JPS624011B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS624011B2 JPS624011B2 JP17820780A JP17820780A JPS624011B2 JP S624011 B2 JPS624011 B2 JP S624011B2 JP 17820780 A JP17820780 A JP 17820780A JP 17820780 A JP17820780 A JP 17820780A JP S624011 B2 JPS624011 B2 JP S624011B2
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- JP
- Japan
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- resonant
- signal
- signal path
- bridge
- tuning device
- Prior art date
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- Expired
Links
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 8
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J3/00—Continuous tuning
- H03J3/02—Details
- H03J3/16—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/215—Frequency-selective devices, e.g. filters using ferromagnetic material
- H01P1/218—Frequency-selective devices, e.g. filters using ferromagnetic material the ferromagnetic material acting as a frequency selective coupling element, e.g. YIG-filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J3/00—Continuous tuning
- H03J3/02—Details
- H03J3/16—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability
- H03J3/18—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability by discharge tube or semiconductor device simulating variable reactance
- H03J3/185—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability by discharge tube or semiconductor device simulating variable reactance with varactors, i.e. voltage variable reactive diodes
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は例えばスペクトラムアナライザ等の
同調装置として用いられる可変同調装置に関し、
特に広い周波数範囲にわたつて挿入損失が平坦な
特性を持つ可変同調装置を得ようとするものであ
る。
同調装置として用いられる可変同調装置に関し、
特に広い周波数範囲にわたつて挿入損失が平坦な
特性を持つ可変同調装置を得ようとするものであ
る。
主に500MHz以上の周波数領域において同調周
波数をスイープさせるような場合はYIG球とも呼
ばれる磁気共鳴素子を用いた可変同調装置が用い
られる。
波数をスイープさせるような場合はYIG球とも呼
ばれる磁気共鳴素子を用いた可変同調装置が用い
られる。
この発明は磁気共鳴素子を用いた可変同調装置
を使用することができない低周波域での使用に適
した可変同調装置を提案するものである。
を使用することができない低周波域での使用に適
した可変同調装置を提案するものである。
従来このような目的で使用される可変同調装置
はインダクタンスＬとコンデンサＣから成る同調
回路が用いられているが、LC同調回路は信号伝
送路に磁気結合回路及び共振回路が存在するた
め、磁気結合回路の結合度及び共振回路のＱの影
響を大きく受け、周波数によつて挿入損失が変化
する欠点がある。従つて広い周波数範囲にわたつ
て一度に同調周波数を変化させることができない
不都合が生じる。
はインダクタンスＬとコンデンサＣから成る同調
回路が用いられているが、LC同調回路は信号伝
送路に磁気結合回路及び共振回路が存在するた
め、磁気結合回路の結合度及び共振回路のＱの影
響を大きく受け、周波数によつて挿入損失が変化
する欠点がある。従つて広い周波数範囲にわたつ
て一度に同調周波数を変化させることができない
不都合が生じる。
この発明の目的は広い周波数範囲にわたつて挿
入損失が平坦な特性を持つ可変同調装置を提供す
るにある。
入損失が平坦な特性を持つ可変同調装置を提供す
るにある。
以下にこの発明の一実施例を図面を用いて詳細
に説明する。
に説明する。
第１図はこの発明の一実施例を示す。図中１は
入力端子であり、この入力端子１に特性インピー
ダンスZ0の信号路２の一端が接続される。信号路
２の他端側にブリツジ３が接続される。ブリツジ
３は一端が信号路２に共通接続された二つの抵抗
器４及び５と、この抵抗器４及び５の他端側に一
端がそれぞれ接続され信号路２と同一の特性イン
ピーダンスを持ち他端側に抵抗器６及び７が接続
されて無反射終端とされた一対の信号路８及び９
とにより構成される。抵抗器４，５及び６，７は
それぞれ等しい抵抗値R0とされる。またこの抵
抗値R0は信号路２及び８，９の特性インピーダ
ンスZ0に対しZ0＝R0の関係に選定される。
入力端子であり、この入力端子１に特性インピー
ダンスZ0の信号路２の一端が接続される。信号路
２の他端側にブリツジ３が接続される。ブリツジ
３は一端が信号路２に共通接続された二つの抵抗
器４及び５と、この抵抗器４及び５の他端側に一
端がそれぞれ接続され信号路２と同一の特性イン
ピーダンスを持ち他端側に抵抗器６及び７が接続
されて無反射終端とされた一対の信号路８及び９
とにより構成される。抵抗器４，５及び６，７は
それぞれ等しい抵抗値R0とされる。またこの抵
抗値R0は信号路２及び８，９の特性インピーダ
ンスZ0に対しZ0＝R0の関係に選定される。
このように選定することにより抵抗器４と５の
共通接続点Ａから各抵抗器４と５を見た抵抗値は
2R0となる。よつてその2R0の２辺が並列接続さ
れているからＡ点からブリツジ３の全体を見た抵
抗値はR0となり信号路２の特性インピーダンス
とマツチングがとられる。
共通接続点Ａから各抵抗器４と５を見た抵抗値は
2R0となる。よつてその2R0の２辺が並列接続さ
れているからＡ点からブリツジ３の全体を見た抵
抗値はR0となり信号路２の特性インピーダンス
とマツチングがとられる。
ブリツジ３の各一辺を構成する信号路８又は９
の何れか一方、この例では信号路８に共振素子１
１を結合する。この結合のために信号路８上に抵
抗器６の抵抗値R0に比べて充分無視できる程小
さいインダクタンスを持つコイル１２を直列に挿
入し、このコイル１２と共振素子１１を磁気的に
結合させる。共振素子１１はこの例ではコイルと
可変コンデンサとから成る並列共振回路を用いた
場合を示す。可変コンデンサは例えば可変容量ダ
イオード等を用いることができ、直流の制御信号
によつてその共振周波数が掃引されるように構成
されるものとする。
の何れか一方、この例では信号路８に共振素子１
１を結合する。この結合のために信号路８上に抵
抗器６の抵抗値R0に比べて充分無視できる程小
さいインダクタンスを持つコイル１２を直列に挿
入し、このコイル１２と共振素子１１を磁気的に
結合させる。共振素子１１はこの例ではコイルと
可変コンデンサとから成る並列共振回路を用いた
場合を示す。可変コンデンサは例えば可変容量ダ
イオード等を用いることができ、直流の制御信号
によつてその共振周波数が掃引されるように構成
されるものとする。
ブリツジ３の抵抗器４及び５と信号路８及び９
の各接続点ＢとＣ間には平衡−不平衡変換トラン
ス、いわゆるバルーントランス１３の一次コイル
を接続し、二次コイルから出力端子１４を導出す
る。
の各接続点ＢとＣ間には平衡−不平衡変換トラン
ス、いわゆるバルーントランス１３の一次コイル
を接続し、二次コイルから出力端子１４を導出す
る。
上述の構成によれば共振素子１１の共振周波数
以外の周波数の信号に対してはＡ点からＢ及びＣ
点を見たインピーダンスは2R0となりブリツジ３
は平衡状態となる。よつてバルーントランス１３
の一次コイルには電流が流れることがなく、よつ
て出力端子１４には何等信号が出力されることは
ない。
以外の周波数の信号に対してはＡ点からＢ及びＣ
点を見たインピーダンスは2R0となりブリツジ３
は平衡状態となる。よつてバルーントランス１３
の一次コイルには電流が流れることがなく、よつ
て出力端子１４には何等信号が出力されることは
ない。
一方共振素子１１の共振周波数と同一の周波数
を持つ信号に対してはＡ点からＢ及びＣ点を見た
インピーダンスは共振素子１１の共振によりＢ点
側のインピーダンスが小さくなる。よつてブリツ
ジ３は不平衡状態となり出力端子１４に入力信号
が出力される。
を持つ信号に対してはＡ点からＢ及びＣ点を見た
インピーダンスは共振素子１１の共振によりＢ点
側のインピーダンスが小さくなる。よつてブリツ
ジ３は不平衡状態となり出力端子１４に入力信号
が出力される。
ここでこの可変同調装置によれば入力端子１と
出力端子１４間の挿入損失は共振素子１１のエネ
ルギ吸収率で決定される。つまり共振素子１１が
信号路８を流れる信号のエネルギを吸収すると、
その吸収したエネルギの全部が反射されてＢ点に
戻され出力端子１４に取出される。つまり例えば
共振素子１１の共振インピーダンスが終端抵抗器
６の抵抗値R0に対し１／１００のインピーダンスになつ たとすると終端抵抗器６には入力信号の１／１００のエ ネルギが供給される。よつて共振素子１１の吸収
エネルギは１−１／１００＝0.99となる。よつて入力信 号はその99％が反射され出力端子１４に出力され
る。一方共振素子１１の共振インピーダンスが終
端抵抗R0に対し１／１０程度となつても共振素子１１ の吸収エネルギは１−１／１０＝0.9となり、入力信号 の90％は出力端子１４に出力される。
出力端子１４間の挿入損失は共振素子１１のエネ
ルギ吸収率で決定される。つまり共振素子１１が
信号路８を流れる信号のエネルギを吸収すると、
その吸収したエネルギの全部が反射されてＢ点に
戻され出力端子１４に取出される。つまり例えば
共振素子１１の共振インピーダンスが終端抵抗器
６の抵抗値R0に対し１／１００のインピーダンスになつ たとすると終端抵抗器６には入力信号の１／１００のエ ネルギが供給される。よつて共振素子１１の吸収
エネルギは１−１／１００＝0.99となる。よつて入力信 号はその99％が反射され出力端子１４に出力され
る。一方共振素子１１の共振インピーダンスが終
端抵抗R0に対し１／１０程度となつても共振素子１１ の吸収エネルギは１−１／１０＝0.9となり、入力信号 の90％は出力端子１４に出力される。
結局この発明によれば共振素子１１の共振強度
に強弱があつても反射エネルギに大きく差が発生
しないため広帯域にわたつて平坦な挿入損失を得
ることができる。然も反射エネルギに比例して出
力が得られるものであるから挿入損失を小さくす
ることができる。
に強弱があつても反射エネルギに大きく差が発生
しないため広帯域にわたつて平坦な挿入損失を得
ることができる。然も反射エネルギに比例して出
力が得られるものであるから挿入損失を小さくす
ることができる。
第２図及び第３図はこの発明の他の実施例を示
す。第２図の例では信号路８に直接小さい容量値
を持つ結合コンデンサ１５を通して直列共振回路
にエネルギを吸収するようにした場合を示す。こ
のように構成した場合には第１図の場合より高い
周波数の同調装置に適用して好適である。
す。第２図の例では信号路８に直接小さい容量値
を持つ結合コンデンサ１５を通して直列共振回路
にエネルギを吸収するようにした場合を示す。こ
のように構成した場合には第１図の場合より高い
周波数の同調装置に適用して好適である。
第３図は更に高い周波数の同調装置に適用して
好適な実施例を示す。この例では結合コンデンサ
１５を介してλ／４型線路１６を結合させ、このλ／４
型 線路１６を利用して共振回路を構成した場合を示
す。
好適な実施例を示す。この例では結合コンデンサ
１５を介してλ／４型線路１６を結合させ、このλ／４
型 線路１６を利用して共振回路を構成した場合を示
す。
以上説明したようにこの発明によれば共振回路
に吸収されるエネルギに比例した大きさの出力を
得ることができるため挿入損失が小さく、然も広
帯域にわたつて挿入損失が平坦な特性を持つ可変
同調装置を得ることができる。
に吸収されるエネルギに比例した大きさの出力を
得ることができるため挿入損失が小さく、然も広
帯域にわたつて挿入損失が平坦な特性を持つ可変
同調装置を得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例を示す接続図、第
２図及び第３図はこの発明の他の実施例を示す接
続図である。 １…入力端子、２…信号路、３…ブリツジ、
４，５…一端が共通接続された２つの抵抗器、
６，７…終端抵抗器、８，９…一対の信号路、１
１…共振素子、１４…出力端子。
２図及び第３図はこの発明の他の実施例を示す接
続図である。 １…入力端子、２…信号路、３…ブリツジ、
４，５…一端が共通接続された２つの抵抗器、
６，７…終端抵抗器、８，９…一対の信号路、１
１…共振素子、１４…出力端子。
Claims (1)
- １ 一端が共通接続された二つの抵抗器と、その
抵抗器の他端側にそれぞれ接続されその各一端が
無反射終端とされた一対の信号路によつてブリツ
ジを構成し、そのブリツジの上記信号路の一方に
共振素子を結合させると共に上記抵抗器と信号路
の各接続点間にトランスを接続し、上記抵抗器の
共通接続点から入力端子を導出し、上記トランス
の二次コイルから出力端子を導出して成る可変同
調装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17820780A JPS57101416A (en) | 1980-12-17 | 1980-12-17 | Variable tuner |
| US06/327,473 US4460879A (en) | 1980-12-12 | 1981-12-04 | Variable tuning device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17820780A JPS57101416A (en) | 1980-12-17 | 1980-12-17 | Variable tuner |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57101416A JPS57101416A (en) | 1982-06-24 |
| JPS624011B2 true JPS624011B2 (ja) | 1987-01-28 |
Family
ID=16044446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17820780A Granted JPS57101416A (en) | 1980-12-12 | 1980-12-17 | Variable tuner |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57101416A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6438602U (ja) * | 1987-09-02 | 1989-03-08 | ||
| JPH0257510U (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-25 | ||
| JPH06235821A (ja) * | 1993-02-09 | 1994-08-23 | Ina Koki Seisakusho:Kk | 光ファイバーリング照明装置 |
-
1980
- 1980-12-17 JP JP17820780A patent/JPS57101416A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6438602U (ja) * | 1987-09-02 | 1989-03-08 | ||
| JPH0257510U (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-25 | ||
| JPH06235821A (ja) * | 1993-02-09 | 1994-08-23 | Ina Koki Seisakusho:Kk | 光ファイバーリング照明装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57101416A (en) | 1982-06-24 |
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