JPH0116057B2

JPH0116057B2 -

Info

Publication number: JPH0116057B2
Application number: JP6336781A
Authority: JP
Inventors: Tamaki Oohashi
Original assignee: Nihon Technical Co Ltd
Current assignee: Nihon Technical Co Ltd
Priority date: 1981-04-28
Filing date: 1981-04-28
Publication date: 1989-03-22
Also published as: JPS57180222A

Description

【発明の詳細な説明】本願は少なくとも一つの同調回路が、高周波磁
気コアを用いてインダクタンスを可変する可変イ
ンダクタンス素子とコンデンサとから構成された
同調器において、前記一つの同調回路に前記イン
ダクタンスの可変に伴つて容量が可変される可変
容量ダイオードと、該ダイオードとの合成容量を
調整する可変コンデンサとを用いて同調回路相互
間のトラツキング調整を容易にすると共に、受信
機の性能の向上をはかることを目的としたもので
ある。

一般にカーラジオ等において可変インダクタン
ス素子からなるＬ可変の同調器が広く利用されて
いる。その理由は強入力特性が極めて良好である
と共に外部振動や温度及び湿度の大巾な変化或い
は塵埃などの影響によつて受信特性が変化したり
動作が不安定となることが無く、製品の均一化が
容易に得られる点でＣ可変の同調器に比べ有利で
あることによる。ところが可変インダクタンス同
調器において問題となる点は同調回路相互間のト
ラツキングを正確に調整することが極めて困難で
ある点及び周波数の高い方で利得が低下しその逆
に周波数の低い方で利得が異常に高くなるため受
信機の動作が不安定になると共に同調回路を増加
して受信機の性能の向上を図ることも望み得なか
つた。

即ち可変インダクタンス同調器は周知のように
アンテナ回路、RF回路及びOSC回路の各同調回
路に夫々可変インダクタンス素子を備えており、
この各可変インダクタンス素子を同一の摺動部材
により、手動操作して各同調回路のＬを可変する
ことにより選局を達成する方式のものであるが、
製作上の誤差などによつて各々の可変インダクタ
ンス素子のもつ周波数特性曲線に相違を有し、従
来はこの周波数特性曲線の相違を、コイル対に対
する周波数磁気コアの出没基点位置を調整するか
或いはμの異なる高周波磁気コアと交換すること
によつて同調回路相互間のトラツキング調整を行
つていた。しかしながら、前者においては出没基
点位置を調整しても、それのもつ周波数特性曲線
が殆ど平行移動するだけであるから、周波数特性
曲線が平行移動して他の可変インダクタンス素子
のもつ周波数特性曲線のある一点に合わせたとし
てもその前後の周波数に対して周波数曲線が合致
することなく、従つてコイル対に対する高周波磁
気コアの出没基点位置を調整しても同調回路相互
間において周波数特性曲線が相互に近似するにす
ぎず、而も、可変インダクタンス素子の可変スト
ロークは同調器における摺動部材の機械的な摺動
ストロークによつて定まるので、可変インダクタ
ンス素子のコイル体に対する高周波磁気コアの出
没基点位置を調整した場合に得られる同調周波数
の上限及び下限位置が共に変化し、従つてコイル
体に対する磁気コアの出没基点位置の調整のみに
よつて正確なトラツキング調整を行うことは至難
である。

また後者においては高周波磁気コアのμ特性を
数多くのランクに測定分類してそれを交換する作
業が極めて面倒で作業性が大きく欠いていた。更
に可変インダクタンス同調器においては、周波数
の高い方で利得が低下し同調周波数の全バンド巾
において安定した均一の利得が得られないという
欠陥があつた。

そこでこの欠陥を改善する手段として、出願人
はさきに、少なくとも一つの同調回路が高周波磁
気コアを用いてインダクタンスそし可変する可変
インダクタンス素子とコンデンサとから構成され
た同調器において、前記一つの同調回路に、前記
インダクタンスの可変に伴つて容量が可変される
可変容量ダイオードと、該ダイオードとの合成容
量を調整する可変コンデンサとを用いて成る同調
器を提案した（特公昭62−4014号公報）。

即ち今同調周波数のバンド巾の下限をminと
し、その上限をmaxとすると、共振周波数がで表されることから但し Lminは可変インダクタンスの最小値 Lmaxは可変インダクタンスの最大値 Cminは可変容量ダイオードと可変コンデンサ
との最小合成容量 Cmaxは可変容量ダイオードと可変コンデンサ
との最大合成容量で表され、Ｌ，Ｃの可変倍率と同調周波数との関
係は Lmax・Cmax／Lmin・Cmin＝（max／min）² …… で表される。

今minを510KHz、maxを1650KHzとすると、
このAMバンドの巾の全てを例えばＬ可変のみに
よつてカバーするものとすると Lmax／Lmin＝max／min＝（1650／510）² の式からＬの可変倍率は約10.47となる。

これに対し本願はＬの可変倍率Lmax／LminとＣの可変倍率Cmax／Cminとの積によつて同調周波数のバンド巾を得ようとするものであり、今Ｌの可変倍
率を例えば７に設定するものとすると（Ｘ／510）²＝７の式から、Ｘ即ちmaxは1349KHzとなり、AM
バンド巾の1349KHz乃至1650KHzの範囲の同調周
波数の選択が不足するのでこのバンド巾の不足分
をＣの可変倍率で補足しようとすると、（1650／510）²＝７×Ｘ …… の式から、Ｘ即ちＣの可変倍率を求めると、Ｘは
約1.5となる。

従つて同調回路の可変容量ダイオードと可変コ
ンデンサとの合成容量の可変倍率が1.5となるよ
うに設定することによりＬの可変倍率が７におい
て所要のバンド巾をカバーすることができ、この
関係を図示すれば第１９図となる。即ちF₁はコ
イル体に対して高周波磁気コアを出没させる可変
インダクタンス素子において、磁気コアの出没ス
トロークを例えば10mmとしたときに得られる同調
周波数特性曲線を、F₂は磁気コアの出没ストロ
ークを例えば８mmとし、それにより不足するバン
ド巾をＣの可変倍率で補足したときの同調周波数
特性曲線を示しており、この両特性曲線から明ら
かなように、Ｃの可変倍率によつてＬの可変倍率
のみによる特性曲線F₁の傾斜を変化して磁気コ
アの短い出没ストロークで所要のバンド巾を得る
ことが理解される。

また上記において、Ｌの可変倍率を例えば７と
し、Ｃの可変倍率を例えば1.5とした場合につい
て述べたが、一般に製作上の誤差によつてＬの可
変倍率が７の前後の値を示す場合、或いは使用す
る可変容量ダイオードの可変範囲にバラ付きが存
在する場合においては、Ｌの可変倍率とＣの可変
倍率の積が10.47となるように可変コンデンサを
調整することによつて所望のバンド巾を得ること
ができる。

ところでＬに対するＣの可変倍率を求める手段
として、可変容量ダイオードに対し可変コンデン
サを並列接続する場合と、直列接続する場合とが
あり、そのいづれによつてもその可変倍率を例え
ば1.5に設定することができるが、上記のいづれ
の場合も、可変コンデンサの容量をＬの可変倍率
に合わせ或いは可変容量ダイオードのバラ付きに
合わせて可変調整するときは、Ｃの可変倍率が変
化すると同時に同調周波数特性曲線の基点位置も
変化する。

例えば今可変容量ダイオードC₀が90PFから
25PFに可変し、これに105PFのトリーマなどの
半固定の可変コンデンサC₁を並列接続した場合
についてみると、 Cmax／Cmin＝C₀max＋C₁／C₀min＋C₁の式からC₁が105P
Fのとき、Cmax＝195PF Cmin＝130PFとなり、その
倍率が1.5となるが、誤差などにより例えばC₁を
95PFに可変したときCmax＝185PF、Cmin＝
120Pとなり、その倍率は1.54となり、またC₁を
115PFに可変したとき、Cmax＝205PF、Cmin＝
140PFとなり、その倍率は1.46となる。

また上記可変容量ダイオードC₀に21.4PFの可
変コンデンサC₁を直列接続した場合についてみ
ると、 Cmax／Cmin＝C₀max×C₁／C₀max＋C₁ C₀min×C₁／C₀m
in＋C₁の式C₁が 21.4PFのとき、Cmax＝17.89PF，Cmin＝
11.55PFとなり、その倍率は1.5となるが、C₁を
11.4PFに可変調整したとき、Cmax＝10.11PF、
Cmin＝7.82PFとなり、その倍率は1.29となり、
C₁を31.4PFに可変したとき、Cmax＝23.27PF、
Cmin＝13.9PFとなり、その倍率は1.67となる。

このことから可変コンデンサを可変して可変容
量ダイオードとの合成容量を調整することによ
り、可変インダクタンス素子並びに可変容量ダイ
オードのバラ付きを含めＣの可変倍率を可変して
Ｌの可変倍率との積が10.47になるように設定し、
所要のバンド巾を求めることができるが、例えば
Ｌの可変倍率を７としたときのＣの可変倍率を
1.5とする条件を満足する可変容量ダイオードの
可変容量範囲及び可変コンデンサの容量の選択範
囲が多く存在すること、また上記した数値例から
明らかなように可変インダクタンス素子及び可変
容量ダイオードのバラ付きに相当してＬの可変倍
率とＣの可変倍率との積が10.47となるように可
変調整したときに、可変容量ダイオードと可変コ
ンデンサとにより定まる最大合成容量Cmax及び
最小合成容量Cmin値も変化すること、従つて共
振周波数の式から求められる。

及びの式において、Lmax、Cmax及びLmin、Cmin
にＬの可変倍率とＣの可変倍率との積が10.47に
設定されて全ての数値を代入した場合に、その全
ての条件がmin＝510KHz及びmax＝1650KHzを
満足するとは限らず、例えばminが510KHzから
外れる場合が生じる。

即ち可変コンデンサを可変調整して同調周波数
の可変倍率を10.47に設定し得たとしても、それ
によつて得られた同調周波数特性曲線の基点位置
が相違する場合が生じる。

従つてこのような場合、可変インダクタンス素
子がコイル体とこのコイル体を出没する高周波磁
気コアとから成り、コイル体に対する高周波磁気
コアの出没基点位置が調整可能となつている構成
のものであるときは、先ず可変コンデンサを可変
してＣの可変倍率を所定の値に設定した後高周波
磁気コアのコイル体に対する出没基点位置を調整
すると、すでに述べたようにそれのもつ同調周波
数の特性曲線が平行移動するので、例えば同調周
波数特性曲線の基点位置が500KHz或いは520KHz
であるときでも特性曲線のモードを変えることな
く、それを510KHzに合わせることができる。

しかしながら例えば第２０図に示すように、一
対の導磁板１１によつて挟持され、その挟持方向
にコイル１２を設した飽和磁気回路をもつ高周波
磁気コア１３と、着磁側が一対の導磁板１１と１
４の側縁同志が互いに対向するように近接して配
列すると共に、これらを対向面に沿つて取付移動
させて飽和磁気回路の通過磁束数を可変するよう
になし、かつ相対移動して対向面が外れた最終位
置において、マグネツト１５または磁気コア１３
のいづれか一方を挟持した一対の導磁板１４を磁
気的に短絡する短絡片１６を備えて成る例えば特
公昭51−32380号公報に示される可変インダクタ
ンス素子或いは特公昭49−3274号、同51−32381
号公報において示されるように可変インダクタン
ス素子の如く誤差調整機構を有しない構成のもの
においては、同調周波数特性曲線の基点位置を同
調回路相互間で合致させトラツキング調整を行う
ことが至難となる不都合を有する。

そこで本願は、上記のように誤差調整機構を有
しない可変インダクタンス素子を用いてＬ可変を
行う場合にも有効に適用し得るＬとＣとの可変に
よる同調回路をもつ同調器を提案するもので、更
に詳しくは、同調回路を構成する可変容量ダイオ
ードに対し第１可変コンデンサを直列に接続し、
第２可変コンデンサを前記可変容量ダイオードに
対し、或いは前記可変インダクタンス素子に対
し、並列に接続して、この第１、第２の可変コン
デンサの相互可変調整により、Ｃの可変倍率と同
調周波数特性曲線の基点位置とを調整しようとす
るものである。

以下本願の実施例を図面について詳述すると、
第１図は本願における基本的な同調回路を示して
おり、１は例えば第２０図に示すように構成され
た可変インダクタンス素子で、これに可変容量ダ
イオード２と、これに直列の第１可変コンデンサ
３と、前記可変インダクタンス素子１に並列の第
２可変コンデンサ４とが夫々接続されており、前
記可変コンデンサ３，４として半固定のトリーマ
コンデンサが用いられる。５は前記可変容量ダイ
オード２に印加する電圧を可変する可変抵抗器か
ら成る可変電圧回路で、これが前記可変インダク
タンス素子１の可変に連動して可変させるように
例えば機械的に連結されている。

しかして可変インダクタンス素子１が例えば手
動操作により可変されると、これに伴つて可変電
圧回路５の可変抵抗器も可変され、可変容量ダイ
オード２の容量が可変し、同調点が選択される。

次に可変容量ダイオード２及び第１、第２可変
コンデンサ３，４に実際の具体的数値を代入して
バンド巾の調整と、同調周波数特性曲線の基点位
置の調整を行う場合について詳述する。

今可変容量ダイオード２が90PFから25PFの間
で可変され、かつ第１可変コンデンサ３の容量を
402PF、第２可変コンデンサ４の容量を76.5PFと
し、かつＣの可変倍率として1.5を求めるものと
すると、 Cmax＝90×402／90＋402＋46.5＝150 Cmin＝25×402／25＋402＋76.5＝100 となり、従つてその倍率は150／100＝1.5ととなる。

これに対し第２可変コンデンサ４の容量を
76.5PFに一定として第１可変コンデンサ３の容
量を例えば±80PF変化した場合のＣの変化と、
その変化に伴う可変倍率を検討すると、第１可変
コンデンサ３の容量を402＋80＝482PFとした場
合、Cmax＝152.34PF、Cmin＝100.27PFとなり、
Cmaxで152.34−150＝2.34PF増加し、Cminで
100.27−100＝0.27となり、そのときの可変倍率
は1.52となり、また第１可変コンデンサ３の容量
を402−80＝322PFとした場合、Cmax＝
146.84PF、Cmin＝99.7PFとなり、Cmaxで
3.16PF減少し、Cminで−0.3となり、そのときの
可変倍率は1.47倍となる。

この関係を可変容量ダイオード２に印加する可
変電圧に対する合成容量の特性曲線で示すと第２
４図のようになる。

即ち図において実線Ａは、第１可変コンデンサ
３の容量を402PF、第２可変コンデンサ４の容量
を76.5PFとし、かつ可変容量ダイオード２が
90PF〜25PFに可変するに必要な電圧V₁〜V₂を
印加した場合の特性曲線（実際上は二次曲線で示
される）同図の破線Ｂ，B′は第１可変コンデン
サ３を夫々±80PF変化した場合の特性曲線を示
している。

また他方第１可変コンデンサ３の容量を402PF
に一定とし、第２可変コンデンサ４の容量を例え
ば±5PFに可変した場合のＣの変化と、その変化
に伴う可変倍率を検討すると、第２コンデンサ３
の容量を76.5＋５＝81.5PFとした場合、Cmax＝
155.04PF、Cmin＝105.04PFとなり、Cmaxで
155.04−150＝5.04PF増加し、Cminでも105.4−
100＝5.04PF増加し、そのときの可変倍率は14.76
となり、また第２可変コンデンサ４の容量を76.5
−５＝71.5PFとした場合、Cmax＝145.04PF、
Cmin＝95.04PFとなり、Cmax及びCminで夫々
4.96PF減少し、そのときの可変倍率は1.526とな
る。

この関係を可変容量ダイオード２に印加する可
変電圧に対する合成容量の特性曲線で示すと第２
５図のようになる。

即ち図において実線Ａは、第２４図と同一の特
性曲線、同図の破線Ｃ，C′は、第２可変コンデン
サ４を夫々±5PF変化した場合の特性曲線を示し
ている。

以上の事実から、可変容量ダイオード２に対し
直列の第１可変コンデンサ３の可変するときは、
合成容量の大きい側で大きく変化し、その小さい
側で殆ど変化せず、従つて基準の特性曲線Ａに対
し、可変後の特性曲線Ｂ，B′は合成容量の小さ
い方を基準として夫々傾むき、このことからバン
ド幅が変化することが理解される。

また可変容量ダイオード２に対し、直列の第２
可変コンデンサ４を可変するときは、合成容量
は、その大きい側と、その小さい側で等しく、特
性曲線は全体的に平行移動した状態となり、可変
動作基点位置Ｐは、縦軸の方向で変化することが
理解される。

そして以上のような合成容量の特性曲線の変化
する傾向は、第１及び第２可変コンデンサ３，４
の可変範囲を大きくした場合においても同様であ
る。

なお上記実施例は可変容量ダイオード２の可変
容量を90〜25PFとし、かつ第１可変コンデンサ
３の容量を402PF第２可変コンデンサ４の容量を
76.5PFに設定してＣの可変倍率を1.5とした場合
について述べたが、Ｃの可変倍率を1.5に設定す
る条件は上記の場合に限定されるものではない。

しかして本願によれば、その設計にあたつて可
変容量ダイオード及び第１、第２可変コンデンサ
の容量を例えばＣの可変倍率が1.5となるように
適宜設定し、この状態において可変インダクタン
ス素子及び可変容量ダイオードの特性のバラ付き
に相応して第１、第２可変コンデンサを相互に調
整することにより、Ｃの可変倍率と、同調周波数
特性曲線の動作基点位置を整合するに必要な最大
及び最小の合成容量の調整を任意を行うことがで
きるものである。

なお第２図は第２可変コンデンサ４に並列に固
定のコンデンサ４′を接続した場合を示しており、
このコンデンサ４′の接続により第２可変コンデ
ンサ４の温度補償がなされると共に、第２可変コ
ンデンサ４による調整範囲は特性誤差を調整する
微細なものであるから、第２可変コンデンサ４と
して微細容量のトリーマコンデンサが使用でき
て、コストの低下をはかることができる。

また第３図は第１可変コンデンサ３に並列に固
定のコンデンサ３′を接続した場合を示しており、
このコンデンサ３′の接続により第１可変コンデ
ンサ３の温度補償がなされると共に、第１可変コ
ンデンサ３として微細容量のトリーマコンデンサ
が使用できてコストの低下をはかることができ
る。

第４図は第１及び第２可変コンデンサ３，４に
夫々固定コンデンサ３′，４′を並列接続した場合
の同調回路の他の実施例を示している。また第５
図は可変容量ダイオード２と第２可変コンデンサ
４との並列回路に第１可変コンデンサ３を直列に
接続し、これと可変インダクタンス素子１とによ
り同調回路を構成した他の実施例を示している。

この実施例において、前記第１実施例と同様に
合成容量Ｃの可変倍率を1.5に設定すると第１可
変コンデンサ３及び第２可変コンデンサ４の容量
は夫々466.5PF及び71.6PFとなる。但し可変容量
ダイオード２の可変範囲を90PFから25PFとす
る。

即ちCmax＝466.5×（90＋71.6）／466.5＋90＋71.6＝
120 Cmin＝466.5×（25＋71.6）／466.5＋25＋71.6＝80 となり、従つてその倍率は120／80＝1.5となる。

この状態において、第１可変コンデンサ３の容
量を466.5PFに一定として第２可変コンデンサ４
を例えば71.6PFら80.75PFに可変したとき、
Cmax＝125PF、Cmin＝86.21PFとなりその可変
倍率は1.45となり、また第２可変コンデンサ４の
容量を71.6PFから62.62PFに可変したときCmax
＝115PFCmin＝73.77PFとなり、その可変倍率は
1.56となる。

次に第２可変コンデンサ４の容量を71.6PFに
一定として第１可変コンデンサ３を466.5PFから
522PF可変したとき、Cmax＝125PF，Cmin＝
82.21PFとなり、その可変倍率は1.52となり、ま
た第１可変コンデンサ３の容量を466.5PFから
398.8PFとしたとき、Cmax＝115PF，Cmin＝
77.76PFとなり、その可変倍率1.48となる。

以上の事実から明らかのように、第５図に示す
回路構成においても、可変容量ダイオード２に直
列の第１可変コンデンサ３を可変するときは、合
成容量の大きい側で大きく変化するのに対し、合
成容量の小さい側で殆ど変化せず従つて合成容量
の特性曲線の傾きが変化してバンド幅の調整が可
能となり、また可変容量ダイオード２に並列の第
２可変コンデンサ４を可変するときは、合成容量
の大きい側と、その小さい側でほぼ等しく変化
し、従つて合成容量の特性曲線は平行移動して可
変動作基点位置の調整が可能となる。

そしてこのように可変容量ダイオード２に対し
直列の第１可変コンデンサ３を可変した場合、及
び可変容量ダイオード２に対し並列の第２可変コ
ンデンサ４を可変した場合の合成容量の特性曲線
の変化傾向は第２図乃至第４図においても基本的
に相違することはない。

第６図乃至第１０図は、第１図乃至第５図に示
す同調回路において、夫々可変インダクタンス素
子１の可変と連動して可変容量ダイオード２に印
加する電圧を可変する可変電圧回路５と、可変容
量ダイオード２との間に、該ダイオードに対する
印加電圧の上限値を主として規制する可変抵抗回
路６を備えて成る同調回路を示しており、その目
的とするところは、トラツキング調整をより簡単
かつ正確に行わしめると共に、容量可変範囲の大
きな可変容量ダイオードの使用も可能として汎用
性をもたせたものである。

即ち今その基本となる第６図の同調回路におい
て詳述すると、R₁は可変電圧回路５を構成する
可変抵抗器で、その負側の端子が可変抵抗器R₂
に接続されており、この可変抵抗器R₂の可変に
よつて可変容量ダイオード２に印加される最低電
圧値が僅かの範囲で調整される。R₃は可変抵抗
回路６を構成する可変抵抗器で、この可変抵抗器
R₃の可変によつて可変容量ダイオード２に印加
される最高電圧値が低い方向に調整される。

従つて可変抵抗回路６を有する構成によるとき
は、可変容量ダイオード２の可変容量範囲が所要
範囲以上の場合であつても、可変抵抗器R₃の設
定による電圧降下分丈可変容量ダイオード２に印
加される最高電圧値が減縮され、その容量可変範
囲を所要の範囲に限定することができて、容量可
変範囲の大きな可変容量ダイオードの使用も可能
となる利点を有すると共に、可変容量ダイオード
に接続された第１、第２可変コンデンサ３，４と
して微細容量のトリーマコンデンサが使用できて
コストの低下をはかることができるという特徴を
有する。

上記は可変容量ダイオードに印加する電圧の上
限を規制する場合について述べたが、第１１図は
前記第１図に示す同調回路において、可変容量ダ
イオード２に印加する電圧を可変する可変電圧回
路５と可変容量ダイオード２との間に該可変容量
ダイオードに印加する電圧値の下限を主として規
制する可変抵抗回路７を備えて成る同調回路を示
しており、具体的には、可変電圧活路５を構成す
る可変抵抗器R₁を固定抵抗器R₄を介してアース
すると共に、前記可変抵抗器R₁の可動接点と＋
Ｂ電源との間に下限規制用の可変抵抗器R₅を接
続して成るものである。従つて第１１図の同調回
路において可変抵抗器R₅の可動接点が図におい
て最左端に移動して最低電圧値に至つたとき、可
変容量ダイオード２には＋Ｂ電源が可変抵抗器
R₅を介して成る電圧が印加され、可変容量ダイ
オード２に印加される電圧は零とはならない。即
ち可変抵抗器R₅の可変調整によつて可変容量ダ
イオード２に対する印加電圧の下限値を主として
規制することができ、この場合においても、可変
容量ダイオードの可変範囲を印加電圧の下限側即
ち可変容量ダイオードの高い容量値側で調整し得
る特徴を有する。なお第１１図は第１図に示す同
調回路に、印加電圧の下限を規制する可変抵抗回
路７を備えた場合を示したが、第２図乃至第５図
に示す同調回路に、前記可変抵抗回路７を備えて
もよいことは勿論である。

第１２図乃至第１６図は可変容量ダイオードと
可変電圧回路との間に、該可変電圧回路である可
変抵抗器から成る第１可変電圧回路と、可変抵抗
器から成る第２可変電圧回路と、前記各回路の可
変抵抗器を橋絡接続する第２可変抵抗器とを備
え、この第３可変抵抗器の可変端子を前記可変容
量ダイオードの電圧印加点に接続せしめて成る第
１図乃至第５図に夫々対応する実施例を示すもの
で、トラツキング調整を更に容易に行えるように
すると共に、容量可変範囲の大きな可変容量ダイ
オードの使用を可能にして汎用性をもたせ、かつ
同調回路のＱ特性の向上をはかつたものである。

即ち今その基本となる第１２図の同調回路にお
いて詳述すると、R₁は第１可変電圧回路５を構
成する可変抵抗器、R₆は第２可変電圧回路８の
可変抵抗器、R₇は第３可変抵抗器で、第１可変
電圧回路５の可変抵抗器R₁と前記第２可変電圧
回路８の可変抵抗器R₆Fとが＋Ｂ電源とアース間
に並列接続れると共に、可変抵抗器R₁とR₆の可
動接点間に第３可変抵抗器R₇が橋絡状に接続れ、
かつ該可変抵抗器R₇の可動接点が可変容量ダイ
オード２の電圧印加点に接続されている。

しかして今＋Ｂ電源が10Vであり、従つて可変
インダクタンス素子と連動する可変抵抗器R₁に
よつて第１可変電圧回路５が10V乃至0vまで変化
するものとし、かつ第３可変抵抗器R₇の可動接
点がその中心位置に調整されているものとする
と、この状態でもし第２可変電圧回路８の可変抵
抗器R₆の可動接点を最高電位点イに設定し、か
つ可変抵抗器R₁の可動接点も最高電位点イ′に位
置するときは、イ点とイ′点は同電位で10Vであ
るから、可変容量ダイオード２には10Vが印加さ
れ、次いで可変抵抗器R₁の可動接点が最低電位
点ロ′に至つたときは、イ点とロ′点との電位差が
10Vであるからその1/2の5Vが可変容量ダイオー
ド２に印加されることになる（以下第１例とい
う）。次に上記の回路状態において可変抵抗器R₆
の可動接点をその中間位置ハに調整するときは、
可変抵抗器R₁の可動接点が最高電位点イ′に位置
したとき、前記点ハが5Vで点イ′が10Vであるこ
とにより、可変容量ダイオード２にはその中間の
電位7.5Vが、また可変抵抗器R₁が最低電位点
ロ′に至つたときは、点ハが5Vで点ロ′が0Vであ
ることにより、可変容量ダイオード２にはその中
間の電位2.5Vが夫々印加され（以下第２例とい
う）。更に上記した回路状態において可変抵抗器
R₆の可動接点をその採点電位点ロに調整すると
きは、可変抵抗器R₁の可動接点が最高電位点
イ′に位置したとき、前記ロ点と前記イ′点の電位
差が10Vであることにより、可変容量ダイオード
２にはその1/2の電圧5Vが印加され、可変抵抗器
R₁の可動接点が最低電位点ロ′に位置したとき、
前記ロ点とロ′は同電位で0Vであるから、可変容
量ダイオード２には0Vが印加される（以下第３
例という）。

即ち上記第１乃至第３例から可変抵抗器R₇を
一定にして可変抵抗器R₆を調整したとき、可変
容量ダイオード２に印加される電圧が、第１例で
は10V〜5Vに、第２例では7.5V2.5Vに、第３例
では5V〜0Vのように、可変電位差は5Vで一定で
あると共に、可変容量ダイオード２に対する動作
基点電圧が上限においては10V、7.5V、5Vに、
また下限においては5V、2.5V、0Vに夫々規制さ
れることが理解される。

次に第２可変電圧回路８の可変抵抗器R₆の可
動接点が中間点ハの位置に調整すると共にこの状
態で第３可変抵抗器R₇の可動接点が上位点ホと
中間点ヘと下位点トとに調整し、かつ第１可変電
圧回路５の可変抵抗器R₁を可変インダクタンス
素子１と連動して可変した場合について検討す
る。先ず可変抵抗器R₇の可動接点が上位点ホに
位置し、この状態で可変抵抗器R₁の可動接点が
最高電位点イ′にあるときは、可変抵抗器R₇の可
動接点が可変抵抗器R₆の中間点ハに直接接続し
たことになるから、可変容量ダイオード２には
5Vの電圧が印加され、この5Vの電圧は可変抵抗
器R₁の可変に不拘一定となる（以下第４例とい
う）。また可変抵抗器R₇の可動接点をその中間点
へに調整した状態で可変抵抗器R₁が可変したと
きは、前記第２列と同様に可変容量ダイオード２
に印加される電圧は7.5V〜2.5Vに変化し、更に
可変抵抗器R₇の可動接点をその下位点トに調整
し、この状態で可変抵抗器R₁の可動接点が可変
するときは丁度可変抵抗器R₇の可動接点が可変
抵抗器R₁の可動接点に直接接続したことになる
から、可変容量ダイオード２に印加される電圧
は、第１可変電圧回路５の可変電圧範囲と等しく
10V〜0Vに変化する（以下第５例という）。即ち
上記した第４例、第２例及び第５例から明らかな
ように第２可変電圧回路８を一定にして第３可変
抵抗器７を調整し、この状態で第１可変電圧回路
５を可変したとき、可変容量ダイオード２に印加
される電圧は第４例ではその可変と無関係に5V
で一定であり、第２例では7.5V〜2.5Vに変化し、
第５例では10V〜0Vに変化する。即ちこのこと
から第３可変抵抗器R₇を調整することにより可
変容量ダイオード２の動作範囲を調整できること
が理解される。

即ち可変容量ダイオードの容量対電圧の特性曲
線は一般に第１８図で示すように二次曲線で表さ
れ、この特性曲線において、今可変容量ダイオー
ドの印加電圧範囲をVa〜Va′とした場合の電圧
可変幅と等しい幅をもつて、印加電圧範囲をVb
〜Vb′に変更した場合、その可変倍率は、前者に
おいては、Ca／Ca′となり、後者においては、
Cb／Cb′となつてその可変倍率が変更し、また印
加電圧範囲をVa〜Vcとすることによつても可変
倍率を変更することができる。

このことから可変容量ダイオードのＱ特性対電
圧の特性曲線は容量対電圧の二次曲線と逆の傾向
を示しており可変容量ダイオードの印加電圧を
Va〜Va′からVb〜Vb′に、或いはVa〜Vb′のよ
うに変更することによりＱ特性を必要に応じて選
択することができる。なお可変容量ダイオードの
印加電圧を変更することによる周波数特性の基点
位置及び可変倍率の誤差は第１、第２可変コンデ
ンサを調整することで補正可能となることは言う
までもない。

このことにより可変インダクタンス素子並びに
可変容量ダイオードの特性のバラ付きによつて生
じる同調周波数の基点位置の補正並びにトラツキ
ング調整も容易に行うことができる。

また第１７図で示すように第２可変電圧回路８
及び第３可変抵抗器R₇を、可変抵抗器R₆と固定
抵抗器R₆′及び可変抵抗器R₇と固定抵抗器R₇′とに
より構成するときは、可変抵抗器R₆及びR₇を微
細調整ですむことになる。

なお上記において、第１可変電圧回路５の可変
抵抗器R₁と第２可変電圧回路８の可変抵抗器R₆
とを＋Ｂ電源に並列接続した場合を示したが、第
１可変電圧回路５と第２可変電圧回路８とに印加
する電源電圧を別個に備えてもよく、第１電圧可
変回路５として例えば実公昭52−23206号公報記
載のように、変成コイルと、該コイルに対し出没
する磁心とから成る変成器に、一定周波数を印加
し、前記コイルに対して磁心を可変インダクタン
ス素子の可変と連動して出没させ、それによつて
得られた電圧を整流して可変容量ダイオード用の
第１可変電圧回路として用いてもよいことは勿論
である。

第２１図は第４図に示す同調回路を同調器を構
成する各同調回路即ちANT回路イ、第１段RF回
路ロ、第２段RF回路ハ及びOSC回路ニに適用し
た場合の同調器を、第２２図は第９図に示す同調
回路を同調器を構成する各同調回路イ乃至ニに適
用した場合の同調器を、第２３図は第１５図に示
す同調回路の同調器を構成する各同調回路イ乃至
ニに適用した場合の同調回路を夫々示しており、
そのいづれの構成においても、第１可変電圧回路
５を各同調回路イ乃至ニに共通に接続した場合を
示している。

以上詳述したように本願によれば、Ｃの可変倍
率及び最大と最小の合成容量に及ぼす作用の異な
る２つの調整手段即ち可変容量ダイオードに対し
第１可変コンデンサを直列に、第２可変コンデン
サを並列に接続せしめて成るので、これらの調整
手段を相互に可変調整することにより、Ｃの可変
倍率及び最大と最小の合成容量を所望の値に設定
することができて、同調回路のトラツキング調整
に有効であり、かつコイル体に対する高周波磁気
コアの出没基点位置の調整が可能な可変インダク
タンス素子を有する同調回路は勿論のこと、該調
整手段を有しない可変インダクタンス素子を用い
た同調回路にも適用し得ると共にバラ付きのある
可変インダクタンス素子或いは可変容量ダイオー
ドの使用も可能となり汎用性を有し、安価な同調
器を得ることができること、周知のようにＬ可変
の同調回路においては、利得Ｑが周波数の低い方
（コイル体内に磁気コアが没入した状態）では高
く、周波数の高い方（コイル体内から磁気コアが
脱出した状態）で低くなる特性を有しているのに
対し、Ｃ可変の同調回路においては、Ｌ可変の同
調回路とは逆のＱ特性を有しており、従つて本願
によれば、Ｌ、Ｃ可変の同調回路であるからＱが
同調周波数の全バンド巾においてほぼ均一に得ら
れ、安定したＱ特性が得られること、すでに述べ
たようにＬ可変の同調回路によつて例えばAMバ
ンドの全巾を選択する場合に、Ｌの可変率が約10
倍である必要があつたが、本願においては、Ｃ可
変倍率との積によつて同調周波数が設定され、Ｌ
の可変倍率は上記の場合に比し小さく得られるの
で、それ丈可変インダクタンス素子の可変ストロ
ークが短縮し得て同調器の小型化に有効であるこ
と、本願によれば同調回路のトラツキングが極め
て容易になし得るので、同調回路の増加も可能で
あり、従つてラジオ受信機の選択度の向上、妨害
電波の除去、感度の向上、安定した動作、更には
諸特性の引き上げなどにも極めて有効である。

さらに本願によれば、可変容量ダイオードに対
る印加電圧を調整する可変抵抗回路を備えて成る
ので、任意の可変容量範囲のもつ可変容量ダイオ
ードの使用が可能となり設計製作に至便であると
共に、Ｑ特性の安定した同調器が得られ、またＣ
の可変倍率及び最大最小合成容量の調整操作も容
易になし得るという利点を有する。

更に本願によれば、第１可変電圧回路の可変抵
抗器と、第２可変電圧回路の可変抵抗器とを橋絡
接続する第３可変抵抗器とから成りこの第３の可
変抵抗器の可変端子を可変容量ダイオードに接続
して成るので可変容量ダイオードのＱ特性を任意
に選択できて受信バンド巾におけるＱ特性の均一
な而も特性の高い同調回路が得られる利点を有す
る。

【図面の簡単な説明】

図面は本がの実施例を示すもので、第１図乃至
第４図は第１発明における同調回路図、第５図は
第２発明における同調回路図、第６図乃至第１０
図は第３発明における同調回路図、第１１図は第
４発明における同調回路図、第１２乃至第１５図
は第５発明における同調回路図、第１６図は第６
発明における同調回路図、第１７図は第１２図に
対応する他の実施例図、第１８図は可変容量ダイ
オードにおける容量対電圧特性曲線を示す図、第
１９図は同調周波数特性曲線を示す図、第２０図
は可変インダクタンス素子を示す図、第２１図乃
至第２３は第１発明における同調回路乃至第３発
明における同調回路を夫々備えた同調器の回路
図、第２４図及び第２５図は合成容量の特性曲線
を示す図である。図中、１は可変インダクタンス素子、２は容量
ダイオード、３は第１可変コンデンサ、４は第２
可変コンデンサ、３′，４′は固定コンデンサ、５
及び１８は可変電圧回路、６及び７は可変抵抗回
路、R₁乃至R₇は可変抵抗器、R₆′，R₇′は固定抵
抗器である。

Claims

【特許請求の範囲】１少なくとも一つの同調回路が、高周波磁気コ
アを有したインダクタンスを可変する可変インダ
クタンス素子とコンデンサとから構成された同調
器において、前記一つの同調回路のコンデンサと
して可変容量ダイオードを用いると共に、この可
変容量ダイオードに対し第１可変コンデンサを直
列に、第２可変コンデンサを並列に夫々接続し、
かつ前記インダクタンスの可変と連動して前記可
変容量ダイオードに印加する電圧を可変する可変
電圧回路を備えたことを特徴とする同調器。２第１可変コンデンサに固定のコンデンサを並
列接続して成る特許請求の範囲第１項記載の同調
器。３第２可変コンデンサに固定のコンデンサを並
列接続して成る特許請求の範囲第１または第２項
記載の同調器。４可変インダクタンス素子として、一対の導磁
板に挟持され、かつその挟持方向でコイルを巻設
した飽和磁気回路をもつ高周波磁気コアと、マグ
ネツトとから成り、このマグネツトと高周波磁気
コアとの交叉磁束数を可変することによりインダ
クタンスを可変する構成の可変インダクタンス素
子を用いて成る特許請求の範囲第１項、第２項ま
た第３項記載の同調器。５可変電圧回路が、可変抵抗器を含む回路から
成る特許請求の範囲第１項、第２項、第３項また
は第４項記載の同調器。６少なくとも一つの同調回路が、高周波磁気コ
アを有したインダクタンスを可変する可変インダ
クタンス素子とコンデンサとから構成された同調
器において、前記一つの同調回路のコンデンサと
して可変容量ダイオードを用いると共に、この可
変容量ダイオードに対し第１可変コンデンサを直
列に、第２可変コンデンサを並列に夫々接続し、
かつ前記インダクタンスの可変と連動して前記可
変容量ダイオードに印加する電圧を可変する可変
電圧回路と、この可変電圧回路と前記可変容量ダ
イオードの前記第１可変コンデンサとの接続点と
の間に該接続点に加わる前記可変電圧回路の可変
範囲を調整する可変抵抗回路とを備えたことを特
徴とする同調器。７第１可変コンデンサに固定のコンデンサを並
列接続して成る特許請求の範囲第６項記載の同調
器。８第２可変コンデンサに固定のコンデンサを並
列接続して成る特許請求の範囲第６項または第７
項記載の同調器。９可変インダクタンス素子として、一対の導磁
板に挟持され、かつその挟持方向でコイルを巻設
した飽和磁気回路をもつ高周波磁気コアと、マグ
ネツトとから成り、このマグネツトと高周波磁気
コアとの交叉磁束数を可変することによりインダ
クタンスを可変する構成の可変インダクタンス素
子を用いて成る特許請求の範囲第６項、第７項ま
たは第８項記載の同調器。１０可変電圧回路が、可変抵抗器を含む回路か
ら成る特許請求の範囲第６項、第７項、第８項ま
たは第９項記載の同調器。１１少なくとも一つの同調回路が、高周波磁気
コアを有したインダクタンスを可変する可変イン
ダクタンス素子とコンデンサとから構成された同
調回路において、前記一つの同調回路のコンデン
サとして可変容量ダイオードを用いると共にこの
可変容量ダイオードに対し第１可変コンデンサを
直列に、第２可変コンデンサを並列に夫々接続
し、かつ前記インダクタンスの可変と連動して可
変する可変抵抗器から成る第１可変電圧回路と、
可変抵抗器から成る第２可変電圧回路と、前記第
１及び第２可変電圧回路の可変抵抗器を橋絡接続
する第３可変抵抗器とを備え、この第３可変抵抗
器の可変端子を前記可変容量ダイオードの前記第
１可変コンデンサとの接続点に接続したことを特
徴とする同調器。１２第１可変コンデンサに固定のコンデンサを
並列接続して成る特許請求の範囲第１１項記載の
同調器。１３第２可変コンデンサに固定のコンデンサを
並列接続して成る特許請求の範囲第１１項または
第１２項記載の同調器。１４可変インダクタンス素子として、一対の導
磁板に挟持され、かつその挟持方向でコイルを巻
設した飽和磁気回路をもつ高周波磁気コアと、マ
グネツトとから成り、このマグネツトと高周波磁
気コアとの交叉磁束数を可変することによりイン
ダクタンスを可変する構成の可変インダクタンス
素子を用いて成る特許請求の範囲第１１項、第１
２項または第１３項記載の同調器。１５少なくとも一つの同調回路が、高周波磁気
コアを有したインダクタンスを可変する可変イン
ダクタンス素子とコンデンサとから構成された同
調器において、前記一つの同調回路のコンデンサ
として可変容量ダイオードを用いると共に、この
可変容量ダイオードに対し第１可変コンデンサを
直列に接続し、第２可変コンデンサを前記可変イ
ンダクタンス素子に並列に接続し、かつ前記イン
ダクタンスの可変と連動して前記可変容量ダイオ
ードに印加する電圧を可変する可変電圧回路を備
えたことを特徴とする同調器。１６第１可変コンデンサに固定のコンデンサを
並列接続して成る特許請求の範囲第１５項記載の
同調器。１７第２可変コンデンサに固定のコンデンサを
並列接続して成る特許請求の範囲第１５項または
第１６項記載の同調器。１８可変インダクタンス素子として、一対の導
磁板に挟持され、かつその挟持方向でコイルを巻
設した飽和磁気回路をもつ高周波磁気コアと、マ
グネツトとから成り、このマグネツトと高周波磁
気コアとの交叉磁束数を可変することによりイン
ダクタンスを可変する構成の可変インダクタンス
素子を用いて成る特許請求の範囲第１５項、第１
６項または第１７項記載の同調器。１９可変電圧回路が、可変抵抗器を含む回路か
ら成る特許請求の範囲第１５項、第１６項、第１
７項または第１８項記載の同調器。２０少なくとも一つの同調回路が、高周波磁気
コアを有したインダクタンスを可変する可変イン
ダクタンス素子とコンデンサとから構成された同
調器において、前記一つの同調回路のコンデンサ
として可変容量ダイオードを用いると共に、この
可変容量ダイオードに対し第１可変コンデンサを
直列に接続し、第２可変コンデンサを前記可変イ
ンダクタンス素子に並列に接続し、かつ前記イン
ダクタンスの可変と連動して前記可変容量ダイオ
ードに印加する電圧を可変する可変電圧回路と、
この可変電圧回路と前記可変容量ダイオードの前
記第１可変コンデンサとの接続点との間に該接続
点に加わる前記可変電圧回路の可変範囲を調整す
る可変抵抗回路とを備えたことを特徴とする同調
器。２１第１可変コンデンサに固定コンデンサを並
列接続して成る特許請求の範囲第２０項記載の同
調器。２２第２可変コンデンサに固定のコンデンサを
並列接続して成る特許請求の範囲第２０項または
第２１項記載の同調器。２３可変インダクタンス素子として、一対の導
磁板に挟持され、かつその挟持方向でコイルを巻
設した飽和磁気回路をもつ高周波磁気コアと、マ
グネツトとから成り、このマグネツトと高周波磁
気コアとの交叉磁束数を可変することによりイン
ダクタンスを可変する構成の可変インダクタンス
素子を用いて成る特許請求の範囲第２０項、第２
１項または第２２項記載の同調器。２４可変電圧回路が、可変抵抗器を含む回路か
ら成る特許請求の範囲第２０項、第２１項、第２
２項または２３項記載の同調器。２５少なくとも一つの同調回路が、高周波磁気
コアを有したインダクタンスを可変する可変イン
ダクタンス素子とコンデンサとから構成された同
調器において、前記一つの同調回路のコンデンサ
とし可変容量ダイオードを用いると共に、この可
変容量ダイオードに対し第１可変コンデンサを直
列る接続し、第２可変コンデンサを前記可変イン
ダクタンス素子に並列に接続し、かつ前記インダ
クタンスの可変と連動して可変する可変抵抗器か
ら成る第１可変電圧回路と、可変抵抗器から成る
第２可変電圧回路と、前記第１及び第２可変電圧
回路の可変抵抗器を橋絡接続する第３可変抵抗器
とを備え、この第３可変抵抗器の可変端子を前記
可変容量ダイオードの前記第１可変コンデンサと
の接続点に接続したことを特徴とする同調器。２６第１可変コンデンサに固定のコンデンサを
並列接続して成る特許請求の範囲第２５項記載の
同調器。２７第２可変コンデンサに固定のコンデンサを
並列接続して成る特許請求の範囲第２５項または
２６項記載の同調器。２８可変インダクタンス素子として、一対の導
磁板に挟持され、かつその挟持方向でコイルを巻
設した飽和磁気回路をもつ高周波磁気コアと、マ
グネツトとから成り、このマグネツトと高周波磁
気との交叉磁束数を可変することによりインダク
タンスを可変する構成の可変インダクタンス素子
を用いて成る特許請求の範囲第２５項、第２６項
または第２７項記載の同調器。