JPH0362476B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0362476B2 JPH0362476B2 JP56132769A JP13276981A JPH0362476B2 JP H0362476 B2 JPH0362476 B2 JP H0362476B2 JP 56132769 A JP56132769 A JP 56132769A JP 13276981 A JP13276981 A JP 13276981A JP H0362476 B2 JPH0362476 B2 JP H0362476B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- nozzle
- chemical solution
- workpiece
- rotated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はウエツト処理装置、特にホトレジスト
の現像装置に関する。
の現像装置に関する。
従来、基板表面のウエツト処理方法として、第
１図に示すように基板１を入れたカセツト２を薬
液３が満たされた処理槽４に浸すデイツプ方式
と、第２図、第３図および第４図に示すように基
板１を真空チヤツク５に吸着保持し回転させなが
ら、第２図のように噴射弁６により霧状になつた
薬液３を吹き付けるスプレー方式と、第３図のよ
うに単孔ノズル７を基板中央に配し基板１上に薬
液３を滴下する単孔ノズル方式と、第４図のよう
に一端８ａが閉じられた中空パイプのノズル８を
基板１とほぼ平行に配設し、底面に設けた多数の
小穴より薬液３を滴下するシヤワー方式とが知ら
れている。
１図に示すように基板１を入れたカセツト２を薬
液３が満たされた処理槽４に浸すデイツプ方式
と、第２図、第３図および第４図に示すように基
板１を真空チヤツク５に吸着保持し回転させなが
ら、第２図のように噴射弁６により霧状になつた
薬液３を吹き付けるスプレー方式と、第３図のよ
うに単孔ノズル７を基板中央に配し基板１上に薬
液３を滴下する単孔ノズル方式と、第４図のよう
に一端８ａが閉じられた中空パイプのノズル８を
基板１とほぼ平行に配設し、底面に設けた多数の
小穴より薬液３を滴下するシヤワー方式とが知ら
れている。
しかしながら、これらの方式はいずれも一長一
短を有する。すなわち、第１図に示すデイツプ方
式は基板１の表面に機械的強度の弱い物質の膜が
形成されている場合のウエツト処理、たとえばポ
ジ型ホトレジストの現像の場合、ホトレジストの
表面に機械的ダメージを与えずに高品質に現像で
きる利点を持つ。その反面、生産の連続化、自動
化が困難であるなどの欠点を有する。
短を有する。すなわち、第１図に示すデイツプ方
式は基板１の表面に機械的強度の弱い物質の膜が
形成されている場合のウエツト処理、たとえばポ
ジ型ホトレジストの現像の場合、ホトレジストの
表面に機械的ダメージを与えずに高品質に現像で
きる利点を持つ。その反面、生産の連続化、自動
化が困難であるなどの欠点を有する。
これに対し、第２図に示すスプレー方式、第４
図に示すシヤワー方式は生産の連続化を容易に実
現できるが、たとえばポジ型ホトレジストのよう
に機械的強度の弱い膜の現像の場合、ホトレジス
ト表面を機械的に破壊してしまい、品質を悪くす
るという欠点を有している。また第３図に示す単
孔ノズル方式は前記スプレー方式およびシヤワー
方式と同様の利点を有するが、基板表面の中央部
分のみに常に新しい薬液が供給されるため、基板
中央部と周辺部でのウエツト処理状態が異なる欠
点がある。
図に示すシヤワー方式は生産の連続化を容易に実
現できるが、たとえばポジ型ホトレジストのよう
に機械的強度の弱い膜の現像の場合、ホトレジス
ト表面を機械的に破壊してしまい、品質を悪くす
るという欠点を有している。また第３図に示す単
孔ノズル方式は前記スプレー方式およびシヤワー
方式と同様の利点を有するが、基板表面の中央部
分のみに常に新しい薬液が供給されるため、基板
中央部と周辺部でのウエツト処理状態が異なる欠
点がある。
本発明の目的は従来のウエツト処理方法の欠点
を解消したウエツト処理方法を提供することにあ
る。
を解消したウエツト処理方法を提供することにあ
る。
以下、本発明の一実施例を第５図により説明す
る。同図に示すように、基板１は真空チヤツク５
により吸着保持され、また基板１の上方に基板１
と平行に中空パイプのノズル９が配置されている
点は従来と同じである。
る。同図に示すように、基板１は真空チヤツク５
により吸着保持され、また基板１の上方に基板１
と平行に中空パイプのノズル９が配置されている
点は従来と同じである。
本実施例においては、前記ノズル９は両端が閉
じられており、真空チヤツク５の回転軸と同軸上
の上方延長上に設けられた中空パイプの回転軸１
０に取付けられている。前記回転軸１０は固定ブ
ロツク１１に回転自在に支承されており、図示し
ない駆動手段で回転させられる。また固定ブロツ
ク１１には薬液供給パイプ１２が連続されてお
り、この薬液供給パイプ１２は回転軸１０の中空
部と連通するように回転軸１０および固定ブロツ
ク１１にそれぞれ穴（図示せず）が設けられてい
る。またノズル９の下面には多数の穴９ａが基板
１とある角度をもつて、または垂直に設けられて
いる。
じられており、真空チヤツク５の回転軸と同軸上
の上方延長上に設けられた中空パイプの回転軸１
０に取付けられている。前記回転軸１０は固定ブ
ロツク１１に回転自在に支承されており、図示し
ない駆動手段で回転させられる。また固定ブロツ
ク１１には薬液供給パイプ１２が連続されてお
り、この薬液供給パイプ１２は回転軸１０の中空
部と連通するように回転軸１０および固定ブロツ
ク１１にそれぞれ穴（図示せず）が設けられてい
る。またノズル９の下面には多数の穴９ａが基板
１とある角度をもつて、または垂直に設けられて
いる。
次にかかる構成よりなる装置を用いて基板１の
表面に薬液を供給する方法について説明する。基
板１を真空チヤツク５に吸着保持させ、この基板
１の上方にノズル９を基板１と平行に数mm程度近
接して配置する。そして、真空チヤツク５、すな
わち基板１は回転させなく、回転軸１０、すなわ
ちノズル９を10〜60r.p.m程度で回転させ、薬液
供給パイプ１２より固定ブロツク１１、回転軸１
０を通してノズル９に薬液３を供給する。これに
より、ノズル９の穴９ａを通して基板１全面にわ
たり均一に薬液３が供給される。
表面に薬液を供給する方法について説明する。基
板１を真空チヤツク５に吸着保持させ、この基板
１の上方にノズル９を基板１と平行に数mm程度近
接して配置する。そして、真空チヤツク５、すな
わち基板１は回転させなく、回転軸１０、すなわ
ちノズル９を10〜60r.p.m程度で回転させ、薬液
供給パイプ１２より固定ブロツク１１、回転軸１
０を通してノズル９に薬液３を供給する。これに
より、ノズル９の穴９ａを通して基板１全面にわ
たり均一に薬液３が供給される。
さて、第３図および第４図に示す従来のスプレ
ー方式、シヤワー方式の場合は、基板１の回転に
より滴下する薬液３と基板１の被処理膜表面との
間に薬液の流れによるせん断力が働き、機械的に
被処理膜表面を破壊してしまう。しかるに、本発
明の方法は基板１上の被処理膜表面と滴下する薬
液３との間には薬液の流れによるせん断力が働か
ないので、基板１上に形成された機械的強度の弱
い被処理膜が破壊されることはない。
ー方式、シヤワー方式の場合は、基板１の回転に
より滴下する薬液３と基板１の被処理膜表面との
間に薬液の流れによるせん断力が働き、機械的に
被処理膜表面を破壊してしまう。しかるに、本発
明の方法は基板１上の被処理膜表面と滴下する薬
液３との間には薬液の流れによるせん断力が働か
ないので、基板１上に形成された機械的強度の弱
い被処理膜が破壊されることはない。
なお、上記実施例においては基板１を回転させ
ない場合について説明したが、真空チヤツク５を
回転させ、遠心力により古くなつた薬液３を基板
１外へ排出させて基板１上に常に新しい薬液３を
供給するようにしても、本発明の方法においては
被処理膜の破壊を防止することができる。すなわ
ち、本発明においてはノズル９を回転させている
ので、ノズル９の回転数と基板１の回転数との相
対的な回転数より基板１の回転数を小さく設定す
ることができ、基板１上の被処理膜の薬液３の供
給による機械的破壊を防止させることができる。
また上記実施例においてはホトレジストの現像の
場合について説明したが、他のウエツト処理、た
とえばエツチング、染色、水洗などにも同様に適
用できる。
ない場合について説明したが、真空チヤツク５を
回転させ、遠心力により古くなつた薬液３を基板
１外へ排出させて基板１上に常に新しい薬液３を
供給するようにしても、本発明の方法においては
被処理膜の破壊を防止することができる。すなわ
ち、本発明においてはノズル９を回転させている
ので、ノズル９の回転数と基板１の回転数との相
対的な回転数より基板１の回転数を小さく設定す
ることができ、基板１上の被処理膜の薬液３の供
給による機械的破壊を防止させることができる。
また上記実施例においてはホトレジストの現像の
場合について説明したが、他のウエツト処理、た
とえばエツチング、染色、水洗などにも同様に適
用できる。
以上の説明から明らかな如く、本発明によれ
ば、ノズルを回転させながら液を供給するので、
基板を固定状態または小さな回転数で回転させる
ことができ、液の基板上の被処理膜表面との間に
働く機械的力が著しく減少し、高品質なウエツト
処理ができる。
ば、ノズルを回転させながら液を供給するので、
基板を固定状態または小さな回転数で回転させる
ことができ、液の基板上の被処理膜表面との間に
働く機械的力が著しく減少し、高品質なウエツト
処理ができる。
第１図、第２図、第３図および第４図は従来の
ウエツト処理方法を示し、第１図はデイツプ方式
の断面図、第２はスプレー方式の斜視図、第３図
は単孔ノズル方式の斜視図、第４図はシヤワー方
式の斜視図、第５図は本発明になるウエツト処理
方法の一実施例を示し、ａは正面図、ｂはａのＡ
−Ａ線断面拡大図である。 １……基板、３……薬液、５……真空チヤツ
ク、９……ノズル、１０……回転軸。
ウエツト処理方法を示し、第１図はデイツプ方式
の断面図、第２はスプレー方式の斜視図、第３図
は単孔ノズル方式の斜視図、第４図はシヤワー方
式の斜視図、第５図は本発明になるウエツト処理
方法の一実施例を示し、ａは正面図、ｂはａのＡ
−Ａ線断面拡大図である。 １……基板、３……薬液、５……真空チヤツ
ク、９……ノズル、１０……回転軸。
Claims (1)
- １ 被処理物をその上方に取り付け、上記被処理
物を回転させるための被処理物設置台と、該設置
台の上方から上記被処理物に現像液を滴下するた
めの現像液供給多孔ノズルと、該多孔ノズルが上
記被処理物上で回転しながら上記現像液を供給で
きるようなノズル回転機構とを具備して成ること
を特徴とするホトレジスト現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56132769A JPS5836679A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | ウエツト処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56132769A JPS5836679A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | ウエツト処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5836679A JPS5836679A (ja) | 1983-03-03 |
| JPH0362476B2 true JPH0362476B2 (ja) | 1991-09-26 |
Family
ID=15089119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56132769A Granted JPS5836679A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | ウエツト処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5836679A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6449752B2 (ja) * | 2014-12-01 | 2019-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS541603A (en) * | 1977-06-06 | 1979-01-08 | Fujitsu Ltd | Coating method of magnetic recording media |
-
1981
- 1981-08-26 JP JP56132769A patent/JPS5836679A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5836679A (ja) | 1983-03-03 |
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