JPS6246992A - 液相エピタキシヤル成長方法 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長方法Info
- Publication number
- JPS6246992A JPS6246992A JP18712785A JP18712785A JPS6246992A JP S6246992 A JPS6246992 A JP S6246992A JP 18712785 A JP18712785 A JP 18712785A JP 18712785 A JP18712785 A JP 18712785A JP S6246992 A JPS6246992 A JP S6246992A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- groove
- substrate
- type
- gaas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 12
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 102220043690 rs1049562 Human genes 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は液相エピタキシャル成長方法に関する。
（ロ）従来の技術
現在、ＣＤ（コンパクトディスク）やＶＤ（ビデオディ
スク）用の光源として半導体レーザが利用されている。
スク）用の光源として半導体レーザが利用されている。
この種レーザの一例としては第２図に示す如く電子通信
学会技術研究報告Ｖ；ｂＪ、８４．Ｎｏ。
学会技術研究報告Ｖ；ｂＪ、８４．Ｎｏ。
９５、Ｐ３１〜Ｐ３８（１９８４）で提案されたＢＳＩ
Ｓ （Ｂｒｏａｄ ｃｈａｎｎｅｌｅｄ ５ｕｂ
ｓｔｒａｔｅ Ｉｎｎｅｒ ５ｔｒｉｐｅ）型の半
導体レーザがある。
Ｓ （Ｂｒｏａｄ ｃｈａｎｎｅｌｅｄ ５ｕｂ
ｓｔｒａｔｅ Ｉｎｎｅｒ ５ｔｒｉｐｅ）型の半
導体レーザがある。
第２図中、（ｌｊはｐ型ＧａＡｓからなる基板、（２）
はｎ型ＧａＡｓからなる電流狭窄層であり、該狭窄ＦＪ
は上記基板ｆｌｌ上に積層されると共にその表面より基
板表面１Ｃ到遺する溝が形成されている。また祈る溝は
上部がＩｐ４広部となり、下部が幅狭部となる階段上と
なっている。（３）は上記狭窄層（２）上に＠すされた
第１クラッド層であり、該クラッド層はｐ型Ｇａ１−ｘ
ＡｌｘＡｓ （０＜Ｘ＜−１）からなる。また、折るク
ラッド層はその表面が平坦であり、かつ上記溝上部以外
の１厚は０．１μｍ程度である。（４）は上記第１クラ
ッド層（３）上に積層された活性層であり、該活性層は
ノンドーグＧａ１−ｙＡＪｙＡｓ （０≦ｙ＜ｘ ）か
らなり、その層厚は０．１μｍ以下である（６）は上記
活性層（４）上に積層された第２クラッド層であり、該
クラッド層はｎ型Ｇａ １−ｘＡ／ｘＡｓからなり、そ
の層厚は約１μｍである。（６）は上記第２クラッド層
（５）上に積層されたキャップ層であシ、該キャップ、
＊／ｄｎ型ＱａＡｓからなり、その層厚／ｄ ０．５〜
１ ｐ ｍである０ 祈る構成の半導体レーザでは非点収差が小さく、更にＣ
Ｄ５ＶＤ等の光源として採用したときＫは雑音特性が小
さくなる。
はｎ型ＧａＡｓからなる電流狭窄層であり、該狭窄ＦＪ
は上記基板ｆｌｌ上に積層されると共にその表面より基
板表面１Ｃ到遺する溝が形成されている。また祈る溝は
上部がＩｐ４広部となり、下部が幅狭部となる階段上と
なっている。（３）は上記狭窄層（２）上に＠すされた
第１クラッド層であり、該クラッド層はｐ型Ｇａ１−ｘ
ＡｌｘＡｓ （０＜Ｘ＜−１）からなる。また、折るク
ラッド層はその表面が平坦であり、かつ上記溝上部以外
の１厚は０．１μｍ程度である。（４）は上記第１クラ
ッド層（３）上に積層された活性層であり、該活性層は
ノンドーグＧａ１−ｙＡＪｙＡｓ （０≦ｙ＜ｘ ）か
らなり、その層厚は０．１μｍ以下である（６）は上記
活性層（４）上に積層された第２クラッド層であり、該
クラッド層はｎ型Ｇａ １−ｘＡ／ｘＡｓからなり、そ
の層厚は約１μｍである。（６）は上記第２クラッド層
（５）上に積層されたキャップ層であシ、該キャップ、
＊／ｄｎ型ＱａＡｓからなり、その層厚／ｄ ０．５〜
１ ｐ ｍである０ 祈る構成の半導体レーザでは非点収差が小さく、更にＣ
Ｄ５ＶＤ等の光源として採用したときＫは雑音特性が小
さくなる。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
熱るに上記溝は電流狭窄層（２）形成後、まず基板（１
）に達する幅狭の第１溝（７）をエツチングにより形成
しく第３図（ａ） ） 、その後基板ｆｌ）に達しない
深さを有する幅広の第２溝（８）をエツチング形成し、
階段状とするため、その歩留シが悪い。その理由は第２
溝（８）を形成する際に上記緒特性を良好になすために
上記＄２溝（８）の底部直下の狭窄層（２）の層厚は０
．１μｍ以下の精度で制御されなければならず、このよ
うな制御は非常〈難しいためである。
）に達する幅狭の第１溝（７）をエツチングにより形成
しく第３図（ａ） ） 、その後基板ｆｌ）に達しない
深さを有する幅広の第２溝（８）をエツチング形成し、
階段状とするため、その歩留シが悪い。その理由は第２
溝（８）を形成する際に上記緒特性を良好になすために
上記＄２溝（８）の底部直下の狭窄層（２）の層厚は０
．１μｍ以下の精度で制御されなければならず、このよ
うな制御は非常〈難しいためである。
また、上記溝形成後筒１クラッド層（３）を液相エピタ
キシャル成長させる際にメＡ／）パックにより上記溝の
角部がダしてしまい溝形状がＩＲｊ、するという問題も
生じている。
キシャル成長させる際にメＡ／）パックにより上記溝の
角部がダしてしまい溝形状がＩＲｊ、するという問題も
生じている。
に）問題点を解決するための手段
本発明は祈る問題点に鑑みてなされたものでその構成的
特徴けＧａＡｓ基板上にＧａＡｌＡｓからなる第１層及
びＧａＡｓからなる第２層を１＠次積層すると共に上記
積層層表面より上記基板に達する階段状の溝を形成した
後、過飽和度２℃以上の成長用メルトで上記基板表面を
覆い所望の成長層を成長せしめることにある。
特徴けＧａＡｓ基板上にＧａＡｌＡｓからなる第１層及
びＧａＡｓからなる第２層を１＠次積層すると共に上記
積層層表面より上記基板に達する階段状の溝を形成した
後、過飽和度２℃以上の成長用メルトで上記基板表面を
覆い所望の成長層を成長せしめることにある。
（ホ）作用
祈る構成では第１層の存在によシ第２層の選択エツチン
グが可能となると共に溝のブレを防止できる。
グが可能となると共に溝のブレを防止できる。
（へ）実施例
第１図は本発明の一実施例を示′す工程別断面図である
。
。
第１図（ａ）Ｆ！第１工程を示し、ｐ型ＧａＡｓ基板（
１１）上にｎ型Ｇａ Ｏ，７５ＡＪ０．２５Ａｓからな
る第１層θ匂及びｎ型ＧａＡｓからなる第２１１０１を
順次積層する。尚、上記第１層（１２）及び第２層Ｃ１
ｌの層厚は夫々０．３μｍ程度及び０．８μｍ程度であ
る。
１１）上にｎ型Ｇａ Ｏ，７５ＡＪ０．２５Ａｓからな
る第１層θ匂及びｎ型ＧａＡｓからなる第２１１０１を
順次積層する。尚、上記第１層（１２）及び第２層Ｃ１
ｌの層厚は夫々０．３μｍ程度及び０．８μｍ程度であ
る。
第１図（ｂ）は＠２工程を示し、上記第２層表面より基
板（１１）に達する第１の溝０４を形成する。所る溝形
成＃１ＧａＡｓ及びＧａＡｌ！Ａｓのいずれに対しても
選択性のない例えばＨ２ＳＯ４−！Ｈ２Ｏ２：Ｈ２０＝
３ ： １ ： １のエツチング液を用いて行なえ、そ
の断面形状は表面開孔幅ｔの逆三角形となる。
板（１１）に達する第１の溝０４を形成する。所る溝形
成＃１ＧａＡｓ及びＧａＡｌ！Ａｓのいずれに対しても
選択性のない例えばＨ２ＳＯ４−！Ｈ２Ｏ２：Ｈ２０＝
３ ： １ ： １のエツチング液を用いて行なえ、そ
の断面形状は表面開孔幅ｔの逆三角形となる。
第１図（Ｃ）は第３工程を示し、上記第２層Ｃ１ｌ表面
より第１層ａ乃に達し、上記第１の溝（４）より開孔幅
Ｗが大なる逆台形状の第２の溝Ｃｌ５）を形成する。祈
る溝形成けＧａＡｓに対してエツチング力が大でかりＧ
ａＡｌＡｓに対してエツチング力が小なる例えばＮＨ４
ＯＨ：Ｈ２Ｏ１＝２０２１のエツチング液を用いてエツ
チングすることにより形成できる。
より第１層ａ乃に達し、上記第１の溝（４）より開孔幅
Ｗが大なる逆台形状の第２の溝Ｃｌ５）を形成する。祈
る溝形成けＧａＡｓに対してエツチング力が大でかりＧ
ａＡｌＡｓに対してエツチング力が小なる例えばＮＨ４
ＯＨ：Ｈ２Ｏ１＝２０２１のエツチング液を用いてエツ
チングすることにより形成できる。
第１図（ｄ）は第４工程を示し、上記第２層Ｃ１ｌ表面
にｐ型Ｇ ａ ０−５ＡＪ０．５Ａ８からなる第１クラ
ッド層輛を液相エピタキシャ／ｌ／成長法を用いて形成
する。祈る形成にあたって、上記第１クラッド層（固形
成用メルトは基板との接触時に少なくとも２℃以上の過
飽和度に保持されることにより上記溝部のブレを防止で
き・る。尚、上記第１クラッド層（ＩＱは平坦な表面を
有し、かつ溝直上以外の層厚ｌ／′ｉｏ。
にｐ型Ｇ ａ ０−５ＡＪ０．５Ａ８からなる第１クラ
ッド層輛を液相エピタキシャ／ｌ／成長法を用いて形成
する。祈る形成にあたって、上記第１クラッド層（固形
成用メルトは基板との接触時に少なくとも２℃以上の過
飽和度に保持されることにより上記溝部のブレを防止で
き・る。尚、上記第１クラッド層（ＩＱは平坦な表面を
有し、かつ溝直上以外の層厚ｌ／′ｉｏ。
１μｍ程度となるように形成される。
第１図（ｅ）は最終工程を示し、上記第１クラッド層輛
上にノンＦ−１Ｇ ａ Ｏ，８６ＡＪＱ、１５ＡＳから
なる活性＃Ｑ７）、ｎ型Ｑ ａ Ｏ，５ＡＪＯ，ｌ５Ａ
ｓからなる第２クラッド層０樽及びｎ型ＧａＡｓからな
るキャップ層（ｌを順次エビタキシャ／Ｖ成長する。祈
る成長は液相、気相、分子線等周知のエビタキシャ／Ｌ
／ｅ、長方法を用いて行なえる。また、上記各成長層０
７ｊ〜卸の層厚は夫々０．０５μｍ１１μｍ１０．５μ
ｍである。
上にノンＦ−１Ｇ ａ Ｏ，８６ＡＪＱ、１５ＡＳから
なる活性＃Ｑ７）、ｎ型Ｑ ａ Ｏ，５ＡＪＯ，ｌ５Ａ
ｓからなる第２クラッド層０樽及びｎ型ＧａＡｓからな
るキャップ層（ｌを順次エビタキシャ／Ｖ成長する。祈
る成長は液相、気相、分子線等周知のエビタキシャ／Ｌ
／ｅ、長方法を用いて行なえる。また、上記各成長層０
７ｊ〜卸の層厚は夫々０．０５μｍ１１μｍ１０．５μ
ｍである。
このようにして作製された半導体レーザは第２図の従来
装置と同様に非点収差が少なく、かつＣＤ、ＶＤ等の光
源として採用したときには雑音特性を低く抑えることが
できる。
装置と同様に非点収差が少なく、かつＣＤ、ＶＤ等の光
源として採用したときには雑音特性を低く抑えることが
できる。
（ト）発明の効果
本発明によれば、第１層と第２層とがその組成を異とす
るため、幅広の溝を形成する際第２ｍのみを選択的にエ
ツチング可能なエツチング液を用いることにより第１層
がエツチング阻止層として働き所望深さに段部を有する
溝が形成できる。また、第２層直上に積層されるエビタ
キＶヤ／Ｖ層を形成する際に過飽和度か２℃以上のメル
トを用いて液相エビタキシャｌｖ成長を行なうので、上
記溝においてブレを生じることはない。
るため、幅広の溝を形成する際第２ｍのみを選択的にエ
ツチング可能なエツチング液を用いることにより第１層
がエツチング阻止層として働き所望深さに段部を有する
溝が形成できる。また、第２層直上に積層されるエビタ
キＶヤ／Ｖ層を形成する際に過飽和度か２℃以上のメル
トを用いて液相エビタキシャｌｖ成長を行なうので、上
記溝においてブレを生じることはない。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例を示す工程別断
面図、第２図は従来例を示す断面図、第３図（ａ）（ｂ
）は従来の溝の形成方法を説明するための工程別断面図
である。 （ＩＩ）・・・基板、（Ｉ乃・・・第１層、α尋・・・
第２層、（＋４１（１５）・・・第１、第２溝。
面図、第２図は従来例を示す断面図、第３図（ａ）（ｂ
）は従来の溝の形成方法を説明するための工程別断面図
である。 （ＩＩ）・・・基板、（Ｉ乃・・・第１層、α尋・・・
第２層、（＋４１（１５）・・・第１、第２溝。
Claims (1)
- （１）ＧａＡｓ基板上にＧａＡｌＡｓからなる第１層及
びＧａＡｓからなる第２層を順次積層すると共に上記積
層層表面より上記基板に達する階段状の溝を形成した後
、過飽和度２℃以上の成長用メルトで上記基板表面を覆
い所望の成長層を成長せしめることを特徴とする液相エ
ピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18712785A JPH0633223B2 (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 液相エピタキシヤル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18712785A JPH0633223B2 (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 液相エピタキシヤル成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6246992A true JPS6246992A (ja) | 1987-02-28 |
| JPH0633223B2 JPH0633223B2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=16200588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18712785A Expired - Lifetime JPH0633223B2 (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 液相エピタキシヤル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0633223B2 (ja) |
-
1985
- 1985-08-26 JP JP18712785A patent/JPH0633223B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0633223B2 (ja) | 1994-05-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0118590B2 (ja) | ||
| US5093278A (en) | Method of manufacturing a semiconductor laser | |
| US5395792A (en) | Process for fabricating a semiconductor laser device | |
| JPS59129486A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPS6246992A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 | |
| US5518954A (en) | Method for fabricating a semiconductor laser | |
| JP2525788B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JPS6349396B2 (ja) | ||
| JP2953450B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法および半導体レーザ | |
| JPH0560275B2 (ja) | ||
| KR100281919B1 (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 | |
| JPS60261184A (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| JPS62179790A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH084180B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| JP2525617B2 (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS6373583A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS60251654A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR960043387A (ko) | 화합물 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| JPS61272990A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH04219989A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0430758B2 (ja) | ||
| JPH0559594B2 (ja) | ||
| JPS62128589A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
| JPH0732280B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH05211345A (ja) | 面発光型発光ダイオードおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |