピークがみとめられなかつ
た。 以上の結果に基づき、次のような磁気記録媒体
の試作および試験を行つた。 アルミニウム合金基板の上にNi−Ｐ層を約
10μmの厚さでめつきし、その表面を超精密研摩
して平滑化し、その上にCo−Ｐ磁性層を約
0.07μmの厚さでめつきにより形成した媒体に、
99.999％以上の純度をもつグラフアイト構造の炭
素ターゲツトを用いてのスパツタリングにより、
炭素薄膜を作製した。 このときの作製条件は第１表のとおりである。
【表】
これらArガス圧と炭素膜厚の２つのパラメー
タを変化させて合計９通りの条件で炭素薄膜を形
成し、これらの磁気記録媒体の浮上性試験および
耐CSS試験を行い比較検討した。 第１図は図内にそれぞれ記入したArガス圧と
炭素膜厚Ｃの条件で試作した媒体の浮上性試験の
結果を示し、炭素膜厚が600Åの場合はArガス圧
が3.0×10-3Torr、1.0×10-2Torr、4.0×
10-2Torrの高くなるにつれて最低浮上量が小さ
くなり、ヘツドが媒体に対してより低い位置で安
定に浮上することがわかる。またArガス圧1.0×
10-2Torrで一定の場合、炭素膜厚を300Å、600
Å、900Åと厚くするにつれて突起検出電圧が小
さくなつていることがわかる。これはすなわち、
突起物から受ける衝撃が小さいということで、媒
体表面がよりなめらかになつたと理解できる。 第２図に示した耐コンタクト・スタート・スト
ツプ（CSS）試験では、図中に記入されたように
炭素膜厚Ｃを600Åと一定にしてArガス圧を3.0
×10-3Torr、1.0×10-2Torr、4.0×10-2Torrと高
くしていくと、各CSS回数後の再生出力低下率が
減少していくことがわかる。特に、4.0×
10-2TorrのArガス圧ではスタート時から再生出
力が全く低下していない。 以上の結果から、1.0×10-2Torr以上の圧力の
Arガス雰囲気中でスパツタリングして保護膜を
形成することが有効なことがわかつた。
タを変化させて合計９通りの条件で炭素薄膜を形
成し、これらの磁気記録媒体の浮上性試験および
耐CSS試験を行い比較検討した。 第１図は図内にそれぞれ記入したArガス圧と
炭素膜厚Ｃの条件で試作した媒体の浮上性試験の
結果を示し、炭素膜厚が600Åの場合はArガス圧
が3.0×10-3Torr、1.0×10-2Torr、4.0×
10-2Torrの高くなるにつれて最低浮上量が小さ
くなり、ヘツドが媒体に対してより低い位置で安
定に浮上することがわかる。またArガス圧1.0×
10-2Torrで一定の場合、炭素膜厚を300Å、600
Å、900Åと厚くするにつれて突起検出電圧が小
さくなつていることがわかる。これはすなわち、
突起物から受ける衝撃が小さいということで、媒
体表面がよりなめらかになつたと理解できる。 第２図に示した耐コンタクト・スタート・スト
ツプ（CSS）試験では、図中に記入されたように
炭素膜厚Ｃを600Åと一定にしてArガス圧を3.0
×10-3Torr、1.0×10-2Torr、4.0×10-2Torrと高
くしていくと、各CSS回数後の再生出力低下率が
減少していくことがわかる。特に、4.0×
10-2TorrのArガス圧ではスタート時から再生出
力が全く低下していない。 以上の結果から、1.0×10-2Torr以上の圧力の
Arガス雰囲気中でスパツタリングして保護膜を
形成することが有効なことがわかつた。
上述の説明から明らかなように、磁気記録媒体
の磁性層上の保護膜として、グラフアイト構造の
炭素ターゲツトを用いてスパツタリングにより炭
素薄膜を形成する場合、雰囲気のArガス圧が高
くなるにしたがつて、炭素薄膜はグラフアイト状
からアモルフアス状へ変化していき、この膜質の
変化に伴つて耐摩耗性がより向上する。従つてア
モルフアス状炭素薄膜を形成することができる
1.0×10-2Torr以上のArガス圧で磁気記録媒体上
に炭素薄膜を形成することによつて、媒体の耐摩
耗性を飛躍的に向上させることが可能になつた。
の磁性層上の保護膜として、グラフアイト構造の
炭素ターゲツトを用いてスパツタリングにより炭
素薄膜を形成する場合、雰囲気のArガス圧が高
くなるにしたがつて、炭素薄膜はグラフアイト状
からアモルフアス状へ変化していき、この膜質の
変化に伴つて耐摩耗性がより向上する。従つてア
モルフアス状炭素薄膜を形成することができる
1.0×10-2Torr以上のArガス圧で磁気記録媒体上
に炭素薄膜を形成することによつて、媒体の耐摩
耗性を飛躍的に向上させることが可能になつた。
第１図はArガスおよび膜厚をパラメータとし
て磁性層上に作製した炭素薄膜を有する本発明の
実施例および比較例の磁気記録媒体の浮上性試験
における突起検出電圧と浮上量との関係線図、第
２図は耐CSS試験における出力低下率とCSS回数
との関係線図である。
て磁性層上に作製した炭素薄膜を有する本発明の
実施例および比較例の磁気記録媒体の浮上性試験
における突起検出電圧と浮上量との関係線図、第
２図は耐CSS試験における出力低下率とCSS回数
との関係線図である。
Claims (1)
- １ グラフアイト構造の炭素ターゲツトを用いた
ガス圧力1.0×10-2Torr以上のアルゴンガス雰囲
気中でのスパツタリングにより、磁性層上にアモ
ルフアス炭素薄膜を形成することを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17556085A JPS6236731A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17556085A JPS6236731A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236731A JPS6236731A (ja) | 1987-02-17 |
| JPH0423328B2 true JPH0423328B2 (ja) | 1992-04-22 |
Family
ID=15998214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17556085A Granted JPS6236731A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6236731A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0682462B2 (ja) * | 1987-08-14 | 1994-10-19 | 株式会社日立製作所 | 磁気ディスクの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH062936B2 (ja) * | 1985-08-05 | 1994-01-12 | 花王株式会社 | 炭素被膜の製造方法 |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP17556085A patent/JPS6236731A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6236731A (ja) | 1987-02-17 |
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