JPS6239829A - カメラのバツテリチエツク回路 - Google Patents
カメラのバツテリチエツク回路Info
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- JPS6239829A JPS6239829A JP60179937A JP17993785A JPS6239829A JP S6239829 A JPS6239829 A JP S6239829A JP 60179937 A JP60179937 A JP 60179937A JP 17993785 A JP17993785 A JP 17993785A JP S6239829 A JPS6239829 A JP S6239829A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明はカメラのバッテリチェック回路に関するもので
ある。
ある。
（発明の背景）
被写体輝度を測定するには、一般に、シリコンフォトダ
イオードや硫化カドミウム等の受光素子が用いられる。
イオードや硫化カドミウム等の受光素子が用いられる。
これらの受光素子の出力は周囲温度に影響されるので、
従来から種々の形態で受光素子出力の温度補償が行われ
ている。
従来から種々の形態で受光素子出力の温度補償が行われ
ている。
その温度補償のひとつとして、絶対温度に比例した電圧
を発生する電圧発生回路を設けたものがある。露出制御
等でアナログ系およびデジタル系を用いるものにおいて
は、絶対温度に比例した電圧は、アナログ系の電圧源と
して、また、アナログ−デジタルコンバータ（Ａ／Ｄコ
ンバータ）やデジタル−アナログコンバータ（Ｄ／Ａコ
ンバータ）の基準電圧として用いられている。
を発生する電圧発生回路を設けたものがある。露出制御
等でアナログ系およびデジタル系を用いるものにおいて
は、絶対温度に比例した電圧は、アナログ系の電圧源と
して、また、アナログ−デジタルコンバータ（Ａ／Ｄコ
ンバータ）やデジタル−アナログコンバータ（Ｄ／Ａコ
ンバータ）の基準電圧として用いられている。
ところで、カメラのバッテリの電圧が所定値より低下す
ると、適正な露出制御等ができなくなるので、自動霧出
制御機能等を有するカメラには、従来からバッテリチェ
ック機構が備えられている。バッテリチェックは、バッ
テリ電圧を基準値と比較して行うが、通常、バッテリ電
圧は周囲温度に影響を受けないので、上述した温度補償
を行うアナログ系とデジタル系とを有するカメラにおい
て、バッテリ電圧を温度に比例する基準電圧によりＡ／
Ｄ変換し、そのデジタル値を基準値と比較してバッテリ
チェックを行う場合には、同一レベルのバッテリ電圧で
も温度によってそのデジタル値が変わってしまい、基準
値そのものを温度に比例して変更させなくてはならず回
路が複雑になり高価なものになってしまう。
ると、適正な露出制御等ができなくなるので、自動霧出
制御機能等を有するカメラには、従来からバッテリチェ
ック機構が備えられている。バッテリチェックは、バッ
テリ電圧を基準値と比較して行うが、通常、バッテリ電
圧は周囲温度に影響を受けないので、上述した温度補償
を行うアナログ系とデジタル系とを有するカメラにおい
て、バッテリ電圧を温度に比例する基準電圧によりＡ／
Ｄ変換し、そのデジタル値を基準値と比較してバッテリ
チェックを行う場合には、同一レベルのバッテリ電圧で
も温度によってそのデジタル値が変わってしまい、基準
値そのものを温度に比例して変更させなくてはならず回
路が複雑になり高価なものになってしまう。
（発明の目的）
本発明の目的は、このような従来の問題点を解消するた
め、絶対温度に比例した電圧を基準電圧とするＡ／Ｄコ
ンバータでバッテリ電圧をデジタル変換し、そのデジタ
ル値を基準値と比較してバッテリチェックする際に基準
値を周囲温度に応じて変更する必要のないカメラのバッ
テリチェック回路を提供することにある。
め、絶対温度に比例した電圧を基準電圧とするＡ／Ｄコ
ンバータでバッテリ電圧をデジタル変換し、そのデジタ
ル値を基準値と比較してバッテリチェックする際に基準
値を周囲温度に応じて変更する必要のないカメラのバッ
テリチェック回路を提供することにある。
（発明の概要）
本発明は、第１の温度係数に従って絶対温度に比例する
電圧を発生する電圧発生手段を有し、その出力電圧はア
ナログ−デジタル変換手段の基準電圧とされている。本
発明は更に、第１の温度係数より小さい第２の温度係数
をバッテリ電圧に付与する温度係数付与手段を有し、第
２の温度係数が付与されたバッテリチェック電圧を、基
準電圧に基づいてアナログ−デジタル変換手段でデジタ
ル値に変換し、その値を比較判定手段に予め定められた
基準値と比較し、その比較結果からバッテリ電圧の良否
を判定する。
電圧を発生する電圧発生手段を有し、その出力電圧はア
ナログ−デジタル変換手段の基準電圧とされている。本
発明は更に、第１の温度係数より小さい第２の温度係数
をバッテリ電圧に付与する温度係数付与手段を有し、第
２の温度係数が付与されたバッテリチェック電圧を、基
準電圧に基づいてアナログ−デジタル変換手段でデジタ
ル値に変換し、その値を比較判定手段に予め定められた
基準値と比較し、その比較結果からバッテリ電圧の良否
を判定する。
、 （実施例）
第１図は本発明バッテリチェック回路の一実施例を含む
カメラの露出制御回路の一例を示し、ｌはバッテリＥと
、そのバッテリ電圧を所定の値で取り出すための分圧抵
抗Ｒ１およびＲ２とを有する電源回路であり、バッテリ
Ｅは、後述する電圧発生回路３に接続されていて、抵抗
Ｒ１と抵抗Ｒ２の接続点は、トランジスタＱｌのベース
と接続されている。トランジスタＱ１のエミッタはダイ
オードＤ１の７ノードに接続され、そのカソードは抵抗
Ｒ３を介して接地されている。また、ダイオードＤＩの
カソードはＡ／Ｄコンバータ４のチャンネルＣＨ２に接
続されている。ここで、トランジスタＱｌとダイオード
ＤＩとにより温度係数付与回路２が構成され、その付与
回路２により、抵抗Ｒ１とＲ２の接続点の電圧Ｖｘに所
定の温度係数が付与される。
カメラの露出制御回路の一例を示し、ｌはバッテリＥと
、そのバッテリ電圧を所定の値で取り出すための分圧抵
抗Ｒ１およびＲ２とを有する電源回路であり、バッテリ
Ｅは、後述する電圧発生回路３に接続されていて、抵抗
Ｒ１と抵抗Ｒ２の接続点は、トランジスタＱｌのベース
と接続されている。トランジスタＱ１のエミッタはダイ
オードＤ１の７ノードに接続され、そのカソードは抵抗
Ｒ３を介して接地されている。また、ダイオードＤＩの
カソードはＡ／Ｄコンバータ４のチャンネルＣＨ２に接
続されている。ここで、トランジスタＱｌとダイオード
ＤＩとにより温度係数付与回路２が構成され、その付与
回路２により、抵抗Ｒ１とＲ２の接続点の電圧Ｖｘに所
定の温度係数が付与される。
電圧発生回路３は絶対温度に比例した電圧を発生するよ
うに構成されている。すなわち、抵抗Ｒ４，ダイオード
Ｄ２およびＤ３はバッテリＥに直列に接続され、定電流
源Ｃ１と抵抗Ｒ４との接続点は抵抗Ｒ５を介して演算増
幅器ＡＩの反転入力端子に、抵抗Ｒ４とダイオードＤ２
の接続点は演算増幅器Ａｌの非反転入力端子に接続され
ている。演算増幅器Ａｔの出力端子はＡ／Ｄコンバータ
４の基準電圧入力端子ＶＲおよび後述の測光回路５に接
続されるとともに抵抗Ｒ６およびＲ７を介して接地され
ている。その抵抗Ｒ６とＲ７どの接続点と演算増幅器Ａ
１の反転入力端子との間にはダイオードＤ４およびＤ５
が接続されている。
うに構成されている。すなわち、抵抗Ｒ４，ダイオード
Ｄ２およびＤ３はバッテリＥに直列に接続され、定電流
源Ｃ１と抵抗Ｒ４との接続点は抵抗Ｒ５を介して演算増
幅器ＡＩの反転入力端子に、抵抗Ｒ４とダイオードＤ２
の接続点は演算増幅器Ａｌの非反転入力端子に接続され
ている。演算増幅器Ａｔの出力端子はＡ／Ｄコンバータ
４の基準電圧入力端子ＶＲおよび後述の測光回路５に接
続されるとともに抵抗Ｒ６およびＲ７を介して接地され
ている。その抵抗Ｒ６とＲ７どの接続点と演算増幅器Ａ
１の反転入力端子との間にはダイオードＤ４およびＤ５
が接続されている。
符号５は測光回路を示し、演算増幅器Ａ２の二つの入力
端子間にはフォトダイオードＦＤが介装されるとともに
、演算増幅器Ａ２の出力端子と反転入力端子との間には
二つのダイオードＤ６およびＤ７が直列に接続されてい
る。更に、演算増幅器Ａ２の出力端子は直列接続された
ダイオードＤ８ 、Ｄ９と接続され、ダイオードＤ９の
カソードは定電流源Ｃ２を介して接地されるとともに、
Ａ／Ｄコンバータ４の入力チャンネルＣＨ１に接続され
ている。
端子間にはフォトダイオードＦＤが介装されるとともに
、演算増幅器Ａ２の出力端子と反転入力端子との間には
二つのダイオードＤ６およびＤ７が直列に接続されてい
る。更に、演算増幅器Ａ２の出力端子は直列接続された
ダイオードＤ８ 、Ｄ９と接続され、ダイオードＤ９の
カソードは定電流源Ｃ２を介して接地されるとともに、
Ａ／Ｄコンバータ４の入力チャンネルＣＨ１に接続され
ている。
Ａ／Ｄコンバータ４にはマイクロプロセッサ６が後続し
、このマイクロプロセッサ６は周知のように不図示のＣ
ＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等から成り、メインルーチンや後
述するバッテリチェックサブルーチン等の各種プログラ
ムがＲＯＭに予め格納され、そのプログラムに従って演
算された結果に基づいてカメラの露出制御等の各種制御
が実行される。
、このマイクロプロセッサ６は周知のように不図示のＣ
ＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等から成り、メインルーチンや後
述するバッテリチェックサブルーチン等の各種プログラ
ムがＲＯＭに予め格納され、そのプログラムに従って演
算された結果に基づいてカメラの露出制御等の各種制御
が実行される。
第２図のパラテリチェラグサブルーチンを参照して本例
におけるバッテリ電圧のチェックについて説明する。
におけるバッテリ電圧のチェックについて説明する。
このサブルーチンは、カメラの電源スィッチ（不図示）
が投入されている間常時起動されているメインルーチン
からジャンプして起動されるものであり、所定のタイミ
ングでメインルーチンからこのルーチンにジャンプする
と、まず、ステップＳ１において、Ａ／Ｄコンバータ４
の入力チャンネルＣＨ２の入力電圧、すなわちバッテリ
チェック電圧Ｖ ｃｈ２を量子化したデジタルデータＶ
ｉｎを読込む。次いで、ステップＳ２において、そのデ
ジタルデータＶｉｎを、予めＲＯＭに格納されているバ
ッテリチェック用基準値ＲＮとその大小関係を比較する
。デジタルデータＶｉｎが大きければ何もせずにメイン
ルーチンへ戻り、デジタルデータＶｉｎが基準値ＲＮよ
り小さい場合には否定判定されてステップＳ３に進み、
レリーズを禁止するとともにバッテリ交換を表示したリ
バッテリ電圧が低いことを表示したりし、その後メイン
ルーチンへ戻る。
が投入されている間常時起動されているメインルーチン
からジャンプして起動されるものであり、所定のタイミ
ングでメインルーチンからこのルーチンにジャンプする
と、まず、ステップＳ１において、Ａ／Ｄコンバータ４
の入力チャンネルＣＨ２の入力電圧、すなわちバッテリ
チェック電圧Ｖ ｃｈ２を量子化したデジタルデータＶ
ｉｎを読込む。次いで、ステップＳ２において、そのデ
ジタルデータＶｉｎを、予めＲＯＭに格納されているバ
ッテリチェック用基準値ＲＮとその大小関係を比較する
。デジタルデータＶｉｎが大きければ何もせずにメイン
ルーチンへ戻り、デジタルデータＶｉｎが基準値ＲＮよ
り小さい場合には否定判定されてステップＳ３に進み、
レリーズを禁止するとともにバッテリ交換を表示したリ
バッテリ電圧が低いことを表示したりし、その後メイン
ルーチンへ戻る。
ここで、バッテリチェック用基準値ＲＮを定めるにあた
っては、Ａ／Ｄコンバータ４の基準電圧として絶対温度
に比例した電圧を用いている点を考慮する必要がある。
っては、Ａ／Ｄコンバータ４の基準電圧として絶対温度
に比例した電圧を用いている点を考慮する必要がある。
すなわち、電圧発生回路３の出力電圧ＶＡＩは、
と表わすことができ、その電圧ＶＡＩが供給されている
測光回路５の測光出力ＶＡ２は、但し、ｑ：電子電荷 に：ポルツマン定数 Ｔ：絶対温度 と表わすことができる。
測光回路５の測光出力ＶＡ２は、但し、ｑ：電子電荷 に：ポルツマン定数 Ｔ：絶対温度 と表わすことができる。
従って、抵抗Ｒ４〜Ｒ７および定電流源Ｃ２の電流■２
および光電流ＩＬの各温度係数を同一とすれば、電圧発
生回路３および測光回路５の各出力電圧ＶＡＩおよびＶ
Ａ２は絶対温度Ｔに比例することがわかる。
および光電流ＩＬの各温度係数を同一とすれば、電圧発
生回路３および測光回路５の各出力電圧ＶＡＩおよびＶ
Ａ２は絶対温度Ｔに比例することがわかる。
ここで、フォトダイオードＰＤへの入射光量が２倍にな
ると光電流ＩＬも２倍となり、その光量変化に伴なう測
光出力、すなわち演算増幅器Ａ２の出力電圧の変化分Δ
ＶＡ２は、 ＫＴ −一文ｎ２ ・・・・・・（３）と表わ
すことができる。すなわち、入射光量が２倍になると演
算増幅器Ａ２の出力電圧が、ＫＴ −見ｎ、２ （Ｖ） だけ増加することになる。光量が２倍になることはＩＥ
Ｖ相当光量が増加したことに他ならないので、本実施例
においては、周囲温度２５℃において、ＩＥＶ相当の露
出に関係する因子の変動による電圧変化皐を ＫＴ −！ｌ ｎ ２ ’、 ３６ ＣｍＶ／ ＥＶ）とし
ている。また、ＩＥＶの１／６の分解能があればカメラ
の露出制御等には十分であるので、Ａ／Ｄ変換器４のＬ
ＳＢに対応する電圧を、に選んでいる。そして、Ａ／Ｄ
コンバータ４を８ビツトとすれば、周囲温度２５℃にお
けるＡ／Ｄコンバータ４の基準電圧Ｖｒｅｆ（＝ＶＡｌ
）を、≠１．５２ （Ｖ） ・・・・
・・（４）とすべく、電圧発生回路３の抵抗Ｒ４〜Ｒ７
の抵抗値を定め、これにより所望の分解能で各露出因子
を制御している。
ると光電流ＩＬも２倍となり、その光量変化に伴なう測
光出力、すなわち演算増幅器Ａ２の出力電圧の変化分Δ
ＶＡ２は、 ＫＴ −一文ｎ２ ・・・・・・（３）と表わ
すことができる。すなわち、入射光量が２倍になると演
算増幅器Ａ２の出力電圧が、ＫＴ −見ｎ、２ （Ｖ） だけ増加することになる。光量が２倍になることはＩＥ
Ｖ相当光量が増加したことに他ならないので、本実施例
においては、周囲温度２５℃において、ＩＥＶ相当の露
出に関係する因子の変動による電圧変化皐を ＫＴ −！ｌ ｎ ２ ’、 ３６ ＣｍＶ／ ＥＶ）とし
ている。また、ＩＥＶの１／６の分解能があればカメラ
の露出制御等には十分であるので、Ａ／Ｄ変換器４のＬ
ＳＢに対応する電圧を、に選んでいる。そして、Ａ／Ｄ
コンバータ４を８ビツトとすれば、周囲温度２５℃にお
けるＡ／Ｄコンバータ４の基準電圧Ｖｒｅｆ（＝ＶＡｌ
）を、≠１．５２ （Ｖ） ・・・・
・・（４）とすべく、電圧発生回路３の抵抗Ｒ４〜Ｒ７
の抵抗値を定め、これにより所望の分解能で各露出因子
を制御している。
今、Ａ／Ｄコンバータ４の基準電圧入力端子ＶＲに供給
される基準電圧Ｖ ｒｅｆの温度係数を求めるため、第
４式の両辺を絶対温度Ｔで微分すると、 となり、従って、基準電圧Ｖｒｅｆの温度係数は約５．
１ （ｍＶ／ｄｅｇ’］ テあることがわかる。
される基準電圧Ｖ ｒｅｆの温度係数を求めるため、第
４式の両辺を絶対温度Ｔで微分すると、 となり、従って、基準電圧Ｖｒｅｆの温度係数は約５．
１ （ｍＶ／ｄｅｇ’］ テあることがわかる。
一方、第１図において、抵抗Ｒ１とＲ２の接続点の電圧
をＶｘ、）ランジスタＱｌのベース・エミッタ接合電圧
をＶｅ、ダイオードＤ１の順方向電圧をＶｄとすると、
Ａ／Ｄコンバータ４のチャンネルＣＨ２に供給されるバ
ッテリチェック電圧Ｖｃｂ２は、 Ｖｃｈ２ ＝Ｖｘ−Ｗｅ−Ｖｄ −（Ｅｌ）
と表わすことができる。この第６式を絶対温度Ｔで微分
すると、 となる。電圧Ｖｘは、 但し、Ｅ：バッテリ電圧 と表わすことができるから、抵抗Ｒ１およびＲ２の温度
係数を等しいものとすれば、 となる。また、トランジスタのベース・エミッタ接合電
圧やダイオードの順方向電圧は、−２（ｍＶ／ｄｅｇ）
程度の温度係数をもっているので、とおけば、第７式は
、 となる。すなわち本例では、バッテリチェックのために
Ａ／Ｄコンバータ４の入力チャンネルＣＨ２に供給され
るバッテリチェック電圧Ｖｃｈ２の温度係数が４〔脂Ｖ
／ｄｅｇ）であることがわかる。
をＶｘ、）ランジスタＱｌのベース・エミッタ接合電圧
をＶｅ、ダイオードＤ１の順方向電圧をＶｄとすると、
Ａ／Ｄコンバータ４のチャンネルＣＨ２に供給されるバ
ッテリチェック電圧Ｖｃｂ２は、 Ｖｃｈ２ ＝Ｖｘ−Ｗｅ−Ｖｄ −（Ｅｌ）
と表わすことができる。この第６式を絶対温度Ｔで微分
すると、 となる。電圧Ｖｘは、 但し、Ｅ：バッテリ電圧 と表わすことができるから、抵抗Ｒ１およびＲ２の温度
係数を等しいものとすれば、 となる。また、トランジスタのベース・エミッタ接合電
圧やダイオードの順方向電圧は、−２（ｍＶ／ｄｅｇ）
程度の温度係数をもっているので、とおけば、第７式は
、 となる。すなわち本例では、バッテリチェックのために
Ａ／Ｄコンバータ４の入力チャンネルＣＨ２に供給され
るバッテリチェック電圧Ｖｃｈ２の温度係数が４〔脂Ｖ
／ｄｅｇ）であることがわかる。
上述したように、本実施例のカメラでは、周囲温度２５
℃について考えれば、Ａ／Ｄコンバータ４の基準電圧Ｖ
ｒｅｆが１．５２ （Ｖ）以上なければならないから
、そのときのバッテリ電圧もそれに応じた値以上でなけ
ればならない。
℃について考えれば、Ａ／Ｄコンバータ４の基準電圧Ｖ
ｒｅｆが１．５２ （Ｖ）以上なければならないから
、そのときのバッテリ電圧もそれに応じた値以上でなけ
ればならない。
そこで、バッテリチェック用基準値ＲＮは、上述した基
準電圧Ｖｒｅｔおよびバッテリチェック電圧Ｖ ｃｈ２
の温度係数を考慮して次のようにして定める。すなわち
、周囲温度２５℃のときに基準電圧Ｖｒｅｆが１．５２
（Ｖ）となる場合、両者間の温度係数の相違からバッ
テリチェック電圧Ｖｃｈ２は、 となっていればよいことになる。ここで、 Ａ／Ｄコン
バータ４のフルスケール（２５８：１０進数）ハ１．５
２ （Ｖ）に相当するので、チャンネルＣＨ２に１．１
８（Ｖ）が入力される場合には、Ａ／Ｄ出力は、 となる。従って、本実施例の場合には、基準値ＲＮを２
０１（１０進数）と定めればよいことになる。
準電圧Ｖｒｅｔおよびバッテリチェック電圧Ｖ ｃｈ２
の温度係数を考慮して次のようにして定める。すなわち
、周囲温度２５℃のときに基準電圧Ｖｒｅｆが１．５２
（Ｖ）となる場合、両者間の温度係数の相違からバッ
テリチェック電圧Ｖｃｈ２は、 となっていればよいことになる。ここで、 Ａ／Ｄコン
バータ４のフルスケール（２５８：１０進数）ハ１．５
２ （Ｖ）に相当するので、チャンネルＣＨ２に１．１
８（Ｖ）が入力される場合には、Ａ／Ｄ出力は、 となる。従って、本実施例の場合には、基準値ＲＮを２
０１（１０進数）と定めればよいことになる。
勿論、電源１の分圧抵抗Ｒ１およびＲ２の値は。
ダイオードＤＩの順方向電圧も考慮して、バッテリチェ
ック電圧Ｖ ｃｈ２が１．１１１１（Ｖ） （周囲温
度２５℃）となるように定めておく必要がある。
ック電圧Ｖ ｃｈ２が１．１１１１（Ｖ） （周囲温
度２５℃）となるように定めておく必要がある。
このように本実施例では、トランジスタＱｌおよびダイ
オードＩｌｌを用いてバッテリ電圧に４（＋ＩＩＶ／ｄ
ｅｇ）の正の温度係数を付与するとともに。
オードＩｌｌを用いてバッテリ電圧に４（＋ＩＩＶ／ｄ
ｅｇ）の正の温度係数を付与するとともに。
Ａ／Ｄコンバータ４の基準電圧の温度係数を５．１〔厘
Ｖ／ｄｅｇ）に設定するとともに、Ａ／Ｄコンバータ４
の分解能を２ とし、バッテリチェック用基準値ＲＮを と定めた。従って、基準電圧Ｖ ｒｅｆおよびバッテリ
チェック電圧Ｖ ｃｈ２ともに温度係数を有するので、
温度が変わる度毎に基準値ＲＮを変えなくとも正確なバ
ッテリ電圧のチェックが可能となる。
Ｖ／ｄｅｇ）に設定するとともに、Ａ／Ｄコンバータ４
の分解能を２ とし、バッテリチェック用基準値ＲＮを と定めた。従って、基準電圧Ｖ ｒｅｆおよびバッテリ
チェック電圧Ｖ ｃｈ２ともに温度係数を有するので、
温度が変わる度毎に基準値ＲＮを変えなくとも正確なバ
ッテリ電圧のチェックが可能となる。
第１θ式を一般的に表わすと次のようになる。
但し、ＮはＡ／Ｄコンバータ４のビット数である。
ところで、第１１式のバッテリチェック電圧の温度係数
は、温度係数付与回路２におけるトランジスタやダイオ
ードの半導体の接合による温度係数であり１本実施例で
は、基準電圧Ｖｒｅｆの有する温度係数よりも小さく設
定している。ここで、温度係数付与回路２でバッテリ電
圧Ｖ ｃｈ２に付与する温度係数を、Ａ／Ｄコンバータ
４の基準電圧ＶｒｅＦが有する温度係数より大きくする
と、バラ“テリ電圧の分圧比にもよるがある温度でバッ
テリチェック電圧Ｖｃｈ２が基準電圧Ｖｒｅｒを越えて
しまい、Ａ／Ｄコンバータ４からのＡ／Ｄ出力はバッテ
リチェック電圧Ｖ ｃｈ２に反映しなくなり、正確なバ
ッテリチェックができなくなってしまう。従って、バッ
テリチェック電圧Ｖ ｃｈ２に付与する温度係数は必ず
基準電圧Ｖｒｅｆの温度係数より小さくしなくてはなら
ない、これを一般的に表わすと、 ｍ×α、≦β ・・・・・・（１
２）但し、ｍは温度係数付与回路２で用いる半導体の数
、αｊ は半導体の接合温度係数、βは基準電圧Ｖｒｅ
ｆの温度係数 と表わすことができる。使用半導体の温度係数がそれぞ
れ異なる場合は、 （α１＋α辻・・・・・・α、、ｌ）≦β ・
・・・・・（１３）となる。一方、通常、トランジスタ
やダイオードの接合温度係数は約２ （ｍＶ／ｄｅｇ）
であり、温度係数付４回路２で用いる半導体の数は整数
なので、第１１式や第１２式で示される温度係数付与回
路２の温度係数は任意に選択することのできない不連続
な値である。
は、温度係数付与回路２におけるトランジスタやダイオ
ードの半導体の接合による温度係数であり１本実施例で
は、基準電圧Ｖｒｅｆの有する温度係数よりも小さく設
定している。ここで、温度係数付与回路２でバッテリ電
圧Ｖ ｃｈ２に付与する温度係数を、Ａ／Ｄコンバータ
４の基準電圧ＶｒｅＦが有する温度係数より大きくする
と、バラ“テリ電圧の分圧比にもよるがある温度でバッ
テリチェック電圧Ｖｃｈ２が基準電圧Ｖｒｅｒを越えて
しまい、Ａ／Ｄコンバータ４からのＡ／Ｄ出力はバッテ
リチェック電圧Ｖ ｃｈ２に反映しなくなり、正確なバ
ッテリチェックができなくなってしまう。従って、バッ
テリチェック電圧Ｖ ｃｈ２に付与する温度係数は必ず
基準電圧Ｖｒｅｆの温度係数より小さくしなくてはなら
ない、これを一般的に表わすと、 ｍ×α、≦β ・・・・・・（１
２）但し、ｍは温度係数付与回路２で用いる半導体の数
、αｊ は半導体の接合温度係数、βは基準電圧Ｖｒｅ
ｆの温度係数 と表わすことができる。使用半導体の温度係数がそれぞ
れ異なる場合は、 （α１＋α辻・・・・・・α、、ｌ）≦β ・
・・・・・（１３）となる。一方、通常、トランジスタ
やダイオードの接合温度係数は約２ （ｍＶ／ｄｅｇ）
であり、温度係数付４回路２で用いる半導体の数は整数
なので、第１１式や第１２式で示される温度係数付与回
路２の温度係数は任意に選択することのできない不連続
な値である。
なお、第３図および第４図に、温度係数付与回路２の他
の２例を示す。第３図では２個のトランジスタＱｌ、Ｑ
ｌ’を用い、第４図では２個のダイオードＤ Ｉ 、
Ｄ Ｉ’を用いた場合を示す。
の２例を示す。第３図では２個のトランジスタＱｌ、Ｑ
ｌ’を用い、第４図では２個のダイオードＤ Ｉ 、
Ｄ Ｉ’を用いた場合を示す。
（発明の効果）
本発明によれば、第１の温度係数を有する基準電圧に従
って、第１の温度係数より小さい第２の温度係数を有す
るバッテリチェック電圧をＡ／Ｄ変換し、予め第１およ
び第２の温度係数に応じて定められたバッテリチェック
用基準値とそのＡ／Ｄ変換値とを比較することによりバ
ッテリ電圧をチェックするようにしたので、バッテリチ
ェック用基準値を温度に応じて変える必要がなく構成が
簡素化される。
って、第１の温度係数より小さい第２の温度係数を有す
るバッテリチェック電圧をＡ／Ｄ変換し、予め第１およ
び第２の温度係数に応じて定められたバッテリチェック
用基準値とそのＡ／Ｄ変換値とを比較することによりバ
ッテリ電圧をチェックするようにしたので、バッテリチ
ェック用基準値を温度に応じて変える必要がなく構成が
簡素化される。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図はバッ
テリチェックの処理手順例を示すフローチャート、第３
図および第４図は温度係数付与回路の２実施例を示す回
路図である。 ■＝主電 源：バッテリ Ｒ１，Ｒ２：抵抗 ２：温度係数付与回路 Ｑｌ：）ランジスタ Ｄｌ：ダイオードＲ３：抵抗 ３：基準電圧発生回路 Ｄ２〜Ｄ５：ダイオード Ｒ４−Ｒ７：抵抗 Ｃ１：定電流源 ４ ： Ａ／Ｄコンバータ ５：測光回路 Ｄ６〜Ｄ９：ダイオード ＰＤ：フォトダイオード Ｃ２：定電流源 ６：マイクロプロセッサ 出 願 人 日本光学工業株式会社 代理人弁理士 永 井 冬 紀第５図 第４図
テリチェックの処理手順例を示すフローチャート、第３
図および第４図は温度係数付与回路の２実施例を示す回
路図である。 ■＝主電 源：バッテリ Ｒ１，Ｒ２：抵抗 ２：温度係数付与回路 Ｑｌ：）ランジスタ Ｄｌ：ダイオードＲ３：抵抗 ３：基準電圧発生回路 Ｄ２〜Ｄ５：ダイオード Ｒ４−Ｒ７：抵抗 Ｃ１：定電流源 ４ ： Ａ／Ｄコンバータ ５：測光回路 Ｄ６〜Ｄ９：ダイオード ＰＤ：フォトダイオード Ｃ２：定電流源 ６：マイクロプロセッサ 出 願 人 日本光学工業株式会社 代理人弁理士 永 井 冬 紀第５図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電源と接続され、第１の温度係数に従って絶対温度に比
例した電圧を発生する電圧発生手段と、 前記電源の電圧に前記第１の温度係数より小さい第２の
温度係数を付与する温度係数付与手段と、 前記電圧発生手段からの電圧を基準電圧として、前記温
度係数付与手段からの電圧をデジタル値に変換するアナ
ログ−デジタル変換手段と、その変換手段で得られたデ
ジタル値を、前記第１および第２の温度係数に基づいて
定められた基準値と比較して前記電源の電圧を判定する
比較判定手段と、を具備したことを特徴とするカメラの
バッテリチェック回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60179937A JPH0816764B2 (ja) | 1985-08-15 | 1985-08-15 | カメラのバツテリチエツク回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60179937A JPH0816764B2 (ja) | 1985-08-15 | 1985-08-15 | カメラのバツテリチエツク回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6239829A true JPS6239829A (ja) | 1987-02-20 |
| JPH0816764B2 JPH0816764B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=16074542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60179937A Expired - Lifetime JPH0816764B2 (ja) | 1985-08-15 | 1985-08-15 | カメラのバツテリチエツク回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0816764B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5701527A (en) * | 1993-12-27 | 1997-12-23 | Olympus Optical Co., Ltd. | Camera capable of measuring power source voltage |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5757688A (en) * | 1980-09-24 | 1982-04-06 | Fujitsu Ltd | Printer |
| JPS58132737A (ja) * | 1982-02-03 | 1983-08-08 | Sekonitsuku:Kk | 露出制御値表示装置 |
| JPS58131567U (ja) * | 1982-03-02 | 1983-09-05 | 株式会社ニコン | バツテリ−チエツク回路 |
-
1985
- 1985-08-15 JP JP60179937A patent/JPH0816764B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5757688A (en) * | 1980-09-24 | 1982-04-06 | Fujitsu Ltd | Printer |
| JPS58132737A (ja) * | 1982-02-03 | 1983-08-08 | Sekonitsuku:Kk | 露出制御値表示装置 |
| JPS58131567U (ja) * | 1982-03-02 | 1983-09-05 | 株式会社ニコン | バツテリ−チエツク回路 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5701527A (en) * | 1993-12-27 | 1997-12-23 | Olympus Optical Co., Ltd. | Camera capable of measuring power source voltage |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0816764B2 (ja) | 1996-02-21 |
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