JPS6239058A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPS6239058A JPS6239058A JP60179653A JP17965385A JPS6239058A JP S6239058 A JPS6239058 A JP S6239058A JP 60179653 A JP60179653 A JP 60179653A JP 17965385 A JP17965385 A JP 17965385A JP S6239058 A JPS6239058 A JP S6239058A
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- Japan
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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- H04N5/00—Details of television systems
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D44/00—Charge transfer devices
- H10D44/40—Charge-coupled devices [CCD]
- H10D44/45—Charge-coupled devices [CCD] having field effect produced by insulated gate electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は電荷転送素子を信号読出しに用いる固体Ｗ１
ｍ素子の信号電荷の転送効率を高めるためのトランスフ
ァゲートの構造の改良に関する。
ｍ素子の信号電荷の転送効率を高めるためのトランスフ
ァゲートの構造の改良に関する。
［従来の技（（ｉ］
第２図は、Ｃ３［） （Ｃｈａｒｇｅ ３ｗｅｅｐ
［）ｅｖｉｃｅ ：電荷掃き寄せ素子）方式の固体！Ｉ
撮像素子の１画素の平面構造を示す図であり、たとえば
１９８５年。
［）ｅｖｉｃｅ ：電荷掃き寄せ素子）方式の固体！Ｉ
撮像素子の１画素の平面構造を示す図であり、たとえば
１９８５年。
インターナショナル ソリッドステート サーキット
コンファレンス（１ｎｔｅｒｎａｔｌｏｎａｌ ５ｏ
ｌｉｄ−Ｓ Ｆａｔｅ Ｃｔｒｃｕｉｔｓ Ｃｏｎｒ
ｅｒｅｎｅ）のテクニカルダイジェスト（Ｔｅｃｈｎｉ
ｃａｌ Ｄｔｏｅｓｔ ）の１００１〜１０１ Ｅｉ
（Ｍ、 Ｋ １ｓａｔａ ａｔ ａｔ、）まタハテ）
／ ヒシ＝１ ン学会技術報告Ｎｏ、ＴＥＶＳ１０１−
６゜ＥＤ８４１ （本設ばか）に開示されている。第２
図において、固体撮像素子は、与えられた光信号を信号
電荷に変換するフォトダイオード１と、フォトダイオー
ド１からの信号を選択的に読出すための表面チャネルを
有するトランスファゲート４と、トランスファゲート４
からの信号電荷を転送するための通路となる埋込チャネ
ルで形成される転送チャネル３とを含む。トランスファ
ゲート４および転送チャネル３の電荷転送動作はコンタ
クトホール６を介して走査１１５からゲート電極２へ与
えられる電圧レベルにより１御される。すなわち固体撮
像素子は、１画素が１個のフォトダイオードと１個のゲ
ートから構成される。ゲート電極２は転送チャネル３お
よびトランスファゲート４へ同一の電圧を与える。
コンファレンス（１ｎｔｅｒｎａｔｌｏｎａｌ ５ｏ
ｌｉｄ−Ｓ Ｆａｔｅ Ｃｔｒｃｕｉｔｓ Ｃｏｎｒ
ｅｒｅｎｅ）のテクニカルダイジェスト（Ｔｅｃｈｎｉ
ｃａｌ Ｄｔｏｅｓｔ ）の１００１〜１０１ Ｅｉ
（Ｍ、 Ｋ １ｓａｔａ ａｔ ａｔ、）まタハテ）
／ ヒシ＝１ ン学会技術報告Ｎｏ、ＴＥＶＳ１０１−
６゜ＥＤ８４１ （本設ばか）に開示されている。第２
図において、固体撮像素子は、与えられた光信号を信号
電荷に変換するフォトダイオード１と、フォトダイオー
ド１からの信号を選択的に読出すための表面チャネルを
有するトランスファゲート４と、トランスファゲート４
からの信号電荷を転送するための通路となる埋込チャネ
ルで形成される転送チャネル３とを含む。トランスファ
ゲート４および転送チャネル３の電荷転送動作はコンタ
クトホール６を介して走査１１５からゲート電極２へ与
えられる電圧レベルにより１御される。すなわち固体撮
像素子は、１画素が１個のフォトダイオードと１個のゲ
ートから構成される。ゲート電極２は転送チャネル３お
よびトランスファゲート４へ同一の電圧を与える。
第３図は第２図におけるＡ−Ａ ”線に沿った断面にお
けるポテンシャルを模式的に示した図であり、第３図（
ａ ）は信号電荷蓄積状態時のポテンシャル配置を示し
、第３図（ｂ ）は信号続出状態におけるポテンシャル
の状態を示している。第３図（ａ ）において、■はフ
ォトダイオード１の部分に対応し、■はトランスファゲ
ート部分に対応し、■は転送素子（Ｃ８Ｄ）部分に対応
する。以下、第２図および第３図（ａ）、（ｂ）を参照
して動作について説明する。
けるポテンシャルを模式的に示した図であり、第３図（
ａ ）は信号電荷蓄積状態時のポテンシャル配置を示し
、第３図（ｂ ）は信号続出状態におけるポテンシャル
の状態を示している。第３図（ａ ）において、■はフ
ォトダイオード１の部分に対応し、■はトランスファゲ
ート部分に対応し、■は転送素子（Ｃ８Ｄ）部分に対応
する。以下、第２図および第３図（ａ）、（ｂ）を参照
して動作について説明する。
まず信号電荷蓄積状態について説明する。この状態にお
いては、ゲートＮ極２へ与えられる電位は″゛ＨＨパレ
ベル゛Ｌ”レベルの間をｔｌｔｌしている。トランス７
７ゲー１−Ｎ極とＣ８Ｄゲート１１極はゲート電極２を
共用しているので、ゲート電極２に与えられる電位に応
じて、トランスファゲート下のポテンシャルはφＴ
（Ｈ）とφ、（Ｌ）。
いては、ゲートＮ極２へ与えられる電位は″゛ＨＨパレ
ベル゛Ｌ”レベルの間をｔｌｔｌしている。トランス７
７ゲー１−Ｎ極とＣ８Ｄゲート１１極はゲート電極２を
共用しているので、ゲート電極２に与えられる電位に応
じて、トランスファゲート下のポテンシャルはφＴ
（Ｈ）とφ、（Ｌ）。
Ｃ８Ｄゲート下のポテンシャルゲートはφ、（１−１＞
とφ、（Ｌ）との間を往復している。ここで、トランス
ファゲートは表面チャネル、ＣＳＯは埋込チャネルで構
成されているので、Ｃ８Ｄに形成されるポテンシャル井
戸はトランスフアゲ−１−におけるそれよりも深くなる
。
とφ、（Ｌ）との間を往復している。ここで、トランス
ファゲートは表面チャネル、ＣＳＯは埋込チャネルで構
成されているので、Ｃ８Ｄに形成されるポテンシャル井
戸はトランスフアゲ−１−におけるそれよりも深くなる
。
次に信号読出状態について説明する。このとき１ゲート
電極２へ与えられる電位は゛Ｈ゛レベル」；りもさらに
高いＨＨ”レベルとなる。これによりトランスファゲー
ト、ＣＳＯ下のポテンシャル井戸は第３図（ａ）に示さ
れる蓄積状態よりざらに深くなり、フォトダイオード１
に蓄積された信号電荷Ｑｓ＋ｃはＣ８Ｄへ読出される。
電極２へ与えられる電位は゛Ｈ゛レベル」；りもさらに
高いＨＨ”レベルとなる。これによりトランスファゲー
ト、ＣＳＯ下のポテンシャル井戸は第３図（ａ）に示さ
れる蓄積状態よりざらに深くなり、フォトダイオード１
に蓄積された信号電荷Ｑｓ＋ｃはＣ８Ｄへ読出される。
読出された信号電荷はＣ８Ｄの転送チャネルに治って転
送されて順次読出される。
送されて順次読出される。
（発明が解決しようとする問題点］
第４図は第２図におけるＢ−８”線に沿った断面構造を
示す図である。第４図において、第１導電型の半導体基
板７上に、電荷転送チャネルとなる埋込チャネルを形成
するための第２導電型の不純物領域８が設けられる。ま
た隣接する素子間を電気的に分離するために、たとえば
イオン注入法を用いて形成される第１導電型の高い不純
物濃度を有する素子分離用の不純物拡散層つと、たとえ
ば選択酸化法を用いて形成される素子９獣酸化膜１０と
が設けられる。第４図に示されるように高い不純物濃度
を有する素子間分離の不純物領域９からの不純物はチャ
ネル頭１１８へも拡散している。
示す図である。第４図において、第１導電型の半導体基
板７上に、電荷転送チャネルとなる埋込チャネルを形成
するための第２導電型の不純物領域８が設けられる。ま
た隣接する素子間を電気的に分離するために、たとえば
イオン注入法を用いて形成される第１導電型の高い不純
物濃度を有する素子分離用の不純物拡散層つと、たとえ
ば選択酸化法を用いて形成される素子９獣酸化膜１０と
が設けられる。第４図に示されるように高い不純物濃度
を有する素子間分離の不純物領域９からの不純物はチャ
ネル頭１１８へも拡散している。
これはたとえば選択酸化法を用いた場合、不純物領［９
を形成した後に素子間分離用の醗化央１０を形成するが
、この酸化１ｉ１１０の形成時における熱５１！Ｘ理時
に不Ｉｌｌ物領戚９から転送チャネル８へ不純物が拡散
することによると考えられる。この場合、Ｃ８Ｄのチャ
ネル幅が狭くなると、不純物領域９からの影響によりチ
ャネル８の実質的な不純物ｉ１１度が減少し、それによ
り転送チャネルにおけるポテンシャル井戸が浅くなる現
象（いわゆる狭チャネル効果）が生じる。
を形成した後に素子間分離用の醗化央１０を形成するが
、この酸化１ｉ１１０の形成時における熱５１！Ｘ理時
に不Ｉｌｌ物領戚９から転送チャネル８へ不純物が拡散
することによると考えられる。この場合、Ｃ８Ｄのチャ
ネル幅が狭くなると、不純物領域９からの影響によりチ
ャネル８の実質的な不純物ｉ１１度が減少し、それによ
り転送チャネルにおけるポテンシャル井戸が浅くなる現
象（いわゆる狭チャネル効果）が生じる。
第５図は第２図のｃ−Ｃ−１における断面におけるポテ
ンシャルを模式的に示した図である。第５図から示され
るように、トランスファゲート４に接続される転送チャ
ネル部分■においては、第４図における高い不純物濃度
を有する不純物領域９は片側にのみ形成されるだけであ
り、トランスファゲート４に接続される部分以外の狭チ
ャネル効果の方が強くなる。この結果、トランスファゲ
ート４に接続される転送チャネル部分■においてポテン
シャル井戸の谷ができ、ここに電荷Ｑ８が蓄積される。
ンシャルを模式的に示した図である。第５図から示され
るように、トランスファゲート４に接続される転送チャ
ネル部分■においては、第４図における高い不純物濃度
を有する不純物領域９は片側にのみ形成されるだけであ
り、トランスファゲート４に接続される部分以外の狭チ
ャネル効果の方が強くなる。この結果、トランスファゲ
ート４に接続される転送チャネル部分■においてポテン
シャル井戸の谷ができ、ここに電荷Ｑ８が蓄積される。
上述のような構成においては、転送チャネル３内に電荷
Ｑａが残った状態で信号電荷が転送されるため、電荷転
送が不完全転送となり、転送効率が劣化するという問題
点があった。
Ｑａが残った状態で信号電荷が転送されるため、電荷転
送が不完全転送となり、転送効率が劣化するという問題
点があった。
また、残留’Ｒ？ｆｉＱ Ｂが揺らぐことにより発生す
る雑音も問題となることが予想される。
る雑音も問題となることが予想される。
それゆえ、この発明は上述のような問題点を解消し、転
送チャネル内にポテンシャルの谷ができることを防ぎ、
信号Ｎ荷の完全転送を行なうことができる固体撮像素子
を提供することである。
送チャネル内にポテンシャルの谷ができることを防ぎ、
信号Ｎ荷の完全転送を行なうことができる固体撮像素子
を提供することである。
［問題点を解決するための手段１
この発明に１おける固体撮像素子は、トランスファゲー
トの信号電荷転送方向の幅をたとえばフォトダイオード
である充電変換素子の電荷転送方向の幅と等しくまたは
それよりも広くしたちのである。
トの信号電荷転送方向の幅をたとえばフォトダイオード
である充電変換素子の電荷転送方向の幅と等しくまたは
それよりも広くしたちのである。
［作用コ
トランスファゲートの幅を広くすることにより、チャネ
ル転送方向で均一に狭ヂＶネルダＪ東を抑制することが
てき、転送チャネル内にポテンシャルの谷ができること
を防止することができる。
ル転送方向で均一に狭ヂＶネルダＪ東を抑制することが
てき、転送チャネル内にポテンシャルの谷ができること
を防止することができる。
（発明の実施例１
第１図はこの発明の一実施例である固体撮像素子の１画
素の平面構造を示す図であり、第２図の＋、を来例に灼
応するものである。第２図と対応する部分については同
一の参照番号が付されて（くる。
素の平面構造を示す図であり、第２図の＋、を来例に灼
応するものである。第２図と対応する部分については同
一の参照番号が付されて（くる。
第１図から見られろようにこの発明の特徴として、トラ
ンス７７ゲートの電荷転送方向の幅Ｗ・がたとえば］−
］ｈ’ｒ−ダイオーである光電変換素子］の電荷転送方
向の幅Ｗｐ と等しくなるようにされている。一般に隣
接する光電変換素子（たとえば、フォ１−ダイオード）
１を電気的に分離するためのアイソレーションの幅Ｗ１
はｗｌ＜＜ｗＰであるので、Ｃ８Ｄのチャネル３のほと
んどがトランスファゲート４と接した構成となっている
。
ンス７７ゲートの電荷転送方向の幅Ｗ・がたとえば］−
］ｈ’ｒ−ダイオーである光電変換素子］の電荷転送方
向の幅Ｗｐ と等しくなるようにされている。一般に隣
接する光電変換素子（たとえば、フォ１−ダイオード）
１を電気的に分離するためのアイソレーションの幅Ｗ１
はｗｌ＜＜ｗＰであるので、Ｃ８Ｄのチャネル３のほと
んどがトランスファゲート４と接した構成となっている
。
次にこの発明の作用について説明する。信号の蓄積およ
び読出動作は従来と全く同一である。しかし、この発明
におけるトランスファゲートの構造においては、上述の
ようにＷｐ−ｗＴ＞＞ｗｌとなフているので、第４図に
示される狭チャネル効果は緩和され、その効果は転送チ
ャネル３内で転送方向に沿ってほぼ一様になる。アイソ
レーションＷ、の部分は他の部分と異なった状態となる
が、この長８ Ｗ ＋は惨めで短いことと２つのゲート
（隣接する転送素子間のグー１−１！極）の接合部に対
応するのでフリンジ電界が作用するため第５図に示され
るようなポテンシャルの谷は形成されない。これにより
ｌｌＩ荷の完全転送が行なわれることになり転送効率は
高くなり、かつ雑音も減少する。
び読出動作は従来と全く同一である。しかし、この発明
におけるトランスファゲートの構造においては、上述の
ようにＷｐ−ｗＴ＞＞ｗｌとなフているので、第４図に
示される狭チャネル効果は緩和され、その効果は転送チ
ャネル３内で転送方向に沿ってほぼ一様になる。アイソ
レーションＷ、の部分は他の部分と異なった状態となる
が、この長８ Ｗ ＋は惨めで短いことと２つのゲート
（隣接する転送素子間のグー１−１！極）の接合部に対
応するのでフリンジ電界が作用するため第５図に示され
るようなポテンシャルの谷は形成されない。これにより
ｌｌＩ荷の完全転送が行なわれることになり転送効率は
高くなり、かつ雑音も減少する。
なお上記実施例においては、素子間９鰭用の酸化膜を選
択酸化法を用いて形成する場合について説明したが、他
の方法による酸化膜を形成する方式においても上記実施
例と全く同様の効果を得ることができる。
択酸化法を用いて形成する場合について説明したが、他
の方法による酸化膜を形成する方式においても上記実施
例と全く同様の効果を得ることができる。
また上記実施例においては、固体ｍ像素子としてＣ８Ｄ
方式を用いたものについて説明したが、従来のＩ Ｌ−
ＣＯＤ （インターラインＣＣＯ＞方式においても、１
画素・１ゲートの構成のものであれば同様に適用可能で
ある。
方式を用いたものについて説明したが、従来のＩ Ｌ−
ＣＯＤ （インターラインＣＣＯ＞方式においても、１
画素・１ゲートの構成のものであれば同様に適用可能で
ある。
また光ＩＩ変換素子としてフォトダイオードを用いて説
明したが、ＭＩＳ（金属−絶縁体一半導体）構造、ショ
ッ１−キバリャダイオード等を用いる構成の固体撮像素
子においても同様の効果を得ることができる。
明したが、ＭＩＳ（金属−絶縁体一半導体）構造、ショ
ッ１−キバリャダイオード等を用いる構成の固体撮像素
子においても同様の効果を得ることができる。
またさらに上記実施例においては１−ランスファゲート
の幅ＷＴと充電変換素子の暢ＷＰが等しい場合について
説明したが、Ｗ丁＞ＷＰの場合も同様の効果を得ること
ができる。
の幅ＷＴと充電変換素子の暢ＷＰが等しい場合について
説明したが、Ｗ丁＞ＷＰの場合も同様の効果を得ること
ができる。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、トランスファゲート
の電荷転送方向の幅を光電変換素子の電荷転送方向の幅
と同一またはそれ以上としたので転送ヂャネル内にポテ
ンシャルの谷ができることを防止することができ、転送
効率が高くかつ９１１音の低い固体Ｗａ徴素子を得るこ
とができる。
の電荷転送方向の幅を光電変換素子の電荷転送方向の幅
と同一またはそれ以上としたので転送ヂャネル内にポテ
ンシャルの谷ができることを防止することができ、転送
効率が高くかつ９１１音の低い固体Ｗａ徴素子を得るこ
とができる。
第１図はこの発明の一実施例である固体撮像素子の１画
素の平面構造を示す図である。第２図は従来の固体撮像
素子の１画素の平面構造を示す図である。第３図は第２
図の画素の動作を説明するためのポテンシャルを模式的
に示す図であり、第３図（ａ ）は信号蓄積時、第３図
（ｂ ）は信号読出時のポテンシャルをそれぞれ示す。 第４図は狭チャネル効果を説明するための第２図のＢ−
Ｂ −！！沿った断面構造を示す図であるい第５図は第
２図のＣ−Ｃ−線に沿った断面におけるポテンシャルを
慣式的に示す図である。 図において、１は光電変換素子、２はゲート電極、３は
Ｃ３Ｄチヤネル、４はトランスファゲート、５は走査線
〈アルミ配１ｍ＞、６はフンタクト孔である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代 理 人 大 責 増 雄第１
図 １ ニ フォト′ｙイオート ２： ゲニト電杢に ３：Ｃ３ｒ）チＸネ）し ４： トランスカーケート Ｓ：了Ｊｔ／ミ配腺（足４ト吟） ６ニコン７クト孔 第４図 第Ｓ図 一＼／Ｚ７−−−− 手続補正書（自発） 特許庁長官殿
しヘー”！、小事件表示 特願昭６０−１７９６
５３号２、発明の名称 固体撮像素子 ３、補正をする者 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細、１（をつぎのと” ” ＋１’＋Ｉする。
素の平面構造を示す図である。第２図は従来の固体撮像
素子の１画素の平面構造を示す図である。第３図は第２
図の画素の動作を説明するためのポテンシャルを模式的
に示す図であり、第３図（ａ ）は信号蓄積時、第３図
（ｂ ）は信号読出時のポテンシャルをそれぞれ示す。 第４図は狭チャネル効果を説明するための第２図のＢ−
Ｂ −！！沿った断面構造を示す図であるい第５図は第
２図のＣ−Ｃ−線に沿った断面におけるポテンシャルを
慣式的に示す図である。 図において、１は光電変換素子、２はゲート電極、３は
Ｃ３Ｄチヤネル、４はトランスファゲート、５は走査線
〈アルミ配１ｍ＞、６はフンタクト孔である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代 理 人 大 責 増 雄第１
図 １ ニ フォト′ｙイオート ２： ゲニト電杢に ３：Ｃ３ｒ）チＸネ）し ４： トランスカーケート Ｓ：了Ｊｔ／ミ配腺（足４ト吟） ６ニコン７クト孔 第４図 第Ｓ図 一＼／Ｚ７−−−− 手続補正書（自発） 特許庁長官殿
しヘー”！、小事件表示 特願昭６０−１７９６
５３号２、発明の名称 固体撮像素子 ３、補正をする者 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細、１（をつぎのと” ” ＋１’＋Ｉする。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数個の光電変換素子と、前記複数個の光電変換素子の
各々に対して設けられ対応する光電変換素子からの信号
電荷を選択的に読出すトランスファゲートと、前記トラ
スファゲートからの信号電荷を受けて予め定められた方
向へ転送する転送手段とを備える固体撮像素子であつて
、 前記トランスファゲートの前記転送方向の幅が前記光電
変換素子の前記転送方向の幅と等しいかまたはそれより
広くされていることを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60179653A JPH0712079B2 (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 固体撮像素子 |
| KR1019860000272A KR900001227B1 (ko) | 1985-08-13 | 1986-01-17 | 고체 촬상 소자 |
| DE8686304878T DE3672922D1 (de) | 1985-08-13 | 1986-06-24 | Festkoerperbildsensor. |
| EP86304878A EP0212803B1 (en) | 1985-08-13 | 1986-06-24 | Solid-state image sensor |
| US07/442,461 US5060038A (en) | 1985-08-13 | 1989-11-30 | Charge sweep solid-state image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60179653A JPH0712079B2 (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6239058A true JPS6239058A (ja) | 1987-02-20 |
| JPH0712079B2 JPH0712079B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=16069534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60179653A Expired - Lifetime JPH0712079B2 (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 固体撮像素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5060038A (ja) |
| EP (1) | EP0212803B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0712079B2 (ja) |
| KR (1) | KR900001227B1 (ja) |
| DE (1) | DE3672922D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6617625B2 (en) | 2000-06-26 | 2003-09-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid state imager |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2653550B2 (ja) * | 1990-11-14 | 1997-09-17 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像素子 |
| JP3173851B2 (ja) * | 1992-04-13 | 2001-06-04 | 三菱電機株式会社 | Ｃｓｄ方式の固体撮像装置 |
| KR0136934B1 (ko) * | 1994-02-23 | 1998-04-24 | 문정환 | 선형 고체영상소자 |
| JP2894235B2 (ja) * | 1995-03-31 | 1999-05-24 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| KR100541712B1 (ko) * | 1996-01-18 | 2006-06-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 선형ccd촬상소자 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5552278A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-16 | Fujitsu Ltd | Solid image pickup device |
| JPS56131972A (en) * | 1980-03-19 | 1981-10-15 | Fujitsu Ltd | Photoelectric conversion device |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3995302A (en) * | 1973-05-07 | 1976-11-30 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Transfer gate-less photosensor configuration |
| JPS5937629B2 (ja) * | 1975-01-30 | 1984-09-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像体 |
| US4117514A (en) * | 1977-02-14 | 1978-09-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state imaging device |
| JPS53125791A (en) * | 1977-04-08 | 1978-11-02 | Toshiba Corp | Solidstate pick up unit |
| JPS5685981A (en) * | 1979-12-15 | 1981-07-13 | Sharp Corp | Solid image pickup apparatus |
| JPS58210663A (ja) * | 1982-06-01 | 1983-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置 |
| JPS5931056A (ja) * | 1982-08-13 | 1984-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
| US4548671A (en) * | 1984-07-23 | 1985-10-22 | Rca Corporation | Method of making a charge-coupled device imager which includes an array of Schottky-barrier detectors |
-
1985
- 1985-08-13 JP JP60179653A patent/JPH0712079B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-01-17 KR KR1019860000272A patent/KR900001227B1/ko not_active Expired
- 1986-06-24 DE DE8686304878T patent/DE3672922D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-06-24 EP EP86304878A patent/EP0212803B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-11-30 US US07/442,461 patent/US5060038A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5552278A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-16 | Fujitsu Ltd | Solid image pickup device |
| JPS56131972A (en) * | 1980-03-19 | 1981-10-15 | Fujitsu Ltd | Photoelectric conversion device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6617625B2 (en) | 2000-06-26 | 2003-09-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid state imager |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0212803B1 (en) | 1990-07-25 |
| EP0212803A1 (en) | 1987-03-04 |
| KR870002720A (ko) | 1987-04-06 |
| KR900001227B1 (ko) | 1990-03-05 |
| DE3672922D1 (de) | 1990-08-30 |
| US5060038A (en) | 1991-10-22 |
| JPH0712079B2 (ja) | 1995-02-08 |
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