JPS624015B2 - - Google Patents
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- JPS624015B2 JPS624015B2 JP17894780A JP17894780A JPS624015B2 JP S624015 B2 JPS624015 B2 JP S624015B2 JP 17894780 A JP17894780 A JP 17894780A JP 17894780 A JP17894780 A JP 17894780A JP S624015 B2 JPS624015 B2 JP S624015B2
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- capacitance diode
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- tuner
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J3/00—Continuous tuning
- H03J3/28—Continuous tuning of more than one resonant circuit simultaneously, the tuning frequencies of the circuits having a substantially constant difference throughout the tuning range
Landscapes
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本願は、同調回路のＣとＬとを可変することに
より同調周波数を選択する同調器に関し、特にＣ
として可変容量ダイオードを用い、このダイオー
ドの動作基点電圧を調整可能とすることにより同
調回路相互間のトラツキング調整を容易にすると
共に、受信機の性能の向上をはかることを目的と
したものである。
より同調周波数を選択する同調器に関し、特にＣ
として可変容量ダイオードを用い、このダイオー
ドの動作基点電圧を調整可能とすることにより同
調回路相互間のトラツキング調整を容易にすると
共に、受信機の性能の向上をはかることを目的と
したものである。
一般にカーラジオ等において可変インダクタン
ス素子からなるＬ可変の同調器が広く利用されて
いる。その理由は強入力特性が極めて良好である
と共に外部振動や温度及び湿度の大巾な変化或い
は塵埃などの影響によつて受信特性が変化したり
動作が不安定となることが無く、製品の均一化が
容易に得られる点でＣ可変の同調器に比べ有利で
あることによる。ところが可変インダクタンス同
調器において問題となる点は同調回路相互間のト
ラツキングを正確に調整することが極めて困難で
ある点及び周波数の高い方で利得が低下しその逆
に周波数の低い方で利得が異常に高くなるため受
信機の動作が不安定になると共に同調回路を増加
して受信機の性能の向上を図ることも望み得なか
つた。
ス素子からなるＬ可変の同調器が広く利用されて
いる。その理由は強入力特性が極めて良好である
と共に外部振動や温度及び湿度の大巾な変化或い
は塵埃などの影響によつて受信特性が変化したり
動作が不安定となることが無く、製品の均一化が
容易に得られる点でＣ可変の同調器に比べ有利で
あることによる。ところが可変インダクタンス同
調器において問題となる点は同調回路相互間のト
ラツキングを正確に調整することが極めて困難で
ある点及び周波数の高い方で利得が低下しその逆
に周波数の低い方で利得が異常に高くなるため受
信機の動作が不安定になると共に同調回路を増加
して受信機の性能の向上を図ることも望み得なか
つた。
即ち可変インダクタンス同調器は、周知のよう
にアンテナ回路、RF回路及びOSC回路の各同調
回路に夫々可変インダクタンス素子を備えてお
り、この各可変インダクタンス素子を同一の摺動
部材により手動操作して各同調回路のＬを可変す
ることにより選局を達成する方式のものである
が、製作上の誤差などによつて各々の可変インダ
クタンス素子のもつ周波数特性曲線に相違を有
し、従来はこの周波数特性曲線の相違を、コイル
体に対する高周波磁気コアの出没基点位置を調整
するか或いはμの異なる高周波磁気コアを交換す
ることによつて同調回路相互間のトラツキング調
整を行つていた。しかしながら、前者においては
出没基点位置を調整しても、それのもつ周波数特
性曲線が殆んど平行移動するだけであるから、周
波数特性曲線が平行移動して他の可変インダクタ
ンス素子のもつ周波数特性曲線の或る１点に合わ
せたとしても、その前後の周波数に対して、周波
数曲線が合致することはなく、従つてコイル体に
対する高周波磁気コアの出没基点位置を調整して
も同調回路相互間において、周波数特性曲線が相
互に近似するにすぎず、しかも可変インダクタン
ス素子の可変ストロークは同調器における摺動部
材の機械的な摺動ストロークによつて定まるの
で、可変インダクタンス素子のコイル体に対する
高周波磁気コアの出没基点位置を調整した場合に
得られる同調周波数の上限及び下限位置が共に変
化し、従つてコイル体に対する磁気コアの出没基
点位置の調整のみによつて正確なトラツキング調
整を行うことは至難である。
にアンテナ回路、RF回路及びOSC回路の各同調
回路に夫々可変インダクタンス素子を備えてお
り、この各可変インダクタンス素子を同一の摺動
部材により手動操作して各同調回路のＬを可変す
ることにより選局を達成する方式のものである
が、製作上の誤差などによつて各々の可変インダ
クタンス素子のもつ周波数特性曲線に相違を有
し、従来はこの周波数特性曲線の相違を、コイル
体に対する高周波磁気コアの出没基点位置を調整
するか或いはμの異なる高周波磁気コアを交換す
ることによつて同調回路相互間のトラツキング調
整を行つていた。しかしながら、前者においては
出没基点位置を調整しても、それのもつ周波数特
性曲線が殆んど平行移動するだけであるから、周
波数特性曲線が平行移動して他の可変インダクタ
ンス素子のもつ周波数特性曲線の或る１点に合わ
せたとしても、その前後の周波数に対して、周波
数曲線が合致することはなく、従つてコイル体に
対する高周波磁気コアの出没基点位置を調整して
も同調回路相互間において、周波数特性曲線が相
互に近似するにすぎず、しかも可変インダクタン
ス素子の可変ストロークは同調器における摺動部
材の機械的な摺動ストロークによつて定まるの
で、可変インダクタンス素子のコイル体に対する
高周波磁気コアの出没基点位置を調整した場合に
得られる同調周波数の上限及び下限位置が共に変
化し、従つてコイル体に対する磁気コアの出没基
点位置の調整のみによつて正確なトラツキング調
整を行うことは至難である。
例えば第６図で示すように１つの同調回路の周
波数特性曲線がＡであり、他の同調回路の周波数
特性曲線がＢであるとし、この関係において今周
波数特性曲線Ｂをもつ可変インダクタンス素子の
コイル体に対する磁気コアの出没基点位置を調整
して両特性曲線をＰ点近傍に合わせたとすると、
周波数特性曲線Ｂは破線で示すように平行移動す
るだけで、両曲線が合致することはなく、而も可
変ストロークが同一であることによりその上限位
置F1がF1′に、夫々その下限位置F2がF2′に変化
し、従つてトラツキングを正確に調整することは
極めて至難である。
波数特性曲線がＡであり、他の同調回路の周波数
特性曲線がＢであるとし、この関係において今周
波数特性曲線Ｂをもつ可変インダクタンス素子の
コイル体に対する磁気コアの出没基点位置を調整
して両特性曲線をＰ点近傍に合わせたとすると、
周波数特性曲線Ｂは破線で示すように平行移動す
るだけで、両曲線が合致することはなく、而も可
変ストロークが同一であることによりその上限位
置F1がF1′に、夫々その下限位置F2がF2′に変化
し、従つてトラツキングを正確に調整することは
極めて至難である。
また後者においては、高周波磁気コアのμ特性
を数多くのランクに測定分類してそれを交換する
作業が極めて面倒で作業性を大きく欠いていた。
更に可変インダクタンス同調器においては、周波
数の高い方で利得が低下し同調周波数の全バンド
巾において安定した均一利得が得られないという
欠陥があつた。
を数多くのランクに測定分類してそれを交換する
作業が極めて面倒で作業性を大きく欠いていた。
更に可変インダクタンス同調器においては、周波
数の高い方で利得が低下し同調周波数の全バンド
巾において安定した均一利得が得られないという
欠陥があつた。
そこで本願はこのような欠陥を改善したもの
で、その実施例を以下図面について詳述する。
で、その実施例を以下図面について詳述する。
第１図は本願の基本的な同調回路を示してお
り、１はコイル体に対し高周波磁気コアを出没さ
せることによりＬを可変する可変インダクタンス
素子で、これに可変容量ダイオード２が並列に接
続されている。３は可変容量ダイオード２に印加
する電圧を可変する可変抵抗器から成る可変電圧
回路、４は前記可変インダクタンス素子１と可変
容量ダイオード２とから成る回路と、前記可変電
圧回路３との間に接続されて、前記可変容量ダイ
オード２の動作基点電圧を設定する可変抵抗器か
ら成る抵抗回路で、前記可変インダクタンス素子
１と可変電圧回路３とが機械的に連結されて共通
に可変される。
り、１はコイル体に対し高周波磁気コアを出没さ
せることによりＬを可変する可変インダクタンス
素子で、これに可変容量ダイオード２が並列に接
続されている。３は可変容量ダイオード２に印加
する電圧を可変する可変抵抗器から成る可変電圧
回路、４は前記可変インダクタンス素子１と可変
容量ダイオード２とから成る回路と、前記可変電
圧回路３との間に接続されて、前記可変容量ダイ
オード２の動作基点電圧を設定する可変抵抗器か
ら成る抵抗回路で、前記可変インダクタンス素子
１と可変電圧回路３とが機械的に連結されて共通
に可変される。
しかして、今同調周波数のバンド巾の下限を
minとし、その上限をmaxとすると、共振周波
数が で表わされることから 及び 但し Lminは可変インダクタンスの最小値 Lmaxは可変インダクタンスの最大値 Cminは可変容量ダイオード２の最小容量 Cmaxは可変容量ダイオード２の最大容量 で表わされ、LCの可変倍率と同調周波数との関
係は Ｌｍａｘ・Ｃｍａｘ／Ｌｍｉｎ・Ｃｍｉｎ＝（ｍａ
ｘ／ｍｉｎ）２……… で表わされる。
minとし、その上限をmaxとすると、共振周波
数が で表わされることから 及び 但し Lminは可変インダクタンスの最小値 Lmaxは可変インダクタンスの最大値 Cminは可変容量ダイオード２の最小容量 Cmaxは可変容量ダイオード２の最大容量 で表わされ、LCの可変倍率と同調周波数との関
係は Ｌｍａｘ・Ｃｍａｘ／Ｌｍｉｎ・Ｃｍｉｎ＝（ｍａ
ｘ／ｍｉｎ）２……… で表わされる。
そして本願は上記式において、
Ｌの可変倍率Ｌｍａｘ／ＬｍｉｎとＣの可変倍率Ｃ
ｍａｘ／Ｃｍｉｎ との積によつて同調周波数のバンド巾を調整しよ
うとするものであり、具体的実施例として、数値
を代入してAMバンドに適用した場合について以
下詳述する。
ｍａｘ／Ｃｍｉｎ との積によつて同調周波数のバンド巾を調整しよ
うとするものであり、具体的実施例として、数値
を代入してAMバンドに適用した場合について以
下詳述する。
今minを510KHz、maxを1650KHzとする
と、このAMバンド巾を例えばＬ可変の同調回路
によつてのみカバーするものとすると、 Ｌｍａｘ／Ｌｍｉｎ＝（ｍａｘ／ｍｉｎ）２＝
（１６５０／５１０）２…… の式から、Ｌの可変倍率は約10.47となる。
と、このAMバンド巾を例えばＬ可変の同調回路
によつてのみカバーするものとすると、 Ｌｍａｘ／Ｌｍｉｎ＝（ｍａｘ／ｍｉｎ）２＝
（１６５０／５１０）２…… の式から、Ｌの可変倍率は約10.47となる。
ところでさきに述べたように、製作上の誤差に
より可変インダクタンス素子の周波数特性曲線に
バラ付きが存するので、Ｌ可変の同調回路のみの
場合以下のような不都合を有する。
より可変インダクタンス素子の周波数特性曲線に
バラ付きが存するので、Ｌ可変の同調回路のみの
場合以下のような不都合を有する。
即ちコイル体に対する高周波磁気コアの出没ス
トロークを一定にした場合において、製作上の誤
差により或る可変インダクタンス素子の可変範囲
が500KHz〜1690KHzであるとき、その可変倍率
は （１６９０／５００）２＝11.42 ……… となり、また或る可変インダクタンス素子の可変
範囲が520KHz〜1610KHzであるときその可変倍
率は （１６１０／５２０）２＝9.56 ……… となる。
トロークを一定にした場合において、製作上の誤
差により或る可変インダクタンス素子の可変範囲
が500KHz〜1690KHzであるとき、その可変倍率
は （１６９０／５００）２＝11.42 ……… となり、また或る可変インダクタンス素子の可変
範囲が520KHz〜1610KHzであるときその可変倍
率は （１６１０／５２０）２＝9.56 ……… となる。
そして上記式の場合において、コイル体に対
する高周波磁気コアの出没基点位置を所望の下限
周波数である510KHzに調整したとすると、その
上限位置の周波数は （ｍａｘ／５１０）２＝11.42 の式からmax＝1723.8KHzとなり、また上記
式の場合においてコイル体に対する高周波磁気コ
アの出没基点位置を510KHzに調整すると、その
上限位置の周波数は （ｍａｘ／５１０）２＝9.56 の式からmax＝1579KHzとなることから、従来
のようにＬの可変のみによつてトラツキングを調
整しようとするときは、高周波磁気コアの可変ス
トロークが同一であるので、同調周波数の高い方
で大きく相違し、所要バンド巾の選局を有効に達
成することができないという不都合を有する。
する高周波磁気コアの出没基点位置を所望の下限
周波数である510KHzに調整したとすると、その
上限位置の周波数は （ｍａｘ／５１０）２＝11.42 の式からmax＝1723.8KHzとなり、また上記
式の場合においてコイル体に対する高周波磁気コ
アの出没基点位置を510KHzに調整すると、その
上限位置の周波数は （ｍａｘ／５１０）２＝9.56 の式からmax＝1579KHzとなることから、従来
のようにＬの可変のみによつてトラツキングを調
整しようとするときは、高周波磁気コアの可変ス
トロークが同一であるので、同調周波数の高い方
で大きく相違し、所要バンド巾の選局を有効に達
成することができないという不都合を有する。
そこで本願においては、上記したＬの可変倍率
を10.47以下に設定してその倍率の不足分をＣの
可変倍率により補足して所要のバンド巾を得よう
とするものである。
を10.47以下に設定してその倍率の不足分をＣの
可変倍率により補足して所要のバンド巾を得よう
とするものである。
即ち今Ｌの倍率を例えば７に設定するものとす
る。すると （Ｘ／５１０）２＝７ の式から、Ｘ即ちmaxは1349KHzとなり、AM
バンド巾の1349KHz乃至至1650KHzの範囲の同
調周波数の選択が不足する。そこでこのバンド巾
の不足分をＣの可変倍率で補足するものであり、 （１６５０／５１０）２＝７×Ｘ ……… の式から、Ｘ即ちＣの可変倍率を求めると、Ｘは
約1.5となる。そこでＣの可変倍率が1.5となるよ
うな可変倍率をもつ可変容量ダイオードを選択す
る。例えばCminが30PF、Cmaxが45PFの可変範
囲をもつ可変容量ダイオードを選択すると Ｃｍａｘ／Ｃｍｉｎ＝４５／３０ の式から、Ｃの可変倍率が1.5となり、従つて上
記した各式を総合すると （Ｘ／５１０）２＝７×1.5 の式からＸ即ちmaxが1652KHzとなり、AMバ
ンド巾を充分にカバーする同調回路を得ることが
できる。
る。すると （Ｘ／５１０）２＝７ の式から、Ｘ即ちmaxは1349KHzとなり、AM
バンド巾の1349KHz乃至至1650KHzの範囲の同
調周波数の選択が不足する。そこでこのバンド巾
の不足分をＣの可変倍率で補足するものであり、 （１６５０／５１０）２＝７×Ｘ ……… の式から、Ｘ即ちＣの可変倍率を求めると、Ｘは
約1.5となる。そこでＣの可変倍率が1.5となるよ
うな可変倍率をもつ可変容量ダイオードを選択す
る。例えばCminが30PF、Cmaxが45PFの可変範
囲をもつ可変容量ダイオードを選択すると Ｃｍａｘ／Ｃｍｉｎ＝４５／３０ の式から、Ｃの可変倍率が1.5となり、従つて上
記した各式を総合すると （Ｘ／５１０）２＝７×1.5 の式からＸ即ちmaxが1652KHzとなり、AMバ
ンド巾を充分にカバーする同調回路を得ることが
できる。
ところで上記において、Ｌの可変倍率を７、Ｃ
の可変倍率を1.5とした場合について述べたが、
Ｌの可変倍率を変更するときには、その変更に伴
つてＣの可変倍率も変更する必要があること、ま
た仮りにＣの可変倍率1.5にする場合において
も、可変容量ダイオード２の容量を必ずしも
Cmin＝30PF、Cmax＝45PFに限定する必要がな
いことから、可変容量ダイオードの可変範囲を任
意に設定し得るように構成することが必要であ
る。そこで本願はこの問題を解決するために、可
変容量ダイオードの動作基点電圧を設定する抵抗
回路を設けたことを特徴とするものである。
の可変倍率を1.5とした場合について述べたが、
Ｌの可変倍率を変更するときには、その変更に伴
つてＣの可変倍率も変更する必要があること、ま
た仮りにＣの可変倍率1.5にする場合において
も、可変容量ダイオード２の容量を必ずしも
Cmin＝30PF、Cmax＝45PFに限定する必要がな
いことから、可変容量ダイオードの可変範囲を任
意に設定し得るように構成することが必要であ
る。そこで本願はこの問題を解決するために、可
変容量ダイオードの動作基点電圧を設定する抵抗
回路を設けたことを特徴とするものである。
第３図は可変容量ダイオードの一般的な電圧対
容量の特性曲線を示しており、今第３図において
可変電圧回路３が最小電圧V1のときの可変容量
ダイオード２の容量をC1とし、可変電圧回路３
が最大電圧V2のときの可変容量ダイオード２の
容量をC2とすると、もし抵抗回路４が存在しな
いときは、可変電圧回路３の電圧がV1からV2に
変化することにより、可変容量ダイオード２は
C1からC2の可変範囲をもつことになり、Ｃの可
変倍率は固定される。しかるに本願においては、
抵抗回路４を有しているので、この可変抵抗回路
４の抵抗値を任意に設定して、該抵抗値と可変電
圧回路の抵抗値との合成抵抗によつて可変容量ダ
イオード２に印加する電圧の可変範囲即ち可変容
量ダイオード２の容量可変範囲を任意に設定すれ
ば、Ｃの可変倍率を所望に応じて変更することが
でき、かつＬの可変倍率と可変容量ダイオードに
印加する電圧の可変範囲を相互に調整することに
より同調周波数のバンド巾を任意に変更し得るば
かりでなく、可変容量ダイオードの特性及び可変
インダクタンス素子の特性のバラ付きも容易に補
正し得る利点を有する。
容量の特性曲線を示しており、今第３図において
可変電圧回路３が最小電圧V1のときの可変容量
ダイオード２の容量をC1とし、可変電圧回路３
が最大電圧V2のときの可変容量ダイオード２の
容量をC2とすると、もし抵抗回路４が存在しな
いときは、可変電圧回路３の電圧がV1からV2に
変化することにより、可変容量ダイオード２は
C1からC2の可変範囲をもつことになり、Ｃの可
変倍率は固定される。しかるに本願においては、
抵抗回路４を有しているので、この可変抵抗回路
４の抵抗値を任意に設定して、該抵抗値と可変電
圧回路の抵抗値との合成抵抗によつて可変容量ダ
イオード２に印加する電圧の可変範囲即ち可変容
量ダイオード２の容量可変範囲を任意に設定すれ
ば、Ｃの可変倍率を所望に応じて変更することが
でき、かつＬの可変倍率と可変容量ダイオードに
印加する電圧の可変範囲を相互に調整することに
より同調周波数のバンド巾を任意に変更し得るば
かりでなく、可変容量ダイオードの特性及び可変
インダクタンス素子の特性のバラ付きも容易に補
正し得る利点を有する。
なお第１図は、抵抗回路４を構成する可変抵抗
器と可変インダクタンス素子の可変と連動して可
変される可変電圧回路の可変抵抗器とを並列に接
続せしめた場合を示したが、第４図に示すよう
に、両可変抵抗器を直列に接続してもよいこと、
またこの構成によるときは、可変容量ダイオード
の動作基点電圧の調整のほかにその容量の可変倍
率も調整することが可能であるので、抵抗回路を
直並列に接続してもよいことは勿論である。
器と可変インダクタンス素子の可変と連動して可
変される可変電圧回路の可変抵抗器とを並列に接
続せしめた場合を示したが、第４図に示すよう
に、両可変抵抗器を直列に接続してもよいこと、
またこの構成によるときは、可変容量ダイオード
の動作基点電圧の調整のほかにその容量の可変倍
率も調整することが可能であるので、抵抗回路を
直並列に接続してもよいことは勿論である。
また第２図は、第１図において、可変容量ダイ
オード２の温度補正を目的とした固定の温度補正
用コンデンサ５を並列接続した場合の同調回路を
示しており、該コンデンサ５の接続により可変容
量ダイオード２の温度特性が改善される。この場
合において、Ｃの可変倍率は可変容量ダイオード
２の容量と、温度補正用コンデンサ５との合成容
量の変化比によつて設定される。
オード２の温度補正を目的とした固定の温度補正
用コンデンサ５を並列接続した場合の同調回路を
示しており、該コンデンサ５の接続により可変容
量ダイオード２の温度特性が改善される。この場
合において、Ｃの可変倍率は可変容量ダイオード
２の容量と、温度補正用コンデンサ５との合成容
量の変化比によつて設定される。
また第５図は高周波磁気コアで可変される複数
の同調回路、即ちANT回路イ、第１段RF回路
ロ、第２段RF回路ハ及びOSC回路ニを備えた可
変インダクタンス同調器の各同調回路に、第２図
に示す構成の同調回路を適用した場合の手動同調
器を示しており、この構成において、可変電圧回
路３が各同調回路に共通に接続されている。
の同調回路、即ちANT回路イ、第１段RF回路
ロ、第２段RF回路ハ及びOSC回路ニを備えた可
変インダクタンス同調器の各同調回路に、第２図
に示す構成の同調回路を適用した場合の手動同調
器を示しており、この構成において、可変電圧回
路３が各同調回路に共通に接続されている。
また上記は可変容量ダイオード２に温度補正用
コンデンサ５を並列接続した場合について示した
が、該コンデンサ５を直列接続してもよいことは
勿論である。
コンデンサ５を並列接続した場合について示した
が、該コンデンサ５を直列接続してもよいことは
勿論である。
以上のように、本願は高周波磁気コアで可変さ
れる複数の同調回路を備えた同調器において、少
なくとも前記１つの同調回路が可変容量ダイオー
ドを有し、この可変容量ダイオードの動作基点電
圧を調整する抵抗回路と、前記磁気コアの可変と
連動して前記可変容量ダイオードに印加する電圧
を可変する可変電圧回路とを備えて成るものであ
るから、以下に述べるような利点を有する。
れる複数の同調回路を備えた同調器において、少
なくとも前記１つの同調回路が可変容量ダイオー
ドを有し、この可変容量ダイオードの動作基点電
圧を調整する抵抗回路と、前記磁気コアの可変と
連動して前記可変容量ダイオードに印加する電圧
を可変する可変電圧回路とを備えて成るものであ
るから、以下に述べるような利点を有する。
即ち周知のようにＬ可変の同調回路において
は、利得Ｑが周波数の低い方（コイル体内に磁気
コアが没入した状態）では高く、周波数の高い方
（コイル体内から磁気コアが脱出した状態）で低
くなる特性を有しているのに対し、Ｃ可変の同調
回路においては、Ｌ可変の同調回路とは逆の利得
特性を有しており、従つて本願によれば、Ｌ、Ｃ
可変の同調回路であるから利得が同調周波数の全
バンド巾においてはほぼ均一に得られ、安定した
利得特性が得られること、すでに述べたように、
Ｌ可変の同調回路によつて例えばAMバンドの全
巾を選択する場合に、Ｌの可変倍率が約10倍であ
る必要があつたが、本願においては、Ｃ可変倍率
との積によつて同調周波数が設定され、Ｌの可変
倍率は上記の場合に比し小さく得られるので、そ
れ丈可変インダクタンス素子の可変ストロークが
短縮し得て同調器の小型化に有効であること、本
願によれば、可変インダクタンス素子の高周波磁
気コアと連動する可変電圧回路のほかに、可変容
量ダイオードの動作基点電圧を設定する抵抗回路
を設けて、該抵抗回路の抵抗値によつて同調周波
数のバンド巾を任意に可変できるようにしたの
で、可変インダクタンス素子のコイル体に対する
高周波磁気コアの出没基点位置の調整及び前記抵
抗回路の抵抗値の設定によつて同調回路相互のト
ラツキング調整も容易に行うことができること、
このことは製作上の誤差などにより周波数特性曲
線にバラ付きのある可変インダクタンス素子或い
はバラ付きのある可変容量ダイオードの使用も可
能となり、安価な同調器が得られること、また上
記したように同調回路のトラツキングが極めて正
確且つ容易にできるので同調回路の増加も可能で
あり従つてラジオ受信機の選択度の向上妨害電波
の除去、感度の向上、安定した動作、更には諸特
性の引き上げなどにも極めて有効である。
は、利得Ｑが周波数の低い方（コイル体内に磁気
コアが没入した状態）では高く、周波数の高い方
（コイル体内から磁気コアが脱出した状態）で低
くなる特性を有しているのに対し、Ｃ可変の同調
回路においては、Ｌ可変の同調回路とは逆の利得
特性を有しており、従つて本願によれば、Ｌ、Ｃ
可変の同調回路であるから利得が同調周波数の全
バンド巾においてはほぼ均一に得られ、安定した
利得特性が得られること、すでに述べたように、
Ｌ可変の同調回路によつて例えばAMバンドの全
巾を選択する場合に、Ｌの可変倍率が約10倍であ
る必要があつたが、本願においては、Ｃ可変倍率
との積によつて同調周波数が設定され、Ｌの可変
倍率は上記の場合に比し小さく得られるので、そ
れ丈可変インダクタンス素子の可変ストロークが
短縮し得て同調器の小型化に有効であること、本
願によれば、可変インダクタンス素子の高周波磁
気コアと連動する可変電圧回路のほかに、可変容
量ダイオードの動作基点電圧を設定する抵抗回路
を設けて、該抵抗回路の抵抗値によつて同調周波
数のバンド巾を任意に可変できるようにしたの
で、可変インダクタンス素子のコイル体に対する
高周波磁気コアの出没基点位置の調整及び前記抵
抗回路の抵抗値の設定によつて同調回路相互のト
ラツキング調整も容易に行うことができること、
このことは製作上の誤差などにより周波数特性曲
線にバラ付きのある可変インダクタンス素子或い
はバラ付きのある可変容量ダイオードの使用も可
能となり、安価な同調器が得られること、また上
記したように同調回路のトラツキングが極めて正
確且つ容易にできるので同調回路の増加も可能で
あり従つてラジオ受信機の選択度の向上妨害電波
の除去、感度の向上、安定した動作、更には諸特
性の引き上げなどにも極めて有効である。
更に本願によれば、可変容量ダイオードの温度
補正用コンデンサを接続して成るので、良好な温
度特性も得られ、全体として安定した動作の同調
器を提供することができる利点を有する。
補正用コンデンサを接続して成るので、良好な温
度特性も得られ、全体として安定した動作の同調
器を提供することができる利点を有する。
図面は本願の実施例を示すもので、第１図及び
第２図は同調回路の基本構成を示す回路図、第３
図は可変容量ダイオードの電圧対容量の特性曲線
を示す図、第４図は抵抗回路と可変電圧回路との
接続を示す他の実施例図、第５図は手動同調器の
総体回路図、第６図は周波数特性曲線の説明図で
ある。 図中１は可変インダクタンス素子、２は可変容
量ダイオード、３は可変電圧回路、４は抵抗回
路、５は温度補正用コンデンサである。
第２図は同調回路の基本構成を示す回路図、第３
図は可変容量ダイオードの電圧対容量の特性曲線
を示す図、第４図は抵抗回路と可変電圧回路との
接続を示す他の実施例図、第５図は手動同調器の
総体回路図、第６図は周波数特性曲線の説明図で
ある。 図中１は可変インダクタンス素子、２は可変容
量ダイオード、３は可変電圧回路、４は抵抗回
路、５は温度補正用コンデンサである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高周波磁気コアで可変される複数の同調回路
を備えた同調器において、少なくとも前記１つの
同調回路が可変容量ダイオードを有し、この可変
容量ダイオードの動作基点電圧を調整する抵抗回
路と、前記磁気コアの可変と連動して前記可変容
量ダイオードに印加する電圧を可変する可変電圧
回路とを備えたことを特徴とする同調器。 ２ 可変電圧回路を、可変抵抗器により構成した
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の同
調器。 ３ 抵抗回路を、可変抵抗器より構成した特許請
求の範囲第１項または第２項記載の同調器。 ４ 高周波磁気コアで可変される複数の同調回路
を備えた同調器において、少なくとも前記１つの
同調回路が可変容量ダイオードを有し、この可変
容量ダイオードの動作基点電圧を調整する抵抗回
路と、前記磁気コアの可変と連動して前記可変容
量ダイオードに印加する電圧を可変する可変電圧
回路とを備え、かつ前記１つの同調回路に可変容
量ダイオードの温度補正用コンデンサを接続した
ことを特徴とする同調器。 ５ 可変電圧回路を、可変抵抗器により構成した
特許請求の範囲第４項記載の同調器。 ６ 抵抗回路を、可変抵抗器より構成した特許請
求の範囲第４項または第５項記載の同調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17894780A JPS57103425A (en) | 1980-12-19 | 1980-12-19 | Tuner |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17894780A JPS57103425A (en) | 1980-12-19 | 1980-12-19 | Tuner |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57103425A JPS57103425A (en) | 1982-06-28 |
| JPS624015B2 true JPS624015B2 (ja) | 1987-01-28 |
Family
ID=16057425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17894780A Granted JPS57103425A (en) | 1980-12-19 | 1980-12-19 | Tuner |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57103425A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6251884U (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-31 |
-
1980
- 1980-12-19 JP JP17894780A patent/JPS57103425A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57103425A (en) | 1982-06-28 |
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