JPS6239735B2 - - Google Patents
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- JPS6239735B2 JPS6239735B2 JP55120270A JP12027080A JPS6239735B2 JP S6239735 B2 JPS6239735 B2 JP S6239735B2 JP 55120270 A JP55120270 A JP 55120270A JP 12027080 A JP12027080 A JP 12027080A JP S6239735 B2 JPS6239735 B2 JP S6239735B2
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- JP
- Japan
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- layer
- silicon layer
- image forming
- forming member
- electrophotographic image
- Prior art date
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- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は紫外光、可視光、赤外光、Ｘ線等の電
磁波を利用して像形成するのに使用される電子写
真用像形成部材に係り、詳しくはシリコンを主成
分とするアモルフアス材料から成る光導電層を有
する、改良された電子写真用像形成部材に関す
る。
磁波を利用して像形成するのに使用される電子写
真用像形成部材に係り、詳しくはシリコンを主成
分とするアモルフアス材料から成る光導電層を有
する、改良された電子写真用像形成部材に関す
る。
最近、無公害である、耐熱性が良好である、高
感度である、耐久性がある等の利点の為に光導電
層をシリコンを母体とするアモルフアス材料（Ａ
―Siと記す）で構成した電子写真用像形成部材
が、例えば特開昭54―78135、特開昭54―86341、
特開昭55―69149号公報等に記載されている。
感度である、耐久性がある等の利点の為に光導電
層をシリコンを母体とするアモルフアス材料（Ａ
―Siと記す）で構成した電子写真用像形成部材
が、例えば特開昭54―78135、特開昭54―86341、
特開昭55―69149号公報等に記載されている。
而乍ら、Ａ―Siの多くは、所謂太陽電池用の光
導電材料として研究されているもので、電子写真
用像形成部材の光導電層構成材料としては、やつ
と研究が始められたばかりで、実用的な面からす
れば、解決される可き点が幾つか存在している。
導電材料として研究されているもので、電子写真
用像形成部材の光導電層構成材料としては、やつ
と研究が始められたばかりで、実用的な面からす
れば、解決される可き点が幾つか存在している。
即ち、第１には、Ａ―Siの堆積膜はストレスが
大きく、支持体から剥離し易い事、特に電子写真
用の支持体としてアルミニウム等で出来たドラム
を採用し、該ドラムの曲面上にＡ―Siの堆積膜を
設ける場合にはこの剥離現象が著しい。第２に
は、支持体とＡ―Si膜間に所定の良好な電気的接
触を形成する支持体材料がなかなかなく、静電像
形成の際の支持体とＡ―Si膜との界面を通じての
電荷の移動がスムーズでない場合が少なくはな
い。第３には、可視光の近赤外線に近い長波長域
の光に対する感度が可視光の短波長域の光に対し
て著しく低い事等である。
大きく、支持体から剥離し易い事、特に電子写真
用の支持体としてアルミニウム等で出来たドラム
を採用し、該ドラムの曲面上にＡ―Siの堆積膜を
設ける場合にはこの剥離現象が著しい。第２に
は、支持体とＡ―Si膜間に所定の良好な電気的接
触を形成する支持体材料がなかなかなく、静電像
形成の際の支持体とＡ―Si膜との界面を通じての
電荷の移動がスムーズでない場合が少なくはな
い。第３には、可視光の近赤外線に近い長波長域
の光に対する感度が可視光の短波長域の光に対し
て著しく低い事等である。
本発明は、上記の諸点に鑑み成されたものであ
つて、密着性及び支持体と光導電層との間の所望
される電気的接触性が良好であつて且つ可視光の
長波長側領域の光に対する感度が著しく高く、優
れた電子写真特性を有する、電子写真用像形成部
材を提供することを目的とする。
つて、密着性及び支持体と光導電層との間の所望
される電気的接触性が良好であつて且つ可視光の
長波長側領域の光に対する感度が著しく高く、優
れた電子写真特性を有する、電子写真用像形成部
材を提供することを目的とする。
本発明の電子写真用像形成部材は、電子写真用
の支持体上に、結晶性シリコン層（Ｃ―Si層と記
す）、シリコン原子を母体とし、水素原子又はハ
ロゲンン原子のいずれか一方を少なくとも含むア
モルフアス材料〔以後Ａ―Si（Ｈ，Ｘ）と記す；
但しＸはハロゲン原子を示す〕から成るアモルフ
アスシリコン層（Ａ―Si（Ｈ，Ｘ）層と記す）、
とがこの順で重層されて光導電層が構成されてい
る事を特徴とする。
の支持体上に、結晶性シリコン層（Ｃ―Si層と記
す）、シリコン原子を母体とし、水素原子又はハ
ロゲンン原子のいずれか一方を少なくとも含むア
モルフアス材料〔以後Ａ―Si（Ｈ，Ｘ）と記す；
但しＸはハロゲン原子を示す〕から成るアモルフ
アスシリコン層（Ａ―Si（Ｈ，Ｘ）層と記す）、
とがこの順で重層されて光導電層が構成されてい
る事を特徴とする。
以下、本発明を図面に従つて具体的に説明す
る。
る。
第１図は、本発明の電子写真用像形成部材の第
１の実施態様例の構成を説明する為の模式的構成
図である。
１の実施態様例の構成を説明する為の模式的構成
図である。
第１図に示す電子写真用像形成部材１００は、
支持体１０１と該支持体１０１に形成された光導
電層１０２とを有し、光導電層１０２は、支持体
１０１側より、Ｃ―Si層１０３とＡ―Si（Ｈ，
Ｘ）層１０４とが重積されて構成されている。
支持体１０１と該支持体１０１に形成された光導
電層１０２とを有し、光導電層１０２は、支持体
１０１側より、Ｃ―Si層１０３とＡ―Si（Ｈ，
Ｘ）層１０４とが重積されて構成されている。
Ｃ―Si層１０３は、例えば反応容器中で支持体
温度を600℃〜1200℃程度に保ち、シランガスを
流すことによつて多結晶乃至微結晶を形成する所
謂CVD法を用いて形成することも出来るし、プ
ラズマ反応容器中で支持体温度を600℃程度、も
しくはそれ以上に保ち低温シランガス（0.1torr
〜数torr）中でのグロー放電を行うことにより支
持体１０１上にシリコン微結晶又は多結晶を堆積
させて形成することも出来る。
温度を600℃〜1200℃程度に保ち、シランガスを
流すことによつて多結晶乃至微結晶を形成する所
謂CVD法を用いて形成することも出来るし、プ
ラズマ反応容器中で支持体温度を600℃程度、も
しくはそれ以上に保ち低温シランガス（0.1torr
〜数torr）中でのグロー放電を行うことにより支
持体１０１上にシリコン微結晶又は多結晶を堆積
させて形成することも出来る。
更には、Ｃ―Si層１０３は、支持体１０１とし
てエピタキシヤル成長性のものを使用し、斯かる
支持体１０１上に結晶シリコンをエピタキシヤル
成長させて形成することも出来る。
てエピタキシヤル成長性のものを使用し、斯かる
支持体１０１上に結晶シリコンをエピタキシヤル
成長させて形成することも出来る。
又、別には、減圧にし得る反応容器内にSiH4
等のシランガスを導入し、該シランガスにCO2レ
ーザ等のレーザ光を照射して光分解して支持体１
０１上にＣ―Si層１０３を形成しても良い。
等のシランガスを導入し、該シランガスにCO2レ
ーザ等のレーザ光を照射して光分解して支持体１
０１上にＣ―Si層１０３を形成しても良い。
Ｃ―Si層１０３は、例えばGaAs，GaP，GaPN
等の可視光の長波長領域の半導体レーザを使用す
る場合には、該レーザ光を吸収してフオトキヤリ
アを発生する、所謂電荷発生層の機能を荷すこと
で出来るので、照射されるレーザ光を効率良く吸
収する為にある程度以上の層厚を与える必要があ
る。
等の可視光の長波長領域の半導体レーザを使用す
る場合には、該レーザ光を吸収してフオトキヤリ
アを発生する、所謂電荷発生層の機能を荷すこと
で出来るので、照射されるレーザ光を効率良く吸
収する為にある程度以上の層厚を与える必要があ
る。
又、Ｃ―Si層１０３は層構成順としては、レー
ザ光照射側に近い方に設ける方が望ましいもので
ある。
ザ光照射側に近い方に設ける方が望ましいもので
ある。
Ａ―Si（Ｈ，Ｘ）層１０４は、グロー放電法
（GD法）、スパツターリング法（SP法）、イオン
プレーテイング法（IP法）、或いはレーザ照射に
する光分解法（レーザ法）等、通常Ａ―Si（Ｈ，
Ｘ）膜を形成する際に採用されている堆積膜形成
法を用いることが出来る。
（GD法）、スパツターリング法（SP法）、イオン
プレーテイング法（IP法）、或いはレーザ照射に
する光分解法（レーザ法）等、通常Ａ―Si（Ｈ，
Ｘ）膜を形成する際に採用されている堆積膜形成
法を用いることが出来る。
例えば、GD法の場合、SiH4，Si2H6，Si3H8等
のシラン類のガスと該ガスに必要に応じてH2又
は／及び、He，Ne等の稀釈ガスを混合してプラ
ズマ反応器に導入し、所定の内圧下でグロー放電
法を生起させることでＡ―Si（Ｈ，Ｘ）層１０４
を形成することが出来る。この際支持体１０１の
温度は200℃乃至300℃に保持される。Ａ―Si
（Ｈ，Ｘ）層１０４は電子写真特性、殊に光電的
特性が所望通りに付与される様に通常水素（Ｈ）
原子を１〜40原子％含有される。さらに、電子写
真特性として重要な暗抵抗の増大や光感度の増大
を計るために、酸素、窒素、炭素等を、酸素、窒
素の場合0.1〜15原子％程度、又炭素の場合0.1〜
50原子％程度含有するのが好ましい。各層の厚み
は、例えば、Ｃ―Si層が0.5μ〜10μ、Ａ―Si
（Ｈ，Ｘ）層が５μ〜60μ程度が好ましい。
のシラン類のガスと該ガスに必要に応じてH2又
は／及び、He，Ne等の稀釈ガスを混合してプラ
ズマ反応器に導入し、所定の内圧下でグロー放電
法を生起させることでＡ―Si（Ｈ，Ｘ）層１０４
を形成することが出来る。この際支持体１０１の
温度は200℃乃至300℃に保持される。Ａ―Si
（Ｈ，Ｘ）層１０４は電子写真特性、殊に光電的
特性が所望通りに付与される様に通常水素（Ｈ）
原子を１〜40原子％含有される。さらに、電子写
真特性として重要な暗抵抗の増大や光感度の増大
を計るために、酸素、窒素、炭素等を、酸素、窒
素の場合0.1〜15原子％程度、又炭素の場合0.1〜
50原子％程度含有するのが好ましい。各層の厚み
は、例えば、Ｃ―Si層が0.5μ〜10μ、Ａ―Si
（Ｈ，Ｘ）層が５μ〜60μ程度が好ましい。
本発明の電子写真用像形成部材は高温に保持し
て支持体１０１上に強固に形成されたＣ―Si層が
支持体１０１とＡ―Si（Ｈ，Ｘ）層１０４との間
に設けられているのでそれが一種の内部応力緩和
の作用を果たし、繰返し使用したり、又温度、湿
度の変化の激しい環境下で使用しても支持体より
の剥離も生ぜず、且つ電気的接触も良好な、優れ
たものである。
て支持体１０１上に強固に形成されたＣ―Si層が
支持体１０１とＡ―Si（Ｈ，Ｘ）層１０４との間
に設けられているのでそれが一種の内部応力緩和
の作用を果たし、繰返し使用したり、又温度、湿
度の変化の激しい環境下で使用しても支持体より
の剥離も生ぜず、且つ電気的接触も良好な、優れ
たものである。
Ｃ―Si層及びＡ―Si（Ｈ，Ｘ）層をｎ型又はｐ
型とするには、層形成の際に、ｎ型不純物又は、
ｐ型不純物、或いは両不純物を形成される層中に
その量を制御しながらドーピングしてやる事によ
つて成される。
型とするには、層形成の際に、ｎ型不純物又は、
ｐ型不純物、或いは両不純物を形成される層中に
その量を制御しながらドーピングしてやる事によ
つて成される。
この場合、層中の不純物の濃度を1015〜1019cm
-3の範囲で調整することによつて、より強いｎ型
（n+型）〔又はより強いｐ型（p+型）〕からより弱
いｎ型（n-型）〔又はより弱いｐ型（p-型）〕、及
びｉ型の層を得ることが出来る。
-3の範囲で調整することによつて、より強いｎ型
（n+型）〔又はより強いｐ型（p+型）〕からより弱
いｎ型（n-型）〔又はより弱いｐ型（p-型）〕、及
びｉ型の層を得ることが出来る。
Ａ―Si（Ｈ，Ｘ）層又はＣ―Si層中にドーピン
グされる不純物としては、層をｐ型にするには、
周期律表第族Ａの元素、例えば、Ｂ，Al，
Ga，In，Tl等が好適なものとして挙げられ、ｎ
型にする場合には、周期律表第族Ａの元素、例
えばＮ，Ｐ，As，Sb，Bi等が好適なものとして
挙げられる。層中にドーピングされる不純物の量
は、所望される電気的・光学的特性に応じて適宜
決定されるが、周期律表第族Ａの不純物の場合
には、通常10-6〜10-3原子％、好適には10-5〜
10-4原子％、周期律表第族Ａの場合には通常
10-8〜10-3原子％、好適には10-8〜10-4原子％と
されるのが望ましい。
グされる不純物としては、層をｐ型にするには、
周期律表第族Ａの元素、例えば、Ｂ，Al，
Ga，In，Tl等が好適なものとして挙げられ、ｎ
型にする場合には、周期律表第族Ａの元素、例
えばＮ，Ｐ，As，Sb，Bi等が好適なものとして
挙げられる。層中にドーピングされる不純物の量
は、所望される電気的・光学的特性に応じて適宜
決定されるが、周期律表第族Ａの不純物の場合
には、通常10-6〜10-3原子％、好適には10-5〜
10-4原子％、周期律表第族Ａの場合には通常
10-8〜10-3原子％、好適には10-8〜10-4原子％と
されるのが望ましい。
支持体１０１としては、導電性でも電気性でも
電気絶縁性であつても良い。導電性支持体として
は、例えばNiCr、ステンレス、Al、Cr、Mo、
Au、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の金属又はこ
れ等の合金が挙げられる。電気絶縁性支持体とし
ては、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボ
ネート、セルローズアセテート、ポロプロピレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフイルム又
はシート、ガラス、セラミツク、紙等が通常使用
される。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には
少なくともその一方の表面を導電処理され、該導
電処理された表面側に他の層が設けられるのが望
ましい。
電気絶縁性であつても良い。導電性支持体として
は、例えばNiCr、ステンレス、Al、Cr、Mo、
Au、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の金属又はこ
れ等の合金が挙げられる。電気絶縁性支持体とし
ては、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボ
ネート、セルローズアセテート、ポロプロピレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフイルム又
はシート、ガラス、セラミツク、紙等が通常使用
される。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には
少なくともその一方の表面を導電処理され、該導
電処理された表面側に他の層が設けられるのが望
ましい。
例えば、ガラスであればその表面がNiCr、
Al、Cr、Mo、Ir、No、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd、
In2O3、SnO2、ITO（In2O3＋SnO2）等の薄膜によ
つて導電処理され、或いはポリエステルフイルム
等の合成樹脂フイルムであれば、NiCr、Al、
Ag、Pb、Zn、Ni、Au、Cr、Mo、Nb、Ta、
Ｖ、Ti、Pt等の金属で真空蒸着、電子ビーム蒸
着、スパツタリング等で処理し、又は前記金属で
ラミネート処理して、その表面が導電処理され
る。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、
板状等、任意の形状とし得、所望によつて、その
形状は決定されるが、連続高速複写の場合には、
無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支
持体の厚さは、所望通りの電子写真用像形成部材
が形成される様に適宜決定されるが、電子写真用
形成部材としての可撓性が要求される場合には、
支持体としての機能が充分発揮される範囲内であ
れば、可能な限り薄くされる。而乍ら、この様な
場合、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度
等の点ら、通常は、10μ以上とされる。
Al、Cr、Mo、Ir、No、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd、
In2O3、SnO2、ITO（In2O3＋SnO2）等の薄膜によ
つて導電処理され、或いはポリエステルフイルム
等の合成樹脂フイルムであれば、NiCr、Al、
Ag、Pb、Zn、Ni、Au、Cr、Mo、Nb、Ta、
Ｖ、Ti、Pt等の金属で真空蒸着、電子ビーム蒸
着、スパツタリング等で処理し、又は前記金属で
ラミネート処理して、その表面が導電処理され
る。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、
板状等、任意の形状とし得、所望によつて、その
形状は決定されるが、連続高速複写の場合には、
無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支
持体の厚さは、所望通りの電子写真用像形成部材
が形成される様に適宜決定されるが、電子写真用
形成部材としての可撓性が要求される場合には、
支持体としての機能が充分発揮される範囲内であ
れば、可能な限り薄くされる。而乍ら、この様な
場合、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度
等の点ら、通常は、10μ以上とされる。
第２図には、別の層構成の電子写真用像形成部
材の例が示されるが、第２図の電子写真用像形成
部材２００は光導電層２０２の表面に表面被覆層
２０５を有する以外は第１図の電子写真用像形成
部材１００と層構成に於いて同じである。即ち、
第２図の電子写真用像形成部材２００は、支持体
２０１の上にＣ―Si層２０３、Ａ―Si（Ｈ，Ｘ）
層２０４で構成される光導電層２０２がこの順で
積層され、光導電層２０２の表面に表面被覆層２
０５が設けてある。これ等の層の形成材料、作成
条件、層厚条件等に関しては、第１図の場合と同
様である。表面被覆層２０５は、その所望される
電気的特性を満足するのに加えて、光導電層２０
２に化学的・物理的に影響を与えないこと、光導
電層２０２との電気的接触性及び接着性、更には
耐湿性、耐摩耗性、クリーニング性等を考慮して
形成される。
材の例が示されるが、第２図の電子写真用像形成
部材２００は光導電層２０２の表面に表面被覆層
２０５を有する以外は第１図の電子写真用像形成
部材１００と層構成に於いて同じである。即ち、
第２図の電子写真用像形成部材２００は、支持体
２０１の上にＣ―Si層２０３、Ａ―Si（Ｈ，Ｘ）
層２０４で構成される光導電層２０２がこの順で
積層され、光導電層２０２の表面に表面被覆層２
０５が設けてある。これ等の層の形成材料、作成
条件、層厚条件等に関しては、第１図の場合と同
様である。表面被覆層２０５は、その所望される
電気的特性を満足するのに加えて、光導電層２０
２に化学的・物理的に影響を与えないこと、光導
電層２０２との電気的接触性及び接着性、更には
耐湿性、耐摩耗性、クリーニング性等を考慮して
形成される。
表面被覆層２０５の形成材料として有効に使用
されるものとして、その代表的なものは、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリビニルアルコール、ポリスチレン、ポリ
アミド、ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エ
チレン、ポリ弗化ビニル、ポリ弗化ビニリデン、
六弗化プロピレン―四弗化エチレンコポリマー、
三弗化エチレン―弗化ビニリデンコポリマー、ポ
リブデン、ポリビニルブチラール、ポリウレタ
ン、ポリパラキシリレン等の有機絶縁体、シリコ
ン窒化物、シリコン酸化物等の無機絶縁体等が挙
げられる。上記の中の合成樹脂又はセルロース誘
導体はフイルム状とされて光導電層２０４上に貼
合されても良く、又、それ等の塗布液を形成し
て、光導電層２０２上に塗布し、層形成しても良
い。表面被覆層２０５の層厚は、所望される特性
に応じて、又、使用される材質によつて適宜決定
されるが、通常の場合、0.5〜70μ程度とされ
る。殊に表面被覆層２０５が先述した保護層とし
ての機能が要求される場合には、通常の場合、10
μ以下とされ、逆に電気的絶縁体としての機能が
要求される場合には、通常の場合、10μ以上とさ
れる。而乍ら、この保護層と電気絶縁層とを差別
する層厚値は、使用材料及び適用される電子写真
プロセス、設計される像形成部材の構造によつ
て、変動するものである。
されるものとして、その代表的なものは、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリビニルアルコール、ポリスチレン、ポリ
アミド、ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エ
チレン、ポリ弗化ビニル、ポリ弗化ビニリデン、
六弗化プロピレン―四弗化エチレンコポリマー、
三弗化エチレン―弗化ビニリデンコポリマー、ポ
リブデン、ポリビニルブチラール、ポリウレタ
ン、ポリパラキシリレン等の有機絶縁体、シリコ
ン窒化物、シリコン酸化物等の無機絶縁体等が挙
げられる。上記の中の合成樹脂又はセルロース誘
導体はフイルム状とされて光導電層２０４上に貼
合されても良く、又、それ等の塗布液を形成し
て、光導電層２０２上に塗布し、層形成しても良
い。表面被覆層２０５の層厚は、所望される特性
に応じて、又、使用される材質によつて適宜決定
されるが、通常の場合、0.5〜70μ程度とされ
る。殊に表面被覆層２０５が先述した保護層とし
ての機能が要求される場合には、通常の場合、10
μ以下とされ、逆に電気的絶縁体としての機能が
要求される場合には、通常の場合、10μ以上とさ
れる。而乍ら、この保護層と電気絶縁層とを差別
する層厚値は、使用材料及び適用される電子写真
プロセス、設計される像形成部材の構造によつ
て、変動するものである。
次に、第１図に示す電子写真用像形成部材を作
製して静電像を形成する例の１つを説明する。
製して静電像を形成する例の１つを説明する。
第１図に於いてＣ―Si層１０３は、アルミニウ
ムの支持体１０１上にSiH4／He混合ガス中に
B2H6ガスを混合し、低圧グロー放電によりＢを
多量（10-2〜10-3原子％）にドープして層厚約５
μのｐ型層として形成され、Ａ―Si（Ｈ，Ｘ）層
１０４はSiH4／Heガス中にCH3ガスをその流量
を適宜調整して導入し、低圧グロー放電によつて
Ｃを１〜30原子％程度含有し、層厚約10μ程度に
形成される。
ムの支持体１０１上にSiH4／He混合ガス中に
B2H6ガスを混合し、低圧グロー放電によりＢを
多量（10-2〜10-3原子％）にドープして層厚約５
μのｐ型層として形成され、Ａ―Si（Ｈ，Ｘ）層
１０４はSiH4／Heガス中にCH3ガスをその流量
を適宜調整して導入し、低圧グロー放電によつて
Ｃを１〜30原子％程度含有し、層厚約10μ程度に
形成される。
この様にして形成した電子写真用像形成部材
に、静電像形成プロセスを適用する。即ち一様に
正のコロナ帯電を行なつた後に、波長800nm程度
のGaAlAsレーザによる書込みを行う。レーザ光
はＡ―Si（Ｈ，Ｘ）層を透過してＣ―Si層を励起
し、レーザ光の照射された部分では、自由電子が
Ａ―Si（Ｈ，Ｋ）層表面へドリフトして表面正電
荷を中和し、潜像が形成される。
に、静電像形成プロセスを適用する。即ち一様に
正のコロナ帯電を行なつた後に、波長800nm程度
のGaAlAsレーザによる書込みを行う。レーザ光
はＡ―Si（Ｈ，Ｘ）層を透過してＣ―Si層を励起
し、レーザ光の照射された部分では、自由電子が
Ａ―Si（Ｈ，Ｋ）層表面へドリフトして表面正電
荷を中和し、潜像が形成される。
第１図は本発明の電子写真用像形成部材の層構
成を説明する為の模式的構成図、第２図は本発明
の他の電子写真用像形成部材の層構成を説明する
為の模式的構成図である。 １００，２００…電子写真用像形成部材、１０
１，２０１…支持体、１０２，２０２…光導電
層、１０３，２０３…結晶性シリコン層、１０
４，２０４…アモルフアスシリコン層。
成を説明する為の模式的構成図、第２図は本発明
の他の電子写真用像形成部材の層構成を説明する
為の模式的構成図である。 １００，２００…電子写真用像形成部材、１０
１，２０１…支持体、１０２，２０２…光導電
層、１０３，２０３…結晶性シリコン層、１０
４，２０４…アモルフアスシリコン層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子写真用の支持体上に、結晶性シリコン
層、シリコン原子を母体とし、水素原子又はハロ
ゲン原子のいずれか一方を少なくとも含むアモル
フアス材料から成るアモルフアスシリコン層、と
がこの順で重層されて光導電層が構成されている
事を特徴とする電子写真用像形成部材。 ２ 前記アモルフアスシリコン層が、酸素原子、
窒素原子及び炭素原子の中の少なくとも一種を含
有する特許請求の範囲第１項の電子写真用像形成
部材。 ３ 前記アモルフアスシリコン層表面に、更に表
面被膜層を有する特許請求の範囲第１項及び第２
項の電子写真用像形成部材。 ４ 前記アモルフアスシリコン層中に含有される
水素原子の量が１〜40原子％である特許請求の範
囲第１項の電子写真用像形成部材。 ５ 前記アモルフアスシリコン層に含有される酸
素原子の量が0.1〜15原子％である特許請求の範
囲第２項の電子写真用像形成部材。 ６ 前記アモルフアスシリコン層に含有される窒
素原子の量が0.1〜15原子％である特許請求の範
囲第２項の電子写真用像形成部材。 ７ 前記アモルフアスシリコン層に含有される炭
素原子の量が0.1〜50原子％である特許請求の範
囲第２項の電子写真用像形成部材。 ８ 前記結晶性シリコン層の層厚が0.5〜10μで
ある特許請求の範囲第１項の電子写真用像形成部
材。 ９ 前記アモルフアスシリコン層の層厚が５〜60
μである特許請求の範囲第１項の電子写真用像形
成部材。 １０ 前記アモルフアスシリコン層がｐ型又はｎ
型の不純物を含有する特許請求の範囲第１項の電
子写真用像形成部材。 １１ 前記結晶性シリコン層がｐ型又はｎ型の不
純物を含有する特許請求の範囲第１項の電子写真
用像形成部材。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55120270A JPS5744154A (en) | 1980-08-29 | 1980-08-29 | Electrophotographic image formation member |
| US06/294,434 US4420546A (en) | 1980-08-29 | 1981-08-20 | Member for electrophotography with a-Si and c-Si layers |
| DE19813134189 DE3134189A1 (de) | 1980-08-29 | 1981-08-28 | Bilderzeugungselement fuer elektrophotographische zwecke |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55120270A JPS5744154A (en) | 1980-08-29 | 1980-08-29 | Electrophotographic image formation member |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5744154A JPS5744154A (en) | 1982-03-12 |
| JPS6239735B2 true JPS6239735B2 (ja) | 1987-08-25 |
Family
ID=14782059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55120270A Granted JPS5744154A (en) | 1980-08-29 | 1980-08-29 | Electrophotographic image formation member |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4420546A (ja) |
| JP (1) | JPS5744154A (ja) |
| DE (1) | DE3134189A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4560634A (en) * | 1981-05-29 | 1985-12-24 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member using microcrystalline silicon |
| JPS59193463A (ja) * | 1983-04-18 | 1984-11-02 | Canon Inc | 電子写真用光導電部材 |
| JPH071395B2 (ja) * | 1984-09-27 | 1995-01-11 | 株式会社東芝 | 電子写真感光体 |
| US4582773A (en) * | 1985-05-02 | 1986-04-15 | Energy Conversion Devices, Inc. | Electrophotographic photoreceptor and method for the fabrication thereof |
| DE3616608A1 (de) * | 1985-05-17 | 1986-11-20 | Ricoh Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Lichtempfindliches material fuer elektrophotographie |
| JPS61295576A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-26 | Toshiba Corp | 光導電性部材 |
| US4713308A (en) * | 1985-06-25 | 1987-12-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electrophotographic photosensitive member using microcrystalline silicon |
| US4717637A (en) * | 1985-06-25 | 1988-01-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electrophotographic photosensitive member using microcrystalline silicon |
| JPS61295577A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-26 | Toshiba Corp | 光導電性部材 |
| JPS62205361A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-09 | Canon Inc | 電子写真用光受容部材及びその製造方法 |
| JPS62223762A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-01 | Canon Inc | 電子写真用光受容部材及びその製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4064521A (en) * | 1975-07-28 | 1977-12-20 | Rca Corporation | Semiconductor device having a body of amorphous silicon |
| AU530905B2 (en) * | 1977-12-22 | 1983-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member |
| US4217374A (en) * | 1978-03-08 | 1980-08-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors |
| US4226898A (en) * | 1978-03-16 | 1980-10-07 | Energy Conversion Devices, Inc. | Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors produced by a glow discharge process |
| US4237151A (en) * | 1979-06-26 | 1980-12-02 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Thermal decomposition of silane to form hydrogenated amorphous Si film |
| US4253882A (en) * | 1980-02-15 | 1981-03-03 | University Of Delaware | Multiple gap photovoltaic device |
| JPS56146142A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-13 | Hitachi Ltd | Electrophotographic sensitive film |
-
1980
- 1980-08-29 JP JP55120270A patent/JPS5744154A/ja active Granted
-
1981
- 1981-08-20 US US06/294,434 patent/US4420546A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-08-28 DE DE19813134189 patent/DE3134189A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3134189C2 (ja) | 1987-08-20 |
| US4420546A (en) | 1983-12-13 |
| JPS5744154A (en) | 1982-03-12 |
| DE3134189A1 (de) | 1982-04-22 |
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