JPH0648552B2 - 記録媒体用金型の製造方法 - Google Patents
記録媒体用金型の製造方法Info
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- JPH0648552B2 JPH0648552B2 JP17590185A JP17590185A JPH0648552B2 JP H0648552 B2 JPH0648552 B2 JP H0648552B2 JP 17590185 A JP17590185 A JP 17590185A JP 17590185 A JP17590185 A JP 17590185A JP H0648552 B2 JPH0648552 B2 JP H0648552B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光デイスク等、情報を記録する記録媒体を複
製するための記録媒体用金型の製造方法に関する。
製するための記録媒体用金型の製造方法に関する。
従来より、ビデオデイスク、コンパクトデイスク、追記
型デイスク、光磁気デイスク等で代表される光デイスク
やその他の情報記録媒体の複製方法として、当該記録媒
体に記録される信号パターンとは逆のパターンの凹凸が
形成された金型に、例えば紫外線硬化型の如き記録転写
用樹脂を塗布し、しかる後、その表面に透明な基板を圧
着し、上記記録転写用樹脂を硬化することによつて、上
記透明基板に所定の凹凸パターンが転写された樹脂層を
形成する方法が知られている。
型デイスク、光磁気デイスク等で代表される光デイスク
やその他の情報記録媒体の複製方法として、当該記録媒
体に記録される信号パターンとは逆のパターンの凹凸が
形成された金型に、例えば紫外線硬化型の如き記録転写
用樹脂を塗布し、しかる後、その表面に透明な基板を圧
着し、上記記録転写用樹脂を硬化することによつて、上
記透明基板に所定の凹凸パターンが転写された樹脂層を
形成する方法が知られている。
上記した記録媒体複製用の金型は、従来、第７図に示す
ような方法、手順によつて作製されている。即ち、まず
ガラス等の基板上にレジスト膜が均一の圧さに形成され
たデイスク原盤を作製する｛第７図(ａ)｝。次いで、こ
のデイスク原盤を回転駆動し、該デイスク原盤に所定の
情報信号やトラツキング信号によって変調されたレーザ
光を照射して上記レジスト膜を露光し、該露光原盤を現
像処理して上記露光部分あるいは露光部分以外の部分を
除去し、上記情報信号に対応するピツトや上記トラツキ
ング情報に対応するグルーブを作製する｛第７図
(ｂ)｝。次いで、該記録済み原盤の凹凸パターン形成側
の面に、金型を電鋳するための電極として、金属導電膜
を形成する｛第７図(ｃ)｝。次いで、電鋳の前処理とし
て、上記金属導電膜を酸性処理液に浸漬し、金属導電膜
の表面に生成された酸化物を除去する｛第７図(ｄ)｝。
しかるのち、金属導電膜を陰極として該金属導電膜上に
金型基材を所要の厚さに電鋳する｛第７図(ｅ)｝。最後
に、この電鋳膜とともに上記導電膜を上記レジスト膜の
表面から離型することによつて、凹凸パターンが反転さ
れた所定の金型を得る｛第７図(ｆ)｝。
ような方法、手順によつて作製されている。即ち、まず
ガラス等の基板上にレジスト膜が均一の圧さに形成され
たデイスク原盤を作製する｛第７図(ａ)｝。次いで、こ
のデイスク原盤を回転駆動し、該デイスク原盤に所定の
情報信号やトラツキング信号によって変調されたレーザ
光を照射して上記レジスト膜を露光し、該露光原盤を現
像処理して上記露光部分あるいは露光部分以外の部分を
除去し、上記情報信号に対応するピツトや上記トラツキ
ング情報に対応するグルーブを作製する｛第７図
(ｂ)｝。次いで、該記録済み原盤の凹凸パターン形成側
の面に、金型を電鋳するための電極として、金属導電膜
を形成する｛第７図(ｃ)｝。次いで、電鋳の前処理とし
て、上記金属導電膜を酸性処理液に浸漬し、金属導電膜
の表面に生成された酸化物を除去する｛第７図(ｄ)｝。
しかるのち、金属導電膜を陰極として該金属導電膜上に
金型基材を所要の厚さに電鋳する｛第７図(ｅ)｝。最後
に、この電鋳膜とともに上記導電膜を上記レジスト膜の
表面から離型することによつて、凹凸パターンが反転さ
れた所定の金型を得る｛第７図(ｆ)｝。
ところで、この種情報記録媒体は、再生用レーザ光を上
記凹凸パターンに沿つて照射し、ピツトやグルーブがあ
る部分とない部分の反射光強度の差からこれらピツトや
グルーブの有無を検出することによつて信号の記録また
は再生を行う。その反射光強度の差はピツトやグルーブ
の形状（深さ、大きさ、全体の形状）に依存するため、
良好な記録再生特性を有する情報記録媒体を得るために
は、所定形状のピツトやグルーブが精密かつ均一に形成
された金型を作製する必要がある。
記凹凸パターンに沿つて照射し、ピツトやグルーブがあ
る部分とない部分の反射光強度の差からこれらピツトや
グルーブの有無を検出することによつて信号の記録また
は再生を行う。その反射光強度の差はピツトやグルーブ
の形状（深さ、大きさ、全体の形状）に依存するため、
良好な記録再生特性を有する情報記録媒体を得るために
は、所定形状のピツトやグルーブが精密かつ均一に形成
された金型を作製する必要がある。
然るに、上記のようにして形成された金型には、従来、
上記金属導電膜と電鋳膜とが剥離し易く耐久性に乏しい
ものや、あるいは所定形状のピツトやグルーブを転写す
ることができないものが頻繁に発生しており、情報記録
媒体の量産化を図る上で重大な障害となつていた。
上記金属導電膜と電鋳膜とが剥離し易く耐久性に乏しい
ものや、あるいは所定形状のピツトやグルーブを転写す
ることができないものが頻繁に発生しており、情報記録
媒体の量産化を図る上で重大な障害となつていた。
本発明者は、かかる金型の不具合発生原因を追求した結
果、電鋳の前処理として行われる酸処理に問題があるこ
とを発見した。即ち、金属導電膜が形成された基板を例
えば空気中などに放置すると、該金属導電膜に酸化物が
生成されるが、この酸化物が生成付着されたままの状態
で金型基材の電鋳を行なうと金属導電膜と電鋳膜との間
の接着力が不良となり、金型として使用不能となる。そ
こで、電鋳工程以前に上記酸化物を除去するための前処
理が必要になうが、従来の酸処理は、強酸を含む処理液
中に金属導電膜が形成された基板を浸漬してその表面に
生成した酸化物を溶解除去する方式であるため、この浸
漬中に処理液が金属導電膜とレジスト膜との間に侵入す
る。そして、電鋳膜形成後になつてこの処理液が金属導
電膜と電鋳膜との間に浸出し、電鋳膜を剥離させたり、
クラツクやピンホール等を発生し、正確な凹凸パターン
の形成を阻害する、といつた事実を知得したのである。
果、電鋳の前処理として行われる酸処理に問題があるこ
とを発見した。即ち、金属導電膜が形成された基板を例
えば空気中などに放置すると、該金属導電膜に酸化物が
生成されるが、この酸化物が生成付着されたままの状態
で金型基材の電鋳を行なうと金属導電膜と電鋳膜との間
の接着力が不良となり、金型として使用不能となる。そ
こで、電鋳工程以前に上記酸化物を除去するための前処
理が必要になうが、従来の酸処理は、強酸を含む処理液
中に金属導電膜が形成された基板を浸漬してその表面に
生成した酸化物を溶解除去する方式であるため、この浸
漬中に処理液が金属導電膜とレジスト膜との間に侵入す
る。そして、電鋳膜形成後になつてこの処理液が金属導
電膜と電鋳膜との間に浸出し、電鋳膜を剥離させたり、
クラツクやピンホール等を発生し、正確な凹凸パターン
の形成を阻害する、といつた事実を知得したのである。
本発明は、金属導電膜が形成された基板を非酸化雰囲気
中で保存することによつて、該金属導電膜に生成される
酸化物を未然に防止し、もつてこの酸化物を除去するた
めの前処理を省略して、叙上の如く不具合を防止しよう
とするものである。
中で保存することによつて、該金属導電膜に生成される
酸化物を未然に防止し、もつてこの酸化物を除去するた
めの前処理を省略して、叙上の如く不具合を防止しよう
とするものである。
第１図に、本発明に係る記録媒体用金型の製造方法の工
程図を示す。
程図を示す。
まず、第２図に示すように、レジストとの接着性を改善
するための処理がなされたガラス等からなる基板１の表
面に、スピンナ塗布、デツピング等の手段により紫外線
硬化型の合成樹脂等からなるレジスト膜２を形成する
｛第１図(ａ)｝。
するための処理がなされたガラス等からなる基板１の表
面に、スピンナ塗布、デツピング等の手段により紫外線
硬化型の合成樹脂等からなるレジスト膜２を形成する
｛第１図(ａ)｝。
次いで、第３図に示すように、レジスト膜２が形成され
たデイスク原盤３を回転駆動し、上記レジスト膜２に、
所定の情報信号およびトラツキング信号によつて変調さ
れたレーザ光４を照射し、続いて、この露光済みのデイ
スク原盤を現像処理して、所定のグルーブやピツトが形
成させたデイスク原盤を得る｛第１図(ｂ)｝。
たデイスク原盤３を回転駆動し、上記レジスト膜２に、
所定の情報信号およびトラツキング信号によつて変調さ
れたレーザ光４を照射し、続いて、この露光済みのデイ
スク原盤を現像処理して、所定のグルーブやピツトが形
成させたデイスク原盤を得る｛第１図(ｂ)｝。
次いで、第４図に示すように、この記録済み原盤５のレ
ジスト膜２上に、例えば真空蒸着，スパツタリング，イ
オンプレーテイング等の手段で、ニツケル等の金属導電
膜６を形成する｛第１図(ｃ)｝。
ジスト膜２上に、例えば真空蒸着，スパツタリング，イ
オンプレーテイング等の手段で、ニツケル等の金属導電
膜６を形成する｛第１図(ｃ)｝。
次いで、この金属導電膜６が形成されたデイスク原盤を
非酸化雰囲気中で冷却し、次の電鋳工程までの間、保存
する｛第１図(ｄ)｝。ここで、非酸化雰囲気とは、真空
中または還元性ガス中または不活性ガス中であることを
意味する。
非酸化雰囲気中で冷却し、次の電鋳工程までの間、保存
する｛第１図(ｄ)｝。ここで、非酸化雰囲気とは、真空
中または還元性ガス中または不活性ガス中であることを
意味する。
次いで、第５図に示すように、金属導電膜６が形成され
たデイスク原盤を非酸化雰囲気中から取り出し、直ちに
上記金属導電膜６上に金型基材を電鋳して電鋳膜７を形
成する｛第１図(ｅ)｝。この場合、該金型基材７として
は、金属導電膜６と同じ材質のものであることが、両者
の密着性を確保する上で好ましい。また、金属導電膜６
が形成されたデイスク原盤を非酸化雰囲気中から取り出
し、電鋳を開始するまでの時間は短かいほど好ましく、
気温２０℃、湿度６０％ＲＨの空気中にさらす時間は２
〜３分以内が良い。
たデイスク原盤を非酸化雰囲気中から取り出し、直ちに
上記金属導電膜６上に金型基材を電鋳して電鋳膜７を形
成する｛第１図(ｅ)｝。この場合、該金型基材７として
は、金属導電膜６と同じ材質のものであることが、両者
の密着性を確保する上で好ましい。また、金属導電膜６
が形成されたデイスク原盤を非酸化雰囲気中から取り出
し、電鋳を開始するまでの時間は短かいほど好ましく、
気温２０℃、湿度６０％ＲＨの空気中にさらす時間は２
〜３分以内が良い。
最後に、上記電鋳膜７と共に金属導電膜６をレジスト膜
２の表面から離型させることによつて、第６図に示すよ
うな金型８を得る｛第１図(ｆ)｝。
２の表面から離型させることによつて、第６図に示すよ
うな金型８を得る｛第１図(ｆ)｝。
このようにして得られた金型８は、金型基材を電鋳する
以前にその金属導電膜６が酸化されることがないため、
金属導電膜６と電鋳膜７とが密着すると共に、両者の間
に、電鋳膜７を剥離したり、クラツクやピンホールを発
生するための因子が侵入することがないので、転写性及
び耐久性が良好である。
以前にその金属導電膜６が酸化されることがないため、
金属導電膜６と電鋳膜７とが密着すると共に、両者の間
に、電鋳膜７を剥離したり、クラツクやピンホールを発
生するための因子が侵入することがないので、転写性及
び耐久性が良好である。
実施例１ 幅０．２μｍ、深さ７００Å、ピツチ１．６μｍのグル
ーブ、および幅０．８μｍ、長さ１．３μｍ、深さ１５
００Åのピツトがカツテイングされた記録済み原盤の凹
凸パターン形成面側に、下記の条件の下で厚さ９００Å
のニツケル製導電膜を形成した。
ーブ、および幅０．８μｍ、長さ１．３μｍ、深さ１５
００Åのピツトがカツテイングされた記録済み原盤の凹
凸パターン形成面側に、下記の条件の下で厚さ９００Å
のニツケル製導電膜を形成した。
成膜手段；抵抗加熱蒸着法 記録済み原盤の温度；約８０℃ 真空度；試料１ 1×10-4Ｔorr 試料２ 5×10-5Ｔorr 試料３ 2×10-5Ｔorr 試料４ 1×10-5Ｔorr 試料５ 5×10-6Ｔorr 試料６ 2×10-6Ｔorr 試料７ 1×10-6Ｔorr 試料８ 5×10-7Ｔorr 次いで、上記各試料を1×10-6Ｔorrに調整された真空槽
中で室温まで冷却し、この真空槽から取り出したのち、
直ちにニツケルの電鋳を行つた。
中で室温まで冷却し、この真空槽から取り出したのち、
直ちにニツケルの電鋳を行つた。
上記各試料について、グルーブとピツトの転写性と、導
電膜および電鋳膜との間の剥離性について試験したとこ
ろ、表−１の結果を得た。ここで、グルーブとピツトの
転写性についての○印は、転写性が良好で金型に所定形
状のピツトおよびグルーブが形成されていることを示
す。また、導電膜と電鋳膜との間の剥離性についての○
印は、両者が強固に密着していて剥離し難いことを示し
ており、×印は両者が剥離し易く耐久性がないことを示
している。
電膜および電鋳膜との間の剥離性について試験したとこ
ろ、表−１の結果を得た。ここで、グルーブとピツトの
転写性についての○印は、転写性が良好で金型に所定形
状のピツトおよびグルーブが形成されていることを示
す。また、導電膜と電鋳膜との間の剥離性についての○
印は、両者が強固に密着していて剥離し難いことを示し
ており、×印は両者が剥離し易く耐久性がないことを示
している。
表−１から明らかなように、1×10-4Ｔorr以上の真空度
にてニツケル導電膜を真空蒸着し、1×10-6Ｔorrに調整
された真空槽中で室温まで冷却た場合には、全て良好な
転写性を得ることができる。しかしながら、5×10-5Ｔo
rr以下の真空度でニツケル導電膜を真空蒸着したもの
は、1×10-6Ｔorrに調整された真空槽中で室温まで冷
却、保存した場合にも、ニツケル電鋳膜との間で剥離さ
れ易く、耐久性がないことが判明した。
にてニツケル導電膜を真空蒸着し、1×10-6Ｔorrに調整
された真空槽中で室温まで冷却た場合には、全て良好な
転写性を得ることができる。しかしながら、5×10-5Ｔo
rr以下の真空度でニツケル導電膜を真空蒸着したもの
は、1×10-6Ｔorrに調整された真空槽中で室温まで冷
却、保存した場合にも、ニツケル電鋳膜との間で剥離さ
れ易く、耐久性がないことが判明した。
実験例２ 上記第１実施例で用いれたと同様のグルーブおよびピツ
トがカツテイングされた記録済みの原盤の凹凸パターン
形成面側に、下記の条件の下で厚さ９００Åのニツケル
製導電膜を形成した。
トがカツテイングされた記録済みの原盤の凹凸パターン
形成面側に、下記の条件の下で厚さ９００Åのニツケル
製導電膜を形成した。
成膜手段；抵抗加熱蒸着法 記録済み原盤の温度；約８０℃ 真空度；1×10-6Ｔorr 試料数；４ 次いで、上記の各試料をそれぞれ下記の各条件の下で室
温まで冷却、保存し、この保存槽から取り出したのち、
第１実施例の場合と全く同様の条件の下で直ちにニツケ
ル電鋳を行つた。
温まで冷却、保存し、この保存槽から取り出したのち、
第１実施例の場合と全く同様の条件の下で直ちにニツケ
ル電鋳を行つた。
試料１；空気中に放置 試料２；1×10-6Ｔorrに調整された真空槽内に保存 試料３；0.1Ｔorrに調整された真空槽内に保存 試料４；アルゴンガス槽に保存 上記各試料について、グルーブとピツトの転写性と、導
電膜および電鋳膜との間の剥離性について試験したとこ
ろ、表−２の結果を得た。尚、グルーブとピツトの転写
性および導電膜と電鋳膜との間の剥離性の評価を示す○
印および×印は、上記第１実施例の場合と同様の判断基
準によつて付されている。
電膜および電鋳膜との間の剥離性について試験したとこ
ろ、表−２の結果を得た。尚、グルーブとピツトの転写
性および導電膜と電鋳膜との間の剥離性の評価を示す○
印および×印は、上記第１実施例の場合と同様の判断基
準によつて付されている。
表−２から明らかなように、1×10-6Ｔorrの真空度にて
ニツケル導電膜を真空蒸着した場合には、冷却保存条件
に拘らず、全て良好な転写性を得ることができる。しか
しながら、空気中に放置して冷却保存されたものは、ニ
ツケル電鋳膜との間で剥離され易く、耐久性がないこと
が判明した。
ニツケル導電膜を真空蒸着した場合には、冷却保存条件
に拘らず、全て良好な転写性を得ることができる。しか
しながら、空気中に放置して冷却保存されたものは、ニ
ツケル電鋳膜との間で剥離され易く、耐久性がないこと
が判明した。
以上説明したように、本発明の方法によれば、金属導電
膜上に酸化物が生成されることがないので、転写性およ
び耐久性に優れた金型を製造することができる。また、
従来のように、導電膜に生成された酸化物を除去するた
めの工程を必要としないので、金型の製造工程が簡略化
され、製品である情報記録媒体の製造コストを低減する
ことができる。
膜上に酸化物が生成されることがないので、転写性およ
び耐久性に優れた金型を製造することができる。また、
従来のように、導電膜に生成された酸化物を除去するた
めの工程を必要としないので、金型の製造工程が簡略化
され、製品である情報記録媒体の製造コストを低減する
ことができる。
第１図は本発明の金型製造方法を示す工程説明図、第２
図はレジスト膜が形成されたデイスク原盤の断面図、第
３図はカツテイング工程を示す説明図、第４図は金属導
電膜が形成されたデイスク原盤の断面図、第５図は金属
電鋳膜が形成されたデイスク原盤の断面図、第６図は金
型の断面図、第７図は従来の金型製造方法を示す工程説
明図である。 １：基板、２：レジスト膜、３：デイスク原盤、４：レ
ーザ光、５：記録済み原盤、６：金属導電膜、７：電鋳
膜、８：金型
図はレジスト膜が形成されたデイスク原盤の断面図、第
３図はカツテイング工程を示す説明図、第４図は金属導
電膜が形成されたデイスク原盤の断面図、第５図は金属
電鋳膜が形成されたデイスク原盤の断面図、第６図は金
型の断面図、第７図は従来の金型製造方法を示す工程説
明図である。 １：基板、２：レジスト膜、３：デイスク原盤、４：レ
ーザ光、５：記録済み原盤、６：金属導電膜、７：電鋳
膜、８：金型
Claims (6)
- 【請求項１】基板表面に形成されたレジスト膜にカツテ
イングを行う工程と、該カツテイング工程によつて形成
された凹凸部の表面に金属導電膜を形成する工程と、該
金属導電膜が形成された基板を非酸化雰囲気中で冷却、
保存する工程と、上記非酸化雰囲気中より導電膜が形成
された基板を取り出し、直ちに上記導電膜上に金型基材
を電鋳する工程と、該電鋳工程によつて形成された金型
基材と共に上記金属導電膜を上記レジスト膜の表面から
離型させる工程とから構成したことを特徴とする記録媒
体用金型の製造方法。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の記録媒体用金
型の製造方法において、金属導電膜が形成された基板を
冷却、保存するための工程が、真空に調整された真空槽
内で行われることを特徴とする記録媒体用金型の製造方
法。 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項記載の記録媒体用金
型の製造方法において、金属導電膜が形成された基板を
冷却、保存するための工程が、不活性ガスが注入された
不活性ガス槽内で行われることを特徴とする記録媒体用
金型の製造方法。 - 【請求項４】特許請求の範囲第１項記載の記録媒体用金
型の製造方法において、金属導電膜が形成された基板を
冷却、保存するための工程が、還元性ガスが注入された
還元性ガス槽内で行われることを特徴とする記録媒体用
金型の製造方法。 - 【請求項５】特許請求の範囲第１項乃至第４項記載の記
録媒体用金型の製造方法において、カツテイングされた
基板の凹凸部の表面に金属導電膜を形成する工程が、２
×１０-5Ｔorr 以上の真空度に調整された真空槽内で、
真空蒸着法によつて行われることを特徴とする記録媒体
用金型の製造方法。 - 【請求項６】特許請求の範囲第１項乃至第５項記載の記
録媒体用金型の製造方法において、金属導電膜および電
鋳膜をニツケルにて形成したことを特徴とする記録媒体
用金型の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17590185A JPH0648552B2 (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | 記録媒体用金型の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17590185A JPH0648552B2 (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | 記録媒体用金型の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236757A JPS6236757A (ja) | 1987-02-17 |
| JPH0648552B2 true JPH0648552B2 (ja) | 1994-06-22 |
Family
ID=16004210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17590185A Expired - Fee Related JPH0648552B2 (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | 記録媒体用金型の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0648552B2 (ja) |
-
1985
- 1985-08-12 JP JP17590185A patent/JPH0648552B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6236757A (ja) | 1987-02-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |