JPS6239813B2 - - Google Patents

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JPS6239813B2
JPS6239813B2 JP56093843A JP9384381A JPS6239813B2 JP S6239813 B2 JPS6239813 B2 JP S6239813B2 JP 56093843 A JP56093843 A JP 56093843A JP 9384381 A JP9384381 A JP 9384381A JP S6239813 B2 JPS6239813 B2 JP S6239813B2
Authority
JP
Japan
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pattern
corner
signals
binary
patterns
Prior art date
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Expired
Application number
JP56093843A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS57210627A (en
Inventor
Yasuhiko Hara
Keiichi Okamoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP9384381A priority Critical patent/JPS57210627A/ja
Publication of JPS57210627A publication Critical patent/JPS57210627A/ja
Publication of JPS6239813B2 publication Critical patent/JPS6239813B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84Inspecting

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はLSIホトマスク等の回路パターン欠陥
をより精度良く検出するための装置に関するもの
である。
第1図は従来一般的に行なわれているパターン
欠陥検出方式におけるパターン図を示し、同図
a,bに示す同じ形状の2つのパターン1および
2を同図cに示す如く互に比較し、パターン1と
2との不一致部a,bがあると、この部分はパタ
ーン1と2との形状の不一致部即ち欠陥と見なす
ことができる。理想的には同図cの如く重ね合せ
により小さな不一致部も検出できるものである
が、実際には2つのパターン1,2を完全に位置
合せすることが困難であるので、例えば位置合せ
誤差をDとすると、第2図に示すようにカド部に
ある小さな欠陥aは検出することが困難であり、
大きな欠陥bしか検出することができない。
本発明の目的は上記した従来技術の欠点をなく
し、角部にある小さな欠陥をも検出することがで
きるようになしたパターン欠陥検出装置を提供す
ることにある。
即ち本発明は、上記目的を達成するために、位
置合せされた本来同一であるべき二つのパターン
の各々を同期走査して撮像する第1及び第2の撮
像装置と、該第1及び第2の撮像装置の各々より
得られる映像信号を2値絵素化信号に変換する第
1及び第2の2値化回路と、該第1及び第2の2
値化回路から得られる2値絵素化信号の各々を同
期、且つ対応させてある間隔離して複数の記憶因
子を直線的に配列して形成したL型の1組の記憶
因子群に順次記憶する第1及び第2のメモリと、
該第1及び第2のメモリの各々に記憶された外側
のL型の記憶因子群(P1〜Pn)に記憶された2
値絵素化信号(P1)〜(Pn)が(P1)=…=(Pn)
であり、内側のL型の記憶因子群(q1〜qm)に
記憶された2値絵素化信号(q1)〜(qm)が
(q1)=(q2)=…=(qm)であり、しかも(P1)≠
(q1)であるか否かにより角部が切出された否かを
検知する第1及び第2の特定パターン検知手段と
該第1及び第2の特定パターン検知手段の一方か
らX,Y座標において角部が検知され、他方から
(X±D、Y±D)の範囲内において角部が検知
されなかつたとき一方のパターンに欠陥があると
判定する比較手段とを備え付けたことを特徴とす
るパターン欠陥検出装置である。
以下第3図乃至第6図に示した実施例によつて
本発明を詳細に説明する。
第3図は本発明によるパターン欠陥検出装置の
具体的ハード構成例を示すものである。図におい
て位置決めされ、本来同一であるパターン1およ
び2はレンズ3,3′を介してパターン映像器
4,4′によつて検出され、撮像器4,4′から得
られるビデオ信号5,5′はそれぞれ2値化回路
6,6′によつて2値絵素化され、特開昭50−
131469号公報等に記載されているように周知技術
によつてメモリ7,7′に各々初出されて入力さ
れる。ここで画像は空間的に量子化(2次元的に
切出されて)されてメモリされる。すなわち画像
はある最小単位の升目(記憶因子)で分割されメ
モリされる。ひとつの升目(記憶因子)を絵素と
呼ぶ。2値化画像の場合、絵素の内容は“1”あ
るいは“0”である。即ちメモリ7,7′の各々
は、例えば第7図に示すように一ラスタ分記憶す
るシフトレジスタ群7a,7a′とシフトレジスタ
群から出力された2値絵素化信号をパラレルイ
ン、パラレルアウトで切出して記憶するように縦
横に複数の記憶因子を有するメモリ7b,7b′と
で構成されている。
次に各々メモリされた画像から、局所的なパタ
ーンの形状が特定パターン検知手段8,8′の
各々によつて検知される。特定パターン検知手段
8,8′の各々における特定パターンとしては、
例えば、第4図に示すような複数の記憶因子を直
線的に並べたL型の絵素群10,10′が所定の
間隔離して設けられている。即ちメモリ7,7′
の各々に記憶された全絵素のうち、第4図に示す
ように外側L部10′(P1、P2、…Pn)と内側L
部10(q1、q2…qm)に記憶された2値絵素化
信号(P1)〜(Pn)、(q1)〜(qm)が の関係を満足するとき、特定パターン検知手段
8,8′の各々において角部11があるものと判
定する。この特定パターン検知手段8,8′の
各々を上記(1)式にもとづいて、例えば理論回路
(AND回路8a,8a′、NOR回路8b,8b′、
OR回路8c,8c′)で示せば第7図に示すよう
に構成される。なお、L部の例としては第4図即
ち第5図の12の方向の角部のほかに、第5図1
3,14,15の例もあり、これらの角部は、メ
モリ7,7′の各々からの読出しパターンを適宜
設定することによつて、例えば、ある間隔離され
た2組のL型の窓内のデータ内容のチエツクによ
つて、パターンの角部の存在を検知することがで
きる。
次に特定パターン検知手段8,8′の各々によ
つて判定されたパターンの角部の比較を比較手段
9にて行う。両方のパターンに角部が存在すれば
パターンは正常、片側にのみ存在するときパター
ンは欠陥と判定する。すなわち、特定パターン検
知手段8(あるいは8′)でパターン1(あるい
は2)の座標X,Y部に角部の存在が検知された
場合、他方の特定パターン検知手段8′(あるい
は8)によつてパターン2(あるいは1)の座標
(X±D、Y±D)の範囲内(Dは位置ずれを許
容した値である。)で同じ方向の角部が検知され
ているか否かをチエツクする。同じ方向の角部が
見い出されなかつた場合比較手段9は欠陥信号を
出力する。
検出される角部の欠陥の形状は第4図に示す配
置によつて決められる。例えば第6図の実線16
に示す角部は式(1)を満さないので、角部とは判定
されない。従つて、他の比較パターン形状が破線
で示すように角部17を持つ場合、パターン16
は欠陥と判定される。
なお上記実施例においては、特定パターンとし
て角部を例にとつて説明したが、微細な凹凸、鋭
角的な屈曲部等の欠陥検出に応用できることは勿
論である。
本発明による検出方式によれば、例えば第6図
に示すわずかなパターン角部の変形も欠陥と判定
し得、従来の検査方式では検出できなかつたよう
な微小変形の欠陥も発見できるようになり、この
発見した欠陥を修正(修正できない場合は廃棄)
することによつて、より品質の良いマスクを
IC、LSI製造に利用できるようになる。その結果
IC、LSI製造の歩留りは向上し、より能率良く製
造を行うことができるようになり、その工業的価
値は非常に大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
第1図は一般的なパターン欠陥検出方式のパタ
ーン図であり、第2図は第1図の方式において位
置合せ誤差があつた場合のパターン図である。第
3図乃至第7図は本発明に係わり、第3図はパタ
ーン欠陥検出装置の一実施例を示すブロツク図、
第4図は角部の存在を検知するためのパターンの
一例図、第5図は角部の種類(方向)を示す図、
第6図は角部の検知例と角部と検知しない例を示
す図、第7図は第3図に示す装置の一実施例を更
に具体的に一例を示した図である。 1,2…パターン、7,7′…メモリ、8,
8′…特定パターン検知手段、9…比較手段、1
0…内側L部、10′…外側L部、11〜15…
L部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 位置合わせされた本来同一であるべき二つの
    パターンの各々を同期走査して撮像する第1及び
    第2の撮像装置と、該第1及び第2の撮像装置の
    各々より得られる映像信号を2値絵素化信号に変
    換する第1及び第2の2値化回路と、該第1及び
    第2の2値化回路から得られる2値絵素化信号の
    各々を同期、且つ対応させてある間隔離して複数
    の記憶因子を直線的に配列して形成したL型の1
    組の記憶因子群に順次記憶する第1及び第2のメ
    モリと、該第1及び第2のメモリの各々に記憶さ
    れた外側のL型の記憶因子群(P1〜Pn)に記憶
    された2値絵素化信号(P1)〜(Pn)が(P1)=
    (P2)=…=(Pn)であり、内側のL型の記憶因子
    群(q1〜qm)に記憶された2値絵素化信号
    (q1)〜(qm)が(q1)=(q2)=…=(qm)であ
    り、しかも(P1)≠(q1)であるか否かにより角部
    が切出された否かを検知する第1及び第2の特定
    パターン検知手段と、該第1及び第2の特定パタ
    ーン検知手段の一方からX,Y座標において角部
    が検知され、他方から(X±D、Y±D)の範囲
    内において角部が検知されなかつたとき一方のパ
    ターンに欠陥があると判定する比較手段とを備え
    付けたことを特徴とするパターン欠陥検出装置。
JP9384381A 1981-06-19 1981-06-19 Detecting method for defect of pattern Granted JPS57210627A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9384381A JPS57210627A (en) 1981-06-19 1981-06-19 Detecting method for defect of pattern

Applications Claiming Priority (1)

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JP9384381A JPS57210627A (en) 1981-06-19 1981-06-19 Detecting method for defect of pattern

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS57210627A JPS57210627A (en) 1982-12-24
JPS6239813B2 true JPS6239813B2 (ja) 1987-08-25

Family

ID=14093675

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9384381A Granted JPS57210627A (en) 1981-06-19 1981-06-19 Detecting method for defect of pattern

Country Status (1)

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JP (1) JPS57210627A (ja)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5924361B2 (ja) * 1974-04-03 1984-06-08 株式会社日立製作所 2次元画像比較検査装置
JPS53117978A (en) * 1977-03-25 1978-10-14 Hitachi Ltd Automatic mask appearance inspection apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JPS57210627A (en) 1982-12-24

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