JPS6236860A - シヨツトキ−バリア・ダイオ−ド - Google Patents
シヨツトキ−バリア・ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS6236860A JPS6236860A JP17621685A JP17621685A JPS6236860A JP S6236860 A JPS6236860 A JP S6236860A JP 17621685 A JP17621685 A JP 17621685A JP 17621685 A JP17621685 A JP 17621685A JP S6236860 A JPS6236860 A JP S6236860A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- barrier metal
- metal electrode
- semiconductor substrate
- electrode
- guard ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 52
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は高速動作に適したショットキーバリア拳ダイオ
ードに関するものである。
ードに関するものである。
（ロ）従来の技術
一般にショットキーバリア書ダイオード（７！ｌ）は特
願昭５１３−１２８９６８号明細書（第３図）の如く、
Ｎ＋型のシリコン半導体基板（２？Ｊと、該Ｎ 型のシ
リコン半導体基板（２邊上に積層きれるＮ型のエピタキ
シャル層（２３）と、該Ｎ型のエピタキシャル層（２（
資）上に熱酸化法を用いて積層されるシリコン酸化膜（
２４）と、前記エピタキシャル層Ｃ僧にボロンの選択拡
散法を用いて形成されるリング状のＰ 型のガードリン
グ（２つと、前記シリコン酸化膜（２４１の略中央を写
真蝕刻法で形成されろコンタクト孔（イ）と、前記コン
タクト孔α）を介して前記半導体基板（ハ）に接触する
第１のバリアメタル電極（２７１（ここで第１のバリア
メタル電極（財）はＭｏ、 Ｔｉ、 Ｎｉ の順で積層
される）と、前記第１のバリアメタル電極＋２７）表面
に設けられた第２のバリアメタル電極＠（ここで第２の
バリアメタル電極（２８としてＡｌ を使用する）と、
前記バリアメタル電極（ハ）の略中央にワイヤボンド法
を用いて形成されるＡｕ ワイヤ等とにより構成されて
いる。
願昭５１３−１２８９６８号明細書（第３図）の如く、
Ｎ＋型のシリコン半導体基板（２？Ｊと、該Ｎ 型のシ
リコン半導体基板（２邊上に積層きれるＮ型のエピタキ
シャル層（２３）と、該Ｎ型のエピタキシャル層（２（
資）上に熱酸化法を用いて積層されるシリコン酸化膜（
２４）と、前記エピタキシャル層Ｃ僧にボロンの選択拡
散法を用いて形成されるリング状のＰ 型のガードリン
グ（２つと、前記シリコン酸化膜（２４１の略中央を写
真蝕刻法で形成されろコンタクト孔（イ）と、前記コン
タクト孔α）を介して前記半導体基板（ハ）に接触する
第１のバリアメタル電極（２７１（ここで第１のバリア
メタル電極（財）はＭｏ、 Ｔｉ、 Ｎｉ の順で積層
される）と、前記第１のバリアメタル電極＋２７）表面
に設けられた第２のバリアメタル電極＠（ここで第２の
バリアメタル電極（２８としてＡｌ を使用する）と、
前記バリアメタル電極（ハ）の略中央にワイヤボンド法
を用いて形成されるＡｕ ワイヤ等とにより構成されて
いる。
←→ 発明が解決しようとする問題点
斯上の如き７１ツトキーバリア・ダイオードに於いて、
マイクロ波用としてショットキーパリアリダイオードを
使用する場合ＭＯ８容量、接合容量または直列抵抗を減
少させる必要がある。
マイクロ波用としてショットキーパリアリダイオードを
使用する場合ＭＯ８容量、接合容量または直列抵抗を減
少させる必要がある。
従って高速動作に適するショットキーバリアーダイオー
ドを作成しようとすると前述の容重や抵抗値が大きいた
め高速のショットキーバリアーダイオードが作成ｆきな
い問題点を有していた。
ドを作成しようとすると前述の容重や抵抗値が大きいた
め高速のショットキーバリアーダイオードが作成ｆきな
い問題点を有していた。
に）問題点を解決するための手段
本発明は上記の問題点に鑑みてなされ、少なくとも一導
電型の半導体基板＋２）ｔ３１と該半導体基板（２）（
３）表面に接触する第１のバリアメタル電極（力と該第
１のバリアメタル電極（力表面に設けられたＭ２ツバリ
アメタル電極（８）とバリアメタル電極（力（８）の周
縁に対応して半導体基板内に設けられたガードリング（
５）と前記バリアメタル′醒極（力（８）が前記半導体
基板（３）と接触しない領域に設けた絶縁膜（４）とを
具備するショットキーバリア・ダイオード（１）に於い
て、前記第２のバリアメタル電極（８）の周縁部（９）
が前記ガードリング（５）の少なくとも一部に接続され
ることで解決するものである。
電型の半導体基板＋２）ｔ３１と該半導体基板（２）（
３）表面に接触する第１のバリアメタル電極（力と該第
１のバリアメタル電極（力表面に設けられたＭ２ツバリ
アメタル電極（８）とバリアメタル電極（力（８）の周
縁に対応して半導体基板内に設けられたガードリング（
５）と前記バリアメタル′醒極（力（８）が前記半導体
基板（３）と接触しない領域に設けた絶縁膜（４）とを
具備するショットキーバリア・ダイオード（１）に於い
て、前記第２のバリアメタル電極（８）の周縁部（９）
が前記ガードリング（５）の少なくとも一部に接続され
ることで解決するものである。
（（ホ）作用
従来は前記第２のバリアメタル電極（至）（例えばＡｌ
）、第１のバリアメタル電極＠（例えばＭｏ、ＴＩ、
Ｎｉの順に積ｌ−されている）、そして半導体基板Ｑ
３と積）−されていたが、本発明では前記第２のバリア
メタル電極（８）の周縁部を前記ガードリング（５）の
少なくとも一部に接続することで、第２のバリアメタル
電極（８）の一部は第１のバリアメタル電極（７）を介
せず直接半導体基板（３）と接続されるため、直列抵抗
を減少させることが可能となる。
）、第１のバリアメタル電極＠（例えばＭｏ、ＴＩ、
Ｎｉの順に積ｌ−されている）、そして半導体基板Ｑ
３と積）−されていたが、本発明では前記第２のバリア
メタル電極（８）の周縁部を前記ガードリング（５）の
少なくとも一部に接続することで、第２のバリアメタル
電極（８）の一部は第１のバリアメタル電極（７）を介
せず直接半導体基板（３）と接続されるため、直列抵抗
を減少させることが可能となる。
またガードリング（５）の外側に第２のバリアメタル電
極（８）が形成されないためＭＯ８容量を減少させるこ
とができる。
極（８）が形成されないためＭＯ８容量を減少させるこ
とができる。
（へ）実施例
以下に本発明による一実施例を第１図を診照しながら説
明する。
明する。
第１図に示す如くＮ＋型のシリコン半導体基板（２）と
、該半導体基板（２）上に積層されるＮ型のエピタキシ
ャル層（３）と、該Ｎ型のエピタキシャル層（３）上に
熱酸化法等を用いて積層されるシリコン酸化膜（４）と
、該シリコン酸化膜（４）を選択的に蝕刻しボ応して形
成されるリング状のＰ 型のガードリング（５）と、前
記シリコン酸化膜（４）の略中央を写真蝕刻法で開孔さ
れたコンタクト孔（６）と、前記コンタクト孔（６）を
介して前記半導体基板（３）に接触する第１のバリアメ
タル電極（力（ここで第１のバリアメタル電極（力はＭ
ｏ、 Ｔ ｉ、 Ｎ ｉの順で積層される）と、前記第
１のバリアメタル電極（力表面に設けられた第２のバリ
アメタル電極（８）（ここで第２のバリアメタル電極（
８）はＡＩを使用する）と、前記バリアメタル電極＋７
１（８１の略中央にワイヤボンド法を用いて形成される
Ａｕ ワイヤ等とにより構成されている。
、該半導体基板（２）上に積層されるＮ型のエピタキシ
ャル層（３）と、該Ｎ型のエピタキシャル層（３）上に
熱酸化法等を用いて積層されるシリコン酸化膜（４）と
、該シリコン酸化膜（４）を選択的に蝕刻しボ応して形
成されるリング状のＰ 型のガードリング（５）と、前
記シリコン酸化膜（４）の略中央を写真蝕刻法で開孔さ
れたコンタクト孔（６）と、前記コンタクト孔（６）を
介して前記半導体基板（３）に接触する第１のバリアメ
タル電極（力（ここで第１のバリアメタル電極（力はＭ
ｏ、 Ｔ ｉ、 Ｎ ｉの順で積層される）と、前記第
１のバリアメタル電極（力表面に設けられた第２のバリ
アメタル電極（８）（ここで第２のバリアメタル電極（
８）はＡＩを使用する）と、前記バリアメタル電極＋７
１（８１の略中央にワイヤボンド法を用いて形成される
Ａｕ ワイヤ等とにより構成されている。
本発明の特徴とするところは前記第２のバリアメタル電
極（８）Ｋある。前述の如く第２のバリアメタル電極（
８）（ここではＡｌを使用）の周縁部（９）を前記ガー
ドリング（５）の少なくとも一部に接続することで、第
２のバリアメタル電極（８）の一部は第１のバリアメタ
ル電極（力を介せずに直接半導体基板（３）に形成され
るガードリング（５）と接続されるため、直列抵抗を減
少させること軒できる。
極（８）Ｋある。前述の如く第２のバリアメタル電極（
８）（ここではＡｌを使用）の周縁部（９）を前記ガー
ドリング（５）の少なくとも一部に接続することで、第
２のバリアメタル電極（８）の一部は第１のバリアメタ
ル電極（力を介せずに直接半導体基板（３）に形成され
るガードリング（５）と接続されるため、直列抵抗を減
少させること軒できる。
また第２のバリアメタル電極（８）の周縁部（９）を前
記ガードリング（５）に接続するため、第２のバリアメ
タル電極（８）がガードリング（５）の外側に形成され
ない。従って第２のバリアメタル電極（８）、シリコン
酸化膜（４）、半導体基板（３）で形成されるＭＯ８容
量を減少させることが可能になる。
記ガードリング（５）に接続するため、第２のバリアメ
タル電極（８）がガードリング（５）の外側に形成され
ない。従って第２のバリアメタル電極（８）、シリコン
酸化膜（４）、半導体基板（３）で形成されるＭＯ８容
量を減少させることが可能になる。
第２図は本発明の他の実施例であり、シリコン酸化膜Ｏ
ｎがガードリングの内側領域にも形成されたものである
。
ｎがガードリングの内側領域にも形成されたものである
。
（ト） 発明の効果
本発明は以上の説明からも明らかな如く前記第２のバリ
アメタル電極（８）の周縁部（９）を前記ガードリング
（５）の少なくとも一部に接続することで直列抵抗を減
少させ、更にＭＯ８容量も減少させることができる。従
って高速動作が可能となる。
アメタル電極（８）の周縁部（９）を前記ガードリング
（５）の少なくとも一部に接続することで直列抵抗を減
少させ、更にＭＯ８容量も減少させることができる。従
って高速動作が可能となる。
第１図φｌｓ２図は本発明の実施例であるシ胃ソトキー
バリア・ダイオードの断面図、第３図は従来のショット
キーバリア・ダイオードの断面図である。 主な図番の説明 （１）はショットキーバリア・ダイオード、（２）はシ
リコン半導体基板、 （３）はエピタキシャル層、（４
）はシリコン酸化膜、 （５）はガードリング、 （６
）はコンタクト孔、 （力は第１のバリアメタル電極、
（８）は第２のバリアメタル電極、 （９）は第２バリ
アメタル電極の周縁部である。 出願人 三洋電機株式会社 外１名 代理人 弁理士 佐 野 静 失 策１図 第２図
バリア・ダイオードの断面図、第３図は従来のショット
キーバリア・ダイオードの断面図である。 主な図番の説明 （１）はショットキーバリア・ダイオード、（２）はシ
リコン半導体基板、 （３）はエピタキシャル層、（４
）はシリコン酸化膜、 （５）はガードリング、 （６
）はコンタクト孔、 （力は第１のバリアメタル電極、
（８）は第２のバリアメタル電極、 （９）は第２バリ
アメタル電極の周縁部である。 出願人 三洋電機株式会社 外１名 代理人 弁理士 佐 野 静 失 策１図 第２図
Claims (1)
- （１）少なくとも一導電型の半導体基板と該半導体基板
表面に接触する第１のバリアメタル電極と該第１のバリ
アメタル電極表面に設けられた第２のバリアメタル電極
とバリアメタル電極の周縁に対応して半導体基板に設け
られたガードリングと前記バリアメタル電極が前記半導
体基板と接触しない領域に設けた絶縁膜とを具備するシ
ョットキーバリア・ダイオードに於いて、前記第２のバ
リアメタル電極周縁部が前記ガードリングの少なくとも
一部に接続されることを特徴としたショットキーバリア
・ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17621685A JPS6236860A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | シヨツトキ−バリア・ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17621685A JPS6236860A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | シヨツトキ−バリア・ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236860A true JPS6236860A (ja) | 1987-02-17 |
Family
ID=16009649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17621685A Pending JPS6236860A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | シヨツトキ−バリア・ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6236860A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5018796A (en) * | 1989-05-16 | 1991-05-28 | Tokico Ltd. | Hydraulic pressure control valve |
| JPH0743549U (ja) * | 1993-12-31 | 1995-08-22 | 相原電機株式会社 | 変圧器用サージ吸収装置 |
| JPH10178186A (ja) * | 1996-10-15 | 1998-06-30 | Internatl Rectifier Corp | 高電圧ショットキーダイオード |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP17621685A patent/JPS6236860A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5018796A (en) * | 1989-05-16 | 1991-05-28 | Tokico Ltd. | Hydraulic pressure control valve |
| JPH0743549U (ja) * | 1993-12-31 | 1995-08-22 | 相原電機株式会社 | 変圧器用サージ吸収装置 |
| JPH10178186A (ja) * | 1996-10-15 | 1998-06-30 | Internatl Rectifier Corp | 高電圧ショットキーダイオード |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5742668B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
| JP2006173437A (ja) | 半導体装置 | |
| US5654226A (en) | Wafer bonding for power devices | |
| JPH07273309A (ja) | 電力半導体素子 | |
| JPH0786621A (ja) | 複合ダイオード | |
| JP2000164894A (ja) | 半導体構成素子並びに該半導体構成素子の製造方法 | |
| WO2006085448A1 (ja) | 半導体素子 | |
| JPS6236860A (ja) | シヨツトキ−バリア・ダイオ−ド | |
| JP3329973B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2719569B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08130317A (ja) | 抵抗性フィ−ルドプレ−トを備えた半導体装置 | |
| JPS62108567A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS61210668A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0622998Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0677237A (ja) | プレーナ型ダイオードの製造方法 | |
| JPH04125969A (ja) | Ｍｏｓ型パワー半導体素子およびその製造方法 | |
| JPS58125875A (ja) | 定電圧ダイオ−ド | |
| JP2892673B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0883918A (ja) | 半導体装置 | |
| JP4860146B2 (ja) | サージ保護用半導体装置 | |
| JPS6233456A (ja) | シヨツトキ−バリア・ダイオ−ド | |
| JP2000307064A (ja) | 半導体抵抗 | |
| JPS6347971A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01147864A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH11121459A (ja) | 半導体装置及びそのコレクタ抵抗低減方法 |