JPS6239546B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6239546B2 JPS6239546B2 JP54070438A JP7043879A JPS6239546B2 JP S6239546 B2 JPS6239546 B2 JP S6239546B2 JP 54070438 A JP54070438 A JP 54070438A JP 7043879 A JP7043879 A JP 7043879A JP S6239546 B2 JPS6239546 B2 JP S6239546B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- base
- emitter
- conductivity type
- emitter region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/34—Bipolar devices
- H10D48/345—Bipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は大電流密度で動作させるトランジスタ
構造に関し、特にベース領域内に島状に配置され
たエミツタ領域の形状に関する。
構造に関し、特にベース領域内に島状に配置され
たエミツタ領域の形状に関する。
一般にトランジスタを大電流密度で動作させる
と、エミツタ領域に流れる電流は、エミツタ領域
直下のベース横方向の内部抵抗による電圧降下の
ために、エミツタ−ベース接合面の周辺部に集中
することが知られている。従つて電流が増加する
とエミツタ−ベース接合面の温度が上昇し、破壊
に至ることがあり、破壊強度が小さい欠点があつ
た。そこで従来はエミツタの面積に対してその周
辺長をできるだけ長くするために、エミツタの形
状をストライブ状にしたり、また各々分離された
島状に形成して、各々のエミツタ領域を電極に依
つて接続していた。周辺長を長くする効果として
は明らかにエミツタを島状に形成した方が良い。
と、エミツタ領域に流れる電流は、エミツタ領域
直下のベース横方向の内部抵抗による電圧降下の
ために、エミツタ−ベース接合面の周辺部に集中
することが知られている。従つて電流が増加する
とエミツタ−ベース接合面の温度が上昇し、破壊
に至ることがあり、破壊強度が小さい欠点があつ
た。そこで従来はエミツタの面積に対してその周
辺長をできるだけ長くするために、エミツタの形
状をストライブ状にしたり、また各々分離された
島状に形成して、各々のエミツタ領域を電極に依
つて接続していた。周辺長を長くする効果として
は明らかにエミツタを島状に形成した方が良い。
第１図はエミツタ領域を島状に形成した従来の
トランジスタのパターンの一部を示す平面図であ
る。
トランジスタのパターンの一部を示す平面図であ
る。
第１図に於いて１は第１導電型の半導体基板で
あり、例えばｎ型シリコン半導体である。２はこ
の半導体基板１の主面から半導体基板１とは異な
る第２導電型例えばＰ型を与える不純物を拡散し
て形成されたベース領域、３はこのベース領域２
内に同導電型で高不純物濃度を与える如く半導体
基板１の主面から拡散に依つて形成された網目状
のベースコンタクト領域、４は半導体基板１と同
じ導電型を与える不純物を主面から前記ベースコ
ンタクト領域３の網目に依つて囲まれたベース領
域２内に各々拡散して形成されたエミツタ領域で
ある。このエミツタ領域４はベース領域２内に複
数個が各々独立して島状に形成され、各々エミツ
タ領域４は正方形状であり、その中心部にはエミ
ツタコンタクト５が形成され、各々のエミツタ領
域４はくし形に形成された電極６に依つて接続さ
れる。一方ベースコンタクト領域３には複数のベ
ースコンタクト７が形成され電極８に依つて接続
される。この様なトランジスタ構造に依ればエミ
ツタ領域４の周辺長は大幅に長くなり、大電流を
流した時のｈFE、飽和電圧が大幅に改善され、破
壊強度が向上するが、大電流を流した状態で局所
的に温度が上昇すると、そこに電流集中が生じ破
壊することがある。
あり、例えばｎ型シリコン半導体である。２はこ
の半導体基板１の主面から半導体基板１とは異な
る第２導電型例えばＰ型を与える不純物を拡散し
て形成されたベース領域、３はこのベース領域２
内に同導電型で高不純物濃度を与える如く半導体
基板１の主面から拡散に依つて形成された網目状
のベースコンタクト領域、４は半導体基板１と同
じ導電型を与える不純物を主面から前記ベースコ
ンタクト領域３の網目に依つて囲まれたベース領
域２内に各々拡散して形成されたエミツタ領域で
ある。このエミツタ領域４はベース領域２内に複
数個が各々独立して島状に形成され、各々エミツ
タ領域４は正方形状であり、その中心部にはエミ
ツタコンタクト５が形成され、各々のエミツタ領
域４はくし形に形成された電極６に依つて接続さ
れる。一方ベースコンタクト領域３には複数のベ
ースコンタクト７が形成され電極８に依つて接続
される。この様なトランジスタ構造に依ればエミ
ツタ領域４の周辺長は大幅に長くなり、大電流を
流した時のｈFE、飽和電圧が大幅に改善され、破
壊強度が向上するが、大電流を流した状態で局所
的に温度が上昇すると、そこに電流集中が生じ破
壊することがある。
本発明は上述した点に鑑みて為されたものであ
り、第１図に示された従来のトランジスタよりも
更に破壊強度を向上させたトランジスタ構造を提
供するものである。以下図面を参照して本発明を
詳述する。
り、第１図に示された従来のトランジスタよりも
更に破壊強度を向上させたトランジスタ構造を提
供するものである。以下図面を参照して本発明を
詳述する。
先ず本発明の説明をする前に従来のトランジス
タに於ける破壊の原因を解明する。
タに於ける破壊の原因を解明する。
第２図にエミツタ領域４の１つの島とその周囲
を取囲むベースコンタクト領域３を示す。第２図
に於いてＲSEはエミツタ領域４内のAB間内部抵
抗、ＲSE′はエミツタ領域４内のAC間内部抵抗、
ＲBBはベース領域２内のAB間内部抵抗、ＲBB′は
ベース領域２内のAC間内部抵抗である。今AB間
に流れる横方向の電流をＩE，AC間に流れる横方
向の電流をＩE′とすると、ＩE，ＩE′は ＩE∝expｑ／ＫＴ（ＶBE−ＲSEＩE−ＲBB×ＩＥ／ｈＦ
Ｅ）…… (1) ＩE′∝expｑ／ＫＴ （ＶBE−ＲSE′ＩE′−ＲBB′×ＩＥ′／ｈＦＥ）
……(2) と表わされる。ｑは電荷、ｋはボルツマン定数、
Ｔは温度、ＶBEはベースエミツタ間電圧、ｈFEは
電流比である。
を取囲むベースコンタクト領域３を示す。第２図
に於いてＲSEはエミツタ領域４内のAB間内部抵
抗、ＲSE′はエミツタ領域４内のAC間内部抵抗、
ＲBBはベース領域２内のAB間内部抵抗、ＲBB′は
ベース領域２内のAC間内部抵抗である。今AB間
に流れる横方向の電流をＩE，AC間に流れる横方
向の電流をＩE′とすると、ＩE，ＩE′は ＩE∝expｑ／ＫＴ（ＶBE−ＲSEＩE−ＲBB×ＩＥ／ｈＦ
Ｅ）…… (1) ＩE′∝expｑ／ＫＴ （ＶBE−ＲSE′ＩE′−ＲBB′×ＩＥ′／ｈＦＥ）
……(2) と表わされる。ｑは電荷、ｋはボルツマン定数、
Ｔは温度、ＶBEはベースエミツタ間電圧、ｈFEは
電流比である。
上式に於いて、低電流時にはＩE，ＩE′が小さ
いために第２項及び第３項は無視できる程度であ
り、エミツタ領域４全体に略等しい電流が流れ
る。次にエミツタ領域４に大電流が流れ始める
と、ＶBEの値が大きくなると同時にＩE及びＩE′
が増えてくる。即ち、(1)，(2)式の第２項及び第３
項が無視できなくなる。そして、AB間の距離は
AC間の距離より長いので、エミツタ領域４の内
部抵抗はＲSE＞ＲSE′であり、またベース領域２
の内部抵抗は、その距離の差はわずかであるが、
ベース領域２の比抵抗が高いので、ＲBB＞ＲBB′
となつている。従つて、電流の流れ始めはＩE＜
ＩE′となり、AC間の接合部の温度はAB間の接合
部の温度より上昇し、この温度差はエミツタ・ベ
ース間の接合特性によりエミツタ電流IEを更に
多く流し、AB間接合部の温度を上げ電流ＩEとＩ
E′の差をますます大きくする様に働くため、エミ
ツタ電流はAC間に集中し、ついには破壊に至る
のである。
いために第２項及び第３項は無視できる程度であ
り、エミツタ領域４全体に略等しい電流が流れ
る。次にエミツタ領域４に大電流が流れ始める
と、ＶBEの値が大きくなると同時にＩE及びＩE′
が増えてくる。即ち、(1)，(2)式の第２項及び第３
項が無視できなくなる。そして、AB間の距離は
AC間の距離より長いので、エミツタ領域４の内
部抵抗はＲSE＞ＲSE′であり、またベース領域２
の内部抵抗は、その距離の差はわずかであるが、
ベース領域２の比抵抗が高いので、ＲBB＞ＲBB′
となつている。従つて、電流の流れ始めはＩE＜
ＩE′となり、AC間の接合部の温度はAB間の接合
部の温度より上昇し、この温度差はエミツタ・ベ
ース間の接合特性によりエミツタ電流IEを更に
多く流し、AB間接合部の温度を上げ電流ＩEとＩ
E′の差をますます大きくする様に働くため、エミ
ツタ電流はAC間に集中し、ついには破壊に至る
のである。
そこで本発明は、大電流が流れた場合に、電流
ＩEとＩE′とを等しくしようとするものである。
ＩE〓ＩE′とすると(1)，(2)式より次式が得られ
る。
ＩEとＩE′とを等しくしようとするものである。
ＩE〓ＩE′とすると(1)，(2)式より次式が得られ
る。
ＲSE＋ＲＢＢ／ｈＦＥ〓ＲSE′＋ＲＢＢ′／ｈＦＥ…
…(3) 即ち、 ｈFEＲSE＋ＲBB〓ｈFEＲSE′＋ＲBB′ ……(4) 今、許容される最大電流が流れたとき、ｈFEが
仮に“２”まで低下したとすると、(4)式は、 2RSE＋ＲBB〓2RSE′＋ＲBB′ ……(5) となる。従つて、この場合には、(5)式を成立させ
る様にエミツタ領域４の形状を設計すれば良いの
である。
…(3) 即ち、 ｈFEＲSE＋ＲBB〓ｈFEＲSE′＋ＲBB′ ……(4) 今、許容される最大電流が流れたとき、ｈFEが
仮に“２”まで低下したとすると、(4)式は、 2RSE＋ＲBB〓2RSE′＋ＲBB′ ……(5) となる。従つて、この場合には、(5)式を成立させ
る様にエミツタ領域４の形状を設計すれば良いの
である。
第３図は本発明を実施したトランジスタ構造の
一部平面図である。
一部平面図である。
第３図に於いて、９は第１導電型の半導体基板
であり、例えばｎ型半導体シリコンである。１０
はこの半導体基板９の主面から半導体基板９とは
異なる第２導電型例えばＰ型を与える不純物を拡
散して形成されたベース領域、１１はこのベース
領域１０内に同導電型で高不純物濃度を与える如
く半導体基板９の主面から拡散に依つて形成され
た網目状のベースコンタクト領域、１２は半導体
基板９と同じ導電型を与える不純物を主面から前
記ベースコンタクト領域１１の網目に依つて囲ま
れたベース領域１０内に各々拡散して形成された
エミツタ領域である。このエミツタ領域１２は本
発明の最も特徴とするもので、その形状は正方形
状の各辺がエミツタ領域１２の中央部に向つて切
欠かれた形状の凹部１３を有するものであり、エ
ミツタ領域１２の中央部にはエミツタコンタクト
１４が形成され、くし形に形成された電極１５に
依つて、各々のエミツタ領域１２が接続される。
ベースコンタクト領域１１にはベースコンタクト
１６が複数形成され電極１７に依つて各々が接続
される。
であり、例えばｎ型半導体シリコンである。１０
はこの半導体基板９の主面から半導体基板９とは
異なる第２導電型例えばＰ型を与える不純物を拡
散して形成されたベース領域、１１はこのベース
領域１０内に同導電型で高不純物濃度を与える如
く半導体基板９の主面から拡散に依つて形成され
た網目状のベースコンタクト領域、１２は半導体
基板９と同じ導電型を与える不純物を主面から前
記ベースコンタクト領域１１の網目に依つて囲ま
れたベース領域１０内に各々拡散して形成された
エミツタ領域である。このエミツタ領域１２は本
発明の最も特徴とするもので、その形状は正方形
状の各辺がエミツタ領域１２の中央部に向つて切
欠かれた形状の凹部１３を有するものであり、エ
ミツタ領域１２の中央部にはエミツタコンタクト
１４が形成され、くし形に形成された電極１５に
依つて、各々のエミツタ領域１２が接続される。
ベースコンタクト領域１１にはベースコンタクト
１６が複数形成され電極１７に依つて各々が接続
される。
エミツタ領域１２を更に詳しく説明するために
第４図に１つのエミツタ領域１２とその周辺の一
部を示す。エミツタ領域１２は正方形の各辺に凹
部１３が設けられた形状で凹部１３は半円状に設
けられる。この様な形状のエミツタ領域１２に依
るとエミツタ領域１２の中央部からベースコンタ
クト領域１１までの最短距離方向に於いてエミツ
タ領域１２での横方向内部抵抗ＲSE′が減少しベ
ース領域１０での横方向内部抵抗ＲBB′が増大す
る結果となる。
第４図に１つのエミツタ領域１２とその周辺の一
部を示す。エミツタ領域１２は正方形の各辺に凹
部１３が設けられた形状で凹部１３は半円状に設
けられる。この様な形状のエミツタ領域１２に依
るとエミツタ領域１２の中央部からベースコンタ
クト領域１１までの最短距離方向に於いてエミツ
タ領域１２での横方向内部抵抗ＲSE′が減少しベ
ース領域１０での横方向内部抵抗ＲBB′が増大す
る結果となる。
第５図はｈFEが“２”に低下した場合に、(5)式
を満足する凹部の深さを示すグラフである。第５
図に於いて、横軸はAC間の距離であり、縦軸は
抵抗を示す。直線イはエミツタ領域１２に於ける
Ａ点からの距離に対する内部抵抗のｈFE“２”
倍、即ち、2RSE′を示し、直線ロはベース領域１
０に於けるＣ点からの距離に対する内部抵抗ＲB
Ｂ′を示し、更に直線ハは接合面の位置に対する
(5)式、即ち、2RSE′＋ＲBB′を示すものである。
第２図に示されたエミツタ形状に於ける接合面の
位置が、第５図に於いて、Ｄ点であるとすると、
Ｄ点に於ける直線イの値とＤ点に於ける直線ロの
値との和、即ち、直線ハの値は、（2RSE′＋ＲB
Ｂ′）Ｄとなつている。一方、ＲSE＞ＲSE′、ＲBB
＞ＲBB′であるので、当然AC間に於ける2RSE＋
ＲBBの値は（2RSE′＋ＲBB′）Ｄより大きく、例
えばＦ点であつたとする。従つて、凹部１３の形
成に依つて、(5)式を成立させるためには、下点の
値となる直線ハに対応する横軸の点、これをＥ点
とする、を求めれば、DE間の距離△l′が凹部１
３の深さとなる。△l′だけ凹ますことに依り、エ
ミツタ領域１２の内部抵抗は△ＲSE′減少し、一
方ベース領域１０の内部抵抗は△ＲBB′増加した
とすると、 2RSE＋ＲBB〓２（ＲSE′−△ＲSE′） ＋（ＲBB′＋△ＲBB′） ……(6)式 が成立し、(5)式が満足されたことになる。
を満足する凹部の深さを示すグラフである。第５
図に於いて、横軸はAC間の距離であり、縦軸は
抵抗を示す。直線イはエミツタ領域１２に於ける
Ａ点からの距離に対する内部抵抗のｈFE“２”
倍、即ち、2RSE′を示し、直線ロはベース領域１
０に於けるＣ点からの距離に対する内部抵抗ＲB
Ｂ′を示し、更に直線ハは接合面の位置に対する
(5)式、即ち、2RSE′＋ＲBB′を示すものである。
第２図に示されたエミツタ形状に於ける接合面の
位置が、第５図に於いて、Ｄ点であるとすると、
Ｄ点に於ける直線イの値とＤ点に於ける直線ロの
値との和、即ち、直線ハの値は、（2RSE′＋ＲB
Ｂ′）Ｄとなつている。一方、ＲSE＞ＲSE′、ＲBB
＞ＲBB′であるので、当然AC間に於ける2RSE＋
ＲBBの値は（2RSE′＋ＲBB′）Ｄより大きく、例
えばＦ点であつたとする。従つて、凹部１３の形
成に依つて、(5)式を成立させるためには、下点の
値となる直線ハに対応する横軸の点、これをＥ点
とする、を求めれば、DE間の距離△l′が凹部１
３の深さとなる。△l′だけ凹ますことに依り、エ
ミツタ領域１２の内部抵抗は△ＲSE′減少し、一
方ベース領域１０の内部抵抗は△ＲBB′増加した
とすると、 2RSE＋ＲBB〓２（ＲSE′−△ＲSE′） ＋（ＲBB′＋△ＲBB′） ……(6)式 が成立し、(5)式が満足されたことになる。
この様にｈFEが“２”となる大電流が流れた場
合に、(5)式が成立することに依り、AB間及びAC
間を流れる電流ＩE及びＩE′は等しくなり、電流
集中に依る破壊が防止されるのである。
合に、(5)式が成立することに依り、AB間及びAC
間を流れる電流ＩE及びＩE′は等しくなり、電流
集中に依る破壊が防止されるのである。
本発明の実施例ではｈFEが“２”に低下する場
合を説明したが、一般的には(4)式が成立する様
に、即ち、許容される大電流が流れたときのｈFE
の値に於いて、(4)式が成立する様に凹部の深さを
決定すれば良いのである。また凹部は半円状に限
らず、エミツタ領域１２の中央部からベースコン
タクト領域１１までの最短距離方向に於いて、ｈ
FEＲSE′＋ＲBB′が増加する様な形状の凹部１３を
形成すれば良いのである。またベースコンタクト
領域１１を形成せずに、電極に依るベースコンタ
クトの場合にも同様の効果が得られる。
合を説明したが、一般的には(4)式が成立する様
に、即ち、許容される大電流が流れたときのｈFE
の値に於いて、(4)式が成立する様に凹部の深さを
決定すれば良いのである。また凹部は半円状に限
らず、エミツタ領域１２の中央部からベースコン
タクト領域１１までの最短距離方向に於いて、ｈ
FEＲSE′＋ＲBB′が増加する様な形状の凹部１３を
形成すれば良いのである。またベースコンタクト
領域１１を形成せずに、電極に依るベースコンタ
クトの場合にも同様の効果が得られる。
上述の如く本発明に依ればエミツタ領域をその
中心部に向かつて凹部を形成した形状にすること
に依り、大電流を流した時の電流分布も均一化す
ることができ、電流集中に依つて起こる破壊を防
ぐことができるので、大電流時のｈFE、飽和電圧
を大幅に改善でき破壊強度が一段と向上するもの
である。
中心部に向かつて凹部を形成した形状にすること
に依り、大電流を流した時の電流分布も均一化す
ることができ、電流集中に依つて起こる破壊を防
ぐことができるので、大電流時のｈFE、飽和電圧
を大幅に改善でき破壊強度が一段と向上するもの
である。
第１図は従来例を示すトランジスタの一部平面
図、第２図は第１図に示したトランジスタのエミ
ツタ領域の１つを示す平面図、第３図は本発明の
実施例を示す一部平面図、第４図は第３図に示し
た実施例のエミツタ領域の１つを示す平面図、第
５図はｈFEを“２”とした場合の凹部の深さを求
めるグラフである。 ９……半導体基板、１０……ベース領域、１１
……ベースコンタクト領域、１２……エミツタ領
域、１３……凹部、１４……エミツタコンタク
ト、１５……電極、１６……ベースコンタクト、
１７……電極である。
図、第２図は第１図に示したトランジスタのエミ
ツタ領域の１つを示す平面図、第３図は本発明の
実施例を示す一部平面図、第４図は第３図に示し
た実施例のエミツタ領域の１つを示す平面図、第
５図はｈFEを“２”とした場合の凹部の深さを求
めるグラフである。 ９……半導体基板、１０……ベース領域、１１
……ベースコンタクト領域、１２……エミツタ領
域、１３……凹部、１４……エミツタコンタク
ト、１５……電極、１６……ベースコンタクト、
１７……電極である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１導電型の半導体基板と、該半導体基板の
主面に設けられた第２導電型のベース領域と、該
ベース領域内に網目状に形成された、第２導電型
で高不純物濃度のベースコンタクト領域あるいは
ベースコンタクトと、該ベースコンタクト領域あ
るいはベースコンタクトに囲まれた前記ベース領
域内に形成され、第１導電型で高不純物濃度のエ
ミツタ領域とを有するトランジスタ構造に於い
て、前記エミツタ領域は、前記エミツタ領域の中
央部から前記ベースコンタクト領域およびベース
コンタクトまでの最長および最短距離間に夫々形
成されるエミツタ領域内の抵抗（RSEおよび
RSE′）およびベース領域内の抵抗（RBBおよび
RBB′）が hFE×RSE＋RBB≒hFE×RSE′＋RBB′ （hFEは許容される最大電流が流れたときの電
流比である。）を満足する凹部を夫々の側辺の中
央部に形成することを特徴としたトランジスタ構
造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7043879A JPS55162267A (en) | 1979-06-04 | 1979-06-04 | Transistor structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7043879A JPS55162267A (en) | 1979-06-04 | 1979-06-04 | Transistor structure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55162267A JPS55162267A (en) | 1980-12-17 |
| JPS6239546B2 true JPS6239546B2 (ja) | 1987-08-24 |
Family
ID=13431481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7043879A Granted JPS55162267A (en) | 1979-06-04 | 1979-06-04 | Transistor structure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55162267A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60165759A (ja) * | 1984-02-07 | 1985-08-28 | Nippon Denso Co Ltd | 集積回路素子 |
| JPH0546268Y2 (ja) * | 1986-01-30 | 1993-12-03 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5136595A (ja) * | 1974-09-20 | 1976-03-27 | Yaskawa Denki Seisakusho Kk |
-
1979
- 1979-06-04 JP JP7043879A patent/JPS55162267A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55162267A (en) | 1980-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3969748A (en) | Integrated multiple transistors with different current gains | |
| EP0544364B1 (en) | Monolithic semi-conductor device having a vertical structure with a deep-base and finger-emitter power transistor having a ballast resistance | |
| US4500900A (en) | Emitter ballast resistor configuration | |
| JPH0550852B2 (ja) | ||
| US3755722A (en) | Resistor isolation for double mesa transistors | |
| JPS6239546B2 (ja) | ||
| US3969747A (en) | Complementary bipolar transistors with IIL type common base drivers | |
| JPH0231426A (ja) | バイポーラトランジスタ | |
| US5998855A (en) | Bipolar power transistor with buried base and interdigitated geometry | |
| KR920003801B1 (ko) | 프로그램가능 반도체 셀 구조 | |
| JPS6133261B2 (ja) | ||
| JPS5928058B2 (ja) | 集積論理回路 | |
| JP2000100826A (ja) | パワートランジスタ及びそれを用いた半導体集積回路装置 | |
| JP2605753B2 (ja) | 縦形バイポーラトランジスタ | |
| JPH0412673Y2 (ja) | ||
| JPH041732Y2 (ja) | ||
| JPH02114645A (ja) | バイポーラトランジスタ | |
| JP2518373B2 (ja) | バイポ―ラトランジスタ | |
| JP3149913B2 (ja) | トランジスタの製造方法 | |
| JPH0130308B2 (ja) | ||
| JPH0442918Y2 (ja) | ||
| JP2518880B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0277173A (ja) | トランジスタ | |
| JPH0314224B2 (ja) | ||
| JPH0677241A (ja) | バイポーラトランジスタ |