JPH032174B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH032174B2 JPH032174B2 JP12310481A JP12310481A JPH032174B2 JP H032174 B2 JPH032174 B2 JP H032174B2 JP 12310481 A JP12310481 A JP 12310481A JP 12310481 A JP12310481 A JP 12310481A JP H032174 B2 JPH032174 B2 JP H032174B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- parts
- dihalocarbazole
- general formula
- substituted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Indole Compounds (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規なN−置換−3,6−ジハロカル
バゾールとジエチニルベンゼンとの縮合生成物お
よびその製造方法に関するものである。
バゾールとジエチニルベンゼンとの縮合生成物お
よびその製造方法に関するものである。
有機光導電性材料には従来から多数の化合物が
知られており、その代表的な化合物はポリ−N−
ビニルカルバゾールである。
知られており、その代表的な化合物はポリ−N−
ビニルカルバゾールである。
この有機光導電材料は、セレンに代表される無
機光導電材料に比べて種々の長所を有している
が、また短所もあり、特に感度が低いことが大き
い短所の一つとなつている。そこで本発明者ら
は、有機光導電性材料として優れた特性を有する
化合物を見い出す目的で種々検討を行つた。その
結果、光導電性に勝れたN−置換−3,6−ジハ
ロカルバゾールとジエチニルベンゼンとの縮合生
成物を見い出すに至つた。
機光導電材料に比べて種々の長所を有している
が、また短所もあり、特に感度が低いことが大き
い短所の一つとなつている。そこで本発明者ら
は、有機光導電性材料として優れた特性を有する
化合物を見い出す目的で種々検討を行つた。その
結果、光導電性に勝れたN−置換−3,6−ジハ
ロカルバゾールとジエチニルベンゼンとの縮合生
成物を見い出すに至つた。
本発明のN−置換−3,6−ジハロカルバゾー
ルとジエチニルベンゼンとの縮重合生成物は、下
記一般式()を有する平均重合度が5以上の化
合物である。
ルとジエチニルベンゼンとの縮重合生成物は、下
記一般式()を有する平均重合度が5以上の化
合物である。
(ただし、Rは炭素数1〜16のアルキル基、
シクロアルキル基あるいはアラルキル基、nは
正の整数。) この化合物()は、一般式() (ただし、Rは炭素数1〜16のアルキル基、
シクロアルキル基あるいはアラルキル基、Xは
同一または異る臭素あるいは沃素。) で示されるN−置換−3,6−ジハロカルバゾー
ルと一般式() で示されるジエチニルベンゼンを反応させて製造
される。この反応には通常、触媒とハロゲン化水
素捕捉剤とが必要とされる。触媒としては酢酸パ
ラジウム等の貴金属化合物と、トリアリールホス
フインなどのリン化合物の組み合わせが適当であ
る。ハロゲン化水素捕捉剤としては2級アミン、
3級アミンなどのアミン類や炭酸水素ナトリウ
ム、炭酸ナトリウムなどの塩基性の塩などが適当
である。
シクロアルキル基あるいはアラルキル基、nは
正の整数。) この化合物()は、一般式() (ただし、Rは炭素数1〜16のアルキル基、
シクロアルキル基あるいはアラルキル基、Xは
同一または異る臭素あるいは沃素。) で示されるN−置換−3,6−ジハロカルバゾー
ルと一般式() で示されるジエチニルベンゼンを反応させて製造
される。この反応には通常、触媒とハロゲン化水
素捕捉剤とが必要とされる。触媒としては酢酸パ
ラジウム等の貴金属化合物と、トリアリールホス
フインなどのリン化合物の組み合わせが適当であ
る。ハロゲン化水素捕捉剤としては2級アミン、
3級アミンなどのアミン類や炭酸水素ナトリウ
ム、炭酸ナトリウムなどの塩基性の塩などが適当
である。
本発明の原料化合物であるN−置換−ジハロカ
ルバゾールはカルバゾールを臭素または塩化沃素
でハロゲン化した後、置換基を導入するか、N−
置換カルバゾールを臭素または塩化沃素でハロゲ
ン化して製造することができる。こうして得られ
た一般式()で示されるN−置換−3,6−ジ
ハロカルバゾールと一般式()で示されるジエ
チニルベンゼンとをたとえば酢酸パラジウム、ト
リアリールホスフイン、3級アミンの存在下75〜
150℃の温度で反応せしめる。
ルバゾールはカルバゾールを臭素または塩化沃素
でハロゲン化した後、置換基を導入するか、N−
置換カルバゾールを臭素または塩化沃素でハロゲ
ン化して製造することができる。こうして得られ
た一般式()で示されるN−置換−3,6−ジ
ハロカルバゾールと一般式()で示されるジエ
チニルベンゼンとをたとえば酢酸パラジウム、ト
リアリールホスフイン、3級アミンの存在下75〜
150℃の温度で反応せしめる。
トリアリールホスフインとしては、トリフエニ
ルホスフイン、トリ−o−トリルホスフイン、ト
リス(2,5−ジイソプロピルフエニル)ホスフ
イン、トリ−α−ナフチルホスフイン、トリス
(2,3,4,5−テトラメチルフエニル)ホス
フイン、トリス(5−トリフルオロメチル−2−
メチルフエニル)ホスフイン、トリス(2−メチ
ル−5−t−ブチルフエニル)ホスフイン、トリ
ス(P−カルボメトキシフエニル)ホスフインな
どのホスフインを挙げることができるが、特にト
リ−o−トリルホスフイン、トリス(2−メチル
−5−t−ブチルフエニル)ホスフインの使用が
好ましい。本発明に使用するトリアリールホスフ
インは、酢酸パラジウム1モルに対し0.5〜10モ
ル%が適当である。また、酢酸パラジウムの使用
量はジエチニルベンゼン使用量の0.5〜4モル%
が適当である。
ルホスフイン、トリ−o−トリルホスフイン、ト
リス(2,5−ジイソプロピルフエニル)ホスフ
イン、トリ−α−ナフチルホスフイン、トリス
(2,3,4,5−テトラメチルフエニル)ホス
フイン、トリス(5−トリフルオロメチル−2−
メチルフエニル)ホスフイン、トリス(2−メチ
ル−5−t−ブチルフエニル)ホスフイン、トリ
ス(P−カルボメトキシフエニル)ホスフインな
どのホスフインを挙げることができるが、特にト
リ−o−トリルホスフイン、トリス(2−メチル
−5−t−ブチルフエニル)ホスフインの使用が
好ましい。本発明に使用するトリアリールホスフ
インは、酢酸パラジウム1モルに対し0.5〜10モ
ル%が適当である。また、酢酸パラジウムの使用
量はジエチニルベンゼン使用量の0.5〜4モル%
が適当である。
2級アミン、3級アミンは発生するハロゲン化
水素の捕捉剤として使用されるが、ジエチルアミ
ン、ジ−n−ブチルアミン、ピペリジン、モルホ
リン、トリエチルアミン、トリ−n−ブチルアミ
ン、トリアミルアミン、テトラメチルエチレンジ
アミンなどのごくありふれたアミンでよく、その
使用量は発生するハロゲン化水素に当モルより少
し過剰に使用する。
水素の捕捉剤として使用されるが、ジエチルアミ
ン、ジ−n−ブチルアミン、ピペリジン、モルホ
リン、トリエチルアミン、トリ−n−ブチルアミ
ン、トリアミルアミン、テトラメチルエチレンジ
アミンなどのごくありふれたアミンでよく、その
使用量は発生するハロゲン化水素に当モルより少
し過剰に使用する。
反応溶媒としては一般的なもの、たとえばN,
N−ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミ
ド、トルエン、キシレン、クロルベンゼン、O−
ジクロルベンゼン、トリクロルベンゼン、N−メ
チル−2−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、
ジメチルスルホキシド、アセトニトリルなどでよ
い。
N−ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミ
ド、トルエン、キシレン、クロルベンゼン、O−
ジクロルベンゼン、トリクロルベンゼン、N−メ
チル−2−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、
ジメチルスルホキシド、アセトニトリルなどでよ
い。
N−置換−ジハロカルバゾール()とジエチ
ニルベンゼン()は、それぞれ2種以上の組み
合せであつてもよいが、ジエチニルベンゼン
()は特にP−ジエチニルベンゼンの使用が好
ましい。一方、N−置換−ジハロカルバゾールは
炭素数2〜12のアルキル鎖を有するジハロカルバ
ゾールが生成物の溶解性、性能の点から好まし
い。得られる重合体()の両末端基は通常、水
素、臭素または沃素であり、特にエチニル基側の
末端基は通常、水素である。また重合体は重合度
2以上の化合物の混合物として得られる。その平
均の重合度は5以上、特に10以上が好ましい。
ニルベンゼン()は、それぞれ2種以上の組み
合せであつてもよいが、ジエチニルベンゼン
()は特にP−ジエチニルベンゼンの使用が好
ましい。一方、N−置換−ジハロカルバゾールは
炭素数2〜12のアルキル鎖を有するジハロカルバ
ゾールが生成物の溶解性、性能の点から好まし
い。得られる重合体()の両末端基は通常、水
素、臭素または沃素であり、特にエチニル基側の
末端基は通常、水素である。また重合体は重合度
2以上の化合物の混合物として得られる。その平
均の重合度は5以上、特に10以上が好ましい。
本発明の方法によつて得られた化合物は、耐熱
性、電導性など有用な性質を有しており、任意の
用途に使用しうるが、特に光導電性物質として有
用なものであり、有機光導電性材料として代表的
なポリ−N−ビニルカルバゾールに比し、光導電
性において勝れている。
性、電導性など有用な性質を有しており、任意の
用途に使用しうるが、特に光導電性物質として有
用なものであり、有機光導電性材料として代表的
なポリ−N−ビニルカルバゾールに比し、光導電
性において勝れている。
この光導電性物質は、従来のポリ−N−ビニル
カルバゾールと同様、電子写真感光体、画像形成
素子等に用いられるが、電子写真感光体として用
いる場合には、一般の有機光導電性物質と同様に
増感することができる。増感剤としては、一つは
光導電性物質を電子供与体とし、それとの間に電
荷移動錯体を形成する2,4,7−トリニトロフ
ルオレン−9オンで代表される電子受容体であ
り、他の一つはクリスタルバイオレツト、ローダ
ミン6Gで代表される染料である。また近年、電
荷発生物質と電荷移送物質とを組み合せた高感度
な電子写真感光体が提案されているが、本発明に
よつて得られた化合物は有用な電荷移送物質とな
る。この場合に用いられる電荷発生物質として
は、たとえばセレン、セレン−テルル、硫化カド
ミウム、硫化亜鉛などの無機顔料、有機顔料、電
荷移動錯体およびそれらの混合物を適宜選択して
使用することができる。
カルバゾールと同様、電子写真感光体、画像形成
素子等に用いられるが、電子写真感光体として用
いる場合には、一般の有機光導電性物質と同様に
増感することができる。増感剤としては、一つは
光導電性物質を電子供与体とし、それとの間に電
荷移動錯体を形成する2,4,7−トリニトロフ
ルオレン−9オンで代表される電子受容体であ
り、他の一つはクリスタルバイオレツト、ローダ
ミン6Gで代表される染料である。また近年、電
荷発生物質と電荷移送物質とを組み合せた高感度
な電子写真感光体が提案されているが、本発明に
よつて得られた化合物は有用な電荷移送物質とな
る。この場合に用いられる電荷発生物質として
は、たとえばセレン、セレン−テルル、硫化カド
ミウム、硫化亜鉛などの無機顔料、有機顔料、電
荷移動錯体およびそれらの混合物を適宜選択して
使用することができる。
以下に本発明を実施例により具体的に説明する
が、本発明はこれら実施例のみに限定されるもの
ではない。
が、本発明はこれら実施例のみに限定されるもの
ではない。
実施例 1
カルバゾール33.44部(重量部、以下同じ)を
二硫化炭素500部に加え、二硫化炭素が還流する
まで加熱し溶解させる。撹拌しながら、40部の二
硫化炭素に溶解させた臭素72部を滴下しながら加
えた。還流下に1時間熟成後、冷却する。折出物
を二硫化炭素で洗浄後、十分水洗を行つた。エチ
ルアルコールより再結晶して精製し、融点213℃
の白色針状結晶として、3,6−ジブロモカルバ
ゾール(以下、DBCZと略す)37.06部を得た。
二硫化炭素500部に加え、二硫化炭素が還流する
まで加熱し溶解させる。撹拌しながら、40部の二
硫化炭素に溶解させた臭素72部を滴下しながら加
えた。還流下に1時間熟成後、冷却する。折出物
を二硫化炭素で洗浄後、十分水洗を行つた。エチ
ルアルコールより再結晶して精製し、融点213℃
の白色針状結晶として、3,6−ジブロモカルバ
ゾール(以下、DBCZと略す)37.06部を得た。
DBCZ9.75部をN,N−ジメチルホルムアミド
20部に溶解後、粉末の苛性カリ2.18部を加えた。
室温にてn−ドデシルブロマイド8.22部を加えた
後、60℃で4時間反応させた。冷却後、反応混合
物を300部の水中に注加した。折出物を十分水洗
後、エタノールにより再結晶することにより、融
点67℃の白色結晶としてN−n−ドデシル−3,
6−ジブロモカルバゾール12.43部を得た。
20部に溶解後、粉末の苛性カリ2.18部を加えた。
室温にてn−ドデシルブロマイド8.22部を加えた
後、60℃で4時間反応させた。冷却後、反応混合
物を300部の水中に注加した。折出物を十分水洗
後、エタノールにより再結晶することにより、融
点67℃の白色結晶としてN−n−ドデシル−3,
6−ジブロモカルバゾール12.43部を得た。
N−n−ドデシル−3,6−ジブロモカルバゾ
ール1.97部、P−ジエチニルベンゼン0.505部、
ピペリジン1.36部、酢酸パラジウム0.018部、ト
リ−o−トリルホスフアイン0.049部、キシレン
5部からなる混合部を窒素雰囲気下で撹拌しなが
ら100℃で2.5時間反応させた。反応混合物が熱い
うちに過をして不溶物を除去後、メタノール中
に注ぎ再沈することにより黄色の重合体1.00部を
得た。
ール1.97部、P−ジエチニルベンゼン0.505部、
ピペリジン1.36部、酢酸パラジウム0.018部、ト
リ−o−トリルホスフアイン0.049部、キシレン
5部からなる混合部を窒素雰囲気下で撹拌しなが
ら100℃で2.5時間反応させた。反応混合物が熱い
うちに過をして不溶物を除去後、メタノール中
に注ぎ再沈することにより黄色の重合体1.00部を
得た。
重合体のIRチヤートにおいて、重合体末端に
よるν(C≡H)が小さな吸収としてのみ認めら
れること、ν(C≡C)に基づく吸収が2200cm-1
に観測されることは ポリマーの生成を示している。重合体のNMRス
ペクトルも上記構造を指示している。
よるν(C≡H)が小さな吸収としてのみ認めら
れること、ν(C≡C)に基づく吸収が2200cm-1
に観測されることは ポリマーの生成を示している。重合体のNMRス
ペクトルも上記構造を指示している。
GPCにより数平均分子量を求めたところ1500
であつた。
であつた。
そのIRチヤートを第1図に、NMRスペクトル
を第2図に示す。
を第2図に示す。
実施例 2
n−ドデシルブロマイドの代わりにi−アミル
ブロマイドを用いた他は、実施例1の方法に従つ
て下記構造を有する重合体を得た。得られた重合
体は通常の有機溶媒には不溶である。
ブロマイドを用いた他は、実施例1の方法に従つ
て下記構造を有する重合体を得た。得られた重合
体は通常の有機溶媒には不溶である。
第1図は実施例1により製造された本発明カル
バゾール誘導体のIRチヤート、第2図はNMRス
ペクトルを示す。
バゾール誘導体のIRチヤート、第2図はNMRス
ペクトルを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (ただし、Rは炭素数1〜16のアルキル基、
シクロアルキル基あるいはアラルキル基、nは
正の整数。) で示される平均重合度が5以上であるカルバゾー
ル誘導体。 2 一般式 (ただし、Rは炭素数1〜16のアルキル基、
シクロアルキル基あるいはアラルキル基、Xは
同一または異る臭素あるいは沃素。) で示されるN−置換−3,6−ジハロカルバゾー
ルと一般式 【式】 で示されるジエチニルベンゼンを触媒およびハロ
ゲン化水素捕捉剤の存在下で反応させることを特
徴とする一般式 (ただし、Rは炭素数1〜16のアルキル基、
シクロアルキル基あるいはアラルキル基、nは
正の整数。) で示されるN−置換−3,6ジハロカルバゾール
とジエチニルベンゼンとの縮重合生成物の製造方
法。 3 触媒が酢酸パラジウム、およびトリアリール
ホスフインの組み合せから成ることを特徴とする
特許請求の範囲2の方法。 4 ハロゲン化水素捕捉剤が2級アミンまたは3
級アミンであることを特徴とする特許請求の範囲
2の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12310481A JPS5824560A (ja) | 1981-08-07 | 1981-08-07 | カルバゾ−ル誘導体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12310481A JPS5824560A (ja) | 1981-08-07 | 1981-08-07 | カルバゾ−ル誘導体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5824560A JPS5824560A (ja) | 1983-02-14 |
| JPH032174B2 true JPH032174B2 (ja) | 1991-01-14 |
Family
ID=14852281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12310481A Granted JPS5824560A (ja) | 1981-08-07 | 1981-08-07 | カルバゾ−ル誘導体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5824560A (ja) |
-
1981
- 1981-08-07 JP JP12310481A patent/JPS5824560A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5824560A (ja) | 1983-02-14 |
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