JPS6244818B2 - - Google Patents
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- JPS6244818B2 JPS6244818B2 JP55163654A JP16365480A JPS6244818B2 JP S6244818 B2 JPS6244818 B2 JP S6244818B2 JP 55163654 A JP55163654 A JP 55163654A JP 16365480 A JP16365480 A JP 16365480A JP S6244818 B2 JPS6244818 B2 JP S6244818B2
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- Japan
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- state imaging
- channel
- solid
- imaging device
- excess charge
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/28—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices being characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistors
- H10F30/2823—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices being characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistors the devices being conductor-insulator-semiconductor devices, e.g. diodes or charge-coupled devices [CCD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/158—Charge-coupled device [CCD] image sensors having arrangements for blooming suppression
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体撮像装置の製造方法に関するもの
であり、その目的とするところは従来の方法に比
してブルーミング抑制能力の安定化及び均一化を
はかることである。
であり、その目的とするところは従来の方法に比
してブルーミング抑制能力の安定化及び均一化を
はかることである。
従来の固体撮像装置に用いられているブルーミ
ング防止法を、Ｐ型基板上に形成されたフオトダ
イオード（以下PDと略記する）を光電変換部、
４相駆動ｎチヤンネル埋め込みCCDを垂直転送
シフトレジスター（以下Ｖ−BCCDと略記する）
とするインターライン転送方式CCD型撮像素子
を例にとり説明する。
ング防止法を、Ｐ型基板上に形成されたフオトダ
イオード（以下PDと略記する）を光電変換部、
４相駆動ｎチヤンネル埋め込みCCDを垂直転送
シフトレジスター（以下Ｖ−BCCDと略記する）
とするインターライン転送方式CCD型撮像素子
を例にとり説明する。
第１図は従来の固体撮像装置の平面図である。
１は光電変換された信号電荷を集積するPD、２
はPD１に集積された信号電荷をＶ−BCCD３へ
転送する転送ゲート、４，５，６，７はそれぞれ
PD１から転送されて来た信号電荷を垂直方向へ
転送するためのＶ−BCCD３のゲート電極φ１、
φ２、φ３、φ４である。
１は光電変換された信号電荷を集積するPD、２
はPD１に集積された信号電荷をＶ−BCCD３へ
転送する転送ゲート、４，５，６，７はそれぞれ
PD１から転送されて来た信号電荷を垂直方向へ
転送するためのＶ−BCCD３のゲート電極φ１、
φ２、φ３、φ４である。
前記構成の固体撮像装置においてPD１に強い
光が照射されてPD１に蓄積しきれない大量の信
号電荷が発生しPD１からＶ−BCCD３へあふれ
出すとブルーミングが生じる。
光が照射されてPD１に蓄積しきれない大量の信
号電荷が発生しPD１からＶ−BCCD３へあふれ
出すとブルーミングが生じる。
そこで、過剰電荷がＶ−BCCD３へあふれ出す
前に、この過剰電荷を流し込んで捨てる排出用ド
レインがオーバーフロードレイン（以下OFDと
略記する）８であり、そのあふれ出させる電位の
閾値を決めるのがオーバーフローコントロールゲ
ート（以下OFCGと略記する）９に印加される電
圧である。
前に、この過剰電荷を流し込んで捨てる排出用ド
レインがオーバーフロードレイン（以下OFDと
略記する）８であり、そのあふれ出させる電位の
閾値を決めるのがオーバーフローコントロールゲ
ート（以下OFCGと略記する）９に印加される電
圧である。
第１図のＡ−A′線に沿つた断面を第２図ａに
示す。１０はＶ−BCCD３のチヤンネル領域、１
１は電荷の溢れ出しを防止するチヤンネルストツ
パー、１２はSiO2層である。
示す。１０はＶ−BCCD３のチヤンネル領域、１
１は電荷の溢れ出しを防止するチヤンネルストツ
パー、１２はSiO2層である。
第２図ａに対応した電位分布を模式的に示した
のが第２図ｂである。第２図ｂで１３は信号電荷
がないときのPD１のＮ層の電位、１４は信号電
荷集積期間内における転送ゲート２のチヤンネル
電位、１５は信号電荷がないときのＶ−BCCD３
のチヤンネル電位、１６はOFCG９のチヤンネル
電位、１７はOFD８の電位、１８はチヤンネル
ストツパー１１の電位である。同図からわかるよ
うに、この固体撮像装置において、ブルーミング
抑制能力を発揮するためには転送ゲート２のチヤ
ンネル電位１４よりも、OFCG９のチヤンネル電
位１６を高く（図で下方位置ほど電位が高い）し
ておき、PD１の電位１３において生じた過剰電
子をOFD８の電位１７へ移動させることが必要
である。
のが第２図ｂである。第２図ｂで１３は信号電荷
がないときのPD１のＮ層の電位、１４は信号電
荷集積期間内における転送ゲート２のチヤンネル
電位、１５は信号電荷がないときのＶ−BCCD３
のチヤンネル電位、１６はOFCG９のチヤンネル
電位、１７はOFD８の電位、１８はチヤンネル
ストツパー１１の電位である。同図からわかるよ
うに、この固体撮像装置において、ブルーミング
抑制能力を発揮するためには転送ゲート２のチヤ
ンネル電位１４よりも、OFCG９のチヤンネル電
位１６を高く（図で下方位置ほど電位が高い）し
ておき、PD１の電位１３において生じた過剰電
子をOFD８の電位１７へ移動させることが必要
である。
原理的には、前記の方法によつてブルーミング
を防止できる訳であるが、このような構造の固体
撮像装置はＶ−CCDSのゲート電極４，５，６，
７を行毎に共通接続するための電極が形成されて
いるため、一度の不純物導入工程でOFD８全体
を形成しようとすれば、CCDゲート電極４〜７
の形成以前にOFD８を形成しなければならな
い。従つて、従来は、必要な前段階の工程の後、
まずOFD８全体にイオン注入法、または熱拡散
法等によつて不純物を導入し、次にCCDのゲー
ト電極４，６および５，７を形成する。その後、
転送ゲート２およびOFCG９を形成し、これらの
ゲート電極、転送ゲート、OFCGをマスクとし
て、PD１およびOFD８の上でゲート電極４，
５，６，７がない領域に不純物を導入するという
方法がとられていた。このため、OFD８全体に
導入された不純物と、OFCG９は自己整合拡散と
はならない。従つてOFCG９とOFD８の相対位
置はフオトリソグラフイー、及びエツチングの加
工精度の範囲内で不均一を生じる。その結果、
OFCG９とOFD８の相対位置にずれが生じやす
く、しばしば第３図ａの様な構造になる。すなわ
ち、同図において、OFD８とOFCG９は重なり
部分を有している。第２図ａと第３図ａにおける
構造を比較すると、OFCG９のチヤンネル長１９
が第３図ａにおいて蓄しく短かくなつている事が
わかる。通常、これらの図においてOFCG９の適
正なチヤンネル長１９は数ミクロン、加工誤差
（第２図ａと第３図ａにおけるOFCG９のチヤン
ネル長１９の差）は最大1.5〜２ミクロン程度で
ある。
を防止できる訳であるが、このような構造の固体
撮像装置はＶ−CCDSのゲート電極４，５，６，
７を行毎に共通接続するための電極が形成されて
いるため、一度の不純物導入工程でOFD８全体
を形成しようとすれば、CCDゲート電極４〜７
の形成以前にOFD８を形成しなければならな
い。従つて、従来は、必要な前段階の工程の後、
まずOFD８全体にイオン注入法、または熱拡散
法等によつて不純物を導入し、次にCCDのゲー
ト電極４，６および５，７を形成する。その後、
転送ゲート２およびOFCG９を形成し、これらの
ゲート電極、転送ゲート、OFCGをマスクとし
て、PD１およびOFD８の上でゲート電極４，
５，６，７がない領域に不純物を導入するという
方法がとられていた。このため、OFD８全体に
導入された不純物と、OFCG９は自己整合拡散と
はならない。従つてOFCG９とOFD８の相対位
置はフオトリソグラフイー、及びエツチングの加
工精度の範囲内で不均一を生じる。その結果、
OFCG９とOFD８の相対位置にずれが生じやす
く、しばしば第３図ａの様な構造になる。すなわ
ち、同図において、OFD８とOFCG９は重なり
部分を有している。第２図ａと第３図ａにおける
構造を比較すると、OFCG９のチヤンネル長１９
が第３図ａにおいて蓄しく短かくなつている事が
わかる。通常、これらの図においてOFCG９の適
正なチヤンネル長１９は数ミクロン、加工誤差
（第２図ａと第３図ａにおけるOFCG９のチヤン
ネル長１９の差）は最大1.5〜２ミクロン程度で
ある。
この両者を比較するとOFCG９に同電圧を印加
した場合のチヤンネル電位１６は、チヤンネル長
１９が短い方が長い方よりもシヨートチヤンネル
効果により高くなる。即ち、チヤンネル長１９が
短くなると過剰電荷としてOFD８へ排出する際
の閾値電位が低くなる。
した場合のチヤンネル電位１６は、チヤンネル長
１９が短い方が長い方よりもシヨートチヤンネル
効果により高くなる。即ち、チヤンネル長１９が
短くなると過剰電荷としてOFD８へ排出する際
の閾値電位が低くなる。
したがつて、このようなチヤンネル長の不均一
が同一素子内で発生した場合、各PDによつて飽
和電荷量が異なるため（第２図ｂ、第３図ｂの斜
線図）、同一光量が照射された場合でもOFCGチ
ヤンネル長が短いPDは早く飽和してしまう。そ
のために、同一照度であるにも拘らず、再生画像
上では、各PDの飽和電荷量の不均一を反映した
輝度の不均一を生じる。
が同一素子内で発生した場合、各PDによつて飽
和電荷量が異なるため（第２図ｂ、第３図ｂの斜
線図）、同一光量が照射された場合でもOFCGチ
ヤンネル長が短いPDは早く飽和してしまう。そ
のために、同一照度であるにも拘らず、再生画像
上では、各PDの飽和電荷量の不均一を反映した
輝度の不均一を生じる。
更に極端な例としてOFCG９に更に正電圧を印
加した場合の電位分布が、第２図ｃ、第３図ｃで
ある。この両図からわかるように、第２図ｃでで
は、PDには信号電荷蓄積能力があるが、第３図
ｃの場合は、発生した信号電荷は全て、OFD８
へ流出してしまう。従つて第３図ｃのPDから読
み出される信号がないので、再生画像上では黒点
となる。これらはいずれも固定パターンノイズと
なつて画質を蓄しく低下させる。
加した場合の電位分布が、第２図ｃ、第３図ｃで
ある。この両図からわかるように、第２図ｃでで
は、PDには信号電荷蓄積能力があるが、第３図
ｃの場合は、発生した信号電荷は全て、OFD８
へ流出してしまう。従つて第３図ｃのPDから読
み出される信号がないので、再生画像上では黒点
となる。これらはいずれも固定パターンノイズと
なつて画質を蓄しく低下させる。
この様な欠点を防止するために、従来はOFCG
９の幅を大きくとることによつて、不均一の影響
を、相対的に小さくしようとする方法もあるが、
これはPD１、或いはＶ−BCCDのチヤンネル幅
１０を狭めるため感度、或いは飽和電荷量等、特
性上の劣化を引きおこす。
９の幅を大きくとることによつて、不均一の影響
を、相対的に小さくしようとする方法もあるが、
これはPD１、或いはＶ−BCCDのチヤンネル幅
１０を狭めるため感度、或いは飽和電荷量等、特
性上の劣化を引きおこす。
本発明は、かかる従来の製造方法の欠点を除去
するもので、OFDのうちOFCGのチヤンネルと
なる部分と接する部分をOFCGと自己整合拡散に
より形成することによつてチヤンネル長の不均一
を低減することのできる固体撮像装置の製造方法
を提供するものである。
するもので、OFDのうちOFCGのチヤンネルと
なる部分と接する部分をOFCGと自己整合拡散に
より形成することによつてチヤンネル長の不均一
を低減することのできる固体撮像装置の製造方法
を提供するものである。
以下、第４図を用いて本発明の実施例における
固体撮像装置の製造方法を説明する。同図は第１
図と同じくインターライン転送方式CCD型撮像
素子である。第１図の固体撮像装置の製造方法と
異なる点は、第１図では、OFD８全体を１度の
不純物導入工程で形成するのに対し、本発明の一
実施例を示す第４図では、前記不純物導入工程に
おいてはOFD８全体のうち、ゲート電極４，
５，６，７が形成されるべき領域２０だけに不純
物を導入することである。その後の工程は第１図
に関して説明した工程と同一である。
固体撮像装置の製造方法を説明する。同図は第１
図と同じくインターライン転送方式CCD型撮像
素子である。第１図の固体撮像装置の製造方法と
異なる点は、第１図では、OFD８全体を１度の
不純物導入工程で形成するのに対し、本発明の一
実施例を示す第４図では、前記不純物導入工程に
おいてはOFD８全体のうち、ゲート電極４，
５，６，７が形成されるべき領域２０だけに不純
物を導入することである。その後の工程は第１図
に関して説明した工程と同一である。
これによつてOFCG９のチヤンネルは自己整合
拡散で形成されるので、実用上、問題となる様な
大きな不均一は解消され、素子全面にわたり均一
なブルーミング抑制効果が得られる。実際には本
構造を形成する際には、OFD８のうち領域２０
と領域２１の各拡散層が、接触又は重なり合つて
いなければ、OFD８内を電荷が流れないので過
剰電荷排出用ドレインとしての用を果さない。こ
の重なりあつた構造を第４図のＢ−B′線に沿つた
断面を示した第５図ａで示す。
拡散で形成されるので、実用上、問題となる様な
大きな不均一は解消され、素子全面にわたり均一
なブルーミング抑制効果が得られる。実際には本
構造を形成する際には、OFD８のうち領域２０
と領域２１の各拡散層が、接触又は重なり合つて
いなければ、OFD８内を電荷が流れないので過
剰電荷排出用ドレインとしての用を果さない。こ
の重なりあつた構造を第４図のＢ−B′線に沿つた
断面を示した第５図ａで示す。
また、第４図において領域２２の様に領域２０
を覆う様にチヤンネルストツパーとしてP+層を
拡散しておけば、領域２０がOFCG９の下へずれ
て形成されても、その部分はOFCGチヤンネルと
はならないので従来例で述べた様な不都合は生じ
ない。この構造を第４図のＣ−C′線に沿つて切
つた断面を第５図ｂで示す。なお第４図の領域２
０を、Ｖ−BCCDのチヤンネル１０を形成する不
純物導入工程において形成すれば、フオトリソグ
ラフイー用マスクを従来法よりも一枚減らせるこ
とができる。
を覆う様にチヤンネルストツパーとしてP+層を
拡散しておけば、領域２０がOFCG９の下へずれ
て形成されても、その部分はOFCGチヤンネルと
はならないので従来例で述べた様な不都合は生じ
ない。この構造を第４図のＣ−C′線に沿つて切
つた断面を第５図ｂで示す。なお第４図の領域２
０を、Ｖ−BCCDのチヤンネル１０を形成する不
純物導入工程において形成すれば、フオトリソグ
ラフイー用マスクを従来法よりも一枚減らせるこ
とができる。
以上の説明はインターライン転送方式CCD型
撮像素子における実施例であるが、垂直読み出し
をMOSスイツチで行なうMOS型撮像素子でも、
読み出しゲートが水平方向に形成されているた
め、同様の構造をとることができる。またｎチヤ
ンネルにおける例を説明したが、全く同様にＰチ
ヤンネルにおいても用いることができるのは言う
までもない。
撮像素子における実施例であるが、垂直読み出し
をMOSスイツチで行なうMOS型撮像素子でも、
読み出しゲートが水平方向に形成されているた
め、同様の構造をとることができる。またｎチヤ
ンネルにおける例を説明したが、全く同様にＰチ
ヤンネルにおいても用いることができるのは言う
までもない。
第１図は従来の固体撮像装置の製造方法を説明
するための同装置の平面図、第２図ａは同装置の
断面図、第２図ｂ，ｃは同装置の動作時の電位分
布図、第３図ａは従来の方法で製造したためオー
バーフロードレインがずれた位置に形成された例
を示す固体撮像装置の断面図、第３図ｂ，ｃは第
３図ａに示す固体撮像装置の動作時の電位分布
図、第４図は本発明の実施例における固体撮像装
置の製造方法によつて形成した同装置の平面図、
第５図ａ，ｂは第４図の固体撮像装置の断面図を
示す。 １……フオトダイオード、２……転送ゲート、
３……垂直CCD、４，５，６，７……垂直CCD
のゲート電極、８……オーバーフロードレイン、
９……オーバーフロードレインコントロールゲー
ト、２０，２１……オーバーフロードレインの部
分領域。
するための同装置の平面図、第２図ａは同装置の
断面図、第２図ｂ，ｃは同装置の動作時の電位分
布図、第３図ａは従来の方法で製造したためオー
バーフロードレインがずれた位置に形成された例
を示す固体撮像装置の断面図、第３図ｂ，ｃは第
３図ａに示す固体撮像装置の動作時の電位分布
図、第４図は本発明の実施例における固体撮像装
置の製造方法によつて形成した同装置の平面図、
第５図ａ，ｂは第４図の固体撮像装置の断面図を
示す。 １……フオトダイオード、２……転送ゲート、
３……垂直CCD、４，５，６，７……垂直CCD
のゲート電極、８……オーバーフロードレイン、
９……オーバーフロードレインコントロールゲー
ト、２０，２１……オーバーフロードレインの部
分領域。
Claims (1)
- １ 一導電型の半導体基板上に複数個の光電変換
部と、前記光電変換部の過剰電荷を排出する過剰
電荷排出用ドレイン領域と、前記過剰電荷排出用
ドレイン領域上に設けられた複数個の第１の電極
と、過剰電荷排出用ゲートとしての複数個の第２
の電極とを有する固体撮像装置の製造方法であつ
て、前記一導電型と反対導電型の不純物を、前記
過剰電荷排出用ドレイン領域のうち前記第１の電
極が形成されるべき領域に導入する工程と、前記
第１の電極と前記第２の電極とを形成する工程
と、前記反対導電型の不純物を前記基板に前記第
１および第２の電極をマスクとして導入し、前記
光電変換部および前記過剰電荷排出用ドレイン領
域とを自己整合的に形成する工程とを備えたこと
を特徴とする固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55163654A JPS5787182A (en) | 1980-11-19 | 1980-11-19 | Manufacture of solid-state image pickup device |
| US06/320,845 US4435897A (en) | 1980-11-19 | 1981-11-12 | Method for fabricating solid-state image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55163654A JPS5787182A (en) | 1980-11-19 | 1980-11-19 | Manufacture of solid-state image pickup device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5787182A JPS5787182A (en) | 1982-05-31 |
| JPS6244818B2 true JPS6244818B2 (ja) | 1987-09-22 |
Family
ID=15778040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55163654A Granted JPS5787182A (en) | 1980-11-19 | 1980-11-19 | Manufacture of solid-state image pickup device |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4435897A (ja) |
| JP (1) | JPS5787182A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0290867U (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-18 | ||
| JPH0412921A (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-17 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | フレキシブルスクリュー |
| JPH0412920A (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-17 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | フレキシブルスクリュー |
| JPH0524614U (ja) * | 1991-09-09 | 1993-03-30 | 富士通株式会社 | トナー搬送装置 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4596605A (en) * | 1982-12-14 | 1986-06-24 | Junichi Nishizawa | Fabrication process of static induction transistor and solid-state image sensor device |
| US4658497A (en) * | 1983-01-03 | 1987-04-21 | Rca Corporation | Method of making an imaging array having a higher sensitivity |
| US4585299A (en) * | 1983-07-19 | 1986-04-29 | Fairchild Semiconductor Corporation | Process for fabricating optical wave-guiding components and components made by the process |
| US5043571A (en) * | 1988-08-01 | 1991-08-27 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | CCD photosensor and its application to a spectrophotometer |
| JP2797993B2 (ja) * | 1995-02-21 | 1998-09-17 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US5977561A (en) * | 1998-03-02 | 1999-11-02 | Texas Instruments - Acer Incorporated | Elevated source/drain MOSFET with solid phase diffused source/drain extension |
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Also Published As
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| JPS5787182A (en) | 1982-05-31 |
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