JPS6241314B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6241314B2 JPS6241314B2 JP57231502A JP23150282A JPS6241314B2 JP S6241314 B2 JPS6241314 B2 JP S6241314B2 JP 57231502 A JP57231502 A JP 57231502A JP 23150282 A JP23150282 A JP 23150282A JP S6241314 B2 JPS6241314 B2 JP S6241314B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silver
- film
- silver film
- powder
- resin acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は、電子部品などを作る場合に用いられ
る銀膜を、樹脂酸銀化合物に対する紫外線および
加熱の併用により超微粒銀粉を析出・焼結せしめ
て被コーテイング面（以下、基板と称す。）に形
成する銀膜形成方法に関するものである。 従来の方法とその問題点 従来、銀により導電膜を得る方法として、 (A) 銀粉末を有機質マトリツクス（熱硬化性樹脂
など）中に分散して得られる有機質マトリツク
ス系銀ペーストの塗工乾燥によるもの。 (B) 銀−パラジウム合金粉末などを無機質マトリ
ツクス（ガラス、金属酸化物など）粉末と混合
し、これに有機質ビヒフルを加え、混錬して得
られるところの、いわゆる厚膜銀ペーストの塗
工、焼成によるもの。 (C) 電解、あるいは無電解メツキによる湿式銀メ
ツキによるもの。 (D) 真空蒸着、スパツタリング、イオンプレーテ
イングなどを用いた銀のドライメツキによるも
の。 などの方法がある。ここで、(A)および(B)の銀ペー
ストによる銀膜は、銀以外のバインダー成分を膜
内に含むため、電気伝導性に本質的な問題を残
す。同時に、(A)の場合は、電子部品などに応用す
る場合に半田付性、耐半田熱性に劣るといつた欠
点があり、また(B)の場合は、その焼成温度が600
〜900℃と高く、基板としてはアルミナセラミツ
クに代表されるような耐熱セラミツク材料に限定
されることになる。(C)および(D)の方法は、(A)(B)と
異なり、膜内にバインダー成分が残存しないこと
から高純度の銀膜を得ることが可能であり、その
膜厚の制御も比較的容易である。しかしながら(C)
の場合、電気メツキでは基板は導通性のものに限
られ、また無電解メツキにおいては、メツキ核形
成のために複雑な前処理を必要とすることと、メ
ツキ速度が遅いという欠点がある。また、公害処
理が必要となるなどの問題がある。(D)の方法で
は、銀ソースの純度がそのまま生成銀膜純度に反
映されるため本質的に高純度の銀膜を得ることが
でき、かつ原則的には基板の選択についても制限
がないという利点がある。しかしながら設備が大
がかりとなり、一般的にはバツチ生産となるため
生産性に問題が出て来ると同時に、銀膜パターン
を形成する際においてマスクを用いる必要がある
が、このマスク上の銀膜について回収が必要にな
つてくるなどの欠点がある。 発明の目的 本発明の目的とするところは、従来例(A)(B)のよ
うなバインダー成分を含まず、かつ従来例(C)のご
とき基板、膜厚の制限なしに、また従来例(D)のよ
うなマスクを使用することなく、常圧でスクリー
ン印刷などによりパターンを形成し得、さらに紫
外線照射を併用することにより従来例(B)のような
高温焼成を不要にし得る銀膜形成方法を提供する
点になる。 発明の構成 上記目的を達成するために本発明の銀膜形成方
法は、樹脂酸銀化合物の一部を還元して生成する
超微粒銀粉と、未反応の樹脂酸銀化合物およびビ
ヒクルとからなる基本的銀膜形成組成物を、加熱
分解時に紫外線照射を併用することにより分解焼
結せしめて銀膜を得るようにしており、したがつ
て、銀膜形成のために低温の加熱分解でよく、ま
た厚い銀膜が得られるものである。 実施例の説明 以下に本発明による銀膜形成方法を詳細に説明
する。 本発明方法に使用される銀膜形成材料は、一般
式RCOOAg（Ｒ：アルキル基、アリール基な
ど）で示されるギ酸銀、酢酸銀、ステアリン酸
銀、パルミチン酸銀のごとき脂肪酸塩、洒石酸
銀、乳酸銀のごときシドロキシ酸塩、グルタミン
酸銀、アスパラギン酸銀のごときアミノ酸塩、安
息香酸銀、石炭酸銀のごとき芳香族酸塩などであ
る。これら樹脂酸銀は公知のごとく光分解により
金属銀を析出する性質があるが、実験によると、
分解反応の際、紫外線照射のみでは一般に塗膜表
面から0.05〜0.1μの深さまでしか分解反応が進
行せず、これより深部では、表層に生成した銀に
より紫外線が反射して未分解状態で残存し、実用
上必要な厚みを得ることが困難であることが判明
した。また各種樹脂酸銀を加熱分解のみ行なつて
金属銀の析出を検討したが、分解生成に高温、長
時間を要することが判明した。 そこで種々検討の結果、紫外線照射と加熱を併
用することにより、低湿短時間で樹脂酸銀より銀
を得る方法を見出した。（表−１参照）
る銀膜を、樹脂酸銀化合物に対する紫外線および
加熱の併用により超微粒銀粉を析出・焼結せしめ
て被コーテイング面（以下、基板と称す。）に形
成する銀膜形成方法に関するものである。 従来の方法とその問題点 従来、銀により導電膜を得る方法として、 (A) 銀粉末を有機質マトリツクス（熱硬化性樹脂
など）中に分散して得られる有機質マトリツク
ス系銀ペーストの塗工乾燥によるもの。 (B) 銀−パラジウム合金粉末などを無機質マトリ
ツクス（ガラス、金属酸化物など）粉末と混合
し、これに有機質ビヒフルを加え、混錬して得
られるところの、いわゆる厚膜銀ペーストの塗
工、焼成によるもの。 (C) 電解、あるいは無電解メツキによる湿式銀メ
ツキによるもの。 (D) 真空蒸着、スパツタリング、イオンプレーテ
イングなどを用いた銀のドライメツキによるも
の。 などの方法がある。ここで、(A)および(B)の銀ペー
ストによる銀膜は、銀以外のバインダー成分を膜
内に含むため、電気伝導性に本質的な問題を残
す。同時に、(A)の場合は、電子部品などに応用す
る場合に半田付性、耐半田熱性に劣るといつた欠
点があり、また(B)の場合は、その焼成温度が600
〜900℃と高く、基板としてはアルミナセラミツ
クに代表されるような耐熱セラミツク材料に限定
されることになる。(C)および(D)の方法は、(A)(B)と
異なり、膜内にバインダー成分が残存しないこと
から高純度の銀膜を得ることが可能であり、その
膜厚の制御も比較的容易である。しかしながら(C)
の場合、電気メツキでは基板は導通性のものに限
られ、また無電解メツキにおいては、メツキ核形
成のために複雑な前処理を必要とすることと、メ
ツキ速度が遅いという欠点がある。また、公害処
理が必要となるなどの問題がある。(D)の方法で
は、銀ソースの純度がそのまま生成銀膜純度に反
映されるため本質的に高純度の銀膜を得ることが
でき、かつ原則的には基板の選択についても制限
がないという利点がある。しかしながら設備が大
がかりとなり、一般的にはバツチ生産となるため
生産性に問題が出て来ると同時に、銀膜パターン
を形成する際においてマスクを用いる必要がある
が、このマスク上の銀膜について回収が必要にな
つてくるなどの欠点がある。 発明の目的 本発明の目的とするところは、従来例(A)(B)のよ
うなバインダー成分を含まず、かつ従来例(C)のご
とき基板、膜厚の制限なしに、また従来例(D)のよ
うなマスクを使用することなく、常圧でスクリー
ン印刷などによりパターンを形成し得、さらに紫
外線照射を併用することにより従来例(B)のような
高温焼成を不要にし得る銀膜形成方法を提供する
点になる。 発明の構成 上記目的を達成するために本発明の銀膜形成方
法は、樹脂酸銀化合物の一部を還元して生成する
超微粒銀粉と、未反応の樹脂酸銀化合物およびビ
ヒクルとからなる基本的銀膜形成組成物を、加熱
分解時に紫外線照射を併用することにより分解焼
結せしめて銀膜を得るようにしており、したがつ
て、銀膜形成のために低温の加熱分解でよく、ま
た厚い銀膜が得られるものである。 実施例の説明 以下に本発明による銀膜形成方法を詳細に説明
する。 本発明方法に使用される銀膜形成材料は、一般
式RCOOAg（Ｒ：アルキル基、アリール基な
ど）で示されるギ酸銀、酢酸銀、ステアリン酸
銀、パルミチン酸銀のごとき脂肪酸塩、洒石酸
銀、乳酸銀のごときシドロキシ酸塩、グルタミン
酸銀、アスパラギン酸銀のごときアミノ酸塩、安
息香酸銀、石炭酸銀のごとき芳香族酸塩などであ
る。これら樹脂酸銀は公知のごとく光分解により
金属銀を析出する性質があるが、実験によると、
分解反応の際、紫外線照射のみでは一般に塗膜表
面から0.05〜0.1μの深さまでしか分解反応が進
行せず、これより深部では、表層に生成した銀に
より紫外線が反射して未分解状態で残存し、実用
上必要な厚みを得ることが困難であることが判明
した。また各種樹脂酸銀を加熱分解のみ行なつて
金属銀の析出を検討したが、分解生成に高温、長
時間を要することが判明した。 そこで種々検討の結果、紫外線照射と加熱を併
用することにより、低湿短時間で樹脂酸銀より銀
を得る方法を見出した。（表−１参照）
【表】
本発明による銀膜形成方法は、ホツトプレート
のごとき加熱装置および紫外線照射装置による処
理に限るものではなく、紫外線照射時に放射され
る赤外線による輻射加熱をも含むものである。
（以下、この銀膜形成方法を紫外線／加熱処理と
称す。）したがつて、本発明によると、基板材料
としては耐熱プラスチツク、金属、セラミツクと
いつた巾広い基板材料から選定が可能となるわけ
である。 本発明による銀膜は、上述のごとく基本的に
は、樹脂酸銀化合物の熱分解反応時に紫外線を照
射し、その分解速度を著しく向上させることを特
徴とする形成方法により得られるものではある
が、ビヒフルおよび樹脂酸銀からなる単純な組成
物より形成される銀膜は、平滑性や均一性が著し
く悪く、とうてい実用に供しうるものではない。 そこで鋭意検討の結果、樹脂酸銀の一部を予め
還元し、超微粒銀粉末を析出せしめて銀膜形成材
料の系中に共存せしめることにより、良好な平滑
性、および均一性の銀膜を得ることができること
を見出した。すなわち、ここでもちいる還元剤と
しては、ハイドロキノン、アミドール、アミノフ
エノール、アセチルアミノフエノール、ヒドラジ
ン、ピロガロール、ホルマリンなどであり、本発
明による銀膜形成材料の還元剤として具備すべき
条件として、還元作用を行なつた後の還元剤（酸
化物）が上述の紫外線／加熱処理により分解飛散
可能なものである必要がある。 還元剤の配合量は、樹脂酸銀全量の10〜50％、
好ましくは20〜30％の樹脂酸銀を還元する量であ
る。ここで、50％以上の樹脂酸銀を還元すると、
生成した銀膜の凝集力が劣り、また基板との密着
力を大巾に損なうことになる。一方、10％以下で
は平滑性、均一性にすぐれた銀膜が得られない。 また本発明による銀膜形成材料に使用するビヒ
フルは、溶解（分散）させるべき樹脂酸銀に対し
て溶解度が大きいほど、得られる銀膜の平滑性、
膜強度（ち密度）、および基板との密着力にすぐ
れた銀膜を得ることができる。これは、溶解状態
で存在する樹脂酸銀から還元によつて生成する銀
粒子が超微粉末となり、紫外線／加熱処理時の焼
成により焼結し易くなるためであると考えられ、
飛散性とともにビヒフルの具備すべき条件とな
る。 基本的に樹脂酸銀、ビヒフル、還元剤からなる
銀膜形成材料に銀粉末または銀合金粉末を配合
し、本発明による銀膜形成方法により厚膜の銀膜
を得ることも可能である。この際、配合する銀粉
末または銀合金粉末は１〜２μのリン片状粉末が
好ましく、被膜強度の向上、厚膜化をはかること
ができる。配合量は、銀粉／金樹脂酸銀＝0.6／
１以下にする必要がある。これ以上になると、生
成銀膜のち密さがなくなり、膜の凝集力の低下を
きたすことになる。 以下に本発明の実験例を示す。 実験例 乳酸ナトリウム水溶液と硝酸銀水溶液とを反応
させ、再結晶法により乳酸銀を再精して得る。 試料(1)：乳酸銀１ｇを水／乳酸＝１／２のビヒフ
ル0.5ｇに溶解分散させたペースト。 試料(2)：試料(1)のペーストに、乳酸銀全量の半分
を還元できる量のホルマリンを加え予備還元し
たペースト。 試料(3)：試料(2)のペースト1.5ｇに、0.6ｇのリン
片状銀粉（１〜２μ）を加えたペースト。 試料(4)：試料(2)の還元剤をヒドラジンとしたペー
スト。 試料(5)：試料(3)の還元剤をヒドラジンとしたペー
スト。 試料(6)：試料(2)のペースト1.5ｇに、0.8ｇのリ片
状銀粉（１〜２μ）を加えたペースト。 以上の各試料をスクリーン印刷により、アルミ
ナ基板に10mm×10mmのパターンを作り、紫外線照
射、250℃加熱15分で銀膜を得る。その評価結果
を表−２に示す。またグルタミン酸銀、洒石酸
銀、酢酸銀について同様の実験を行なつたが、洒
石酸銀、酢酸銀では良好な銀膜が得られなかつ
た。
のごとき加熱装置および紫外線照射装置による処
理に限るものではなく、紫外線照射時に放射され
る赤外線による輻射加熱をも含むものである。
（以下、この銀膜形成方法を紫外線／加熱処理と
称す。）したがつて、本発明によると、基板材料
としては耐熱プラスチツク、金属、セラミツクと
いつた巾広い基板材料から選定が可能となるわけ
である。 本発明による銀膜は、上述のごとく基本的に
は、樹脂酸銀化合物の熱分解反応時に紫外線を照
射し、その分解速度を著しく向上させることを特
徴とする形成方法により得られるものではある
が、ビヒフルおよび樹脂酸銀からなる単純な組成
物より形成される銀膜は、平滑性や均一性が著し
く悪く、とうてい実用に供しうるものではない。 そこで鋭意検討の結果、樹脂酸銀の一部を予め
還元し、超微粒銀粉末を析出せしめて銀膜形成材
料の系中に共存せしめることにより、良好な平滑
性、および均一性の銀膜を得ることができること
を見出した。すなわち、ここでもちいる還元剤と
しては、ハイドロキノン、アミドール、アミノフ
エノール、アセチルアミノフエノール、ヒドラジ
ン、ピロガロール、ホルマリンなどであり、本発
明による銀膜形成材料の還元剤として具備すべき
条件として、還元作用を行なつた後の還元剤（酸
化物）が上述の紫外線／加熱処理により分解飛散
可能なものである必要がある。 還元剤の配合量は、樹脂酸銀全量の10〜50％、
好ましくは20〜30％の樹脂酸銀を還元する量であ
る。ここで、50％以上の樹脂酸銀を還元すると、
生成した銀膜の凝集力が劣り、また基板との密着
力を大巾に損なうことになる。一方、10％以下で
は平滑性、均一性にすぐれた銀膜が得られない。 また本発明による銀膜形成材料に使用するビヒ
フルは、溶解（分散）させるべき樹脂酸銀に対し
て溶解度が大きいほど、得られる銀膜の平滑性、
膜強度（ち密度）、および基板との密着力にすぐ
れた銀膜を得ることができる。これは、溶解状態
で存在する樹脂酸銀から還元によつて生成する銀
粒子が超微粉末となり、紫外線／加熱処理時の焼
成により焼結し易くなるためであると考えられ、
飛散性とともにビヒフルの具備すべき条件とな
る。 基本的に樹脂酸銀、ビヒフル、還元剤からなる
銀膜形成材料に銀粉末または銀合金粉末を配合
し、本発明による銀膜形成方法により厚膜の銀膜
を得ることも可能である。この際、配合する銀粉
末または銀合金粉末は１〜２μのリン片状粉末が
好ましく、被膜強度の向上、厚膜化をはかること
ができる。配合量は、銀粉／金樹脂酸銀＝0.6／
１以下にする必要がある。これ以上になると、生
成銀膜のち密さがなくなり、膜の凝集力の低下を
きたすことになる。 以下に本発明の実験例を示す。 実験例 乳酸ナトリウム水溶液と硝酸銀水溶液とを反応
させ、再結晶法により乳酸銀を再精して得る。 試料(1)：乳酸銀１ｇを水／乳酸＝１／２のビヒフ
ル0.5ｇに溶解分散させたペースト。 試料(2)：試料(1)のペーストに、乳酸銀全量の半分
を還元できる量のホルマリンを加え予備還元し
たペースト。 試料(3)：試料(2)のペースト1.5ｇに、0.6ｇのリン
片状銀粉（１〜２μ）を加えたペースト。 試料(4)：試料(2)の還元剤をヒドラジンとしたペー
スト。 試料(5)：試料(3)の還元剤をヒドラジンとしたペー
スト。 試料(6)：試料(2)のペースト1.5ｇに、0.8ｇのリ片
状銀粉（１〜２μ）を加えたペースト。 以上の各試料をスクリーン印刷により、アルミ
ナ基板に10mm×10mmのパターンを作り、紫外線照
射、250℃加熱15分で銀膜を得る。その評価結果
を表−２に示す。またグルタミン酸銀、洒石酸
銀、酢酸銀について同様の実験を行なつたが、洒
石酸銀、酢酸銀では良好な銀膜が得られなかつ
た。
【表】
発明の効果
以上のように本発明の銀膜形成方法によると、
樹脂酸銀化合物の一部を還元して生成する超微粒
銀粉と、未反応の樹脂酸銀化合物およびビヒクル
とからなる基本的銀膜形成組成物を、加熱分解時
に紫外線照射を併用することにより分解・焼結せ
しめて銀膜を得るようにしているため、銀膜形成
のための加熱分解は低温で行なうことができ、ま
た厚い銀膜を形成することができる。 具体的には、従来例(B)の厚膜銀ペーストのよう
に600〜900℃といつた高温焼成は不要となり、
250℃以下の温度でしかも15分以内に厚さ10μ程
度の塗膜の分解反応を完了することができる。
樹脂酸銀化合物の一部を還元して生成する超微粒
銀粉と、未反応の樹脂酸銀化合物およびビヒクル
とからなる基本的銀膜形成組成物を、加熱分解時
に紫外線照射を併用することにより分解・焼結せ
しめて銀膜を得るようにしているため、銀膜形成
のための加熱分解は低温で行なうことができ、ま
た厚い銀膜を形成することができる。 具体的には、従来例(B)の厚膜銀ペーストのよう
に600〜900℃といつた高温焼成は不要となり、
250℃以下の温度でしかも15分以内に厚さ10μ程
度の塗膜の分解反応を完了することができる。
Claims (1)
- １ 樹脂酸銀化合物の一部を還元して生成する超
微粒銀粉と、未反応の樹脂酸銀化合物およびビヒ
クルとからなる基本的銀膜形成組成物を、加熱分
解時に紫外線照射を併用することにより分解・焼
結せしめて銀膜を得ることを特徴とする銀膜形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231502A JPS59124189A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 銀膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231502A JPS59124189A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 銀膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59124189A JPS59124189A (ja) | 1984-07-18 |
| JPS6241314B2 true JPS6241314B2 (ja) | 1987-09-02 |
Family
ID=16924494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57231502A Granted JPS59124189A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 銀膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59124189A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0414422U (ja) * | 1990-05-22 | 1992-02-05 | ||
| JPH07274346A (ja) * | 1994-03-29 | 1995-10-20 | Mirai Ind Co Ltd | ボックス用防塵パッキン |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63192874A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-10 | Electroplating Eng Of Japan Co | 金属被膜品の製造方法 |
| JP4815653B2 (ja) * | 2000-01-27 | 2011-11-16 | パナソニック株式会社 | 銀インキおよびその製造方法、電子部品の製造方法 |
| DE102009014424A1 (de) * | 2008-08-22 | 2010-02-25 | W.C. Heraeus Gmbh | Stoff aus Metall und Milchsäurekondensat sowie elektronisches Bauteil |
-
1982
- 1982-12-29 JP JP57231502A patent/JPS59124189A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0414422U (ja) * | 1990-05-22 | 1992-02-05 | ||
| JPH07274346A (ja) * | 1994-03-29 | 1995-10-20 | Mirai Ind Co Ltd | ボックス用防塵パッキン |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59124189A (ja) | 1984-07-18 |
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