JPS6236859A - シヨツトキバリヤダイオ−ド - Google Patents
シヨツトキバリヤダイオ−ドInfo
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- JPS6236859A JPS6236859A JP17621185A JP17621185A JPS6236859A JP S6236859 A JPS6236859 A JP S6236859A JP 17621185 A JP17621185 A JP 17621185A JP 17621185 A JP17621185 A JP 17621185A JP S6236859 A JPS6236859 A JP S6236859A
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- layer
- electrode
- schottky
- conductive layer
- schottky barrier
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イＪ 産業上の利用分野
本発明は高周波動作に適するショットキバリヤダイオー
ドに関する。
ドに関する。
口】 従来の技術
ショットキ障壁を用いた半導体素子は少数キャリアの蓄
積効果を無視できるので高速スイッチ。
積効果を無視できるので高速スイッチ。
高周波動作に適しており、従来がら特性の向上が図られ
てき次、特公昭４９−４１４６５号は第３図に示すよう
に、ｎ”ｍＧａＡｓ基板Ｃ３１１上にｎ＋＋型ｃａＡｓ
電導層ｒ３２及びｎ型ＧａＡｓ動作層關を連続してエピ
タキシャル成長させ、ｎ型ＧａＡ３動作層（至）表面に
ショットキ電極（財）を、ｎ型ＧａＡＳ動作層（至）の
所要部分を除去して露出させたｎ′型ＧａＡＳ電導層Ｇ
２表面にオーミック電極（３５１金設けたショットキバ
リヤダイオードである。（至）は絶縁膜でコンタクト領
域以外での動作層と電極の絶縁を果たしている。高不純
物′ａ関の電導層Ｇ２ヲ設け、この電導層０２にオーミ
ック電極Ｏ！ｉ）をつけることで直列抵抗が低減されダ
イオードへ特性が向上されている。
てき次、特公昭４９−４１４６５号は第３図に示すよう
に、ｎ”ｍＧａＡｓ基板Ｃ３１１上にｎ＋＋型ｃａＡｓ
電導層ｒ３２及びｎ型ＧａＡｓ動作層關を連続してエピ
タキシャル成長させ、ｎ型ＧａＡ３動作層（至）表面に
ショットキ電極（財）を、ｎ型ＧａＡＳ動作層（至）の
所要部分を除去して露出させたｎ′型ＧａＡＳ電導層Ｇ
２表面にオーミック電極（３５１金設けたショットキバ
リヤダイオードである。（至）は絶縁膜でコンタクト領
域以外での動作層と電極の絶縁を果たしている。高不純
物′ａ関の電導層Ｇ２ヲ設け、この電導層０２にオーミ
ック電極Ｏ！ｉ）をつけることで直列抵抗が低減されダ
イオードへ特性が向上されている。
しかしショットキ電極の周辺部においてに電界が集中す
るためにリーク電流が増加し、逆方向耐圧が低下してい
た。
るためにリーク電流が増加し、逆方向耐圧が低下してい
た。
ハ） 発明が解決しようとする問題点
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、直列抵抗が
小さく逆方向耐圧の良好なブヨットキバリャダイオード
を提供するものである。
小さく逆方向耐圧の良好なブヨットキバリャダイオード
を提供するものである。
二ノ 問題点を解決するための手段
本発明は、高不純物ａ度の高電導層上に動作層が成長さ
れ、動作層表面にショットキ電極が、高電導層表面にオ
ーミック電極が設けられているショットキバリヤダイオ
ードにおいて、ショットキ電極に高電導層が掘られその
上に成長され−ｆｃ動作層の凹状部Ｆに形成されている
ゾヨットキバリャダ４オードである。
れ、動作層表面にショットキ電極が、高電導層表面にオ
ーミック電極が設けられているショットキバリヤダイオ
ードにおいて、ショットキ電極に高電導層が掘られその
上に成長され−ｆｃ動作層の凹状部Ｆに形成されている
ゾヨットキバリャダ４オードである。
ホ）作 用
ショットキ電極と動作層とのコンタクトは凹状にされる
ので、ショットキ電極周辺での電界集中がなくなる。
ので、ショットキ電極周辺での電界集中がなくなる。
へＪ実施例
第１図は本発明の一実施例の概略構成図である。
１１＋はｎ 型ＣａＡｓ基板、（２１は該基板山上にエ
ピタキシャル成長された高不純物Ｉｆのｎ＋＋型ＧａＡ
ｓ高電導層、（３１は該高電導層１２１上にエピタキシ
ャル成長されたｎ型ＧａＡｓ動作層、（４（はＴ１−Ｐ
ｔ−Ａｕからなるショットキ電極、（５）はＡｕ−ａθ
−Ｎ１からなるオーミック電極、（６１は絶縁膜として
の５ｉ０２９でコンタクト領域以外の動作層と各電極と
の絶縁を果たしている。ショットキ電極（４）はエツチ
ングで則られた前記高電導Ｆｉｉ＄１２１上に成長され
た前記動作層１３１の凹状部と、ショットキ障壁を形成
すべくコンタクトしている。またオーミック電極（５１
は前記動作層１３＋の所定部分を取り除いて、前記高電
導層（２）とコンタクトしている。
ピタキシャル成長された高不純物Ｉｆのｎ＋＋型ＧａＡ
ｓ高電導層、（３１は該高電導層１２１上にエピタキシ
ャル成長されたｎ型ＧａＡｓ動作層、（４（はＴ１−Ｐ
ｔ−Ａｕからなるショットキ電極、（５）はＡｕ−ａθ
−Ｎ１からなるオーミック電極、（６１は絶縁膜として
の５ｉ０２９でコンタクト領域以外の動作層と各電極と
の絶縁を果たしている。ショットキ電極（４）はエツチ
ングで則られた前記高電導Ｆｉｉ＄１２１上に成長され
た前記動作層１３１の凹状部と、ショットキ障壁を形成
すべくコンタクトしている。またオーミック電極（５１
は前記動作層１３＋の所定部分を取り除いて、前記高電
導層（２）とコンタクトしている。
斯様なショットキバリヤダイオードでに、電界が集中し
やすいショットキ電極の周辺部で動作層との接触面積が
大きいので、電界集中が起こりにくい、即ちリーク電流
の低減、逆方向耐圧の改善がなされる。
やすいショットキ電極の周辺部で動作層との接触面積が
大きいので、電界集中が起こりにくい、即ちリーク電流
の低減、逆方向耐圧の改善がなされる。
第２図Ａ乃至ＥＫ沿って本発明のショットキバリヤダイ
オードの製造工程を説明する。まずｎ＋型ＧａＡ３基板
Ｉｌｌ上に気相成長法により高不純物濃度のｎ＋＋ 型
ＧａＡｓ高電導層１２＋全厚さ１２μｍ程エピタキシャ
ル成長濾せる（第２図Ａ］。該高電導層（２）上にレジ
スト（７）ｅｔ布し所定部＊（２ａ］の窓開けを行い、
酒石酸系エウチャント金用いて前記高電導層１２＋全深
さ１．５μｍ程エツチングする（第２図Ｂ）。前記レジ
スト（７）を除去し友あと前記高電導層（２）上にｎ型
ＧａＡＳ！ｌ１１／ｌｌ′層１３１’を薄く（例えば２
０００Ａ）エピタキシャル成長させる。この時第２図Ｃ
に示すように前記所定領域（２ａ）の部分において動作
層ｆ３＋は凹状になる。
オードの製造工程を説明する。まずｎ＋型ＧａＡ３基板
Ｉｌｌ上に気相成長法により高不純物濃度のｎ＋＋ 型
ＧａＡｓ高電導層１２＋全厚さ１２μｍ程エピタキシャ
ル成長濾せる（第２図Ａ］。該高電導層（２）上にレジ
スト（７）ｅｔ布し所定部＊（２ａ］の窓開けを行い、
酒石酸系エウチャント金用いて前記高電導層１２＋全深
さ１．５μｍ程エツチングする（第２図Ｂ）。前記レジ
スト（７）を除去し友あと前記高電導層（２）上にｎ型
ＧａＡＳ！ｌ１１／ｌｌ′層１３１’を薄く（例えば２
０００Ａ）エピタキシャル成長させる。この時第２図Ｃ
に示すように前記所定領域（２ａ）の部分において動作
層ｆ３＋は凹状になる。
そして該動作層（３１上に絶縁膜としてＳ ｉ Ｏ２＠
ｆ６１をＣＶＤ法で堆積させる。該５１０２膜（６１を
前述と同様にレジストを用いてパターン形成し、オーミ
ック電極を設けるために前記高電導層（２１が露出する
まで前記動作層１３１ヲエツチングする（第２図Ｄ）。
ｆ６１をＣＶＤ法で堆積させる。該５１０２膜（６１を
前述と同様にレジストを用いてパターン形成し、オーミ
ック電極を設けるために前記高電導層（２１が露出する
まで前記動作層１３１ヲエツチングする（第２図Ｄ）。
露出した前記高電導層（２）にＡｕ−Ｇｏ−Ｎｉｔ−１
！！択的に蒸着づせてオーミック電極（５１を形成する
。次に前記動作層＋３１の凹状部上の前記５ｉＯ２１１
１！ｔｚｙ＋ｙグ除去して、Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕｌｉ選択
的に蒸着させてショットキ電極１４１を形成して（第２
図Ｅ）、ショットキバリヤダイオードが完成される。
！！択的に蒸着づせてオーミック電極（５１を形成する
。次に前記動作層＋３１の凹状部上の前記５ｉＯ２１１
１！ｔｚｙ＋ｙグ除去して、Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕｌｉ選択
的に蒸着させてショットキ電極１４１を形成して（第２
図Ｅ）、ショットキバリヤダイオードが完成される。
本実施例では半導体としてＧａＡｓ１用いているが、シ
ョットキ障壁を形成できるものであれば他の半導体を用
いても何等さしつかえることはない。
ョットキ障壁を形成できるものであれば他の半導体を用
いても何等さしつかえることはない。
ト） 発明の効果
本発明は以上の説明から明らかな如く、ショットキ電極
全動作層とは凹状にコンタクトされて。
全動作層とは凹状にコンタクトされて。
電界の集中しやすいショットキ電極の周辺部での接触面
積が広くなるので、電界集中は起らない。
積が広くなるので、電界集中は起らない。
このためリーク電流は小さくなり、直列抵抗の小さい構
造のまま逆方向耐圧が向上される。
造のまま逆方向耐圧が向上される。
第１図は本発明の一実施例の概略構成図、第２図σ本発
明シ田ットキバリャダイオードの製造工程図、第３図は
従来のショットキバリヤダイオードの概略構成図である
。 １１１−ｎ＋型ＧａＡ３基板％＋２１−ｎ ”＋型Ｇａ
ＡＳ高電導層、（３ト・・ｎ型ＧａＡｓ動作層、（４）
・・・ショットキ電極、（５１・・・オー２フク電極。
明シ田ットキバリャダイオードの製造工程図、第３図は
従来のショットキバリヤダイオードの概略構成図である
。 １１１−ｎ＋型ＧａＡ３基板％＋２１−ｎ ”＋型Ｇａ
ＡＳ高電導層、（３ト・・ｎ型ＧａＡｓ動作層、（４）
・・・ショットキ電極、（５１・・・オー２フク電極。
Claims (1)
- １）高不純物濃度の高電導層上に動作層が成長され、動
作層表面にショットキ電極が、高電導層表面にオーミッ
ク電極が設けられているショットキバリヤダイオードに
おいて、ショットキ電極は高電導層が掘られその上に成
長された動作層の凹状部上に形成されていることを特徴
とするショットキバリヤダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17621185A JPS6236859A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | シヨツトキバリヤダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17621185A JPS6236859A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | シヨツトキバリヤダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236859A true JPS6236859A (ja) | 1987-02-17 |
Family
ID=16009565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17621185A Pending JPS6236859A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | シヨツトキバリヤダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6236859A (ja) |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP17621185A patent/JPS6236859A/ja active Pending
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