JPH01165166A - ショットキバリアダイオード - Google Patents
ショットキバリアダイオードInfo
- Publication number
- JPH01165166A JPH01165166A JP62322916A JP32291687A JPH01165166A JP H01165166 A JPH01165166 A JP H01165166A JP 62322916 A JP62322916 A JP 62322916A JP 32291687 A JP32291687 A JP 32291687A JP H01165166 A JPH01165166 A JP H01165166A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- schottky
- buffer layer
- beam lead
- etched
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、直接マイクロ波用ストリップラインにアセン
ブルできるようにショットキ電極及びオーミック電極を
表面にビームリード状に配設したショットキバリアダイ
オード（以下ＳＢＤという）に関するものである。
ブルできるようにショットキ電極及びオーミック電極を
表面にビームリード状に配設したショットキバリアダイ
オード（以下ＳＢＤという）に関するものである。
マイクロ波の検波器用などのＳＢＤには、浮遊容量を小
さく抑えるために、パッケージを使用せず、直接マイク
ロ波用ストリップラインにアセンブルできるようにショ
ットキ電極及びオーミック電極を表面にビームリード状
に配設したものがある。
さく抑えるために、パッケージを使用せず、直接マイク
ロ波用ストリップラインにアセンブルできるようにショ
ットキ電極及びオーミック電極を表面にビームリード状
に配設したものがある。
第３図（ａ） 、 （ｂ）は従来のこの種ＳＢＤの一例
の構造を示す平面図、模式断面図で、図（ｂ）は図（、
）のＡＡ’面で切断した断面を示す。
の構造を示す平面図、模式断面図で、図（ｂ）は図（、
）のＡＡ’面で切断した断面を示す。
図において１−１は基板、１−２はバッファ層、１−３
はアクティブ層、２は絶縁膜、３は表面に配設されたビ
ームリード状のショットキ電極、４は表面に配設された
ビームリード状のオーミック電極、５はショットキ部、
６はオーミック部である。
はアクティブ層、２は絶縁膜、３は表面に配設されたビ
ームリード状のショットキ電極、４は表面に配設された
ビームリード状のオーミック電極、５はショットキ部、
６はオーミック部である。
従来のＳＢＤはショットキ部５、オーミック部６がそれ
ぞれ表面からエツチング開口された部分に形成された構
造になっている。
ぞれ表面からエツチング開口された部分に形成された構
造になっている。
従来の上記のような構造のＳＢＤでは、マイクロ波領域
においては、表皮効果によシ、電流が半導体層の深さ数
十μｍの部分を横に流れ、拡がシ抵抗等の抵抗成分が大
きくなるという問題があった。
においては、表皮効果によシ、電流が半導体層の深さ数
十μｍの部分を横に流れ、拡がシ抵抗等の抵抗成分が大
きくなるという問題があった。
本発明は上記問題点を解消し、マイクロ波領域において
も拡がシ抵抗等の抵抗成分が大きくならないものを提供
することを目的とする。
も拡がシ抵抗等の抵抗成分が大きくならないものを提供
することを目的とする。
本発明のＳＢＤは、上記目的を達成するため、オーミッ
ク部をショットキ部の横でなく、ショットキ部直下の一
定領域の裏面をバッファ層と呼ばれるＥｐｉ層が薄く残
る状態になるまでエツチングしてできたエツチング面に
形成したものである。
ク部をショットキ部の横でなく、ショットキ部直下の一
定領域の裏面をバッファ層と呼ばれるＥｐｉ層が薄く残
る状態になるまでエツチングしてできたエツチング面に
形成したものである。
第１図はこの発明の一実施例の構造を示す模式断面図、
第２図は第１図の実施例の製造方法の一例を示す模式断
面図で、第３図の符号と同一の符号は同−又は相当する
部分を示し、７はレジスト、８は蒸着金属である。
第２図は第１図の実施例の製造方法の一例を示す模式断
面図で、第３図の符号と同一の符号は同−又は相当する
部分を示し、７はレジスト、８は蒸着金属である。
アクティブ層１−３表面との間で形成されたショットキ
部５を備えたシブットキ電極のビームリード３と従来の
ものと同様な構造に一部がバッファ層１−２内に達する
部分を備えたビームリード４の配設が終ったウェハの裏
面に図示のようなレジスト層７のマスクを形成し、ウェ
ハを裏面から深さがビームリード４のバッファ層１−２
内に達する部分が一部露出し、バッファ層１−２が薄く
残る状態になるまでエツチングする（この場合のエツチ
ング停止深さの確認はビームリード４のバッファ層内に
達する部分で行なえる）。次に、オーミック用金属（例
えば、ＧａＡｓに対してはＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ ）を
蒸着し、レジスト層７の周端でリフトオフさせ、レジス
ト７と不用なレジスト７上の蒸着金属を除去し、残った
蒸着金属８に熱処理を施し、蒸着金属８のバッファ層１
２との接続をオーミック状態にする。蒸着金属８がビー
ムリード４に露出部分で接続するので、配設されていた
ビームリード４がオーミック電極となる。
部５を備えたシブットキ電極のビームリード３と従来の
ものと同様な構造に一部がバッファ層１−２内に達する
部分を備えたビームリード４の配設が終ったウェハの裏
面に図示のようなレジスト層７のマスクを形成し、ウェ
ハを裏面から深さがビームリード４のバッファ層１−２
内に達する部分が一部露出し、バッファ層１−２が薄く
残る状態になるまでエツチングする（この場合のエツチ
ング停止深さの確認はビームリード４のバッファ層内に
達する部分で行なえる）。次に、オーミック用金属（例
えば、ＧａＡｓに対してはＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ ）を
蒸着し、レジスト層７の周端でリフトオフさせ、レジス
ト７と不用なレジスト７上の蒸着金属を除去し、残った
蒸着金属８に熱処理を施し、蒸着金属８のバッファ層１
２との接続をオーミック状態にする。蒸着金属８がビー
ムリード４に露出部分で接続するので、配設されていた
ビームリード４がオーミック電極となる。
この後、エツチングによりチップごとにセパレートする
と、第１図に示す構造の製品が得られる。
と、第１図に示す構造の製品が得られる。
このものは、マイクロ波領域で拡がり抵抗となる主要部
分が除去されているので、拡がシ抵抗が低く押えられる
。
分が除去されているので、拡がシ抵抗が低く押えられる
。
以上説明したように、本発明によれば、ビームリードＷ
ＳＢＤにおいて、マイクロ波領域での拡がり抵抗が小
さくなシ、検波器などの場合上記抵抗に起因する熱雑音
が減少するという効果がある。
ＳＢＤにおいて、マイクロ波領域での拡がり抵抗が小
さくなシ、検波器などの場合上記抵抗に起因する熱雑音
が減少するという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例の構造を示す模式断面図、
第２図は第１図の実施例の製造方法の一例を示す模式断
面図、第３図（ａ） 、 （ｂ）は従来のこの種ＳＢＤ
の一例の構造を示す平面図、模式断面図である。 １−１・・・基板、１−２・・・バッファ層、１−３−
・・アクティブ層、２・・・絶縁膜、３．４・・・ビー
ムリード、５・・・ショットキ部、６・・・オーミック
部、７・・・レジスト、８・・・蒸着金属 なお各図中は同一符号は同−又は相当する部分を示す。 特許出願人 新日本無線株式会社 第３図
第２図は第１図の実施例の製造方法の一例を示す模式断
面図、第３図（ａ） 、 （ｂ）は従来のこの種ＳＢＤ
の一例の構造を示す平面図、模式断面図である。 １−１・・・基板、１−２・・・バッファ層、１−３−
・・アクティブ層、２・・・絶縁膜、３．４・・・ビー
ムリード、５・・・ショットキ部、６・・・オーミック
部、７・・・レジスト、８・・・蒸着金属 なお各図中は同一符号は同−又は相当する部分を示す。 特許出願人 新日本無線株式会社 第３図
Claims (1)
- 直接マイクロ波用ストリップラインにアセンブルでき
るようにショットキ電極及びオーミック電極を表面にビ
ームリード状に配設したショットキバリアダイオードに
おいて、ショットキ部直下の一定領域の裏面をバッファ
層が薄く残る状態になるまでエッチングし、該エッチン
グ面にメタルを蒸着してオーミック部を形成したことを
特徴とするショットキバリアダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62322916A JPH01165166A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | ショットキバリアダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62322916A JPH01165166A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | ショットキバリアダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01165166A true JPH01165166A (ja) | 1989-06-29 |
Family
ID=18149059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62322916A Pending JPH01165166A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | ショットキバリアダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01165166A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104795453A (zh) * | 2015-04-24 | 2015-07-22 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种多梁式引线砷化镓基肖特基倍频二极管 |
| CN105845742A (zh) * | 2016-05-24 | 2016-08-10 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 梁式引线太赫兹肖特基二极管 |
-
1987
- 1987-12-22 JP JP62322916A patent/JPH01165166A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104795453A (zh) * | 2015-04-24 | 2015-07-22 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种多梁式引线砷化镓基肖特基倍频二极管 |
| CN104795453B (zh) * | 2015-04-24 | 2018-06-12 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种多梁式引线砷化镓基肖特基倍频二极管 |
| CN105845742A (zh) * | 2016-05-24 | 2016-08-10 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 梁式引线太赫兹肖特基二极管 |
| CN105845742B (zh) * | 2016-05-24 | 2023-12-19 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 梁式引线太赫兹肖特基二极管 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB1082317A (en) | Semiconductor devices and methods of making them | |
| US6392278B1 (en) | Fet having a reliable gate electrode | |
| JPH04127480A (ja) | 高耐圧低抵抗半導体装置及びその製造方法 | |
| GB1023531A (en) | Improvements in or relating to semiconductor devices | |
| JPH01165166A (ja) | ショットキバリアダイオード | |
| JPS5879773A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPS5842631B2 (ja) | 接合ゲ−ト型電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPS5914906B2 (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPS583303Y2 (ja) | シヨツトキバリアダイオ−ド | |
| JP3041908B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2004014658A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS6112080A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP2868771B2 (ja) | 電子ビーム露光用位置合せマークの形成方法 | |
| JPH0216771A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02122669A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61276274A (ja) | シヨツトキ−フオトダイオ−ド | |
| JPS5935188B2 (ja) | シヨツトキバリア・ダイオ−ドの製法 | |
| JPH02178973A (ja) | 横型ショットキーダイオードの製造方法 | |
| JPS6129555B2 (ja) | ||
| JPS5852351B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6236859A (ja) | シヨツトキバリヤダイオ−ド | |
| JPS5931073A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPS61218174A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02226770A (ja) | 半導体ダイオード | |
| JPS6318679A (ja) | バラクタダイオ−ドの製造方法 |