JPH0417361B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0417361B2 JPH0417361B2 JP58201474A JP20147483A JPH0417361B2 JP H0417361 B2 JPH0417361 B2 JP H0417361B2 JP 58201474 A JP58201474 A JP 58201474A JP 20147483 A JP20147483 A JP 20147483A JP H0417361 B2 JPH0417361 B2 JP H0417361B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip area
- patterns
- pattern
- reticle
- pair
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明はフオトマスクの自動検査方法に係り、
特に繰り返しパターンが配設された領域が広い面
積を占めるメモリ素子等のチツプ領域パターンが
一基板上に複数個整列配設されてなるギヤング・
レチクル（マルチ・レチクル）のパターンを自動
的に検査する方法に関する。
特に繰り返しパターンが配設された領域が広い面
積を占めるメモリ素子等のチツプ領域パターンが
一基板上に複数個整列配設されてなるギヤング・
レチクル（マルチ・レチクル）のパターンを自動
的に検査する方法に関する。
(b) 技術の背景
同種のチツプ領域パターンが一基板上に多数個
整列配設されてなるフオトマスクは、レチクル上
に実寸法の５〜10倍の大きさに形成されたチツプ
領域パターンの像をステツプアンドリピート法を
用いてマスク基板上に実寸法に縮小投影すること
によつて形成される。
整列配設されてなるフオトマスクは、レチクル上
に実寸法の５〜10倍の大きさに形成されたチツプ
領域パターンの像をステツプアンドリピート法を
用いてマスク基板上に実寸法に縮小投影すること
によつて形成される。
従来このレチクルは１枚のレチクル基板に１個
のチツプ領域パターンが形成された構造であつた
が、最近では１枚のレチクル基板に複数個の同種
チツプ領域パターンを整列形成してなるギヤン
グ・レチクルを用い、ステツプ露光の回数を減少
せしめることによりフオトマスクの製造効率の向
上が図られている。
のチツプ領域パターンが形成された構造であつた
が、最近では１枚のレチクル基板に複数個の同種
チツプ領域パターンを整列形成してなるギヤン
グ・レチクルを用い、ステツプ露光の回数を減少
せしめることによりフオトマスクの製造効率の向
上が図られている。
このようなギヤング・レチクルに於ても通常の
レチクル同様、該レチクルに欠陥があつた際に
は、フオトマスクに形成されるチツプ領域パター
ンに規則的に欠陥を生じ、その品質が極度に低下
する。従つて該ギヤング・レチクルのパターン検
査は極めて重要である。
レチクル同様、該レチクルに欠陥があつた際に
は、フオトマスクに形成されるチツプ領域パター
ンに規則的に欠陥を生じ、その品質が極度に低下
する。従つて該ギヤング・レチクルのパターン検
査は極めて重要である。
(c) 従来技術と問題点
該ギヤング・レチクルのパターンを自動的に検
査する際には、通常フオトマスクで行われるのと
同様な比較検査方法が用いられる。この比較検査
方法は、マスク基板上を例えば隣接する２個のチ
ツプ領域パターンの対応する同じ場所を同時に視
野におさめる一対の撮像手段で走査し、各々の撮
像手段より得られる映像信号を比較して、チツプ
領域パターンの相違の有無を検出する方法であ
る。
査する際には、通常フオトマスクで行われるのと
同様な比較検査方法が用いられる。この比較検査
方法は、マスク基板上を例えば隣接する２個のチ
ツプ領域パターンの対応する同じ場所を同時に視
野におさめる一対の撮像手段で走査し、各々の撮
像手段より得られる映像信号を比較して、チツプ
領域パターンの相違の有無を検出する方法であ
る。
第１図は上記ギヤング・レチクルの検査に用い
られる自動マスク検査装置の主な機能構成の一例
を模式的に示したブロツク図で、図中１は検査し
ようとするギヤング・レチクル、C1，C2は該ギ
ヤング・レチクル上に配設されているチツプ領域
パターン、２はＸ−Ｙ方向に摺動自在なＸ−Ｙス
テージ（視野の走査に用いる）、３ａ，３ｂは一
対の照明装置、４ａ，４ｂは一対の顕微鏡、５
ａ，５ｂはそれぞれの顕微鏡の光学像を電気信号
に変換する一対の光電変換素子、６ａ，６ｂはそ
れぞれの映像電気信号を２値化する一対の信号２
値化部、７ａ，７ｂはそれぞれの２値化映像信号
により画面メモリを形成する一対の画面メモリ形
成部、８ａ，８ｂはそれぞれの画面メモリ情報を
確認する一対の画面メモリ認識部、９はそれぞれ
の画面メモリ認識部から送入された画面メモリ情
報を比較するメモリパターン形状比較部、１０は
上記比較部に於て二つの画面メモリ情報が一致し
ない時に信号を出力する不良信号出力部、１１は
前記不良信号によつてON−OFFする検査情報出
力ゲート、１２は前記比較部に於て二つの画面メ
モリ情報が一致しない時その座標位置が書込まれ
る欠陥座標メモリ、１３はステージ駆動部であ
る。
られる自動マスク検査装置の主な機能構成の一例
を模式的に示したブロツク図で、図中１は検査し
ようとするギヤング・レチクル、C1，C2は該ギ
ヤング・レチクル上に配設されているチツプ領域
パターン、２はＸ−Ｙ方向に摺動自在なＸ−Ｙス
テージ（視野の走査に用いる）、３ａ，３ｂは一
対の照明装置、４ａ，４ｂは一対の顕微鏡、５
ａ，５ｂはそれぞれの顕微鏡の光学像を電気信号
に変換する一対の光電変換素子、６ａ，６ｂはそ
れぞれの映像電気信号を２値化する一対の信号２
値化部、７ａ，７ｂはそれぞれの２値化映像信号
により画面メモリを形成する一対の画面メモリ形
成部、８ａ，８ｂはそれぞれの画面メモリ情報を
確認する一対の画面メモリ認識部、９はそれぞれ
の画面メモリ認識部から送入された画面メモリ情
報を比較するメモリパターン形状比較部、１０は
上記比較部に於て二つの画面メモリ情報が一致し
ない時に信号を出力する不良信号出力部、１１は
前記不良信号によつてON−OFFする検査情報出
力ゲート、１２は前記比較部に於て二つの画面メ
モリ情報が一致しない時その座標位置が書込まれ
る欠陥座標メモリ、１３はステージ駆動部であ
る。
従来ギヤング・レチクルは、上記のような自動
マスク検査装置により、通常のフオト・、マスク
と同様第２図に示すようにギヤング・レチクルＧ
上を、該レチクル上に配設されているチツプ領域
パターンC1，C2，C3，C4，C5，C6及びC7，C8，
C9のピツチ間隔に等しい光軸間隔ｄを持つた１
対の顕微鏡の視野Ａ及びＢによつてＸ方向を主走
査方向として全面にわたつて走査し、スライスさ
れた各時点で視野Ａ及びＢ内にとらえられる隣接
する２個のチツプ領域パターンの対応する同じ場
所の光学像を電気信号に変換し二値化して比較
し、差異が検出されなかつた場合該ギヤング・レ
チクルは良品と判定されていた。（図中破線は走
査線を表わし、m1は走査方向を示す矢印である） しかし上記従来方法に於ては、該ギヤング・レ
チクルにチツプ領域パターンを描画する際に共通
して起る障害（パターン情報の欠陥、描画装置の
欠陥等）によつて、各チツプ領域パターンに共通
してあらわれる同種の異常欠陥については検出が
不可能であり、そのためこの種の異常欠陥を有す
るギヤング・レチクルが良品と判断されてフオト
マスクの製造に用いられ、フオトマスクの品質を
低下させるという問題があつた。
マスク検査装置により、通常のフオト・、マスク
と同様第２図に示すようにギヤング・レチクルＧ
上を、該レチクル上に配設されているチツプ領域
パターンC1，C2，C3，C4，C5，C6及びC7，C8，
C9のピツチ間隔に等しい光軸間隔ｄを持つた１
対の顕微鏡の視野Ａ及びＢによつてＸ方向を主走
査方向として全面にわたつて走査し、スライスさ
れた各時点で視野Ａ及びＢ内にとらえられる隣接
する２個のチツプ領域パターンの対応する同じ場
所の光学像を電気信号に変換し二値化して比較
し、差異が検出されなかつた場合該ギヤング・レ
チクルは良品と判定されていた。（図中破線は走
査線を表わし、m1は走査方向を示す矢印である） しかし上記従来方法に於ては、該ギヤング・レ
チクルにチツプ領域パターンを描画する際に共通
して起る障害（パターン情報の欠陥、描画装置の
欠陥等）によつて、各チツプ領域パターンに共通
してあらわれる同種の異常欠陥については検出が
不可能であり、そのためこの種の異常欠陥を有す
るギヤング・レチクルが良品と判断されてフオト
マスクの製造に用いられ、フオトマスクの品質を
低下させるという問題があつた。
(d) 発明の目的
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであ
り、特に半導体メモリ素子の製造に用いられるギ
ヤング・レチクルのようにチツプ領域パターンが
主として繰り返しパターンで占められるギヤン
グ・レチクルの検査精度を向上せしめる自動マス
ク検査方法を提供することを目的としている。
り、特に半導体メモリ素子の製造に用いられるギ
ヤング・レチクルのようにチツプ領域パターンが
主として繰り返しパターンで占められるギヤン
グ・レチクルの検査精度を向上せしめる自動マス
ク検査方法を提供することを目的としている。
(e) 発明の構成
即ち本発明は、繰り返しパターンを含んだ同種
のチツプ領域パターンが複数個整列配設されてな
るフオトマスクを自動的に検査するに際して、 ２個のチツプ領域パターンの対応する同じ場所
を同時に視野におさめる１対の撮像手段により全
チツプ領域パターン上を順次走査し、各々の撮像
手段により得られる映像信号を比較して前記２個
のチツプ領域パターン形状の違いを検出する第１
の検査工程と、該第１の検査工程に於いて前記パ
ターン形状の違いが検出されなかつたフオトマス
クについて、１個のチツプ領域パターン内の２個
の繰り返しパターンの対応する同じ場所を同時に
視野におさめる１対の撮像手段により、該チツプ
領域パターン内に於ける繰り返しパターン配設領
域上を順次走査し、各々の撮像手段により得られ
る映像信号を比較して、前記１個のチツプ領域パ
ターン形状の異常を検出する第２の検査工程とを
含むことを特徴とする。
のチツプ領域パターンが複数個整列配設されてな
るフオトマスクを自動的に検査するに際して、 ２個のチツプ領域パターンの対応する同じ場所
を同時に視野におさめる１対の撮像手段により全
チツプ領域パターン上を順次走査し、各々の撮像
手段により得られる映像信号を比較して前記２個
のチツプ領域パターン形状の違いを検出する第１
の検査工程と、該第１の検査工程に於いて前記パ
ターン形状の違いが検出されなかつたフオトマス
クについて、１個のチツプ領域パターン内の２個
の繰り返しパターンの対応する同じ場所を同時に
視野におさめる１対の撮像手段により、該チツプ
領域パターン内に於ける繰り返しパターン配設領
域上を順次走査し、各々の撮像手段により得られ
る映像信号を比較して、前記１個のチツプ領域パ
ターン形状の異常を検出する第２の検査工程とを
含むことを特徴とする。
(f) 発明の実施例
以下本発明の方法を実施例について、図を用い
て説明する。
て説明する。
第３図は本発明のマスク検査方法が適用される
ギヤング・レチクルの一例を示す模式上面図で、
第４図イ乃至ロは本発明の方法に於ける一実施例
の工程を示す模式平面図である。
ギヤング・レチクルの一例を示す模式上面図で、
第４図イ乃至ロは本発明の方法に於ける一実施例
の工程を示す模式平面図である。
本発明のマスク検査方法は、半導体メモリ素子
を製造する際等に用いられるギヤング・レチクル
のように、同種のセル・パターン（ユニツト・パ
ターン）が多数個繰り返し配設されている繰り返
しパターン領域が大部分を占めるようなチツプ領
域パターンが複数個、一マスク基板（ガラス基
板）上に整列配設されてなるギヤング・レチクル
に適用される。第３図はその一例を模式的に示し
た平面図で、図中Ｇはギヤング・レチクル基板、
C1〜C9はチツプ領域パターン、R1〜R9は繰り返
しパターン領域、P1〜P9は例えば周辺回路等の
繰り返し性のない素子パターンが配設された領域
を表わしている。
を製造する際等に用いられるギヤング・レチクル
のように、同種のセル・パターン（ユニツト・パ
ターン）が多数個繰り返し配設されている繰り返
しパターン領域が大部分を占めるようなチツプ領
域パターンが複数個、一マスク基板（ガラス基
板）上に整列配設されてなるギヤング・レチクル
に適用される。第３図はその一例を模式的に示し
た平面図で、図中Ｇはギヤング・レチクル基板、
C1〜C9はチツプ領域パターン、R1〜R9は繰り返
しパターン領域、P1〜P9は例えば周辺回路等の
繰り返し性のない素子パターンが配設された領域
を表わしている。
又本発明の方法に用いるマスクの自動検査装置
は第１図に示したような従来と同様の比較検査装
置である。
は第１図に示したような従来と同様の比較検査装
置である。
本発明の方法に於ては上記第３図に示したよう
なギヤング・レチクルの検査に際して、第４図イ
に示すように、先ず従来の検査方法と同様に、該
ギヤング・レチクル基板Ｇ上に配設されているチ
ツプ領域パターンC1〜C9のＸ方向の配設ピツチ
間隔に等しい光軸間隔d1に調節され、隣接する領
域パターンの対応する同じ場所を視野におさめる
１対の顕微鏡の視野Ａ及びＢによつてＸ方向を主
走査方向として該ギヤング・レチクルＧ上を全面
にわたつて破線で示したように走査し（m1はレ
チクル面走査方向矢印し）、スライスされた各時
点で視野Ａ及びＢ内にとらえられる隣接する２個
のチツプ領域パターンの対応する同じ場所の映像
を電気信号に変換し、該映像電気信号を２値化し
て画面メモリに書込むと同時に比較しその差異を
検出し、差があつた場合、その座標位置が欠陥座
標メモリに記録される。そして全面の走査が完了
し全面にわたつて不一致の場所が検出されなかつ
たギヤング・レチクルはひとまず良品と判定さ
れ、不一致の場所が検出されたものについては不
良と判定される。以上が第１の検査である。
なギヤング・レチクルの検査に際して、第４図イ
に示すように、先ず従来の検査方法と同様に、該
ギヤング・レチクル基板Ｇ上に配設されているチ
ツプ領域パターンC1〜C9のＸ方向の配設ピツチ
間隔に等しい光軸間隔d1に調節され、隣接する領
域パターンの対応する同じ場所を視野におさめる
１対の顕微鏡の視野Ａ及びＢによつてＸ方向を主
走査方向として該ギヤング・レチクルＧ上を全面
にわたつて破線で示したように走査し（m1はレ
チクル面走査方向矢印し）、スライスされた各時
点で視野Ａ及びＢ内にとらえられる隣接する２個
のチツプ領域パターンの対応する同じ場所の映像
を電気信号に変換し、該映像電気信号を２値化し
て画面メモリに書込むと同時に比較しその差異を
検出し、差があつた場合、その座標位置が欠陥座
標メモリに記録される。そして全面の走査が完了
し全面にわたつて不一致の場所が検出されなかつ
たギヤング・レチクルはひとまず良品と判定さ
れ、不一致の場所が検出されたものについては不
良と判定される。以上が第１の検査である。
次いで本発明の方法に於ては、上記第１の検査
で良品と判定されたギヤング・レチクルについ
て、下記のような第２の検査を行う。即ち上記ギ
ヤング・レチクルの１個のチツプ領域パターン、
例えばC1について、第４図ロに示すように該チ
ツプ領域パターンC1の繰り返しパターン領域R1
全面を、繰り返しパターンＵの配設ピツチの整数
倍の光軸間隔d2を有し、例えば異なる繰り返しパ
ターンUD及びUEの対応する同じ場所を視野にお
さめる一対の顕微鏡の視野Ｄ及びＥによつて、例
えば矢印m2で示す顕微鏡の配列軸に対して直角
な方向（図ではＹ方向）を主走査方法とした破線
で示すような経路で順次走査し、スライスされた
各時点で視野Ｄ及びＥ内にとらえられる２個の繰
り返しパターンの対応する同じ場所の映像信号を
２値化して順次比較し、該繰り返しパターン領域
R1全域にわたつて単位パターン（繰り返しパタ
ーン）間に差異が検出されなかつた場合、該ギヤ
ング・レチクルＧ上に配設されている総てのチツ
プ領域パターンC1〜C9が内蔵する繰り返しパタ
ーン領域R1〜R9に異常欠陥はないものと判定す
る。このような判定ができるのは、ギヤング・レ
チクルにパターンの異常欠陥を生ずる理由が、パ
ターン描画に際しての情報の欠陥及び描画装置の
欠陥に主として起因し、従つて同種の異常欠陥が
各々チツプ領域パターンに共通して生ずる特性を
持つことによる。
で良品と判定されたギヤング・レチクルについ
て、下記のような第２の検査を行う。即ち上記ギ
ヤング・レチクルの１個のチツプ領域パターン、
例えばC1について、第４図ロに示すように該チ
ツプ領域パターンC1の繰り返しパターン領域R1
全面を、繰り返しパターンＵの配設ピツチの整数
倍の光軸間隔d2を有し、例えば異なる繰り返しパ
ターンUD及びUEの対応する同じ場所を視野にお
さめる一対の顕微鏡の視野Ｄ及びＥによつて、例
えば矢印m2で示す顕微鏡の配列軸に対して直角
な方向（図ではＹ方向）を主走査方法とした破線
で示すような経路で順次走査し、スライスされた
各時点で視野Ｄ及びＥ内にとらえられる２個の繰
り返しパターンの対応する同じ場所の映像信号を
２値化して順次比較し、該繰り返しパターン領域
R1全域にわたつて単位パターン（繰り返しパタ
ーン）間に差異が検出されなかつた場合、該ギヤ
ング・レチクルＧ上に配設されている総てのチツ
プ領域パターンC1〜C9が内蔵する繰り返しパタ
ーン領域R1〜R9に異常欠陥はないものと判定す
る。このような判定ができるのは、ギヤング・レ
チクルにパターンの異常欠陥を生ずる理由が、パ
ターン描画に際しての情報の欠陥及び描画装置の
欠陥に主として起因し、従つて同種の異常欠陥が
各々チツプ領域パターンに共通して生ずる特性を
持つことによる。
本発明の方法に於ては、上記第１の検査によつ
て該ギヤング・レチクルに配設されている各チツ
プ領域パターン間に差異のないことを確認し、更
に第２の検査によつてチツプ領域パターンの中で
大部分の面積を占める繰り返しパターン領域に異
常欠陥がないことを確認したうえで該ギヤング・
レチクルを良品と判定する。
て該ギヤング・レチクルに配設されている各チツ
プ領域パターン間に差異のないことを確認し、更
に第２の検査によつてチツプ領域パターンの中で
大部分の面積を占める繰り返しパターン領域に異
常欠陥がないことを確認したうえで該ギヤング・
レチクルを良品と判定する。
なお上記第２の検査工程に於て顕微鏡の主走査
方向は上記実施例の方向に限らず、繰り返しパタ
ーン領域形状により走査時間が短時間で済む方向
に定められる。
方向は上記実施例の方向に限らず、繰り返しパタ
ーン領域形状により走査時間が短時間で済む方向
に定められる。
(g) 発明の効果
以上説明したように本発明の自動マスク検査方
法に於ては、繰り返しパターンが配設された領域
がチツプ領域の大部分を示める半導体メモリ素子
等の製造に用いられるギヤング・レチクルの良否
の判定が、チツプ領域パターン同士の比較検査結
果に繰り返しパターン同士の比較検査結果を加味
してなされる。
法に於ては、繰り返しパターンが配設された領域
がチツプ領域の大部分を示める半導体メモリ素子
等の製造に用いられるギヤング・レチクルの良否
の判定が、チツプ領域パターン同士の比較検査結
果に繰り返しパターン同士の比較検査結果を加味
してなされる。
従つて本発明によれば上記ギヤング・レチクル
の検査精度が向上し、半導体メモリ素子等の製造
歩留まりが向上する。
の検査精度が向上し、半導体メモリ素子等の製造
歩留まりが向上する。
第１図は自動マスク検査装置の主な機能構成の
一例を模式的に表わすブロツク図、第２図はマス
クの自動検査方法を模式的に示す工程平面図、第
３図はギヤング・レチクルの一例を示す模式平面
図で、第４図イ乃至ロは本発明のギヤング・レチ
クルの自動検査方法に於ける一実施例の模式工程
平面図である。 図中、Ｇはギヤング・レチクル、C1〜C9はチ
ツプ領域パターン、R1〜R9は繰り返しパターン
領域、Ａ，Ｂ及びＤ，Ｅはそれぞれ１対の顕微鏡
の視野、Ｕ，UD，UEは単位繰り返しパターン、
d1，d2は顕微鏡の光軸間隔、m1，m2は走査方向
矢印を示す。
一例を模式的に表わすブロツク図、第２図はマス
クの自動検査方法を模式的に示す工程平面図、第
３図はギヤング・レチクルの一例を示す模式平面
図で、第４図イ乃至ロは本発明のギヤング・レチ
クルの自動検査方法に於ける一実施例の模式工程
平面図である。 図中、Ｇはギヤング・レチクル、C1〜C9はチ
ツプ領域パターン、R1〜R9は繰り返しパターン
領域、Ａ，Ｂ及びＤ，Ｅはそれぞれ１対の顕微鏡
の視野、Ｕ，UD，UEは単位繰り返しパターン、
d1，d2は顕微鏡の光軸間隔、m1，m2は走査方向
矢印を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 繰り返しパターンを含んだ同種のチツプ領域
パターンが複数個整列配設されてなるフオトマス
クを自動的に検査するに際して、 ２個のチツプ領域パターンの対応する同じ場所
を同時に視野におさめる１対の撮像手段により全
チツプ領域パターン上を順次走査し、各々の撮像
手段により得られる映像信号を比較して前記２個
のチツプ領域パターン形状の違いを検出する第１
の検査工程と、 該第１の検査工程に於いて前記パターン形状の
違いが検出されなかつたフオトマスクについて、
１個のチツプ領域パターン内の２個の繰り返しパ
ターンの対応する同じ場所を同時に視野におさめ
る１対の撮像手段により、該チツプ領域パターン
内に於ける繰り返しパターン配設領域上を順次走
査し、各々の撮像手段により得られる映像信号を
比較して、前記１個のチツプ領域パターン形状の
異常を検出する第２の検査工程とを含むことを特
徴とするマスク検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58201474A JPS6093305A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | マスク検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58201474A JPS6093305A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | マスク検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6093305A JPS6093305A (ja) | 1985-05-25 |
| JPH0417361B2 true JPH0417361B2 (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=16441676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58201474A Granted JPS6093305A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | マスク検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6093305A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103630547B (zh) * | 2013-11-26 | 2016-02-03 | 明基材料有限公司 | 具有周期性结构的光学薄膜的瑕疵检测方法及其检测装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54111774A (en) * | 1978-02-22 | 1979-09-01 | Hitachi Ltd | Inspection method of mask and its unit |
| JPS5574409A (en) * | 1978-11-30 | 1980-06-05 | Fujitsu Ltd | Defect inspection system of repetitive pattern |
| JPS5734402A (en) * | 1980-08-11 | 1982-02-24 | Hitachi Ltd | Inspecting method for defect in circuit pattern |
| JPS5796206A (en) * | 1980-12-08 | 1982-06-15 | Fujitsu Ltd | Graphic inspection |
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-
1983
- 1983-10-27 JP JP58201474A patent/JPS6093305A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6093305A (ja) | 1985-05-25 |
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