JPS6237624B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6237624B2
JPS6237624B2 JP54108639A JP10863979A JPS6237624B2 JP S6237624 B2 JPS6237624 B2 JP S6237624B2 JP 54108639 A JP54108639 A JP 54108639A JP 10863979 A JP10863979 A JP 10863979A JP S6237624 B2 JPS6237624 B2 JP S6237624B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
distyrylcarbazole
parts
same
hydrogen
different
Prior art date
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Expired
Application number
JP54108639A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5632458A (en
Inventor
Hiroshi Kawahara
Iwahiro Ootsuka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Priority to JP10863979A priority Critical patent/JPS5632458A/ja
Publication of JPS5632458A publication Critical patent/JPS5632458A/ja
Publication of JPS6237624B2 publication Critical patent/JPS6237624B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Indole Compounds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、新規な3,6−ジスチリルカルバゾ
ールやその誘導体およびそれらの製造方法に関す
るものである。 電子写真用の有機光導電物質としてポリ−N−
ビニルカルバゾールが最も良く知られている。こ
の化合物は通常増感剤や可塑剤等を添加し、金属
や紙などの基体上に薄く塗布して使用される。こ
の有機光導電材料はセレンなどの無機光導電材料
を使用したものに比較して種々の長所を有してい
るがまた短所もあり、特に感度が低いことが最も
大きな短所の1つとなつている。そこで、本発明
者らは、ポリ−N−ビニルカルバゾールの問題点
を解消し有機光導電材料として優れた特性を有す
る化合物を見い出す目的でカルバゾール基を有す
る種々の化合物について研究検討を行つた。その
結果、光導電性物質合成の中間物質として有用な
新規な化合物、3,6−ジスチリルカルバゾール
およびその誘導体を見い出すに至つた。この化合
物は、N位にビニル基等を容易に導入することが
でき、これを重合して光導電性物質を製造するこ
とができるものである。 本発明の3,6−ジスチリルカルバゾール誘導
体は下記一般式〔〕を有する化合物である。 〔但しRは同一または異る水素、塩素、炭素数
1または2のアルコキシ基〕 この3,6−ジスチリルカルバゾール誘導体
は、一般式〔〕で示され 〔但しXは同一または異る臭素あるいは臭素〕 る3,6−ジハロカルバゾールと 一般式〔〕 〔但し、Rは同一又は異なる水素、塩素、炭素
数1または2のアルコキシ基〕 で示されるスチレン誘導体とを反応させて製造さ
れる。この反応には通常触媒とハロゲン化水素捕
捉剤とが必要とされる。触媒としては、酢酸パラ
ジウム等の貴金属化合物とトリアリールホスフイ
ンなどのリン化合物の組み合せが適当である。ハ
ロゲン化水素捕捉剤としては3級アミンなどのア
ミン類やNaHCO3,Na2CO3などの弱塩基性の塩
などが適当である。 本発明の原料化合物であるジハロカルバゾール
は、カルバゾールを臭素又は沃素でハロゲン化し
て製造することができる。こうして得られた一般
式〔〕で示されるジハロカルバゾールと一般式
〔〕で示されるスチレン誘導体とをたとえば酢
酸パラジウム、トリアリールホスフイン、3級ア
ミンの存在下、75〜150℃の温度条件で反応せし
める。 トリアリールホスフインとしては、トリフエニ
ルホスフイン、トリ−o−トリルホスフイン、ト
リス(2,5−ジイソプロピル)ホスフイン、ト
リ−α−ナフチルホスフイン、トリス(2,3,
4,5−テトラメチルフエニル)ホスフイン、ト
リス(5−トリフルオロメチル−2−メチルフエ
ニル)ホスフイン、トリス(2−メチル−5−t
−ブチルフエニル)ホスフイン、トリス(p−カ
ルボメトキシフエニル)ホスフイン、などのホス
フインを挙げることができるが、特に、トリ−o
−トリルホスフイン、トリス(2−メチル−5−
t−ブチルフエニル)ホスフインの使用が好まし
い。本発明に使用するトリアリールホスフイン
は、酢酸パラジウム1モルに対し、2〜10モル%
が適当である。また、酢酸パラジウムの使用量
は、スチレン誘導体使用量の1〜2モル%が適当
である。 3級アミンは、発生するハロゲン化水素の捕捉
剤として使用されるが、トリエチルアミン、トリ
−n−プロピルアミン、トリ−n−ブチルアミ
ン、トリアミルアミン、テトラメチルエチレンジ
アミンなどのごくありふれたアミンでよく、その
使用量は発生するハロゲン化水素に当モルより少
し過剰に使用する。反応溶媒としては一般的なも
の、例えばN,N−ジメチルホルムアミド、ジメ
チルアセトアミド、トルエン、キシレン、クロル
ベンゼン、O−ジクロルベンゼン、N−メチルピ
ロリドン、ジメチルスルホキシド、アセトニトリ
ル等でよい。 ジハロカルバゾール〔〕と反応されるスチレ
ン誘導体〔〕は2種以上の組み合せであつても
よく、その場合3,6−ジスチリルカルバゾール
誘導体の2つのRは異る場合もある。しかし通常
はRは同一の基である。またこの場合、好ましい
Rは水素、ハロゲン、アルコキシ基、ニトロ基、
およびジメチルアミノ基である。 本発明の方法によつて得られた化合物は、光導
電性物質合成の中間物として有用なものであり、
反応部位として活性なN位に重合性官能基を導入
した化合物を単独重合あるいは他の適当なモノマ
ーと共重合させることにより秀れた光導電体を得
ることができる。また窒素原子により既存ポリマ
ーへのグラフト化を行つても秀れた光導電体を得
ることが出来る。このようにして得られたもの
は、有機光導電材料として代表的なポリ−N−ビ
ニルカルバゾールに比し、光導電性に秀れてお
り、光導電性物質に不可欠な高純度のものが得ら
れる。この光導電性物質は従来のポリ−N−ビニ
ルカルバゾールと同様電子写真用の感光材料とし
て適し、その用途に主として用いられるが、勿論
その用途に限定されるものではない。 以下に本発明を実施例により具体的に説明する
が、本発明はこれら実施例のみに限定されるもの
ではない。 実施例 1 カルバゾール33.44部(重量部、以下同じ)を
二硫化炭素500部に加え、二硫化炭素が還流する
まで加熱して溶解させる。撹拌しながら、40部の
二硫化炭素に溶解させた臭素72部を滴下しながら
加えた。還流下に1時間熟成後、冷却する。析出
物を二硫化炭素で洗浄後、十分水洗を行つた。エ
チルアルコールより再結晶して精製し、融点213
℃の白色針状結晶として、3,6−ジプロモカル
バゾール(以下、DBCZと略す)39.06部を得た。
以下の実施例ではすべてこの方法で製造した
DBCZを用いた。 DBCZ8.13部、スチレン6.51部、トリ−n−ブ
チルアミン11.67部、酢酸パラジウム0.112部、ト
リ−o−トリルホスフイン0.304部、ジメチルホ
ルムアミド20部から成る混合物を窒素雰囲気下で
撹拌しながら130℃で20時間加熱した。反応混合
物が未だ熱い内に過をして、不溶物を除去後、
多量のメタノールに注加することにより粗結晶を
得た。得られた粗結晶をクロルベンゼンから2度
再結晶して、淡異色板状結晶として、3,6−ジ
スチリルカルバゾール5.60部(収率59%)を得
た。 融点:246℃(分解) 元素分析(C28H21Nとして) C H N 計算値(%) 90.53 5.70 3.77 実測値(%) 90.10 5.99 3.88 またその赤外線スペクトル(KBr法)を図−1
に示す。 実施例 2〜3 表記のスチレン誘導体を用いた他は実施例−1
の方法に従つて各種のジスチリルカルバゾール誘
導体を得た。 【表】
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図および第3図はそれぞれ実施例
1、実施例2および実施例3で製造した3,6−
ジスチリルカルバゾール誘導体のIR図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 〔ただし、Rは同一または異なる水素、塩素、
    炭素数1または2のアルコキシ基〕 で示される3,6−ジスチリルカルバゾール誘導
    体。 2 式 〔ただし、Xは同一または異なる臭素あるいは
    沃素〕 で示される3,6−ジハロカルバゾールと式 〔ただし、Rは水素、塩素、炭素数1または2
    のアルコキシ基、の内の1種〕 で示されるスチレン誘導体を酢酸パラジウムおよ
    びトリアリールスルホスフインの組み合わせから
    なる触媒及びハロゲン化水素捕捉剤の存在下で反
    応させることを特徴とする一般式 〔ただし、同一または異なる上記の基〕 で示される3,6−ジスチリルカルバゾール誘導
    体の製造方法。 3 ハロゲン化水素捕捉剤が3級アミンであるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲2の方法。
JP10863979A 1979-08-28 1979-08-28 3,6-distyrylcarbazole derivative and its preparation Granted JPS5632458A (en)

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JPS5632458A JPS5632458A (en) 1981-04-01
JPS6237624B2 true JPS6237624B2 (ja) 1987-08-13

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH056247U (ja) * 1991-07-05 1993-01-29 愛知機械工業株式会社 無段変速機の変速プーリー構造

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57165841A (en) * 1981-04-07 1982-10-13 Asahi Glass Co Ltd Electrophotographic receptor

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52128372A (en) * 1976-04-19 1977-10-27 Ricoh Co Ltd Alpha-(9-anthryl)-beta-(3-carbazolyl)-ethylene derivatives, their preparation, and photosensitive material for electrophotograph using theirof
JPS5414967A (en) * 1977-07-05 1979-02-03 Ricoh Co Ltd Novel disazo compound and its preparation

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH056247U (ja) * 1991-07-05 1993-01-29 愛知機械工業株式会社 無段変速機の変速プーリー構造

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JPS5632458A (en) 1981-04-01

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