JPS6236757A - 記録媒体用金型の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光ディスク等、情報を記録する記録媒体を複
製するための記録媒体用金型の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

従来より、ビデオディスク、コンパクトディスク、追記
型ディスク、光磁気ディスク等で代表される光ディスク
やその他の情報記録媒体の複製方法として、当該記録媒
体に記録される信号パターンとは逆のパターンの凹凸が
形成された金型に、例えば紫外線硬化型の如き記録転写
用樹脂を塗布し、しかる後、その表面に透明な基板を圧
着し、上記記録転写用樹脂を硬化することによって、上
記透明基板に所定の凹凸パターンが転写された樹脂層を
形成する方法が知られている。

上記した記録媒体複製用の金型は、従来、第７図に示す
ような方法、手順によって作製されている。即ち、まず
ガラス等の基板上にレジスト膜が均一の圧さに形成され
たディスク原盤を作製する（第７図（ａ））。次いで、
このディスク原盤を回転駆動し、該ディスク原盤に所定
の情報信号やトラッキング信号によって変調されたレー
ザ光を照射して上記レジスト膜を露光し、該露光原盤を
現像処理して上記露光部分あるいは露光部分以外の部分
を除去し、上記情報信号に対応するビットや上記トラッ
キング情報に対応するグループを作製する（第７図（ｂ
））、次いで、該記録済み原盤の凹凸パターン形成側の
面に、金型をｍｌ！ｆｉするための電極として、金属導
電膜を形成する（第７図（Ｃ））。次いで、１１鋳の前
処理として、上記金属導ｆ！ｉｌｌを酸性処理液に浸漬
し、金属導電膜の表面に生成された酸化物を除去する（
第７図（ｄ））。

しかるのち、金属導電膜をＩｌａ極として該金属導電膜
上に金型基材を所要の厚さにｆｌｕする（第７図（ｅ）
）、最後に、この電Ｕ膜とともに上記導電膜を上記レジ
スト膜の表面から離型することによって、凹凸パターン
が反転された所定の金型を得る（第７図（ｆ））。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、この種情報記録媒体は、再生用レーザ光を上
記凹凸パターンに沿って照射し、ピットやグループがあ
る部分とない部分の反射光強度の差からこれらピットや
グループの有無を検出することによって信号の記録また
は再生を行う。その反射光強度の差はビットやグループ
の形状（深さ。

大きさ、全体の形状）に依存するため、良好な記録再生
特性を有する情報記録媒体を得るためには、所定形状の
ビットやグループが精密かつ均一に形成された金型を作
製する必要がある。

然るに、上記のようにして形成された金型には。

従来、上記金属導電膜と１！鋳膜とが剥離し易く耐久性
に乏しいものや、あるいは所定形状のピットやグループ
を転写することができないものが頻繁に発生しており、
情報記録媒体の址産化を図る上で重大な障害となってい
た。

本発明考は、かかる金型の不具合発生原因を追求した結
果、電鋳の前処理として行われる酸処理に問題があるこ
とを発見した。即ち、金属導電膜が形成された基板を例
えば空気中などに放置すると、該金属導電膜に酸化物が
生成されるが、この酸化物が生成併重されたままの状態
で金型基材の電鋳を行なうと金属導電膜と１！鋳膜との
間の接着力が不良となり、金型として使用不能となる。

そこで、電鋳工程以前に上記酸化物を除去するための前
処理が必要になるが、従来の酸処理は、強酸を含む処理
液中に金属導電膜が形成された基板を浸漬してその表面
に生成した酸「ヒ物を溶解除去する方式であるため、こ
の浸漬中に処理液が金属導電膜とレジスト膜との間に侵
入する。そして、電ｆＰ膜形成後になってこの処理液が
金属導電膜と電鋳膜どの間に浸出し、１１肋膜を剥離さ
せたり、クラックやピンホール等を発生し、正確な凹凸
パターンの形成を阻害する、といった事実を知得したの
である。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、金属導電膜が形成された基板を非酸化雰囲気
中で保存することによって、該金属導電膜に生成される
酸化物を未然に防止し、もってこの酸化物を除去するた
めの前処理を省略して、叙上の如き不具合を防止しよう
とするものである。

〔実施例〕

第１図に、本発明に係る記録媒体用金型の製造方法の工
程図を示す。

まず、第２図に示すように、レジストとの接着性を改善
するための処理がなされたガラス等からなる基板ｌの表
面に、スピンナ塗布、デツピング等の手段により紫外線
硬化型の合成樹脂等からなるレジスト１ｌＩＩ２を形成
する（第１図（ａ））。

次いで、第３図に示すように、レジストｌ１Ｉ２が形成
されたディスク原盤３を回転駆動し、上記レジスト１ｌ
ｉ１２に、所定の情報信号およびトラッキング信号によ
って変調されたレーザ光４を照射し、続いて、この露光
済みのディスク原盤を現像処理して、所定のグループや
ピットが形成させたディスク原盤を得る（第１図（ｂ）
）。

次いで、第４図に示すように、この記録済み原盤５のレ
ジスト膜２上に、例えば真空蒸着、スパッタリング、イ
オンブレーティング等の手段で、ニッケル等の金属導電
膜６を形成する（第１図（ｃ））。

次いで、この金属導電膜６が形成されたディスク原盤を
非酸化雰囲気中で冷却し、次の電鋳工程までの間、保存
する（第１図（ｄ））。ここで、非酸化雰囲気とは、真
空中または還元性ガス中または不活性ガス中であること
を意味する。

次いで、第５図に示すように、金属導電膜６が形成され
たディスク原盤を非酸化雰囲気中から取り出し、直ちに
上記金属源ｉｔ膜６上に金型基材を電鋳して電鋳ｗＡ７
を形成する（第１図（ｅ））。この場合、該金型基材７
としては、金属導！！＠６と同じ材質のものであること
が、両者の密着性を確保する上で好ましい、また、金属
導１！ｌｌｌ６が形成されたディスク原盤を非酸化雰囲
気中から取り出し、ｍｕを開始するまでの時間は短かい
ほど好ましく、気温２０℃、湿度６０％ＲＨの空気中に
さらす時間は２〜３分以内が良い。

最後に、上記電鋳ＷＡ７と共に金属導電膜６をレジスト
膜２の表面から離型させることによって。

第６図に示すような金型８を得る（第１図（ｆ））。

このようにして得られた金型８は、金型基材を電鋳する
以前にその金属導電［１６が酸化されることがないため
、金属導ｆｆ１ｖＡ６と電鋳膜７とが密着すると共に、
両者の間に電鋳＠７を剥離したり。

クラックやピンホールを発生するための因子が侵入する
ことがないので、転写性及び耐久性が良好である。

実験例１ 帽０．２μ−１深さ７００人、ピッチ１．６μ−のグル
ープ、および幅０．８μｌ、長さ１．３μｍ。

深さ１５００人のピットがカッティングされた記録済み
原盤の凹凸パターン形成面側に、下記の条件の下で厚さ
９００人のニッケル製導電膜を形成した。

成膜手段；抵抗加熱蒸着法 記録済み原盤の温度；約８０℃ 真空度；試料１　１　Ｘ　１０””　Ｔｏｒｒ試料２　
５Ｘ１０−５Ｔｏｒｒ 試料３　２Ｘ１０−６Ｔｏｒｒ 試料４　１　Ｘ　１Ｏ−６Ｔｏｒｒ 試料５　５　Ｘ　ｌｏ＝　Ｔｏｒｒ 試料６　２Ｘ１０−θＴｏｒｒ 試料７　１Ｘ１０−６Ｔｏｒｒ 試料８　５　Ｘ　１Ｏ−７Ｔ　ｏｒｒ 次いで、上記各試料をｌ　Ｘ　１０＝　Ｔ　ｏｒｒに調
整された真空槽中で室温まで冷却し、この真空槽から取
り出したのち、直ちにニッケルのｆ！！鋳を行った。

上記各試料について、グループとピットの転写性と、導
電膜およびｔ！！鋳膜との間の剥離性について試験した
ところ１表−１の結果を得た。ここで。

グループとピットの転写性についての０印は、転写性が
良好で金型に所定形状のピットおよびグループが形成さ
れていることを示す。また、導電膜と電鋳膜との間の剥
離性についてのＱ印は１両者が強固に密着していて剥離
し難いことを示しており、Ｘ印は両者が剥離し易く耐久
性がないことを示している。

表−１ 表−１から明らかなように、　Ｉ　Ｘ　１０−’　Ｔｏ
ｒｒ以上の真空度にてニッケル導電膜を真空蒸着し、１
×１０＝Ｔｏｒｒに調整された真空槽中で室温まで冷却
だ場合には、全て良好な転写性を得ることができる。し
かしながら、５　Ｘ　１ｏ−５Ｔ　ｏｒｒ以下の真空度
でニッケル導電膜を真空蒸着したものは、ｌＸ１Ｏ−６
Ｔ　ｏｒｒに調整された真空槽中で室温まで冷却、保存
した場合にも、ニッケルｆｆ電鋳膜との間で剥離され易
く、耐久性がないことが判明した。

実験例２ 上記第１実験例で用いられたと同様のグループおよびピ
ットがカッティングされた記録済み原盤の凹凸パターン
形成面側に、下記の条件の下で厚さ９００スのニッケル
製導電膜を形成した。

成膜手段；抵抗加熱蒸着法 記録済み原盤の温度；約８０℃ 真空度；　Ｉ　Ｘ　１Ｏ−６Ｔ　ｏｒｒ試料数；４ 次いで、上記の各試料をそれぞれ下記の各条件の下で室
温まで冷却、保存し、この保存槽から取り出したのち、
第１実験例の場合と全く同様の条件の下で直ちにニッケ
ルｍｅを行った。

試料ｌ；空気中に放置 試料２　；　ｌＸｌ０−８Ｔｏｒｒに調整された真空槽
内に保存 試料３　：　０．ＩＴｏｒｒに調整された真空槽内に保
存 試料４；アルゴンガス槽に保存 上記各試料について、グループとピットの転写性と、導
電膜および電鋳膜との間の剥離性について試験したとこ
ろ１表−２の結果を得た。尚、グループとピットの転写
性および導電膜と電鋳膜との間の剥離性の評価を示す０
印およびＸ印は、上記第１実験例の場合と同様の判断基
準によって付されている。

表−２ 表−２から明らかなように、ｌＸｌ０−６Ｔｏｒｒの真
空度にてニッケル導電膜を真空蒸着した場合には。

冷却保存条件に拘らず、全て良好な転写性を得ることが
できる。しかしながら、空気中に放置して冷却保存され
たものは、ニッケルｆ！鋳膜との間で剥離され易く、耐
久性がないことが判明した。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明の方法によれば、金属導電
膜上に酸化物が生成されることがないので、転写性およ
び耐久性に優れた金型を製造することができる。また、
従来のように、導電膜に生成された酸化物を除去するた
めの工程を必要としないので、金型の製造工程が簡略化
さ九、製品である情報記録媒体の製造コストを低減する
ことができるゆ

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の金型製造方法を示す工程説明図、第２
図はレジスト膜が形成されたディスク原盤の断面図、第
３図はカッティング工程を示す説明図、第４図は金属源
？［が形成されたディスク原盤の断面図、第５図は金属
電鋳膜が形成されたディスク原盤の断面図、第６図は金
型の断面図。 第７図は従来の金Ｔ！：１！！！１造方法を示す工程説
明図である。 １：基板、２ニレジスト膜、３：ディスク原盤。 ４：レーザ光、５：記録済み原盤、６：金属導電膜、７
：ｉｌ！鋳膜、８：金型 第１図 第２ｔｌ！ｆｆ 第３図 第４図 武 第５図 ？ 第６図

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板表面に形成されたレジスト膜にカッティング
   を行う工程と、該カッティング工程によつて形成された
   凹凸部の表面に金属導電膜を形成する工程と、該金属導
   電膜が形成された基板を非酸化雰囲気中で冷却、保存す
   る工程と、上記非酸化雰囲気中より導電膜が形成された
   基板を取り出し、直ちに上記導電膜上に金型基材を電鋳
   する工程と、該電鋳工程によつて形成された金型基材と
   共に上記金属導電膜を上記レジスト膜の表面から離型さ
   せる工程とから構成したことを特徴とする記録媒体用金
   型の製造方法。
2. （２）特許請求の範囲第１項記載の記録媒体用金型の製
   造方法において、金属導電膜が形成された基板を冷却、
   保存するための工程が、真空に調整された真空槽内で行
   われることを特徴とする記録媒体用金型の製造方法。
3. （３）特許請求の範囲第１項記載の記録媒体用金型の製
   造方法において、金属導電膜が形成された基板を冷却、
   保存するための工程が、不活性ガスが注入された不活性
   ガス槽内で行われることを特徴とする記録媒体用金型の
   製造方法。
4. （４）特許請求の範囲第１項記載の記録媒体用金型の製
   造方法において、金属導電膜が形成された基板を冷却、
   保存するための工程が、還元性ガスが注入された還元性
   ガス槽内で行われることを特徴とする記録媒体用金型の
   製造方法。
5. （５）特許請求の範囲第１項乃至第４項記載の記録媒体
   用金型の製造方法において、カッティングされた基板の
   凹凸部の表面に金属導電膜を形成する工程が、２×１０
   ＾−＾５Ｔｏｒｒ以上の真空度に調整された真空槽内で
   、真空蒸着法によつて行われることを特徴とする記録媒
   体用金型の製造方法。
6. （６）特許請求の範囲第１項乃至第５項記載の記録媒体
   用金型の製造方法において、金属導電膜および電鋳膜を
   ニッケルにて形成したことを特徴とする記録媒体用金型
   の製造方法。